【課題】 本発明の課題は、さらに制御機能が組み込まれているパワー半導体モジュールを提供することである。
【解決手段】 本発明は、基板と、この基板に配されている複数の互いに電気絶縁されている導体路と、これらの導体路に配されているパワー半導体素子と、接続装置とを備えているパワー半導体モジュールによって解決される。この接続装置は、パワー半導体素子及び／或いは導体路及び／或いは外部接触装置の回路に整合する接続のために、少なくとも２つの導電層と少なくとも１つの電気絶縁層とが交互に連続している層から成っている。導電層は接続路を形成し、少なくとも１つのトランスミッタが配され、このトランスミッタは、一体型として形成されているので接続装置の構成部分で形成されている。このトランスミッタは、少なくとも１つの送信コイルと少なくとも１つの受信コイルとから成り、これらのコイルは、夫々互いに対して同軸に配され、螺旋状の巻線を有して形成されている。 （もっと読む）

【課題】磁性体ブロックの面積によらずに所望のコイル半径を実現でき、モジュールサイズの大型化を抑制できるコイル装置、およびそのコイル装置を電源回路に備える電源モジュールの提供を図る。
【解決手段】コイル装置Ｌ５は積層基板５２とターン構成線材４Ａ，４Ｂとを備える。積層基板５２は回路パターン５５Ａ〜５５Ｃを備える。回路パターン５５Ｂはターン構成パターンであり、コイルの１ターンを部分的に構成する。ターン構成線材４Ａ，４Ｂは磁性体ブロック３３に設けられ、回路パターン５５Ｂに接続されてコイルの１ターンを部分的に構成する。磁性体ブロック３３はコイルの磁路となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、回路基板の圧電トランス及び出力用コネクタからその周囲の電子部品に対する放電を防止し、ケーブルの絶縁被膜の耐電圧に関わらずケーブルの絶縁が確保できる、幅方向の寸法が小さいインバータユニットを提供することである。
【解決手段】 本発明のインバータユニットは、回路基板５の一方の端部の近傍から、回路基板５の長手方向に、第１の出力用コネクタ４ａ、第２の出力用コネクタ４ｂ、次に圧電トランス１ａ及び圧電トランス１ｂ、更に電子部材２、そして入力用コネクタ３を順に配置し、回路基板５の図示しない回路パターンを介して電気的に接続し、第１の出力用コネクタ４ａを第１の絶縁部６ａで覆い、２の出力用コネクタ４ｂ、圧電トランス１ａ、圧電トランス１ｂ、電子部材２、入力用コネクタ３を第２の絶縁部６ｂで覆い構成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣに内蔵されるＭＯＳトランジスタを用いたチャージポンプ回路において、ＭＯＳトランジスタの耐圧以上の出力電圧を発生する。
【解決手段】Ｐ型の基板上に形成される電荷転送素子の内で、入力電圧ＶＩＮ側のＭＯＳトランジスタをＮＭＯＳ１０_１〜１０_１８で構成し、出力電圧ＶＯＵＴ側のＭＯＳトランジスタをＮ型のウエル内に形成されたＰＭＯＳ２０_１，２０_２で構成する。そして、ＰＭＯＳ２０_１，２０_２のドレイン領域をＰ型の高濃度拡散層と低濃度拡散層による２層構造とする。これにより、ＰＭＯＳ２０_１，２０_２のＰ型ドレイン領域、Ｎ型ウエル、及びＰ型基板によるＰＮＰ型の寄生バイポーラトランジスタによるリーク電流が減少する。また、ＮＭＯＳのドレイン・基板間耐圧以上のチャージポンプ出力電圧ＶＯＵＴを生成することができる。 （もっと読む）

【課題】損失を低減しつつ、瞬低時においても出力電圧を一定に維持することができる共振型電力変換装置を提供する。
【解決手段】第１および第２のスイッチング素子を直列に接続した直列回路と、第３および第４のスイッチング素子を直列に接続した直列回路が直流電圧源に接続され、これら各直列回路を構成するそれぞれのスイッチング素子の接続点との間に介装されて、リアクトル、コンデンサおよび変圧器の一次巻線とを直列に接続した直列回路を備えた共振型共振型電力変換装置において、直流電圧源が所定の電圧値以上の電圧を出力しているとき、スイッチング素子駆動部により常時オンにされる第１または第２のスイッチング素子は、他のスイッチング素子よりも順電圧降下の低いスイッチング素子を用いる。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】入力電圧ライン１１と誘導性負荷Ｌとの間に接続される第１のスイッチング素子Ｍ１を有するハイサイドスイッチング素子と、誘導性負荷Ｌと基準電圧ラインとの間に並列接続される第２のスイッチング素子Ｍ２と第３のスイッチング素子Ｍ３とを有するローサイドスイッチング素子と、を備え、ローサイドスイッチング素子における誘導性負荷Ｌに接続される端子にサージが印加されたとき、サージ電流は第３のスイッチング素子Ｍ３を介して基準電圧ラインへと放電される。 （もっと読む）

【課題】寄生インダクタンスを低減し、変換効率の高い非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置において、ハイサイドドライバ４ａがハイサイドスイッチ２より、半導体基板１の周辺に近い領域にあり、ローサイドドライバ４ｂがローサイドスイッチ３より、半導体基板１の周辺に近い領域にある。これにより、入力コンデンサの正端子からハイサイドスイッチ２とローサイドスイッチ３を経由して、入力コンデンサの負端子に至る経路が短く、かつドライブコンデンサの正端子からローサイドドライバ４ａを経由して、ドライブコンデンサの負端子に至る経路が短く、かつブートストラップコンデンサの正端子からハイサイドドライバ４ａを経由して、ブートストラップコンデンサの負端子に至る経路が短いため、寄生インダクタンスが小さくなり、変換効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧の外乱などの影響によらずに出力電圧を一定に制御する
ことが可能な反転型ＤＣ／ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】 コンバータコントローラ１０は、参照電圧が反転入力端子に入力され、正電圧化回路１により正電圧化されたフィードバック電圧が非反転入力端子に入力される誤差増幅器３と、誤差増幅器３の出力が反転入力端子に入力され、のこぎり波の発振信号が非反転入力端子に入力されるパルス幅変調比較器４とを有する。正電圧化回路１はカレントミラー構造の第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタと、第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタと、第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタと、第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタとからなり、第２のＮチャネルトランジスタ（ＮｃｈＴｒ２）のドレイン電圧は、フィードバック電圧が正電圧化された電圧として誤差増幅器に入力される。 （もっと読む）

【課題】 部品実装面積及び周辺部品を小さくでき、出力電圧の誤差及び消費電力を抑制可能なスイッチング電源回路を提供する。
【解決手段】 スイッチング電源回路１の２次側の出力電圧情報を１次側のスイッチング動作の制御用に光信号を介してフィードバックするためのフォトカプラ２が、スイッチング電源回路１の出力電圧情報に基づいて点滅する光信号を出射する発光素子４と、前記光信号を受光するフォトダイオードで構成された受光素子６、受光素子６の出力信号を増幅する増幅回路７、及び、スイッチング電源回路１のスイッチング動作を制御するスイッチング制御回路８を、１チップに集積化した受光制御集積回路５とを備えてなり、発光素子４と受光制御集積回路５が、発光素子４から受光素子６へ前記光信号が伝達可能に、１つのパッケージ内に封止されている。 （もっと読む）

【課題】起動回路への電流流入端子とブラウンアウト検出のための電圧検出端子を共通化し、ブラウンアウトを検出するための専用入力端子を設けることなくブラウンアウトの検出を可能とするスイッチング電源制御用半導体装置を提供する。
【解決手段】端子VHは、起動回路110に電流を流入させる電流流入端子と、分圧抵抗Ｒ_１およびＲ_２の接続点116から分圧電圧を取り出してブラウンアウト検出コンパレータ113の＋端子に電圧を印加するための電圧検出端子を兼ねる。ブラウンアウト検出コンパレータ113において＋端子に印加される分圧電圧と基準電圧VREF１とが比較される。起動回路110が停止しているときに基準電圧VREF１が接続点116の分圧電圧よりも高い場合には、ブラウンアウトの検出状態となり、論理合成回路130で合成の後、遅延回路133で所定の遅延時間後にドライバー制御回路135に論理Ｌを出力することで、PWM比較器134からの高速パルス信号の出力を阻止する。 （もっと読む）

【課題】ターンオフ時のソースドレイン電圧の跳ね上がりを抑えることができる半導体装置及びこの半導体装置を用いたＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】半導体装置１において、ＭＯＳＦＥＴ領域Ａ_{ＭＯＳＦＥＴ}にトレンチ１６を形成し、その内部にトレンチゲート電極１８を埋設する。また、キャパシタ領域Ａ_{Ｃａｐａｃｉｔｏｒ}にトレンチ２６を形成し、その内部にトレンチソース電極２８を埋設する。トレンチソース電極２８の形状はストライプ状であり、その長手方向の一部分を介して、ソース電極２１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高いバイアス電圧を印加した際に生じるリーク電流が小さくてオフ動作時の損失の小さい窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体装置は、下地半導体層（１、２）上に順次積層された第１、第２、および第３の窒化物半導体層（３、４、５）を含み、第３窒化物半導体層は第２窒化物半導体層に比べて広い禁制帯幅を有し、第３窒化物半導体層の上面から第２窒化物半導体層の部分的深さまで掘り込まれたリセス領域（１０）、このリセス領域を挟む一方側と他方側において第３窒化物半導体層または第２窒化物半導体層に接してそれぞれ形成された第１電極（６）と第２電極（７）、第３窒化物半導体層上とリセス領域の内面上に形成された絶縁膜（９）、およびリセス領域において絶縁膜上に形成された制御電極（８）をさらに含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】過電流状態及び過電圧状態の双方を早期に解消し、負荷に印加される過電圧が低減可能なスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るスイッチング電源装置１は、第１の補助巻線Ｔ_Ｓ１に誘起される交流電圧を整流及び平滑して制御回路２の駆動電圧ＶＣＣを生成し、駆動電圧ＶＣＣが過電圧保護設定電圧に達した場合に、二次側出力電圧Ｖ_ｏｕｔを低下させる。トランスＴはさらに第２の補助巻線Ｔ_Ｓ２を有し、第１の補助巻線Ｔ_Ｓ１に誘起される交流電圧と第２の補助巻線Ｔ_Ｓ２に誘起される交流電圧との和電圧を整流及び平滑して電圧Ｖ_ＣＳ２を生成し、定電圧ダイオードＺＤによって電圧Ｖ_ＣＳ２が所定電圧を超えたことが検知されると、スイッチング素子Ｑ_２がＯＮし、駆動電圧ＶＣＣは、電圧Ｖ_ＣＳ２に向かって強制的に引き上げられて過電圧保護設定電圧に達する。 （もっと読む）

【課題】低出力リプル化を実現し、装置全体の低コスト化並びに小型化を可能としたスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】１次巻線Ｎｐと２次巻線Ｎｓ１、Ｎｓ２を有するトランスであり、トランスを構成するコアにギャップを設けた複数の磁脚Ｌ１、Ｌ２とギャップの無い磁脚を有し、ギャップを設けた磁脚の周囲に１次巻線を巻回するとともに、コアのギャップを設けた磁脚に２次巻線を巻回し、トランスの等価励磁インダクタンスと等価励磁インダクタンスとの比を、スイッチ素子がオンしている期間の等価巻線の電圧と、等価巻線の電圧との比に一致させる。 （もっと読む）

【課題】制御端子の電圧変動や誘導起電力による半導体スイッチング素子の誤動作を防止することができる半導体スイッチング素子の配線方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体スイッチング素子が配線基板の一方の面上に設けられた共通接続点に各基準端子を近接して接続する一方、各半導体スイッチング素子をそれぞれ駆動制御する駆動素子を共通接続点から配線基板の他方の面に最短距離にて貫通する貫通配線を介して接続する。 （もっと読む）

【課題】昇圧電圧を目標電位までに立ち上げる時間を短縮することができると共に、消費電力のコストダウンを図ることができるようにしたチャージポンプ回路を提供する。
【解決手段】第２のドライバ回路７５用の電源回路８０を設け、電源回路８０の構成を、第２のドライバ回路７５に電圧（ＶＯＵＴ−｜Ｖthp１０１｜)を供給するだけでなく、入力電圧ＶＩＮの投入後、ポンピング開始前に、電圧入力端子５１から電源回路８０内のＰＭＯＳトランジスタ１００のソースとＮウェルとのＰＮジャンクションを通して昇圧電圧出力端子５２に電荷を供給することができる構成とする。 （もっと読む）

【課題】内部に漏れインダクタンスを備える絶縁トランスを用いることなく、信頼性を確保しつつ、基板面積を大きくしないで、部品高さ１０ｍｍ以下を実現可能なＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】表示装置に駆動電力を供給するＤＣ−ＤＣコンバータであって、複数の絶縁トランスと共振コンデンサと、共振コイルを有し、前記複数の絶縁トランスの１次側巻線と前記共振コンデンサと前記共振コイルが直列に接続されて電流共振回路を構成するとともに、前記複数の絶縁トランスの２次側が並列接続される構成とする。 （もっと読む）

【課題】従来の放熱基板では、異形部品等の固定力が低く、絶縁基板に固定している厚肉回路導体が剥がれる可能性があった。
【解決手段】異形部品１５の一部以上を、樹脂構造体１１に固定し、この樹脂構造体１１を直接、金属板２１は、金属板２１を固定する機器の筐体やシャーシ（共に図示せず）に固定することで、異形部品１５の耐振性を高めると共に、樹脂構造体１１の一部を用いて、リードフレーム１９と伝熱層２０との密着強度を局所的に高め、回路モジュールの自体の機械的強度を高める。 （もっと読む）

【課題】寄生インダクタンスの低減を図ることができ、ひいては、スイッチング損失の低減を図ることのできるＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】ゲートドライバ回路１０、パワーＭＯＳＦＥＴ２０ａ、ＭＯＳトランジスタ２０ｂ、ダイオード３０ａ、出力平滑用コイル４０ａ及び出力平滑用コンデンサ４０ｂを、例えば単結晶シリコンＳｉからなる同一の半導体チップ６０内に近接配置するとともに、この半導体チップ６０に形成された配線層を通じてこれら構成要素を電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】１次コイルと２次コイルの自動的な位置合わせが可能となり、２次側機器のメーカ、大きさ、種類、機器デザイン等に依存せずに、常に両コイルの相対位置を自動的に適正化する。
【解決手段】送電制御装置は、受電装置への送電を制御する送電側制御回路と、１次コイルのＸＹ平面上における位置を移動させるためのアクチュエータの動作を制御するアクチュエータ制御回路と、１次コイルのコイル端電圧またはコイル電流に基づいて、１次コイルと２次コイルの相対位置検出信号を生成する相対位置検出信号生成回路と、相対位置検出信号が示す前記１次コイルと２次コイルの相対位置が許容範囲になるように、アクチュエータ制御回路に指示して１次コイルのＸＹ平面上における位置を移動させる１次コイル位置制御回路と、を有する。 （もっと読む）