【課題】 複数の部品を効率よくふり分けて空気冷却することができる電源装置を提供する。
【解決手段】 電源装置Ａにおいて、風路には、互いに隔てられた第１および第２の風路９，９’が含まれるとともに、ファンには、第１および第２の風路９，９’のそれぞれに風を送り込む第１および第２のファン８，８’が含まれる。電子部品３０は、第２の風路９’に沿って配置されており、電気部品３１は、第１の風路９に沿って配置されている。第１および第２の風路９，９’は、水平長手状を呈して互いに平行をなすとともに、仕切板７Ｃの水平部分を隔壁として上下に隔てられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、飛び石への防護性能を大幅に落とすことなく、冷却性能の向上をする
ことが出来る鉄道車両用電力変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】鉄道車両の車体の床下に懸架され、半導体素子と、前記半導体素子が一方の
面に取り付けられた受熱部と、この受熱部の他方の面に取り付けられた放熱フィンとから
構成される冷却器を備え、前記冷却器の一部が当該鉄道車両用電力変換装置の筐体に収納
され、前記半導体素子のスイッチングにより電力を変換する鉄道車両用電力変換装置にお
いて、前記冷却器の近傍に、前記冷却器に飛び石が衝突するのを防ぐ飛び石防護手段とを
有し、前記放熱フィンが取り付けられる前記受熱部の他方の面とほぼ対向する面の少なく
とも一部には、前記飛び石防護手段が設けられていないことを特徴とする鉄道車両用電力
変換装置。 （もっと読む）

【課題】還流ダイオードの導通時の損失並びに過渡動作時の損失は抑えつつ、逆回復動作時に生じる電流・電圧の振動現象を抑制することが容易に可能な電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】ユニポーラ動作をする還流ダイオードと、キャパシタと抵抗との直列接続からなり、還流ダイオードに並列接続された半導体回路とを備え、半導体回路２００は、抵抗２２０の少なくとも一部として機能する半導体基体１１と、半導体基体の上面に接して設けられた容量低下防止領域１００１と、容量低下防止領域１００１上に設けられ、キャパシタ２１０の少なくとも一部として機能するキャパシタ誘電体膜１２とを備え、容量低下防止領域１００１が、還流ダイオードに逆バイアス電圧が印加された際に半導体基体１１中への空乏層の伸張を緩和する。 （もっと読む）

【課題】音や振動を低減すること。
【解決手段】３相交流電源１１の各相に接続されたリアクトル１２を介して接続された全波整流回路１３と、全波整流回路１３の直流出力ライン間に接続された第１コンデンサ１４と、一端が全波整流回路１３の交流入力側の各相に接続し、他端が共通の接続点に接続される３本のラインＬ１，Ｌ２，Ｌ３と、各ライン上に配置された第２コンデンサ１５および第１スイッチ１６とを備え、第１コンデンサ１４の出力側に接続される負荷２１が既定の閾値未満の場合に第１スイッチ１６がオフ状態とされ、負荷２１が該閾値以上の場合に第１スイッチ１６がオン状態とされる整流回路１を提供する。 （もっと読む）

【課題】上下アームを構成する各半導体スイッチング素子のターンオン時の損失を低減することができる、スイッチング装置の提供を目的とする。
【解決手段】並列接続された抵抗素子と容量素子とをコレクタ−エミッタ間に有する並列回路と、並列回路とコレクタとの間に設けられたツェナーダイオードと、並列回路とコレクタとの間に設けられた逆流防止ダイオードとを備えるスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２を有するスイッチング装置であって、スイッチング素子Ｑ１のコレクタ−エミッタ間のダイオードＤ１に発生するリカバリーサージの検出信号をスイッチング素子Ｑ２の駆動回路Ｈ２に送信する送信回路Ａ１と、スイッチング素子Ｑ２のコレクタ−エミッタ間のダイオードＤ２に発生するリカバリーサージの検出信号をスイッチング素子Ｑ１の駆動回路Ｈ１に送信する送信回路Ａ２と、を備えることを特徴とする、スイッチング装置。 （もっと読む）

取付構造体を用いて、電子素子を電気的サージから保護するための解決策が提供される。具体的には、取付構造体は、導電材料を備え、保護される電気素子に電気的に接続される。導電材料及び／又は取付構造体は、通常動作時には取付構造体が電子素子の動作に悪影響を与えるのを防止するが、電気的サージの間には取付構造体が代替電気経路をもたらすことを可能にする１つ又は複数の特性をもつことができる。 （もっと読む）

コンバータ回路を動作させるための方法が、多くの制御可能なパワー半導体スイッチを備えたコンバータユニット（１）を有し、かつ、２つの直列に接続されたコンデンサによって構成されたエネルギー蓄積回路（２）を有するコンバータ回路によって規定され、そのコンバータ回路において、制御可能なパワー半導体スイッチは、ヒステリシス信号ベクトル（ｘ）から生成された制御信号（Ｓ）によって制御され、ヒステリシス信号ベクトル（ｘ）は、ヒステリシスレギュレータ（６）によって差分位相接続電流ベクトル（Δｉ_ｆｉ，ｉ）から生成され、差分位相接続電流ベクトル（Δｉ_ｆｉ，ｉ）は、基準位相接続電流ベクトル（ｉ_{ｆｉ，ｉ，ｒｅｆ}）から位相接続電流ベクトル（ｉ_ｆｉ，ｉ）を減算することによって生成され、基準位相接続電流ベクトル（ｉ_{ｆｉ，ｉ，ｒｅｆ}）は、差分電力値（Ｐ_ｄｉｆｆ）、差分無効成分値（Ｑ_ｄｉｆｆ）、および、位相フラックスベクトル（Ψ_ｇ，αβ）から生成される。制御可能なパワー半導体スイッチのスイッチング周波数を相当に安定させるために、電流補正値（ｉ_０）が、差分位相接続電流ベクトル（Δｉ_ｆｉ，ｉ）を生成するためにさらに減算され、電流補正値（ｉ_０）は、位相接続電圧平均値（ｕ_{ｉｎｖ，Ａ}）を積分することによって生成され、位相接続電圧平均値（ｕ_{ｉｎｖ，Ａ}）は、エネルギー蓄積回路（２）におけるコンデンサの接続点（Ｍ）からなる基準点に対する位相接続電圧（ｕ_{ｉｎｖ，ｉＭ}）の算術平均値を決定することによって生成される。また、装置が、規定され、その装置によって、方法をとりわけ簡素な形で実施することができる。
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【課題】オフサージ電圧の上昇を抑制しつつ、従来よりもターンオフ損失を低減させることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴをスイッチング素子として用いる電力変換装置において、ゲートの外部抵抗の大きさを変化させた場合、外部抵抗の大きさを２０Ωから９Ωまで小さくしたときでは、ターンオフ損失が減少し、かつ、オフサージ電圧が増加し、外部抵抗の大きさを９Ωから２Ωまで小さくしたとき、ターンオフ損失が減少し、かつ、オフサージ電圧が減少するという特性をＩＧＢＴが有している場合、外部抵抗の大きさを２Ω以上９Ω未満に設定する。これにより、外部抵抗の大きさを９Ω以上に設定する場合と比較して、ＩＧＢＴのターンオフ時において、ダイナミックアバランシェ現象を多く発生させることができ、その結果、オフサージ電圧の上昇を抑制しつつ、従来よりもターンオフ損失を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】 超低損失で、小型で、しかも高温環境でも動作可能な炭化珪素半導体インバータ装置を提供する。
【解決手段】 電力用パワーデバイスの第１横型ＭＯＳＦＥＴ１と第２横型ＭＯＳＦＥＴ２とが共通の炭化珪素基板１００上に素子分離領域１８によって電気的に絶縁されて形成され、第１横型ＭＯＳＦＥＴ１のドレイン電極１６と第２横型ＭＯＳＦＥＴ２のソース電極１５とが炭化珪素基板１００上で電気的に接続されており、横型ＭＯＳＦＥＴ１、２の制御回路２１を構成する素子も同一炭化珪素基板１００上に素子分離領域２２によって横型ＭＯＳＦＥＴ１、２とは電気的に絶縁されて形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体素子の温度をより正確に検出することが出来る電力変換装置を提供することである。
【解決手段】 電流入出力端子と半導体素子チップから構成される半導体素子１と、この半導体素子１が取付けられる半導体素子取付けベースと、この半導体素子取付けベースの反半導体素子側の側面と接続される受熱ブロック２と、この受熱ブロック２の反半導体素子側の側面２２に接続され、前記半導体素子１を冷却する放熱部４と、前記半導体素子１の半導体素子チップの直近の受熱ブロック２に、温度を検知する温度センサ８とを備えたことを特徴とする電力変換装置。 （もっと読む）