【課題】ゲート駆動回路の設計を、短ＴＡＴ化する設計支援装置を提供する。
【解決手段】半導体素子のスイッチングを制御するゲート駆動回路に含まれる回路素子のパラメーを用いて前記半導体素子のスイッチング電圧を計算する回路解析部と、前記スイッチング電圧によって前記ゲート駆動回路を搭載するシステムに発生する電磁放射ノイズを計算する電磁界解析部と、前記電磁放射ノイズが目標値に収まっているか否か判定する第１の判定部と、前記電磁放射ノイズが目標値に収まっていない場合に、前記電磁放射ノイズを抑制するように前記回路素子のパラメータを改良する第１の回路改良部と、前記改良したパラメータを用いて前記回路解析部が計算したスイッチング電圧に基づいて電磁放射ノイズを推定するノイズ推定部と、を備え、中央処理装置が、前記回路素子のパラメータを最適化する。 （もっと読む）

【課題】駆動回路やトランジスタにおいてばらつきがあっても、ＰＷＭ駆動信号の駆動デューティ成分が小さい場合にも、上側トランジスタと下側トランジスタのシュート・スルー（貫通状態）を防止する。
【解決手段】入力端子の第２レベルまたは第１レベル信号に応じてスイッチングデバイスの制御端子に駆動電流をシンク出力するシンク回路と、スイッチングデバイスのオフ期間中に制御端子を経て容量性の電流をシンクする電流シンクトランジスタと、入力端子の信号に応じてソース回路の入力駆動信号と、シンク回路あるいは前記シンクトランジスタへの入力駆動信号とを生成するＩ／Ｆ回路と、シンク回路または前記シンクトランジスタへの入力駆動信号をシンク回路かあるいはシンクトランジスタのどちらに入力駆動信号として出力するかを選択するセレクタと、この選択動作を制御するセレクタへの選択信号を受ける入力端子とを備える。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体の温度を決定するための方法を提供する。
【解決手段】パワー半導体１２の温度を決定するための方法において、第１の制御コンタクト２２ａが、パワー半導体１２に集積された直列抵抗器１４の第１の極に接続され、直列抵抗器１４の、パワー半導体１２へ延びている第２の極が、第２の制御コンタクト２２ｂに接続され、第１の制御コンタクト２２ａおよび第２の制御コンタクト２２ｂが、それぞれのボンディングワイヤ１６を介して、第１の接続端子２４ａおよび第２の接続端子２４ｂに接続され、直列抵抗器１４の抵抗値Ｒ_Ｖが、２つの接続端子２４ａ、ｂ間の電気測定によって決定され、直列抵抗器１４の抵抗値Ｒ_Ｖおよび温度−抵抗特性曲線に基づいて、直列抵抗器１４の温度が、パワー半導体１２の温度として決定される。 （もっと読む）

【課題】直列接続されたスイッチング素子の直流短絡事故などを防止するとともに、ゲートパルス信号用のライトガイドの本数を削減する。
【解決手段】直列接続されたスイッチング素子を駆動するゲート駆動回路と、このゲート駆動回路に与える基準信号を発生し、インターロック手段を備えたゲート信号発生手段と、このゲート信号発生手段から光伝送された信号を受光してゲート駆動回路に分配する光分配回路と、この光分配回路の出力をゲート駆動回路に夫々供給する手段と、ゲート駆動回路の出力を監視し、光分配回路にフィードバックするゲート信号監視手段と、ゲート信号監視手段のフィードバック信号が全てオフ状態であればオフ、１つでもオンであればオンとみなす論理演算手段と、論理演算手段の出力を光変換してゲート信号発生手段に供給する伝送手段とで構成する。この伝送手段の出力を、インターロック手段のインターロック条件に反映させる。 （もっと読む）

【課題】スイッチングゲートドライバにおいて、スイッチング時間を短くして、スイッチング損失を低減すること。
【解決手段】本発明は、ＩＧＢＴ素子のスイッチングゲートドライバであって、ＩＧＢＴ素子のゲート電流を制御するための抵抗部、及び、前記ＩＧＢＴ素子のコレクタ−エミッタ間の電圧に応じて、前記抵抗部の可変抵抗を制御するための制御信号を前記抵抗部に出力する電圧検針部を含むスイッチングゲートドライバを提供する。 （もっと読む）

【課題】冗長システムの中で待機系を構成する場合であっても光発光素子の寿命を短縮させない監視回路を有する電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換器１を構成するパワーデバイス１１と、第１の光絶縁回路を介して第１の電気信号に変換してパワーデバイス１１にオンオフ信号を与えるゲート回路２と、パワーデバイス１１のＧＥ間電圧からパワーデバイスの健全性を監視する監視回路３とで構成する。監視回路３は、装置の運転モードが運転系であるときは、ＧＥ間電圧を光信号に変換し、第２の光絶縁回路を介して電気信号に変換して異常検出回路４１に与えるようにし、運転モードが待機系であるときは、ＧＥ間電圧をパルス信号に変換し、これを光信号に変換して第２の光絶縁回路を介して第２の電気信号に変換し、その出力を復元手段４０によって復元した後異常検出回路４１に与えてパワーデバイス１１の健全性を監視する。 （もっと読む）

【課題】冷媒に含まれる気泡が冷却ケース内に溜まりにくい電力変換装置を提供する。
【解決手段】
底壁２０と、該底壁２０の周縁部から上方に立設した側壁２１と、該側壁２１の上端に取り付けられた金属製の上壁板２２とを有する冷却ケース２を備える。側壁２１には、冷媒導入管４および冷媒導出管５が設けられている。上壁板２２に、半導体モジュール３が配置されている。冷媒導入管４から冷媒１０をケース内空間Ｓに導入し、冷媒導出管５から冷媒１０を導出することにより、上壁板２２に配置された半導体モジュール３を冷却している。冷媒導出管５の、ケース内空間Ｓに開口した端部である導出側開口端部５０は、その上端縁５１が、上壁板２２の下面２２０よりも上方に位置している。 （もっと読む）

【課題】直列に接続した複数のトランジスタの耐圧を確実に分散できるシリーズレギュレータを提供することを課題とする。
【解決手段】複数の出力制御用トランジスタ５ａ，５ｂを直列に接続したシリーズレギュレータ５であって、複数の出力制御用トランジスタ５ａ，５ｂの耐圧を分散させるための分圧を設定する複数の分圧素子５ｅ，５ｇと、複数の出力制御用トランジスタ５ａ，５ｂにそれぞれ設けられ、出力制御用トランジスタ５ａ，５ｂのゲート電圧を制御する分圧制御用トランジスタ５ｊ，５ｋを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安価な構成で高効率、信頼性の高いインバータ装置を実現すること。
【解決手段】インバータ装置は、複数の上下アームから構成されるスイッチング回路とスイッチング回路を駆動する制御手段とを備え、上アーム側スイッチング回路を構成するスイッチング素子が電圧駆動型素子であり、下アーム側スイッチング回路を構成するスイッチング素子が電流駆動型素子であり、上アーム側スイッチング回路に素子を駆動する電源電圧を印加するブートストラップ回路を有することにより、低損失、高速のスイッチング素子での回路コストを低減すると共に、スイッチング素子の駆動制御を最適に行うことにより、インバータ回路損失を低減し効率向上を行うことを目的としている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のオンオフ切り替え時において、スイッチング素子のゲートに供給されるゲート電圧の変化を監視し、最適なタイミングで段階的にゲート電圧を切り替えることによって、スイッチング素子のオンオフ切り替え時における電圧・電流サージを発生させない半導体電力変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体電力変換装置は、スイッチング素子をオンオフさせる半導体電力変換装置であって、スイッチング素子に供給されるゲート電圧の変化を検出するゲート電圧変化検出手段と、入力される駆動信号に基づいて、スイッチング素子のゲートにゲート駆動電圧を出力するゲート駆動手段とを備え、ゲート駆動手段は、ゲート電圧変化検出手段によってゲート電圧の変化が検出されたタイミングで、ゲート駆動電圧を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】商用電源に周期的なノイズが入る場合でもゼロクロス点を正確に取得し、正確な定着温度制御を行うこと。
【解決手段】ＣＰＵ３は、ハードウェアゼロクロス信号取得部７がハードウェアゼロクロス信号４を取得してから（Ｓ３０３ Ｙ）所定時間以内に（Ｓ３０６）、ゼロクロス信号生成回路２が出力したゼロクロス信号の信号レベルとＲＡＭ９に保持された信号レベルとが一致するか否かの判断を行う（Ｓ３１２）。 （もっと読む）

【課題】温度センサを取り付ける作業を容易に行うことができ、冷媒の測定温度が、特定の半導体モジュールの影響を受けにくい電力変換装置を提供する。
【解決手段】複数個の半導体モジュール２０と冷却チューブ２１とを積層した積層体２を備える。積層体２の積層方向Ｘにおける一方の端部に位置する冷却チューブ２１ａに、一対のパイプ３ａ，３ｂが接続されている。積層体２とパイプ３とは、収納ケース４に収納されている。また、固定部材５によって、一対のパイプ３が各々収納ケース４に固定されている。パイプ３には、冷媒を導入するための導入側パイプ３ａと、冷媒が導出される導出用パイプ３ｂとがある。導入側パイプ３ａを固定する固定部材５ａと、導出側パイプ３ｂを固定する固定部材５ｂとのうち、少なくとも一方の固定部材５に、冷媒の温度を検出する温度センサ６が取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子による高温の悪影響を回避して、誤点弧を防止する回路をスイッチング素子と同一の基板上に配置した半導体装置を提供する。
【解決手段】基板５上の導電体パターン５１，５２上にＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴ１０、及びＮチャネル型で半導体材料が炭化珪素からなるＪＦＥＴ３０を各別に近接して配置し、ＭＯＳＦＥＴ１０のゲート電極１３とＪＦＥＴ３０のドレイン電極３１とをリード線６１で接続する。ＭＯＳＦＥＴ１０をオン／オフに制御する外部からの駆動信号がＪＦＥＴ３０のソース電極３２及びドレイン電極３１間を伝播するときに、ソース電極３２及びゲート電極３３間のゲート電圧の低／高に応じてＪＦＥＴ３０のチャネル抵抗を大／小に変更することにより、ＭＯＳＦＥＴ１０のドレイン電極１１及びソース電極１２間のスイッチング波形の前縁を、後縁に比較して緩やかな傾斜にする。 （もっと読む）

【課題】高速なスイッチング動作が可能となりスイッチング損失の低減と誤点弧を防止することができるゲート駆動回路および電力変換装置を提供すること。
【解決手段】本発明のゲート駆動回路および電力変換装置は２つのトランジスタで構成されるプッシュプル回路を出力段に備えるゲート駆動回路と、プッシュプル回路（１０）と直列に接続されるダイオード（５）を備え、プッシュプル回路とダイオードの直列回路と並列にゲート電源（１）が接続され、プッシュプル回路と並列に負電圧発生回路（６）を備え、負電圧発生回路の出力端子とゲート電源の負極端子間にトランジスタ（４）を接続し、プッシュプル回路とトランジスタのベース端子でプッシュプル回路の出力電圧を正負に出力することを特徴としたゲート駆動回路であり、このゲート駆動回路を使うことで達成できる。 （もっと読む）

【課題】ブリッジ回路を構成する高速スイッチング素子を駆動対象とする場合でも、セルフターンオンの発生を防止できる駆動回路を提供する。
【解決手段】ＳＪ−ＭＯＳＦＥＴであるＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３Ｈ，３ＬによりＨブリッジ回路１を構成する場合に、駆動回路２１を、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３のソースとゲートとの間に磁気結合構造２２を設け、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３Ｈがターンオンした際に、オフ状態に維持されるＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３Ｌの寄生ダイオード５Ｌに短絡電流が瞬間的に流れると、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３Ｌのソースに発生する電圧変動に基づいてゲートに誘導される電圧変動を打ち消すため、磁気結合構造２２Ｌを、ＰＮＰトランジスタ８ＬのコレクタとＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３のゲートとの間を接続する駆動側配線２４Ｌを、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ３Ｌのソース配線２３Ｌに対して同相で磁気結合させて構成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ−ＦＥＴを確実にオフさせることができ、かつ、複雑な構成を追加することのない、ゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】パワーＭＯＳ−ＦＥＴを駆動するためのゲート駆動回路において、前記ＭＯＳ−ＦＥＴのゲート端子に第１の抵抗を介してオンさせるための電圧を印加する第１のスイッチング素子と、前記ＭＯＳ−ＦＥＴのゲート端子に第２の抵抗を介してオフさせるための電圧に接続させる第２のスイッチング素子とを備え、前記第１の抵抗の抵抗値は前記第２の抵抗の抵抗値よりも大きく設定されているものである。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置は、出力電流の制限値のばらつきが大きくなる問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置は、電源端子と出力端子との間に接続される出力トランジスタ１１と、出力トランジスタ１１に流れる電流に比例した検出電流Ｉ１２を生成する検出トランジスタ１２と、検出電流Ｉ１２に基づき検出電圧を生成する検出電圧生成部Ｒ１０と、検出電圧に応じて出力トランジスタ１１の制御端子から出力端子ＯＵＴに電流を引き抜く保護トランジスタ１３と、保護トランジスタ１３に電流が流れる状態において出力トランジスタ１１に流れる電流を設定する制限設定電流Ｉ１５を保護トランジスタ１３の閾値電圧のばらつき及び検出電流Ｉ１２に対する検出電圧のばらつきに応じて変換した制限電流Ｉ１８を生成し、制限電流Ｉ１８を保護トランジスタ１３の第１の端子に供給する制限電流生成回路１４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電流駆動型の半導体装置のゲートへの寄生インダクタンスによる外乱ノイズを低減し、ゲート駆動を高精度化及び安定化させる。
【解決手段】半導体装置１００であって、電流駆動型の半導体素子３と、半導体素子３を制御するゲート駆動回路１１と、接続端子部とを備え、半導体素子３は、窒化物半導体層の積層体の上に形成されたゲート電極パッド１と、オーミック電極パッド２及び５とを有し、接続端子部は、オーミック電極パッド２と接続されたオーミック電極端子６と、オーミック電極パッド５と接続されたオーミック電極端子１０と、オーミック電極パッド２と接続されたゲート駆動用端子７と、ゲート電極パッド１と接続されたゲート端子８とを有し、ゲート駆動回路１１の入力端子はゲート駆動用端子７に接続され、ゲート駆動回路１１の出力端子はゲート端子８に接続され、ゲート駆動回路１１の基準電位をオーミック電極パッド２の電位とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ素子のソース電極とドレイン電極との間の電圧変化がトランジスタ素子のオープン故障又は過電流のどちらによるものなのかを正確に判定すること。
【解決手段】制御回路５０は、抵抗素子Ｒを流れる電流値を検出し、過電流検出回路４０によって検出された電圧値が所定値以上である場合、電流値が第１判定値以上であるか否かを判別し、電流値が第１判定値以上である場合、トランジスタ素子Ｔのオープン故障が発生したと判定し、電流値が第１判定値未満である場合には、過電流が発生したと判定する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で、サージ電圧を抑えつつ、リカバリー電流に伴う損失を抑えることができるスイッチング装置を提供する。
【解決手段】モータ制御装置を構成するインバータ回路は、平滑コンデンサと、ＦＥＴと、スナバ回路とを備えている。スナバ回路は、コンデンサによって構成されている。スナバ回路１０２を構成するコンデンサ１０２ａの一方の接続点ａ１から平滑コンデンサ１００を経てコンデンサ１０２ａの他方の接続点ａ２に至る経路ｒ１のインダクタンスＬｒ１が、直列接続されたＦＥＴ１０１ａ、１０１ｄ、及び、コンデンサ１０２ａによって形成される経路ｒ２のインダクタンスＬｒ２の１０倍となるような位置に、コンデンサ１０２ａが接続されている。これにより、従来のように、リカバリー電流を抑える回路を別途設ける必要がなく、簡素な構成で、サージ電圧を抑えつつ、リカバリー電流に伴う損失を抑えることができる。 （もっと読む）