【課題】スイッチングゲートドライバにおいて、スイッチング時間を短くして、スイッチング損失を低減すること。
【解決手段】本発明は、ＩＧＢＴ素子のスイッチングゲートドライバであって、ＩＧＢＴ素子のゲート電流を制御するための抵抗部、及び、前記ＩＧＢＴ素子のコレクタ−エミッタ間の電圧に応じて、前記抵抗部の可変抵抗を制御するための制御信号を前記抵抗部に出力する電圧検針部を含むスイッチングゲートドライバを提供する。 （もっと読む）

【課題】直列接続されたスイッチング素子の直流短絡事故などを防止するとともに、ゲートパルス信号用のライトガイドの本数を削減する。
【解決手段】直列接続されたスイッチング素子を駆動するゲート駆動回路と、このゲート駆動回路に与える基準信号を発生し、インターロック手段を備えたゲート信号発生手段と、このゲート信号発生手段から光伝送された信号を受光してゲート駆動回路に分配する光分配回路と、この光分配回路の出力をゲート駆動回路に夫々供給する手段と、ゲート駆動回路の出力を監視し、光分配回路にフィードバックするゲート信号監視手段と、ゲート信号監視手段のフィードバック信号が全てオフ状態であればオフ、１つでもオンであればオンとみなす論理演算手段と、論理演算手段の出力を光変換してゲート信号発生手段に供給する伝送手段とで構成する。この伝送手段の出力を、インターロック手段のインターロック条件に反映させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レベルシフト高圧トランジスタのゲートに接続される電源の電圧が高い場合にも低い場合にも弊害なく稼動するゲート駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電圧の波形がパルス信号で制御されるレベルシフト高圧トランジスタと、該レベルシフト高圧トランジスタのゲートと電源を接続する抵抗と、該レベルシフト高圧トランジスタのドレインと接続され、該レベルシフト高圧トランジスタのドレイン電流に応じてゲート駆動信号を出力する高電圧回路と、該レベルシフト高圧トランジスタのソース及びゲートと接続され、該ドレイン電流が増大すると該抵抗を流れる電流を増大させるように構成されたカレントミラー回路と、該電源の電源電圧が低い場合は該抵抗の抵抗値を低減させ、該電源の電源電圧が高い場合は該抵抗の抵抗値を維持する抵抗調整手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来は、電力変換回路毎に半導体モジュールが必要となっていたため、種類が増加するという問題があった。また、需要の少ない回路方式では、その回路方式に合ったモジュールをカスタマイズ化することは型費や歩留まりなどの問題でコストアップ要因となるため、必然的に既存の半導体モジュールを組み合わせて回路を構成する必要があった。
【解決手段】半導体モジュールの構成を、ダイオードを逆並列接続したＩＧＢＴ２個と双方向スイッチ2個、又は双方向スイッチ4個を1個のモジュールに内蔵させ、5つの外部端子を備える構成にした。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成で、連絡配管及び連絡電線にノイズ電流が伝搬されるのを防止できるようにする。
【解決手段】液連絡管（23）及びガス連絡管（24）と連絡電線（26）との間には直列共振回路（45）が形成される。インピーダンス回路（40）のインピーダンスは、直列共振回路（45）のインピーダンスよりも低くなっている。そして、インピーダンス回路（40）の一端は、コンデンサ回路（33）の両コンデンサ（35a,35a）間の中性点に接続される一方、他端は、アースライン（27）に接続される。 （もっと読む）

【課題】冗長システムの中で待機系を構成する場合であっても光発光素子の寿命を短縮させない監視回路を有する電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換器１を構成するパワーデバイス１１と、第１の光絶縁回路を介して第１の電気信号に変換してパワーデバイス１１にオンオフ信号を与えるゲート回路２と、パワーデバイス１１のＧＥ間電圧からパワーデバイスの健全性を監視する監視回路３とで構成する。監視回路３は、装置の運転モードが運転系であるときは、ＧＥ間電圧を光信号に変換し、第２の光絶縁回路を介して電気信号に変換して異常検出回路４１に与えるようにし、運転モードが待機系であるときは、ＧＥ間電圧をパルス信号に変換し、これを光信号に変換して第２の光絶縁回路を介して第２の電気信号に変換し、その出力を復元手段４０によって復元した後異常検出回路４１に与えてパワーデバイス１１の健全性を監視する。 （もっと読む）

【課題】基板を小型化でき、スイッチング素子の配置や作動への影響を抑制できる電力変換装置を提供することである。
【解決手段】コンデンサと、複数のスイッチング素子と、複数の通常時駆動回路と、通常時駆動用電源とを備える電力変換装置において、コンデンサに蓄積された電荷を放電する際にスイッチング素子を駆動する一以上の放電時駆動回路Ｍ２ｂ，Ｍ５ｂと、放電時駆動回路Ｍ２ｂ，Ｍ５ｂの作動に必要な電力を出力する放電時駆動用電源５０と、スイッチング素子に接続するための複数の接続部Ｊ２，Ｊ５を配置する基板１００とを有し、一以上の放電時駆動回路Ｍ２ｂ，Ｍ５ｂが複数の接続部の中から選択される接続部Ｊ２，Ｊ５を含む特定領域に配置され、特定領域の近傍に放電時駆動用電源５０が配置される。放電時駆動回路Ｍ２ｂ，Ｍ５ｂと放電時駆動用電源５０の接続に必要な配線距離が短くなるので小型化できる。 （もっと読む）

【課題】一方の駆動回路から他方の駆動回路に駆動用信号が回り込むのを防止して、通常時および放電時の双方で確実にスイッチング素子の駆動制御を行える電力変換装置を提供することである。
【解決手段】電力変換装置において、コンデンサＣａと、スイッチング素子Ｑａと、通常時駆動回路１と、通常時駆動用電源４とを備え、コンデンサＣａに蓄積された電荷を放電する際にスイッチング素子Ｑａを駆動する放電時駆動回路２と、放電時駆動回路２を作動させる放電時駆動用電源５と、通常時駆動用電源４とスイッチング素子Ｑａとの間および放電時駆動用電源５とスイッチング素子Ｑａとの間の双方に介在され通常時駆動回路１および放電時駆動回路２のうち一方の駆動回路から他方の駆動回路に向かって回り込もうとする駆動用信号を阻止する回り込み防止手段３とを有する。 （もっと読む）

【課題】スイッチングデバイスの閾値電圧がばらついた時でも、スイッチング速度のばらつきを抑制し、スイッチングデバイスの定常的なＯＮ動作状態で不要なゲート電流によるパワー損失を防止して、所望のスルーレートを容易に設定できるスイッチングデバイス駆動装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のスイッチングデバイス駆動装置は、制御電流ソース回路（２１）が、第１の入力駆動信号（ＵＤ）に基づき、スイッチングデバイス（１１）のゲートまたはベースへソース出力する駆動電流において、スイッチングデバイスにおけるスイッチング動作のＯＮ動作初期の段階の電流（Ｉ１＋Ｉ２）と、当該スイッチング動作が完了後の段階の電流（Ｉ１）を異なる値に設定する。 （もっと読む）

【課題】待機電力を増加させることなく、メインスイッチがオフ状態となった場合に、迅速に、インバータのスイッチング素子を介して平滑コンデンサの残存電荷を放電させる。
【解決手段】主電源からの電力供給の有無に拘わらず、少なくとも残存電荷が放電する放電時間に亘り、放電制御装置１０が動作可能な電力を供給するバックアップ電源１と、インバータを構成するスイッチング素子３に対し、スイッチング素子３を飽和領域で動作させるスイッチング制御信号Ｓ１を印加するドライバ回路１２とは独立して備えられ、スイッチング素子３を活性領域で動作させる放電制御信号Ｓ２を生成して印加する放電制御部２とを備える。 （もっと読む）

【課題】安価な構成で高効率、信頼性の高いインバータ装置を実現すること。
【解決手段】インバータ装置は、複数の上下アームから構成されるスイッチング回路とスイッチング回路を駆動する制御手段とを備え、上アーム側スイッチング回路を構成するスイッチング素子が電圧駆動型素子であり、下アーム側スイッチング回路を構成するスイッチング素子が電流駆動型素子であり、上アーム側スイッチング回路に素子を駆動する電源電圧を印加するブートストラップ回路を有することにより、低損失、高速のスイッチング素子での回路コストを低減すると共に、スイッチング素子の駆動制御を最適に行うことにより、インバータ回路損失を低減し効率向上を行うことを目的としている。 （もっと読む）

【課題】丸めによる誤差要因を無くし高精度な寿命予測を行うことができるパワーサイクル寿命予測方法、寿命予測装置及び該寿命予測装置を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】IGBTモジュールの銅ベース温度を検知する温度センサ10と、該温度センサ出力を一定のサンプリング周期でA/D変換するA/D変換器20と、A/D変換器出力から温度差を検出し、検出した温度差と予め保持されている変曲点温度差とを比較し、その比較結果から検出した温度差が予めパワーサイクル試験を経て解析されたパワーサイクル寿命カーブを近似する複数の直線のいずれの側にあるかに応じて近似させる直線の傾き及び該直線において予め設定された基準温度差について寿命データレジスタ40に保持された演算パラメータを受領して寿命計算し寿命情報を出力する寿命演算回路30と、寿命演算回路30で寿命計算を行うための演算パラメータを保持する寿命データレジスタ40と、から構成されている。 （もっと読む）

【課題】寿命判定のための特別なセンサを必要とせずに、エレベータの駆動系に含まれる回路素子の寿命を正確に判定して対処する。
【解決手段】負荷変動の無い状態でエレベータの乗りかご１８を運転し、インバータ装置１４に含まれるＩＧＢＴ１４ａに一定の電流が通電されたときの電圧を測定回路２０によって測定する。寿命判定部２３では、この測定回路２０によって測定された電圧を初期値と比較し、両者の差が予め設定された判定値を超えた場合に寿命が近いものと判定する。制御部２４は、この判定結果を受け、発報部２５を通じて警告ランプ２６を点灯するなどして対処する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のオンオフ切り替え時において、スイッチング素子のゲートに供給されるゲート電圧の変化を監視し、最適なタイミングで段階的にゲート電圧を切り替えることによって、スイッチング素子のオンオフ切り替え時における電圧・電流サージを発生させない半導体電力変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体電力変換装置は、スイッチング素子をオンオフさせる半導体電力変換装置であって、スイッチング素子に供給されるゲート電圧の変化を検出するゲート電圧変化検出手段と、入力される駆動信号に基づいて、スイッチング素子のゲートにゲート駆動電圧を出力するゲート駆動手段とを備え、ゲート駆動手段は、ゲート電圧変化検出手段によってゲート電圧の変化が検出されたタイミングで、ゲート駆動電圧を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子を用いたセルを複数カスケード状に接続して構成される電力変換装置を制御する場合、複数のセルと中央制御装置間で通信を行う必要があるがセル数の増大により通信の情報量および情報処理の負荷が増大する。本発明の課題は、各セルと中央制御装置との間で通信する情報量を低減することである。
【解決手段】本発明の電力変換装置は、複数のセルをカスケード状に接続して構成されるアームを複数備え、前記セルを構成する中央制御装置と通信を行うセル制御装置への電力供給を主回路から供給する機能を備えるものである。
【効果】本発明の電力変換装置では、各セルのセル制御装置の電力を主回路から供給することにより、各セルの主要部品が故障した時に該当セルのセル制御装置と通信ができなくなることにより、該当セルが故障したことを中央制御装置が認識できる。 （もっと読む）

【課題】高速なスイッチング動作が可能となりスイッチング損失の低減と誤点弧を防止することができるゲート駆動回路および電力変換装置を提供すること。
【解決手段】本発明のゲート駆動回路および電力変換装置は２つのトランジスタで構成されるプッシュプル回路を出力段に備えるゲート駆動回路と、プッシュプル回路（１０）と直列に接続されるダイオード（５）を備え、プッシュプル回路とダイオードの直列回路と並列にゲート電源（１）が接続され、プッシュプル回路と並列に負電圧発生回路（６）を備え、負電圧発生回路の出力端子とゲート電源の負極端子間にトランジスタ（４）を接続し、プッシュプル回路とトランジスタのベース端子でプッシュプル回路の出力電圧を正負に出力することを特徴としたゲート駆動回路であり、このゲート駆動回路を使うことで達成できる。 （もっと読む）

【課題】制御を容易に行うことができ、より高い周波数で動作する電力供給装置を提供する。
【解決手段】電力供給装置１ａは、１台の交流電源２と、交流電源２と交流電源２の第１〜第ｎの負荷１４との間に接続される切り替え部３と、を備え、切り替え部３は、第１〜第ｎの切り替え回路３ａ，３ｂ・・・３ｎと、制御部６と、を備え、第１〜第ｎの切り替え回路３ａ，３ｂ・・・３ｎのそれぞれは、逆並列接続された半導体スイッチング素子の一対８，９から構成され、半導体スイッチング素子対８，９の一対の一端が、交流電源２の一端と各負荷１４の一端との間に直列接続され、各負荷１４の他端が、交流電源２の他端に接続され、半導体スイッチング素子８，９の一対のそれぞれは、ダイオード１０とトランジスタ１１との直列接続からなる。絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ１１を用いれば、制御が容易で、高速でメンテナンスが不要な切り替え部３を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】回路の寄生インダクタンスとスイッチング素子の接合容量による高周波振動を抑制しつつ、スイッチング素子の損失の低減が可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】制御スイッチング素子4とダンピング抵抗3の並列接続で構成した振動制御部を電力変換回路の入力電源1と主スイッチング素子7の間に設置し、制御スイッチング素子4と主スイッチング素子7の間にはRon(S2)<E(Rg)x fsw /(D x I²)の関係を有しており、主スイッチング素子7がターンオフし、主スイッチング素子7の電流がゼロになった後に、制御スイッチング素子4をオフし、回路の寄生インダクタンス2と主スイッチング素子の接合容量間で発生する高周波振動をダンピング抵抗3で抑える。 （もっと読む）

【課題】ダブルゲートを有したＧａＮ双方向スイッチに使用されるゲート駆動回路において、何れか一方向にのみ通電可能な逆阻止モード（第一モードおよび第二モード）への移行の高速化を図ることを目的とする。
【解決手段】第一ソース端子４あるいは第二ソース端子５の少なくとも何れか一方と第一ゲート抵抗１８Ａ、１８Ｂ、第二ゲート抵抗１９Ａ、１９Ｂを各直列に接続し、第一ゲート抵抗１８Ａ、１８Ｂと第二ゲート抵抗１９Ａ、１９Ｂの接続点２０Ａ、２０Ｂとの間にソース電位の変動が発生した際に、接続点２０Ａ、２０Ｂへ電流を流すことのできるバイパス手段としてのダイオード２１Ａ、２１Ｂを設ける構成にしたことにより、第一ソース端子４あるいは第二ソース端子５の何れかの電位が上昇した際にダイオード２１Ａ、２１Ｂを介してゲート電流を流し、高速に逆阻止モードでの導通を可能としたゲート駆動回路を得られる。 （もっと読む）

【課題】初期充電回路が不要な自己給電形のゲート駆動回路の電源装置を提供することである。
【解決手段】電力用半導体スイッチ素子（３）に並列接続された、スナバダイオード（３５）とスナバコンデンサ（３７）とからなる直列回路と、端子電圧をゲート駆動回路（１１）に電源電圧として印加する電源用コンデンサ（５１）と、スナバコンデンサ（３７）の正電位側端子と電源用コンデンサの正電位側端子間に介在されて、電源用コンデンサ（５１）に充電電流を流すノーマリオンタイプのスイッチ素子（４３）と、 ノーマリオンタイプのスイッチ素子（４３）を制御するスイッチ制御回路と、を備える。スイッチ制御回路は、電源用コンデンサ（５１）の端子電圧が所定値以上になったときにノーマリオンタイプのスイッチ素子（４３）をオフさせるように構成される。 （もっと読む）