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Fターム[5H740AA05]の内容

電力変換一般 (12,896) | 目的 (1,317) | スイッチング素子のオン、オフ時間の短縮 (200)

Fターム[5H740AA05]に分類される特許

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【課題】主素子の出力静電容量の増大を防止し、接合容量充電電流に起因するターンオン損失を抑制する半導体スイッチを提供する。
【解決手段】逆導通性能を有し、高耐圧な電圧駆動型スイッチング素子である主素子1と、主素子1に比べ耐圧が低い逆流防止素子3と、主素子1の負極と逆流防止素子3の負極とを接続して主素子1の正極を正極端子とし、逆流防止素子3の正極を負極端子とし、正極端子と負極端子間に負極端子から正極端子に向かう方向が順方向となるように接続し、主素子1と同等の耐圧を有する高速還流ダイオード4と、主素子1の正極に正電圧が印加される方向に接続し、少なくとも主素子1の耐圧より低い電圧パルスを発生するとともに主素子1又は逆流防止素子3がオフする時期と略同期して電圧パルスを出力する予備電圧印加回路5と、を備えた半導体スイッチ。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子のゲート電圧閾値が変動しても、スイッチング素子が十分な放電能力を発揮できる、電力変換装置を提供すること。
【解決手段】ハイサイドのスイッチング素子Q1とローサイドのスイッチング素子Q2が直列に接続された直列回路11を備え、スイッチング素子Q1,Q2が両サイドとも重複してオンすることで、直列回路11に接続されるコンデンサ12を放電させる電力変換装置であって、スイッチング素子Q1、Q2に所定の電流値が流れるゲート電圧を測定し、コンデンサ12を放電させるとき、測定したゲート電圧測定値にスイッチング素子Q1のゲート電圧を制御する制御部とを備えることを特徴とするもの。 (もっと読む)


【課題】電力損失が少なく、低コストなスイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子の駆動回路は、電源と、前記電源の正極性端子とスイッチング素子の制御端子との間に挿入される第1スイッチと、前記電源の負極性端子と前記スイッチング素子の制御端子との間に挿入される第2スイッチと、前記スイッチング素子の電流出力端子に一端が接続される第3スイッチと、前記スイッチング素子の前記電流出力端子に一端が接続される第4スイッチと、前記第3スイッチの他端に高電位側の端子が接続され、前記第4スイッチの他端に低電位側の端子が接続される電圧出力部とを含む。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子を誤動作させずに高速低損失動作が可能なゲート駆動回路を部品点数の少ない簡易な回路を提供する。
【解決手段】ローサイドゲート駆動回路2から正極性の電圧が出力されるとハイサイドゲート駆動回路1は0Vを維持または負極性の電圧を出力し、ローサイドゲート駆動回路2からの出力が0Vまたは負極性の電圧を出力する時はハイサイドゲート駆動回路1から正極性の電圧が出力されるように制御を行なう。ハイサイドスイッチング素子5のゲート・ソース間にNchノーマリーオン型補助スイッチング素子13のドレイン・ソースを接続し、トランス15の1次側をゲート駆動回路1の出力に接続し、2次側をNchノーマリーオン型スイッチング素子13のゲート・ソース間に接続し、ローサイドスイッチング素子6側もトランス及びNchノーマリーオン型スイッチング素子をハイサイドと同様に接続して電力変換回路を構成する。 (もっと読む)


【課題】駆動電圧を調整可能な駆動回路を提供すること。
【解決手段】駆動回路10は、チャージポンプ回路部14を備えている。チャージポンプ回路部14は、メインスイッチング素子SW10がターンオンする遷移期間の初期段階において、キャパシタC1に充電された充電電圧に基づいて駆動電源18の電圧Vsを昇圧して駆動電圧Vgprを生成する。チャージポンプ回路部14では、指示信号S1に基づいてキャパシタC1に充電される充電電圧が調整可能に構成されている。 (もっと読む)


【課題】逆導通IGBTに内蔵されたダイオードで発生するリカバリ電流を低減させる。
【解決手段】逆導通IGBTに内蔵されているダイオードに順方向電流が流れている間に、逆導通IGBTのゲート−エミッタ間にゲート閾値電圧よりも低い電圧を印加することで、逆導通IGBTのドリフト領域への正孔の注入を抑制し、リカバリ電流を低減させる。 (もっと読む)


【課題】パワー半導体素子のコントロールコンタクトとメインコンタクトとの間のショート回路が、システム全体の全体的な安定性および/または制御性に影響しないような、複数のパワー半導体素子(例えばIGBT)のコントロールコンタクトを駆動するためのシステムを提供する。
【解決手段】複数のパワー半導体素子のためのコントロールコンタクト駆動システムは、パワー半導体素子のコントロールコンタクトをプルアップおよび/またはプッシュダウンするための参照電流を提供するのに適した電流ドライバユニット1と、パワー半導体素子のコントロールコンタクトへの参照電流を増幅および/または分配するのに適した電流ディストリビュータユニット3とを具備する。 (もっと読む)


【課題】低ゲート消費電力で、高速かつ確実にスイッチング素子をオンオフさせる半導体スイッチング回路、及びそれを用いた半導体モジュール、電力変換モジュールを提供する。
【解決手段】スイッチング素子1,11を有するスイッチング回路20,21において、容量4,14と抵抗5,15との容量抵抗並列接続回路3,13と、ダイオード直列接続回路7,17とこのダイオードと逆方向に並列に接続されたダイオード8,18とを有するダイオード直列並列接続回路6,16とを有し、スイッチング素子1,11のゲート端子には容量抵抗並列接続回路3,13の一端が接続され、この他端とゲート駆動用回路9の出力端子との間には、ダイオード直列接続回路7,17のダイオードのアノード端子をゲート駆動用回路9側、このカソード端子をスイッチング素子1,11のゲート端子側にして、ダイオード直列並列接続回路6,16が接続されている。 (もっと読む)


【課題】ターンオフスイッチング時に発生するノイズとスイッチング損失のトレードオフ特性を改善する。
【解決手段】半導体素子をターンオフさせるとき、半導体素子のコレクタ・エミッタ間電圧がコレクタ・エミッタ間に印加された直流電圧に達するまでは、前記コレクタ・エミッタ間電圧の変化率を大きくし、半導体素子のコレクタ・エミッタ間電圧が直流電圧に達した後は、前記コレクタ・エミッタ間電圧の変化率を小さくする。 (もっと読む)


【課題】ブートストラップダイオード(BSD)を用いない新たな方式のブートストラップ回路を提供する。
【解決手段】ブートストラップ部用電源供給部10は、抵抗R1からなる回路である。抵抗R1の一方の端子は、P母線と接続している。抵抗R1の他方の端子は、コンデンサC1およびツェナーダイオードD1の並列回路の一端と接続している。コンデンサC1は、充電された電圧をスイッチング素子駆動用回路(HVIC4)に印加する。抵抗R1は、メイン電源母線に一方の端子が接続し、他方の端子がコンデンサC1と接続して、メイン電源母線の電圧をコンデンサC1に印加する。抵抗R1によって、メイン電源側からブートストラップ回路のコンデンサC1を充電することができる。 (もっと読む)


【課題】ワイドギャップ半導体のターンオフの速度を高速化できるゲート駆動回路。
【解決手段】負極が接地された正電源E1と、正極が接地された負電源E2と、正電源の正極と負電源の負極との間に設けられ、制御信号を生成する制御回路11と、正電源の正極と負電源の負極との間に設けられたトランジスタQ1とトランジスタQ2との直列回路と、ドレイン端子、接地されたソース端子及びQ1とQ2との接続点に接続されたゲート端子を備えたワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子GaNFETと、制御信号のオフ時にQ1を所定時間だけオンさせQ1を介して負電源の電圧をスイッチング素子のゲート端子に印加するターンオフ制御回路13と、スイッチング素子のゲート端子と接地との間に設けられ、制御信号のオフ時にそのゲート端子とソース端子を短絡させるトランジスタQ3とトランジスタQ4との直列回路を備える。 (もっと読む)


【課題】ヘッドランプの動きを精密に制御することができるドライバーICの電源部に用いられる放電経路回路を提供する。
【解決手段】第1入力に連結される電源入力ポート及び第2入力に連結される動作モード選択ポートを備えた集積回路ICの入力段の放電経路を提供する回路であって、前記電源入力ポートと前記第1入力との間に連結されて、電源上のノイズをフィルタリングするLCフィルタと、前記第1入力と接地との間に連結される抵抗素子と、を含み、前記抵抗素子は、前記LCフィルタにより充電された電圧を放電するための放電経路を提供する。 (もっと読む)


【課題】遷移期間においてハイサイドトランジスタQ1がオンしないようにする。
【解決手段】高電位電源ラインと低電位電源ラインとの間に直列に接続されたハイサイドトランジスタとロウサイドトランジスタと,両トランジスタの接続ノードと出力端子との間に設けられたインダクタとを有する電源装置の前記両トランジスタを駆動する駆動回路であって,前記ハイサイドトランジスタのゲートを駆動する第1のゲートドライバと,前記ロウサイドトランジスタのゲートを駆動する第2のゲートドライバとを有し,前記ハイサイドトランジスタがオンでロウサイドトランジスタがオフの第1の状態から,前記ハイサイドトランジスタがオフでロウサイドトランジスタがオンの第2の状態に遷移する遷移期間で,前記第1のゲートドライバは前記ハイサイドトランジスタのゲートを前記低電位電源ラインの電位より低い第1の電圧に駆動する電源装置の駆動回路。 (もっと読む)


【課題】主スイッチング素子の面積を大きくすることなく、ゲートの容量に蓄積された電荷を引き抜く引き抜き期間を短くすることができる電源回路を提供する。
【解決手段】Nチャネル型の主スイッチング素子10と、主スイッチング素子10を制御する駆動回路30と、主スイッチング素子10の第2電極端子に接続される負バイアス回路20とを備える。そして、負バイアス回路20を、接地された第1抵抗21と、当該第1抵抗21と第2電極端子との間に配置されて第2電極端子との接続点の電位を第1抵抗21との接続点の電位より低くする電位降下手段22、23とを有するものとする。また、駆動回路30を第1抵抗21と電位降下手段22、23との接続点に接続する。そして、主スイッチング素子10がオフされたとき、ゲートの容量に蓄積された電荷を駆動回路30および第1抵抗21と電位降下手段22、23との接続点を介して引き抜くようにする。 (もっと読む)


【課題】内部ダイオード又は外部ダイオードを使用せずに、逆方向へ導通可能なMOS−FET回路を提供すること。
【解決手段】MOS−FET(10)と、このMOS−FET(10)のドレインをマイナス入力に接続し、ソースをプラス入力に接続したオペアンプ(15)と、このオペアンプ(15)の出力を一方の入力とし、ゲート端子(14)を他方の入力とした第一OR回路(17)とからなり、前記第一OR回路(17)の出力を前記MOS−FET(10)のゲートに接続した。 (もっと読む)


【課題】従来のゲート駆動回路で高速スイッチングさせる場合、複数の直流電源と、複数の制御用スイッチと、複雑な制御回路が必要で、装置が大型で、高価格となっていた。
【解決手段】制御用スイッチ直列回路の中点にスイッチング素子のゲート端子を、制御用スイッチ直列回路と並列に直流電源を、制御用スイッチ直列回路の正極端子と制御対象となるスイッチング素子のソース端子との間に小さい静電容量のコンデンサとダイオードとの並列回路と十分大きい静電容量を有するコンデンサとの直列回路を、スイッチング素子のソース端子と制御用スイッチ直列回路の負極端子との間に小さい静電容量のコンデンサとダイオードの並列回路を、各々接続する。 (もっと読む)


【課題】スイッチング損失の増大を抑制しつつ、より高い周波数帯で発生するスイッチングノイズを抑制できるスイッチング素子の駆動装置を提供する。
【解決手段】スルーレート調整部は、NチャネルMOSFETを介してDCモータに出力される電圧波形のスルーレートを変化させ、キャリア周波数によって決まる周波数帯よりも高い周波数帯域に現れるスイッチングノイズの周波数成分を分散させてピークレベルを低下させる。 (もっと読む)


【課題】窒化物FETを高速スイッチング動作させることができ、且つ、サージ電圧から窒化物FETを保護することができるスイッチング素子の保護回路。
【解決手段】直列に接続された高圧側素子M1及び低圧側素子M2と、高圧側素子をオンオフさせる信号を出力するハイサイドプリドライバ11と、高圧側素子と逆のオンオフ状態になるように低圧素子をオンオフさせる信号を出力するローサイドプリドライバ12と、高圧側素子と低圧側素子の接続点に制御端子が接続されたスイッチング素子Tr1と、スイッチング素子の一方の端子にカソードが接続されたダイオードD1と、ダイオードのアノードに入力端子が接続され、ダイオードのブレーク時にスイッチング素子の制御端子に電流を供給するとともに、低圧側素子のオフを指示する信号をローサイドプリドライバに供給する制御器21とを備える。 (もっと読む)


【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】ドレインとソースとゲートとを有し且つワイドバンドギャップ半導体かなるスイッチグ素子Q1のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲートドライブ回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続され、第1のコンデンサC1と第1の抵抗R1とからなる並列回路と、スイッチング素子のゲートとソースとの間に接続され、制御信号のオフ信号に対して遅延させてゲートとソースとの間を短絡する短絡手段S4とを備える。 (もっと読む)


【課題】デッドオフ時間中の還流電流の損失を小さくすると共に、寄生ダイオードの逆回復時間を短くすることが可能なインバータ装置を提供する。
【解決手段】4つの双方向スイッチ素子Q1〜Q4でブリッジ回路を構成し、互いに直列接続されていない2組のスイッチ素子Q1とQ4及びQ2とQ4を、デッドオフ時間ΔTを介して交互にオン及びオフさせる。デッドオフ時間中ΔT、そのデッドオフ時間の直前に非導通であったスイッチ素子の組を一時的に導通させて還流電流を流す。 (もっと読む)


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