説明

Fターム[5H740AA04]の内容

電力変換一般 (12,896) | 目的 (1,317) | スイッチング素子の誤点弧防止 (444)

Fターム[5H740AA04]に分類される特許

41 - 60 / 444


【課題】簡単な構成で、ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチ素子を駆動するゲートドライブ回路。
【解決手段】ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチ素子Q1であって、ドレインとソースとゲートとを有し、ゲートをドライブする信号とゲートとの間にコンデンサと抵抗の並列接続回路を介して接続され、オフ信号期間は、スイッチ素子Q1のゲート・ソース間を短絡するスイッチSW1とを備えることを特徴とするゲートドライブ回路。 (もっと読む)


【課題】 外部から入力される高周波電力が小さくても整流効率を高くできる整流回路を得る。
【解決手段】 入力した高周波を通過させ、直流を遮断する第1のフィルタと、前記高周波と同じ周波数の周期電圧が印加される第1の端子、前記第1のフィルタに接続された第2の端子、および接地された第3の端子、を有し、前記高周波を整流するトランジスタと、前記第1のフィルタと前記第2の端子との接続点に接続され、前記高周波を遮断し、前記トランジスタで整流された直流を出力する第2のフィルタと、を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、パワー素子の過電流を速やかに抑制しつつ、di/dtを小さくしてパワー素子をオフすることができるゲート回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るゲート回路は、パワー素子の過電流発生と同時にパワー素子のゲート電圧の一部を抵抗素子に負担させる過電流抑制手段を有する。さらに、パワー素子の過電流を抑制した後は、抵抗値の高い抵抗素子を用いてパワー素子をゆっくりオフするオフ動作遅延手段を有する。 (もっと読む)


【課題】 スイッチング素子を誤動作させずに高速低損失動作が可能なゲート駆動回路を部品点数の少ない簡易な回路構成で実現する。
【解決手段】 トランス15の1次側をローサイドゲート駆動回路2の出力端子に接続し、トランス15の2次側をハイサイドスイッチング素子5のゲート入力側に接続する。ローサイド駆動回路2から正極性のゲート駆動電圧が出力されるとハイサイドスイッチング素子5のゲート‐ソース間には負極性の電圧が印加されてゲート電圧は閾値以下に抑えられるため、ローサイドスイッチング素子がターンオンする際にハイサイドスイッチング素子はオフ状態を維持する。 (もっと読む)


【課題】 高電位側スイッチング素子の導通を示す第1状態から前記高電位側スイッチングデバイスの非導通を示す第2状態への遷移、または前記第2状態から前記第1状態への遷移に伴い発生する過渡的な電圧ノイズに曝された場合に発生する誤信号を確実に除去する半導体回路を提供する。
【解決手段】 高電位側スイッチング素子駆動回路1は、スイッチング素子7の導通状態を変化させる場合に第1、第2のレベルシフト素子21、24のオン/オフ状態を必ず同一状態にするためのフリップフロップ52と、マスク信号S11が確実にセット信号S9、リセット信号S10を覆うようにするための第1、2、3の遅延回路44、45、46を有する。 (もっと読む)


【課題】 ブートストラップ回路およびチャージポンプ回路を併用した負荷駆動制御回路において、ブートストラップ回路から安定して電圧を出力させることができる負荷駆動制御回路を提供する。
【解決手段】 主電源B1から供給される電圧を制御することによって、負荷を駆動する負荷駆動制御回路であって、チャージポンプ回路40に接続された主電源B1または副電源B2からチャージポンプ回路40の昇圧用コンデンサ46への充電を行わせる一方、デューティ比が所定値よりも小さいときに、昇圧用コンデンサ46からブートストラップ回路30の電圧供給用コンデンサ側32に放電させ、電圧供給用コンデンサ32から制御電圧出力手段10への電圧の供給を補助させるように、チャージポンプ回路40を制御する。 (もっと読む)


【課題】IGBTやFETなどの半導体スイッチング素子のゲートドライブ回路に駆動用電力を供給する電源装置の部品点数を減少させて基板サイズを小さくした電力変換装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体スイッチング素子6、7と、これらの半導体スイッチング素子6,7をそれぞれ駆動する複数のゲートドライブ回路8、9と、これらのゲートドライブ回路8、9にそれぞれ駆動用電力を供給する電源装置10とを備えたパワーコンデショナ1において、電源装置10を高周波交流電源で構成すると共に、ゲートドライブ回路8、9の入力側に、電源装置10から出力される高周波交流を直流に変換するパルストランス13、14を備えた。 (もっと読む)


【課題】入力信号をレベルシフトして出力するレベルシフト回路を有しながらも、電源の電圧変動等による誤信号の出力を抑えることが可能となる信号伝達回路を提供する。
【解決手段】第1入力信号および第2入力信号の各々をレベルシフトし、それぞれ第1シフト済み信号および第2シフト済み信号として出力する、レベルシフト回路を備え、レベルシフト回路は、第1入力信号に応じて開閉するスイッチング素子と抵抗を有する第1直列回路、および、第2入力信号に応じて開閉するスイッチング素子と抵抗を有する第2直列回路が、電源と接地端との間において互いに並列に設けられており、第1直列回路上の電圧を第1シフト済み信号として、第2直列回路上の電圧を第2シフト済み信号として、それぞれ出力するようになっており、接地端から第1直列回路および第2直列回路に向かって逆電流が流れることを防止する、逆流防止部を備えた信号伝達回路とする。 (もっと読む)


【課題】 主素子の逆並列ダイオードの逆回復特性を改善することができ、構成素子の耐電圧化を図ることができる半導体スイッチを提供する。
【解決手段】 半導体スイッチ7は、スイッチング素子1及び逆並列ダイオード2を有した主素子3と、逆電圧印加回路6と、を備えている。逆電圧印加回路6は、補助電源12と、高速還流ダイオード4と、補助素子5と、コンデンサ13と、を有している。高速還流ダイオード4は、多直列に接続された複数のダイオード15で形成されている。 (もっと読む)


【課題】コンデンサの小型化と、モータ駆動効率の向上の両立を図る。
【解決手段】直流電源間に、IGBT51〜56をブリッジ接続してなるインバータと、平滑コンデンサ57とを並列に配置し、通信調停用マイコン10およびパワー半導体駆動用マイコン15は、平滑コンデンサ57の温度に応じた信号を出力する温度センサ57aより出力される信号に基づいて推定される平滑コンデンサ57の温度が高くなるほどスイッチング信号のスイッチング速度が遅くなるように、IGBT51〜56を制御するスイッチング信号のスイッチング速度を調整するスイッチング速度調整回路30に指示する(S106〜S118)。 (もっと読む)


【課題】 電力伝送効率がよく、より小型のスイッチング素子駆動回路を提供する。
【解決手段】 実施形態に係るスイッチング素子駆動回路は、電力変換装置を構成するスイッチング素子と、前記スイッチング素子のオン/オフを切り替えるためのゲート信号を発生する制御演算手段と、前記ゲート信号を変調する為の所定周波数の交流信号を発生する発振手段と、前記発生されたゲート信号の立ち上がり及び立下りの各所定時間内において、前記交流信号の振幅を変化させ、前記ゲート信号を変調する変調手段と、前記変調手段にて変調されたゲート信号を復調し、前記スイッチング素子のゲートに供給する復調手段と、
前記制御演算手段と前記スイッチング素子間の絶縁を確保した上で、前記変調手段にて変調されたゲート信号を前記復調手段に伝送し、プリント基板上に実装されたトランスとを具備する。 (もっと読む)


【課題】過大電流による素子の破壊を防止することができる、半導体回路、半導体装置、及び電池監視システムを提供する。
【解決手段】短絡保護回路30のPMOSトランジスタMP3により短絡状態の場合は、電源電圧VDDからFETゲート電圧出力端子FET_PAD(外部FET0)に電流が流れる経路をPMOSトランジスタMP0及び短絡電流検出用抵抗素子R0を経由する経路から、PMOSトランジスタMP1及び抵抗素子Rpuを経由する抵抗値が大きい経路に切り替えるため、短絡電流を制限することができ、従って、短絡により、電池監視IC14が破壊されるのを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】簡素な構成で、特性に応じてスイッチング素子を適切に制御することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御装置12は、オン駆動用定電流回路121と、電圧制限回路123と、制御回路124と、コントローラ125とを備えている。制御回路124は、記憶されているIGBT110dの特性情報に基づいて電圧制限回路123を制御する。そのため、従来のように、2つの電源を用いることなく、オン駆動用定電流回路121と電圧制限回路123によって、IGBT110dのゲート電圧を調整することができる。従って、回路構成を簡素化することができる。また、予め記憶されているIGBT110dの特性情報に基づいて電圧制限回路123を制御する。そのため、特性に応じてIGBT110dを適切に制御することができる。 (もっと読む)


【課題】充電用スイッチング素子24lをオン操作することで、直流電圧源22lの端子電圧(制限用電圧VL)をスイッチング素子S*#のゲートに印加している期間において、ノイズ等によってコレクタ等からゲートへの電流の流れ込みが生じうること。
【解決手段】ゲート電圧Vgeは、端子T8を介して駆動制御部70によってモニタされる。駆動制御部70では、充電用スイッチング素子24lのオン操作期間においてゲート電圧Vgeが制限用電圧VLを上回る場合、シンクスイッチング素子60をオン操作して、ゲートの過剰な電荷を放電させる処理を行う。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子をオンするために、スイッチング素子の制御端子に定電流を供給して電荷を充電するオン駆動用定電流回路の異常を検出できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御装置12は、オン駆動用定電流回路121と、オフ駆動用回路122と、制御回路128とを備えている。オン駆動用定電流回路121は、電流制御用FET121aと、電流検出用抵抗121bとを有している。制御回路128は、電流検出用抵抗121bの電圧に基づいて電流制御用FET121aを制御し、IGBT110dのゲートに定電流を流し込み、IGBT110dをオンする。オン駆動用定電流回路121の電流制御用FET121aや電流検出用抵抗121bが故障すると、それらに流れる電流や、それらに印加される電圧が変化する。そのため、電流検出用抵抗121bの電圧に基づいてオン駆動用定電流回路121の異常を検出することができる。 (もっと読む)


【課題】オン駆動用定電流回路が故障しても、スイッチング素子の破損を抑えて駆動することができる電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】制御回路128は、オン駆動用定電流回路121が故障して、IGBT110dのゲートに正常時に流れ込む電流より大きい電流が流れ込むようになったとき、オフ駆動用定電流回路122の電流を調整する。これにより、IGBT110dのゲートに流れ込む電流、及び、ゲートから引き抜く電流を調整することができる。そのため、オン駆動用定電流回路121が故障しても、IGBT110dの破損を抑えて駆動することができる。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子駆動回路において、スイッチング素子のスイッチング損失を抑制する。
【解決手段】 ゲート電圧検出回路201は、スイッチング素子11のゲート電圧Vgsを検出し、このゲート電圧がスイッチング素子11の閾値電圧未満に設定された所定電圧未満のとき、Hレベルの昇圧指示信号を出力する。電圧制御回路103は、前記昇圧指示信号がLレベルの間は、制御電源102の所定電圧V1をそのまま出力し、前記昇圧指示信号がHレベルの間は、前記所定電圧V1を昇圧した電圧V2を出力する。駆動信号出力回路104は、PWMパルス出力回路111から出力されるPWMパルスの電圧を電圧制御回路103から出力される電圧に増幅する。従って、駆動信号出力回路104からスイッチング素子11への駆動信号は、前記PWMパルスがHレベルになった時に、先ず昇圧された電圧V2となり、スイッチング素子11のゲート電圧Vgsが所定電圧にまで上昇すると、所定電圧V1となる。 (もっと読む)


【課題】ブリッジ回路を構成する一対のMOSFETの内蔵ダイオードに流れる負荷電流の逆回復を速くする。
【解決手段】ブリッジ回路3は内蔵ダイオード4a、5aを内蔵したMOSFET4、5により構成される。MOSFET4、5はスイッチング制御回路6によりゲート駆動回路7、8を介して駆動制御される。負荷電流ILがコイル1からブリッジ回路に向けて流れる状態であって、例えば内蔵ダイオード4aを介して環流電流を流す状態からMOSFET5を介して負荷電流を流す状態への移行期間の終盤にMOSFET4をオンして内蔵ダイオード4aをオフさせ、電流I1がゼロ相当になったらMOSFET4をオフ、MOSFET5をクランプ状態で一定時間オンする。その後、MOSFET5を通常のオン状態に移行させる。 (もっと読む)


【課題】スナバ抵抗体18#(#=p,n)の発熱量が無視できないこと。
【解決手段】スイッチング素子Sw#およびフリーホイールダイオードFD#を備える半導体チップ22#は、ビア導体32#、配線層34#、ビア導体38#を介して導体40#に接続されている。導体40#は、半導体チップ22#を垂直投影した投影領域からはみ出すようにして形成されており、はみ出した部分には絶縁膜42#およびスナバ抵抗体18#が積み重ねられている。スナバ抵抗体18#は、ビア導体44#、配線層46#およびビア導体48#を介してスナバ回路を構成するコンデンサ16に接続されている。 (もっと読む)


【課題】本発明では、上記のような問題を解消し、dV/dtによる誤動作を防止しつつも、外部要因に左右されることのない汎用的な誤動作防止機能を有する半導体回路および半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体回路は、ON駆動信号に応答してON駆動電荷を充電するコンデンサ40と、OFF駆動信号に応答してOFF駆動電荷を充電するコンデンサ41と、ON駆動信号に応答して第1トリガー信号を発生させる信号発生回路20と、OFF駆動信号に応答して第2トリガー信号を発生させる信号発生回路21と、第2トリガー信号に応答して、ON駆動電荷を放電する放電回路30と、第1トリガー信号に応答して、OFF駆動電荷を放電する放電回路31とを備える。 (もっと読む)


41 - 60 / 444