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Fターム[5H730ZZ15]の内容

DC−DCコンバータ (106,849) | 機械的構造、材質 (2,720) | 素子、部品自体の構造、材質、材料 (711)

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【課題】載置面上に2次側機器が載置されると、送電装置が自発的に1次コイルと2次コイルとの相対的な位置関係を検出することができ、その位置置関係の検出情報を用いて、両コイルの位置合わせを効率的に行うことが可能な机等の構造物を提供する。
【解決手段】載置面SAの下方に送電側装置704を埋設する。送電側装置704は、送電装置とXYステージ702とを含む。送電装置10は、例えば高調波検波回路を用いて1次コイルと2次コイルとの相対位置関係を検出し、XYステージ702をアクチュエータを用いて駆動し、2次コイルに対する1次コイルの位置決めを自動的に実行する。 (もっと読む)


【課題】低コストで小型、高信頼性が達成できる電力変換器の電力配線装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一対の金属板11、12と、電流を制御するスイッチング素子10と、を備え、一対の金属板11、12はスイッチング素子10を介して接続され、かつ、一対の金属板11、12間の距離がスイッチング素子10近傍で異なる(短くなる)ように配置して、その部分の一対の金属板でコンデンサを構成するようにした電力配線装置を提供する。一対の金属板の距離をスイッチング素子近傍のみ短くなるようにしているので、部品の追加なく、かつ簡単な構成で、効率よくスイッチング素子近傍にコンデンサ機能を配置することができ、スイッチングによる雑音やEMI(電磁干渉)を発生位置近傍で確実に低減できる。さらには、スイッチング素子近傍にのみコンデンサ機能を集中させているので、スイッチング素子近傍以外の金属板の設計自由度が向上する。 (もっと読む)


【課題】二次側へ所望の電力を安定的に供給することができる非接触給電装置を提供する。
【解決手段】非接触給電装置Aの一次側ユニット1は、扉枠側に配置される一次側巻線35a,35bと、商用電源ACを高周波に変換して一次側巻線35a,35bに供給する高周波インバータ回路12を備える。二次側ユニット2は、開閉扉側に配置され開閉扉が閉まった状態で一次側巻線35a,35bに磁気結合される二次側巻線38a,38bと、二次側巻線38a,38bから供給される高周波を安定化して電気錠装置4に電源を供給する安定化電源回路24とを備え、二次側巻線38a,38bの漏れインダクタンスと共に共振回路を形成し、一次側コアと二次側コアとの磁極対向距離の所定範囲内で磁極対向距離が大きいほど前記共振回路の共振が強くなるような静電容量値を有する共振コンデンサ21a,21bを、二次側巻線38a,38bに直列に接続している。 (もっと読む)


【課題】電力変換ユニットのさらなる小型化を実現する。
【解決手段】DC−DCコンバータの入力側に設けられたフィルタ用コンデンサC1と、インバータの入力側に設けられた平滑用コンデンサC2及びスナバ用コンデンサC3とを共通のコンデンサパッケージ52内に収容することで、これらのコンデンサC1,C2,C3を収容するパッケージが一体化されている。さらに、コンデンサパッケージ52(フィルタ用コンデンサC1と平滑用コンデンサC2との間)に伝熱抑制スリット54を形成することで、フィルタ用コンデンサC1と平滑用コンデンサC2との間の伝熱が抑制される。 (もっと読む)


【課題】占有高さを抑え占有面積を小さくできて、グランド配線に依存する伝導ノイズの低減を図ることができるマイクロ電源モジュールを提供する。
【解決手段】インダクタ2と、該インダクタ上に配置される電源IC101と、インダクタ上に配置され、ノイズを低減する一つもしくは複数のコンデンサとを有するマイクロ電源モジュールにおいて、インダクタ2上に電源IC101とノイズ吸収コンデンサ4、5(デカップリングコンデンサ)を入力側と出力側に設けることで、占有面積と占有高さを抑え、電源ICがオン用MOSFETとオフ用MOSFETおよびこれらのMOSFETを制御する制御回路で構成され、グランド配線による伝導ノイズを低減したマイクロ電源モジュールを提供できる。 (もっと読む)


【課題】チップサイズを縮小することができ、低コスト化が可能な出力制御装置を提供する。
【解決手段】出力制御装置1は、オン・オフの時間比率が制御されることによって出力電圧を制御するスイッチングトランジスタ3と、スイッチングトランジスタ3によって制御された出力電圧に基づいて、スイッチングトランジスタ3のオン・オフの時間比率を制御する制御IC4とを備え、スイッチングトランジスタ3を横型パワーMOSFETによって構成した。 (もっと読む)


【課題】チップサイズを縮小することができ、低コスト化が可能な出力制御装置を提供する。
【解決手段】出力制御装置1は、オン・オフの時間比率が制御されることによって出力電圧を制御するスイッチングトランジスタ3と、スイッチングトランジスタ3によって制御された出力電圧に基づいて、スイッチングトランジスタ3のオン・オフの時間比率を制御する制御IC4とを備え、スイッチングトランジスタ3を横型パワーMOSFETによって構成した。 (もっと読む)


【課題】DC−DCコンバータの入力側に直流電源と並列に設けられたコンデンサやDC−DCコンバータのリアクトルの過熱を防止する。
【解決手段】ステップS201でDC−DCコンバータの冷却を行う冷却液の温度Twが設定温度T1以下の場合は、ステップS202でフラグF1の値が0に設定され、パワートランジスタの温度Ttに基づいて基準キャリアの周波数fcが高キャリア周波数fhまたは低キャリア周波数flに設定される。一方、ステップS201で冷却液の温度Twが設定温度T1を超えた場合は、ステップS203でフラグF1の値が1に設定され、パワートランジスタの温度Ttに関係なく基準キャリアの周波数fcが高キャリア周波数fhに設定され、低キャリア周波数flの使用が禁止される。 (もっと読む)


【課題】直流電圧変換における消費電力を抑制する。
【解決手段】 本発明によるスイッチングレギュレータ1は、スイッチ素子P1〜Pn、N1〜Nnによるスイッチング動作によって入力電圧101(VDD)を出力電圧103(Vout)に変換するインバータ回路15と、入力電圧101(VDD)に基づく入力電力と、出力電圧103(Vout)に基づく出力電力とから算出される電力効率に応じて、スイッチ素子P1〜Pn、N1〜Nnのオン抵抗の大きさを設定するサイズ調整回路16とを具備する。 (もっと読む)


【課題】小型で安価で高効率な直流変換装置。
【解決手段】トランスT1bの1次巻線P1とリアクトルLr1と電流共振コンデンサCriとの第1直列回路と、直流電源Vinの直流電圧を交流電圧に変換して交流電圧を第1直列回路に出力する変換回路と、密結合された第1巻線S20と第2巻線S21,S22とを有するトランスT2と、密結合された第1巻線S30と第2巻線S31,S32とを有するトランスT3と、第1巻線S20と第1巻線S30とリアクトルLcとの閉ループ回路と、トランスT1bの2次巻線S1の両端に、第2巻線S21,S22と第2巻線S31,S32とが直列に接続された第2直列回路と、トランスT2の第2巻線に発生した電圧を整流平滑して第1直流出力を取り出す第1整流平滑回路D3,Co1と、トランスT3の第2巻線に発生した電圧を整流平滑して第2直流出力を取り出す第2整流平滑回路D6,Co2とを備える。 (もっと読む)


【課題】昇圧型DC−DCコンバータにおいて良好な変換効率を得る。
【解決手段】スイッチング素子とダイオード素子を同一半導体基板に備えた昇圧型DC−DCコンバータ用の半導体装置である。スイッチング素子は、ソース拡散層9、チャネル拡散層7及びドレイン拡散層5を備え、ゲート電極19直下のチャネル拡散層7表面をチャネル領域とするLDMOSトランジスタである。ダイオード素子は、コレクタ拡散層27、ベース拡散層29及びエミッタ拡散層31を備えた縦型バイポーラトランジスタ構造からなり、ベースとコレクタが接続され、エミッタとベースとの間で形成されたダイオード素子である。スイッチング素子のドレインとダイオード素子のアノードはスイッチング端子43に接続され、ダイオード素子のカソードは出力端子45に接続されている。 (もっと読む)


【課題】筺体内部の構造を見直して冷却性能の向上を図ることができる電源装置を提供する。
【解決手段】出力側回路5は、出力電圧配線路を形成する金属導体としての板状部材121〜126と、板状部材121〜124と熱的および電気的に接続する出力ダイオード16,17と第1および第2のプリント基板55,56とによる整流ユニット133,134を備えている。また、空気の流れFに沿って、板状部材121〜124と出力側整流部とにより囲まれた第1の風路としての風洞131,132と、前記整流ユニット133,134の外部と筺体25との間に形成される第2の風路135,136とを、筺体25内に区画して配設する。そして、これらの風洞131,132や風路135,136の出口側から排出される混合した空気の流れを受けるように、入力側回路4を配置する。 (もっと読む)


飽和鉄心式超伝導故障限流器および該故障限流器の制御方法に関する。該故障限流器は、超伝導磁性体(2)、鉄心(4)、交流巻線(5)、低温システム、監視制御システム(7)および直流制御システム(6)を含む。該直流制御システム(6)の出力は超伝導磁性体(2)の両端に接続される。該直流制御システム(6)は更に監視制御システム(7)に接続される。該鉄心(4)は断面が一様でない鉄心構造を有する。該制御方法は超伝導磁性体(2)の電流を制御し、短絡故障発生時に電力ネットワーク(1)中の故障電流を制限する。 (もっと読む)


【課題】大型化を抑制しつつ振動に強い電子機器を提供すること。
【解決手段】回路基板1と、回路基板1の主面1aに対向して配置される放熱器2と、回路基板1と放熱器2との間に設けられて放熱器2を支持する第1放熱部材3と、回路基板1と放熱器2との間に設けられて放熱器2を支持する第2放熱部材13と、回路基板1に実装されると共に第1放熱部材3及び第2放熱部材13にそれぞれ固定される複数の電子部品4とを備え、第1放熱部材3が、回路基板1から放熱器2まで延びる板状の本体部3aを有し、第2放熱部材13が、回路基板1から放熱器2まで延びる板状の第2本体部13aを有し、本体部3aの回路基板1の主面1aに沿った延び方向と、本体部13aの回路基板1の主面1aに沿った延び方向とが直角状に交差している電子機器100。 (もっと読む)


【課題】圧電トランスの実装方向の如何によらず、スイッチング素子の破壊を防止することが可能な圧電トランス式高圧電源装置、その基板実装方法および画像形成装置を提供する。
【解決手段】圧電トランスと、前記圧電トランスを駆動するスイッチング素子と、前記圧電トランスおよび前記スイッチング素子を実装する基板とを有する圧電トランス式高圧電源装置において、前記圧電トランスの前記基板への実装位置を、前記スイッチング素子の実装位置よりも半田槽における基板流し方向での後方の位置とした(図1の右側の図参照)圧電トランス式高圧電源装置により前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、III族窒化物からなるパワーステージを、負荷に集積し、負荷とパワーステージの間の距離を最小化することにある。
【解決手段】 負荷は、パワーステージを直接制御するためのPWMステージを備える。 (もっと読む)


【課題】トランスを備えた電源装置の出力回路に生じるリーケージインダクタンスを抑制可能な電源装置の出力回路構造を提供する。
【解決手段】トランス4の一次側回路は、一次巻線5、コンデンサ101,102、スイッチング素子103,104などで構成されている。トランス4の二次側回路としての出力回路1は、二次巻線6、チョークコイル15、整流ダイオード7,8、平滑コンデンサ16などで構成されている。出力回路1では、整流ダイオード7,8のカソードを互いに接続する回路パターンなどからなる線路とは別に、整流ダイオード7,8のカソード同士を接続する導電性機構バー2が設けられている。出力整流ループを等価的に並列回路として構成することにより、当該合成インピーダンスを小さくして、リーケージインダクタンスを抑制することができる。 (もっと読む)


【目的】薄型磁気誘導素子より小さな半導体素子を含む部品を薄膜磁気誘導素子の外周部に形成された電極の位置に制約されずに薄膜磁気誘導素子上の所定の位置に面実装できる超小型電力変換装置を提供する。
【解決手段】薄型磁気誘導素子100を構成するコイル導体16a上に絶縁層17を介して配線14を形成し、この配線14に実装する半導体素子21を含む部品を固着することで、部品のサイズを制限することがなくなり、部品のコスト低減をはかることができ、超小型電力変換装置のコストを低減させることができる。 (もっと読む)


【課題】ブラウンアウト機能を有するスイッチング電源装置の部品コストや組み立てコストの低減と、小型化を図ること。
【解決手段】制御IC31を、電源の起動時に起動電流を流す起動回路41と、1次側電圧を検出するために1次側電圧を抵抗分圧する2つのブラウンアウト抵抗51,52からなる直列抵抗回路を同一半導体基板内に集積した構成とする。起動回路41には、1次側電圧に基づく起動電流を流す第1の高耐圧電界効果型接合トランジスタと、第1の高耐圧電界効果型接合トランジスタに接続されたスイッチ用トランジスタと、スイッチ用トランジスタを制御するための信号を出力する第2の高耐圧電界効果型接合トランジスタと、ブラウンアウト抵抗51,52に1次側電圧を検出するための電圧を供給する第3の高耐圧電界効果型接合トランジスタを設ける。 (もっと読む)


【課題】1次と2次間に流れる漏洩電流を低減した圧電トランスの絶縁回路を提供する。
【解決手段】交流電源1と圧電トランス2,3との間にバルントランス4を配置する。圧電トランス2,3の各2次端子にはそれぞれ冷陰極管5,6の高圧側を接続し、これら複数の冷陰極管5,6の低圧側を機器のシャーシなどに並列に2次接地する。バルントランス4の第1と第2の巻線4a,4bには平衡状態にある逆方向の電流が流れるため、バルントランス4を構成する巻線4a,4bが交流電源1と圧電トランス2,3を流れる電流の抵抗となることはない。漏洩電流は圧電トランス2,3−交流電源1間の電流のような平衡状態ではないので、バルントランス4の巻線4a,4bの有するインダクタンスLの影響を受け、バルントランス4の巻線4a,4bが漏洩電流を遮断する。 (もっと読む)


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