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Fターム[5H730ZZ15]の内容

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【課題】1次と2次間に流れる漏洩電流を低減した圧電トランスの絶縁回路を提供する。
【解決手段】交流電源1と圧電トランス2,3との間にバルントランス4を配置する。圧電トランス2,3の各2次端子にはそれぞれ冷陰極管5,6の高圧側を接続し、これら複数の冷陰極管5,6の低圧側を機器のシャーシなどに並列に2次接地する。バルントランス4の第1と第2の巻線4a,4bには平衡状態にある逆方向の電流が流れるため、バルントランス4を構成する巻線4a,4bが交流電源1と圧電トランス2,3を流れる電流の抵抗となることはない。漏洩電流は圧電トランス2,3−交流電源1間の電流のような平衡状態ではないので、バルントランス4の巻線4a,4bの有するインダクタンスLの影響を受け、バルントランス4の巻線4a,4bが漏洩電流を遮断する。 (もっと読む)


【課題】コンデンサモジュール、金属ケース及びスナバモジュールを小形、安価にする。
【解決手段】インバータ回路3に並列に接続されたスナバコンデンサ8をモールド材が充填されたコンデンサモジュール17内に収納するとともに、スナバコンデンサ8の電極8aと半導体スイッチS1,S2を冷却する冷却フィン14に接続された導体19とを高絶縁性でかつ高熱伝導性のシート20を介して接続する。 (もっと読む)


【課題】 スイッチング周波数またはその高調波成分のノイズを低減でき、かつ小型化が可能なノイズフィルタおよびスイッチング電源を提供すること。
【解決手段】 スイッチング電源回路の1次側整流回路2の入力側または出力側の少なくとも一方に配置される高周波イズを減衰させるためのノイズフィルタであって、前記1次側整流回路2に並列に挿入された圧電共振を利用した素子すなわち平板圧電素子21のみからなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】小型化および低コスト化を図るとともに、安定した昇降圧動作を実現可能な直流電圧変換装置を提供する。
【解決手段】直流電圧変換装置10は、直流電源Bと、リアクトルLと、第1スイッチング素子S1と、第2ダイオードD2と、第1および第2コンデンサC1,C2とを備えており、直流電源Bからの電圧を昇圧する装置である。第1コンデンサC1は温度上昇により静電容量が増加する一方、第2コンデンサC2は第1コンデンサC1に並列に接続されており、温度上昇により静電容量が減少する。そして、第1および第2コンデンサC1,C2では、温度が変化すると、その温度変化に対する静電容量の変化量が相殺される。 (もっと読む)


【課題】高圧電源装置を形成するプリント配線基板に対して、圧電トランスを直接実装できるように圧電セラミックを加工し、圧電トランスとプリント配線基板上の配線パターンとの接続及び圧電トランスの固定を簡略化し、圧電トランスの小型化・薄型化を実現し、低背・低コストである圧電トランス高圧電源装置を提供すること。
【解決手段】プリント配線基板14に圧電トランスを実装する前に、圧電セラミック1の電極2、3及び4にL字形状の接点板金6、7及び8を取り付けて圧電トランスを形成し、その圧電トランスを、プリント配線基板14に設けた開口部に基板面に垂直に収納し、接点板金6、7及び8と配線パターン21、22及び23を接続する。 (もっと読む)


【課題】スイッチングノイズの発生を低減し、また、スイッチングノイズによる影響を受けにくい電力変換装置を提供する。
【解決手段】直流電流端子から供給される直流電流を交流電流に変換するための複数のスイッチング素子を有する半導体装置と、半導体装置のスイッチング素子の動作を制御するためのドライバ装置と、交流電流を検出するための電流センサと、電流センサにより検出された交流電流に基づいて、ドライバ装置の動作を制御するための制御装置と、直流電流端子に接続されたコンデンサとを有する電力変換装置において、ドライバ装置及び制御装置を同一のプリント基板上に実装し、ドライバ装置を半導体装置の上方に配置する。 (もっと読む)


【課題】 基板一枚に電源切替部品と制御部品を搭載することで部品点数を削減し、製造コストを低減すると共に、電源切替部品と制御部品間をつなぐ配線パターンのスペースを極力広くしながら電源切替部品から制御部品への伝熱を極力抑える電源切替装置を提供する。品ぶひんにもにている厚さ100μm程度のガラスエポキシ基板
【解決手段】 電気部品や電子部品の電源状態を切替える電源切替手段と、電源切替手段を制御する制御手段とを備え、電源切替手段と制御手段は、1枚のメタルコア基板上に搭載され、かつメタルコア基板は、電源切替手段が搭載される電源切替手段搭載領域11と制御手段が搭載される制御手段搭載領域12とに分けられ、電源切替手段搭載領域11と制御手段搭載領域12の間に形成されたメタルからなるn箇所のコア断面部分S1〜Snが所定の熱抵抗の範囲内となるようなメタルコア基板を備えた電源切替装置とする。 (もっと読む)


【課題】複数の昇圧回路を備えた電力変換装置において、1次側回路内にある複数の昇圧回路を構成する昇圧トランス、平滑コンデンサ及びスイッチ素子を最短経路かつ、均等に電力が供給されるように接続することが可能で、スイッチ素子のサージ電圧等を抑制して、損失や電磁ノイズを低減する。
【解決手段】インバータ装置1の昇圧部2は、昇圧回路B1、B2の各々の1次側回路の入力部である端子a乃至jが並列接続され、また各々の2次側回路の出力部である平滑コンデンサC3、C4の各端子が直列接続されている。1次側回路の電力供給端子が一対の平行に配設された導電体板BUS(+)、BUS(−)により構成され、昇圧回路B1、B2は順次、列状に並設されて、それら各々の1次側回路の電力供給端子が夫々導電体板BUS(+)、BUS(−)上に配設される。 (もっと読む)


【課題】大電流・高周波の電源を低損失化することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ハイサイドパワーMOSFETチップ10およびローサイドパワーMOSFETチップ20とそれらを駆動するドライバICチップ30が1つの封止体2(封入用絶縁樹脂)に封入された電源用MCM1において、ドライバICチップ30の出力端子とローサイドパワーMOSFETチップ20のゲート端子21、あるいはソース端子22を接続する配線DLの配線長を、ドライバICチップ30の出力端子とハイサイドパワーMOSFETチップ10のゲート端子11、あるいはソース端子12を接続する配線DHの配線長より短くする。 また、本発明は、配線DLの本数を配線DHの本数より多くする。 (もっと読む)


【課題】 部品点数の増加や作業工程の複雑化を招くことなく、高圧回路部の良好なモールドを実現することができる高圧電源装置を提供する。
【解決手段】 単一の回路基板20上の領域を一端寄りと他端寄りとで低圧領域20aと高圧領域20bとに区分して各領域に低圧回路部5と高圧回路部6とを構成し、一端が基板挿入口30aとして開口する絶縁ケース30に回路基板20を他端側から挿入して高圧回路部6を覆う。これにより、回路基板20上の高圧回路部6側のみに絶縁性充填材35を充填してモールドする。さらに、回路基板20の他端側を製品本体に保持するためのネジ穴33を、絶縁ケース30に設けることにより、絶縁性充填材35の充填によって一端側よりも重量が極端に大きくなる他端側を、回路基板20に過剰なストレスを加えることなく保持する。 (もっと読む)


【課題】表面実装型ノイズ抑制素子が実装されたスイッチング電源において、該表面実装型ノイズ抑制素子における磁心の損傷が抑制されると共に、該表面実装型ノイズ抑制素子に挿入されるリードの損傷等も抑制されたスイッチング電源を提供すること。
【解決手段】外筒部及び内筒部からなり、前記外筒部と前記内筒部とが一端で封止され、他端に開放部を有するケース部と、前記外筒部と前記内筒部との間隙に挿入されたコア部と、中心部に孔を有し、前記開放部に嵌め込まれるキャップ部とを有する表面実装型ノイズ抑制素子を具備し、前記表面実装型ノイズ抑制素子が前記内筒部にリードが挿入されて実装されているスイッチング電源。 (もっと読む)


【課題】半導体モジュール及び冷却管への過負荷を防ぎつつ、半導体モジュールの冷却効率を高めることができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換回路の一部を構成する半導体モジュール21と、半導体モジュール21を冷却する冷却管22とを交互に積層してなる半導体積層ユニット2を有する電力変換装置1。半導体積層ユニット2の積層方向の端部には、半導体積層ユニット2を積層方向に加圧する加圧部材3が配されている。加圧部材3は、冷却管22の主面221に当接する当接面311を有する当接プレート31と、当接プレート31における当接面311と反対側の面に配されたばね部材32とを有する。ばね部材32は、加圧方向へ変形する際の弾性力が、減圧方向へ復元する際の弾性力よりも大きくなるようなヒステリシスを有する。 (もっと読む)


【課題】TOP側のトランジスタおよびBOTTOM側のトランジスタによってスイッチング回路を構成すると共に、TOP側のトランジスタを高速動作させてスイッチング損失を低減する。
【解決手段】第1のトランジスタQ1は、P型ウェル領域35の内部であってこのウェル領域35の表層部に形成されたN+型ソース領域36に電気的に接続されたソース電極43と、ソース電極43とは電気的に分離して形成されると共に、P型ウェル領域35に電気的に接続されたウェル電極46と、を備えている。このウェル電極46は、第1のトランジスタQ1に対してバックゲートバイアスを入力するための電極として機能し、ソース電極43に基準電位Vbが接続され、ウェル電極46に基準電位Vbよりも大きい出力電位Vaが入力される。こうして、バックゲート効果によって第1のトランジスタQ1のスレッショルド電圧を下げる。 (もっと読む)


【課題】電力変換器の電力回路構成を冷却し、回路基板設計の変更に対処する。
【解決手段】少なくともいくつかの実施形態において、電力変換器(50)は、第1の回路基板(60)上に実装されるよう構成された制御ロジック(56)と、該制御ロジックに電気的に結合されるよう構成され且つ第2の回路基板(62)上に実装されるよう構成された電力構成要素とを備える。前記第1の回路基板は、前記第2の回路基板に機械的に取り付けられる。他の実施形態において、システムは、システムボードと、該システムボードに取り付けられたモジュールと、電力構成要素に電気的に結合されたコントローラを含む電力変換器(50)とを備える。前記コントローラは、前記モジュール上に実装され、前記電力構成要素は、前記システムボード上に実装される。 (もっと読む)


【課題】デジタルノイズ対策により小型薄型化と低価格化が困難という課題を解決し、デジタルノイズ低減により小型薄型化と低価格化を実現するデジタル信号処理基板を提供することを目的とする。
【解決手段】LSI16と、これに電力を供給する電源入力ライン18と、電源入力ライン18とアース間に接続されたデカップリングコンデンサを有し、このデカップリングコンデンサとして、ESRが25mΩ(100kHz)以下、ESLが800pH(500MHz)以下の面実装型の固体電解コンデンサ19を用い、この固体電解コンデンサ19のアースをLSI16のアースと同一面に接続した構成により、デジタルノイズの発生を大きく低減し、小型薄型化と低価格化を同時に実現できる。 (もっと読む)


【課題】 抵抗素子の形成された絶縁膜に加わる電界を緩和し、前記絶縁膜の破壊を防止する。
【解決手段】 スイッチングレギュレータの高電圧部を含む半導体装置であり、メインスイッチ用FET及び前記メインスイッチ用FETのスタータースイッチ用FETの周辺を複数のフィールド・リミッティング・リングで多重に囲み、前記フィールド・リミッティング・リング上にフィールド絶縁膜を形成し、前記フィールド絶縁膜上に、前記FETのゲートと同層で、かつ前記スタータースイッチ用FETのドレイン及びゲートと電気的に接続された抵抗素子と、前記抵抗素子を被う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記FETのゲートおよびソースとそれぞれ電気的に接続される複数の配線と、前記半導体基板の裏面に形成され、前記メインスイッチ用FETおよびスタータースイッチ用FETのドレインと電気的に接続される裏面電極を含む半導体装置。 (もっと読む)


【課題】信頼性を向上できるチャージポンプ回路を提供する。
【解決手段】チャージポンプ回路1のスイッチング素子をpin型の薄膜ダイオード2a,2b,2c,2d,…,2nとした。ガラス基板15の裏面から光を照射した状態でチャージポンプ回路1を駆動する。チャージポンプ回路1の逆バイアス電流が大きく低減する。チャージポンプ回路1の出力電圧を損失なく昇圧できる。チャージポンプ回路1の段数当たりの出力電圧の増加量を向上できる。pin型の薄膜ダイオード2a,2b,2c,2d,…,2nの順バイアス電流の立ち上がり特性を向上できる。チャージポンプ回路1の昇圧効率を向上できる。
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【課題】平衡ラインに入れているコンデンサに端子外れや接触不良が起きても2次側漏洩電流の増加による感電事故を未然に防止する。
【解決手段】インバータ回路10から整流平滑回路16に高周波電力を伝送する平衡ラインに入れた一対のコンデンサを4端子コンデンサ38,40とし、インバータ回路10のコイル28に対する直流電力供給を、4端子コンデンサの同一電極に設けた2端子a,bを介して行い、端子外れ又は接触不良に対しインバータ回路10を停止させる。また平衡ラインから整流平滑回路16に高周波電力を入力する平衡不平衡変換回路14につき、2系統化して冗長接続する。
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【課題】 基板バイアス効果を低減し、3重ウェル構造におけるPN順方向バイアスによる昇圧電圧の電圧損失を回避可能な高効率の昇圧回路を提供する。
【解決手段】 第1N型MOSFET10〜12と、第1N型MOSFETのソース側に接続するクロック信号により駆動される昇圧用キャパシタC2,C4,C6を少なくとも備えてなるポンプセルを、第1N型MOSFETのソースを次段の第1N型MOSFETのドレインに接続して複数段備え、2段目以降のポンプセルの第1N型MOSFET11,12が3重ウェル構造のN型MOSFETであり、そのNウェルがドレインと各別に接続し、そのPウェルが、ゲートとドレインが接続した第2N型MOSFET14,15を各別に介して、前段の第1N型MOSFET10,11のドレインと接続する。 (もっと読む)


エネルギーを負荷へ供給する装置は、電源周波数で電流を受けるための入力、前記電源周波数をより高い周波数、例えば30〜50kHzへ上げるための手段、及びより高い周波数でエネルギーを供給するための出力を有する電源供給ユニット(102)、例えばスイッチ型の電子トランス又は電子安定器からなる。二つの部分からなるコネクター(108)は、電源供給ユニットの出力へ接続される一次巻線(104)を有する第一コアー部分(106)、及びエネルギーを負荷(114)へ供給するための二次巻き線(110)を有する接合第二コアー部分(112)を有し、コアー部分は例えば少なくとも10Ωcmの抵抗を有するフェライトのような高抵抗材料である。装置は例えば低電圧ハロゲン、又は他の白熱球、電光灯、又は電気モーター、コンピュータ、ラジオ、テレビ、又は類似の電子装置、ヒーターのようなものへ電力を供給するために使用される。
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