【課題】インダクタンス及び結合度の調整が容易なスイッチング電源装置用の信号伝達トランス、及びそれを用いた安全性の高いスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】信号伝達トランス２２は、回路素子を実装してスイッチング電源回路が構成される多層基板５０内の導体層５２に形成された同心状のコイルパターン５２（３）〜５２（６）を備える。コイルパターン５２（３）〜５２（６）を挟む外側の導体層５２に設けられ、少なくともコイルパターン５２（３）〜５２（６）の最内周の１ターン及びその内側領域を閉鎖するよう形成された一対の閉鎖パターン５２（２），５２（７）を備える。コイルパターン５２（３）〜５２（６）の何れかに電流が流れると、最内周の１ターンの内側領域に発生する磁束の一部が、閉鎖パターンに吸収される。閉鎖パターン５２（２），５２（７）は、安定電位に接続されている。 （もっと読む）

【課題】第１の極性を有する第１の化合物半導体層と共にこれと逆極性（第２の極性）の第２の化合物半導体層を用い、化合物半導体層の再成長をすることなく、第２の極性に対応した導電型の含有量が実効的に、容易且つ確実に所期に制御された、複雑な動作を可能とする信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を得る。
【解決手段】第１の極性を有する電子走行層２ｂと、電子走行層２ｂの上方に形成された第２の極性を有するｐ型キャップ層２ｅと、ｐ型キャップ層２ｅ上に形成された第１の極性を有するｎ型キャップ層２ｆとを有しており、ｎ型キャップ層２ｆは、厚みの異なる部位２ｆａ，２ｆｂを有する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることができるＤＣＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】ＤＣＤＣコンバータは、制御回路と、スイッチング素子と、スイッチング素子のデューティ比に見合った高さの出力電圧を生成する定電圧生成部とを有する。制御回路は、入力電圧及び出力電圧をアナログ値からデジタル値に変換するＡＤコンバータと、出力電圧のデジタル値を用いてデューティ比を定める信号処理回路と、デューティ比に従ってスイッチング素子のスイッチングを制御する信号を生成するパルス変調回路と、入力電圧及び出力電圧のデジタル値に従って信号処理回路への電源電圧の供給の有無を選択する電源制御回路とを有する。当該信号処理回路はデューティ比を記憶する記憶装置を有し、当該記憶装置は、記憶素子と、当該記憶素子のデータを記憶する容量素子と、当該容量素子の電荷を保持する、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタとを有する。 （もっと読む）

【課題】精度の高い電流制御、電圧制御を提供する。
【解決手段】主端子と基準端子と制御端子を有する第一のスイッチと、第二のスイッチまたは整流器、入力側コンデンサと出力側コンデンサを各１以上持ち、インダクタを持つ電力変換回路であって、相互接続点と基準電位または出力または入力間の電流によって生じる電圧を利用して、出力の制御や保護を行う回路であって、印刷基板を用いたものであって、前記電圧の生じている素子のうち相互接続点でない側と接合された印刷基板上の導体と、その導体と回路図上は同電位となるべき基準電位または入力または出力のいずれかと結合された入力コンデンサあるいは出力コンデンサの端子と接合された導体が、最短距離で結合されないように、空隙によって分断された構造を持つもの。 （もっと読む）

【課題】入力電源電圧の動作保証範囲が大きいとしても当該電圧変動の影響を抑制して正常に過電流保護を図るようにした過電流保護回路を提供する。
【解決手段】支持基板１０が第１半導体層１１および第２半導体層１２を絶縁層１３で挟んで構成されている。第１半導体層１１上には絶縁膜１４を介してフィールドプレート抵抗膜２０が形成されている。可変電流源ＩＳが、ゲート電極１９からドレイン電極１７にかけて絶縁膜１４上に沿って形成されたフィールドプレート抵抗膜２０（フィールドプレート抵抗Ｒ１およびＲ２）に生じるノードＮ１の電圧に応じて出力電流値を変更してセンス抵抗Ｒｓの検出電圧Ｖ２を補正する。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング電源の一次側の電流検出抵抗によって生じる逆起電力によりスイッチング素子が発熱する。
【解決手段】 スイッチング手段に接続され、スイッチング手段に流れる電流を検出する電流検出抵抗に並列に接続され、電流検出抵抗によって生じるスイッチング手段の発熱を低減するスイッチング電源。 （もっと読む）

【課題】単一な高電圧の入力電圧で駆動し、電圧変換回路及び制御回路を有するＤＣ−ＤＣコンバータを得ること、及び、ＤＣ−ＤＣコンバータの占有面積の増大を抑制する。
【解決手段】入力電圧が印加される入力端子と、入力端子と接続され第１のトランジスタを有する電圧変換回路と、電圧変換回路を制御し珪素材料をチャネル形成領域に有する第２のトランジスタを有する制御回路と、入力端子と制御回路との間に設けられ入力電圧を入力電圧より低い電圧である電源電圧に変換する第３のトランジスタとを有し、第１のトランジスタ及び第３のトランジスタは酸化物半導体材料をチャネル形成領域に有するトランジスタであり、第２のトランジスタ、並びに、第１のトランジスタ及び第３のトランジスタは、絶縁膜を介して積層されているＤＣ−ＤＣコンバータ及びその作製に関する。 （もっと読む）

【課題】ターンオフ損失だけでなくターンオン損失も低減可能なＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】スナバコンデンサＣｓは、昇圧用ダイオードＤ１のアノードと昇圧用スイッチング素子Ｑ１の電流入力端と主リアクトルＬ１とに接続された一端を有する。第１スナバダイオードＤｓ１は、スナバコンデンサＣｓの他端に接続されたカソードと、ダイオードＤ１のカソードに接続されたアノードとを有する。第２スナバダイオードＤｓ２は、第１スナバダイオードＤｓ１のカソードとスナバコンデンサＣｓの他端とに接続されたアノードを有する。スナバリアクトルＬｓは、第１スナバダイオードＤｓ１のアノードに接続された一端と、第２スナバダイオードＤｓ２のカソードに接続された他端とを有する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタを形成する領域の占有面積を縮小する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、半導体基板１０内に設けられた半導体領域ＡＡＣと、半導体領域ＡＡＣ内に設けられる複数のキャパシタＣｍ，Ｃｎを含むキャパシタ群と、を具備し、キャパシタＣｍ，Ｃｎのそれぞれは、半導体領域ＡＡＣ上のキャパシタ絶縁膜４２Ａと、キャパシタ絶縁膜４２Ａ上のキャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｍと、キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｍに隣接する拡散層３２Ａとを有し、を有し、キャパシタ電極３４Ａｍ，３４Ａｎに接続される配線２９ｍ，２９ｎのそれぞれは、キャパシタＣｍ，Ｃｎ毎に電気的に分離され、キャパシタ電極Ｃｍ，Ｃｎのそれぞれに異なる電位Ｖｍ，Ｖｎが印加されている。 （もっと読む）

【課題】直流変換回路を有する半導体装置の消費電力を低減することを課題の一とする。
【解決手段】直流変換回路と、マイクロプロセッサとを有し、直流変換回路は、変換回路と、制御回路とを有し、変換回路は、誘導素子と、トランジスタとを有し、制御回路は、比較回路と、論理回路と有し、制御回路では、前記比較回路が前記変換回路の出力と基準値とを比較し、論理回路が比較回路の出力とマイクロプロセッサのクロック信号とを演算し、変換回路では、トランジスタが論理回路の出力に応じて誘導素子に流れる電流を制御し、誘導素子に流れる電流に応じて変換回路の出力が生成される。 （もっと読む）

【課題】２次側に同期整流回路を用いる場合、出力電圧検出信号を１次側にフィードバックさせる手段を含め、１次−２次間を絶縁した状態で信号を伝達させる手段が少なくとも２つ必要になり、回路構成が複雑になるという問題がある。
【解決手段】外部信号との送受信が可能で、絶縁型であれば１次側と２次側に同じハードウェア構成のＩＣを２つ使用することができ、かつ非絶縁型にも適用可能な、電源装置に利用できる半導体集積回路を用いる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタにおけるオフ電流を低減し、電圧調整回路における出力電圧の変換効率を向上させる。
【解決手段】ゲート、ソース、及びドレインを有し、ゲートがソース又はドレインに電気的に接続され、ソース及びドレインの一方に第１の信号が入力され、チャネル形成層としてキャリア濃度が５×１０^１４／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有するトランジスタと、第１の電極及び第２の電極を有し、第１の電極がトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、第２の電極にクロック信号である第２の信号が入力される容量素子と、を有し、第１の信号の電圧を昇圧又は降圧し、昇圧又は降圧した電圧である第３の信号を出力信号としてトランジスタのソース及びドレインの他方を介して出力する構成である。 （もっと読む）

負荷のための電源装置は、直流電圧源と、複数のスイッチングステージと、制御装置を備えている。スイッチングステージは、直流電圧源と、負荷と、制御装置に接続されており、負荷は、制御装置によるスイッチングステージの対応する作動に基づき、直流電圧源に接続可能である。スイッチングステージは、それぞれ電界効果トランジスタと、それに逆向きに並列接続された複数のフリーホイールダイオードと、を有している。電界効果トランジスタはカットオフ周波数を有しており、電界効果トランジスタはカットオフ周波数までは最大限に動作可能である。各フリーホイールダイオードは、回復時間を有している。各スイッチングステージに関して、各電界効果トランジスタに逆向きに並列接続された全てのフリーホイールダイオードの回復時間は、各電界効果トランジスタの前記カットオフ周波数の逆数に、略一致している。制御装置が、スイッチングステージを、少なくとも一時的に作動させ、出力は不整合によってスイッチングステージに反射して戻ってくる。
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【課題】バックコンバータ回路において、制御回路が完全にパワーアップされていない際に生じるおそれのある短絡による損傷を回避するとともに、費用効率の高いデプレションモードのIII族窒化物トランジスタを用いた回路を提供する。
【解決手段】バックコンバータ回路１００は、同期スイッチ１０４を有し、制御スイッチ１０２のデューティサイクルを制御することにより、切換ノードＳＷに切換電圧を発生させる制御回路１０６を具えている。制御スイッチ１０２及び同期スイッチ１０４はデプレションモードのIII族窒化物スイッチを有している。バックコンバータ回路は更に、前記制御回路がパワーアップされていない間、電流が制御スイッチ１０２を流れ得ないように構成された保護回路１１０を有する。 （もっと読む）

ＩＩＩ−ＮトランジスタとＩＩＩ−Ｎ整流デバイスをともに単一パッケージ内に封入して備える電子部品。ＩＩＩ−Ｎトランジスタのゲート電極は、単一パッケージの第１リードまたは単一パッケージの導電構造部と電気的に接続される。ＩＩＩ−Ｎトランジスタのドレイン電極は、単一パッケージの第２リードおよびＩＩＩ−Ｎ整流デバイスの第１電極と電気的に接続される。ＩＩＩ−Ｎ整流デバイスの第２電極は、単一パッケージの第３リードと電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】昇圧コンバータにおいて最適な構成の可飽和特性を備える共振用リアクトルを有する燃料電池システムを提供すること。
【解決手段】このような燃料電池システムに用いられる可飽和特性を備える共振用リアクトルとしてのコイルＬａは、磁性体によって形成されるコア５のセンターコア１８に巻線２０を巻きつけて形成されるものであって、センターコア１８には非磁性体によって形成されるギャップ３１，３２，３３が形成され、ギャップ３１，３２，３３と巻線２０との間には磁性体によって形成されるコア領域１８１ａ，１８１ｂ，１８２ａ，１８２ｂ，１８３ａ，１８３ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】回路構成が簡単で、価格的にも安価にできるノーマリーオンタイプのスイッチング素子を用いた電源装置及び照明器具を提供する。
【解決手段】降圧チョッパ回路を構成するスイッチング素子としてノーマリーオンタイプの電界効果トランジスタ１３が用い、この電界効果トランジスタ１３のオン状態を負荷電圧によるグランドＧ側の負電位を利用してオフする。 （もっと読む）

【課題】給電装置の損失を減少させる技術を提供する。
【解決方法】 給電装置１０は、直列回路２０と駆動回路６０を備える。直列回路２０は、逆導通半導体素子３０ａ、３０ｂが直列に接続されている。駆動回路６０は、逆導通半導体素子３０ａ、３０ｂのＩＧＢＴ素子領域４２ａ、４２ｂのオン状態とオフ状態とを切替える。駆動回路６０は、逆導通半導体素子３０ａのＩＧＢＴ素子領域４２ａをオフ状態に切替えることによって逆導通半導体素子３０ｂのダイオード素子領域４４ｂに還流電流が流れるときに、ＩＧＢＴ素子領域４２ｂをオン状態とする第１モードと、ＩＧＢＴ素子領域４２ｂをオフ状態とする第２モードを切替え可能に構成され、給電装置１０の駆動状態に基づいて算出される駆動回路６０の損失とダイオード素子領域４４ｂの逆回復時の損失との和が小さくなるようにＩＧＢＴ素子領域４２ｂを制御する。 （もっと読む）

【課題】装置全体のインダクタンスを低減できるとともに、小型で生産コストの低い電子回路装置を提供する。
【解決手段】コンデンサ１は半導体素子３ａの正極側及び半導体素子４ａの負極側とに接続されるとともに、コンデンサ２は半導体素子３ａの負極側と半導体素子４ａの正極側とに接続され、コンデンサ１と半導体素子３ａの正極側を接続する導体部６と、コンデンサ２と半導体素子３ａの負極側を接続する導体部７とが互いに平行な平板で形成されるとともに、コンデンサ１と半導体素子４ａの負極側を接続する導体部８と、コンデンサ２と半導体素子４ａの正極側を接続する導体部９とが互いに平行な平板で形成される。 （もっと読む）

【課題】磁気飽和し難く、直流重畳特性に優れる低背のインダクタおよび特性劣化し難い低背で省スペースのＤＣ−ＤＣコンバータを実現する。
【解決手段】インダクタ１は、同一平面上に並び同方向に巻回する第１スパイラル電極１０１と第２スパイラル電極１０２とが接続電極１０５により接続されたコイル電極部１０を有する。コイル電極部１０は、前記平面に直交する方向の両側から第１磁性体層１１および第２磁性体層１２により挟持される。第１スパイラル電極１０１と第２スパイラル電極１０２の接続電極１０５側と反対の端部である第１突起電極１０３および第２突起電極１０４は、前記平面に垂直な方向へ延びる形状からなり、第１磁性体層１１からも突出する長さを有し、インダクタ１の両端電極として機能する。そして、この低背のインダクタ１を実装回路基板２０上に配置することで、２層構造からなる低背のＤＣ−ＤＣコンバータが形成される。 （もっと読む）