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Fターム[5H740BA11]の内容

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【課題】本発明は、ブートストラップダイオードを備える半導体装置の省エネルギー化ができる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】トーテムポール接続された高圧側パワーデバイスと低圧側パワーデバイスの駆動を制御する半導体装置であって、回路負荷を有し、該高圧側パワーデバイスを制御する高圧側駆動回路と、該低圧側パワーデバイスを制御する低圧側駆動回路と、該低圧側駆動回路と接続され該低圧側駆動回路の電源電位であるVCC電位を該低圧側駆動回路に与えるVCC端子と、アノードが該VCC端子と接続されカソードが該高圧側駆動回路と接続され、該高圧側駆動回路の電源電位であるVB電位の充電に用いられるブートストラップダイオードと、該VB電位が該VCC電位よりも小さくなる前に該回路負荷を遮断する手段とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ素子のエミッタ−コレクタ間のサージ電圧を確実に収束させることができる半導体電力変換装置を提供する。
【解決手段】半導体電力変換装置1は、IGBT4と、このIGBT4に逆並列に接続されたダイオード5と、IGBT4のゲートに並列に接続されたゲート抵抗8a〜8dと、IGBT4がONからOFFに切り換わる時のIGBT4のエミッタ−コレクタ間のサージ電圧を検出するコレクタ電圧検知回路12と、このコレクタ電圧検知回路12の検出値と基準電圧V1との大小を比較するコンパレータ13と、このコンパレータ13の出力データに応じてカウンタ値をカウントアップまたはカウントダウンさせるカウンタ14と、このカウンタ14のカウンタ値に応じてIGBT4をOFF駆動するためのゲート抵抗8a〜8dを選択する抵抗選択回路15とを備えている。 (もっと読む)


【課題】上下アーム入りの半導体モジュールを用いた直流−直流変換回路では、昇圧比や降圧比が大きい又は小さい場合には、発生損失が偏り、モジュールや装置が大型で、高価格になる。
【解決手段】ダイオードを逆並列接続したIGBT直列回路と、前記直列接続点に一端を接続した逆阻止形IGBTの逆並列接続回路を内蔵した半導体モジュールとリアクトルを第1及び第2の直流電源の間に接続し、逆阻止形IGBTの逆並列接続回路の他端を、第1又は第2の直流電源の正側又は負側電位に接続する。 (もっと読む)


【課題】電力変換を行う複数の半導体素子の温度を正確に検知することができ、これを安価で小型な回路で実現すること。
【解決手段】複数のスイッチング素子35a,35bの温度検出回路100として、各スイッチング素子35a,35bに対応付けられた複数のダイオード122a,122bの各々の電圧発生側に個別に接続され、各々の発生電圧をパルス幅変調により各々デューティが異なるデューティ信号AD,BDに変換する複数のデューティ変換部106a,106bと、これらデューティ変換部106a,106bで変換された各々デューティの異なるデューティ信号AD,BDを選択する切替スイッチ104と、この切替スイッチ104で各々デューティの異なるデューティ信号が交互に選択されるように制御する制御部110とを備えて構成する。 (もっと読む)


【課題】ノーマリオン型のSiC−JFETとノーマリオフ型のSi−MOSFETとをカスコード接続してなるハイブリッドパワーデバイスにおいて、共振の発生を抑制しつつ、スイッチング損失を低減できるようにする。
【解決手段】ハイブリッドパワーデバイスを構成するノーマリオン型のSiC−JFET2とノーマリオフ型のSi−MOSFET4とは、各FET2、4のソース及びドレインを互いに接続することによりカスコード接続されており、SiC−JFET2のゲートとSi−MOSFET4のソースはスイッチング速度調整用の抵抗10を介して接続されている。そして、この抵抗10にコンデンサ12を並列接続することにより、ハイブリッドパワーデバイスのスイッチング期間中の前半部分ではスイッチング速度を速くしてスイッチング損失を低減し、後半部分ではスイッチング速度を遅くして発振の発生を防止する。 (もっと読む)


【解決手段】本発明はアクティブスナバを有する電源スイッチに関する。第1の実施形態において、電子回路は,第1のパワー半導体装置と第1のパワー半導体装置に接続された第2のパワー半導体装置とで構成されている。第2のパワー半導体装置は、第1のパワー半導体装置のリンギングを阻止するように形成されている。 (もっと読む)


【課題】電力変換を行う複数の半導体素子の温度を正確に検知することができ、これを安価で小型な回路で実現すること。
【解決手段】各スイッチング素子35a,35bに対応付けられた複数のダイオード122a,122bの発生電圧を選択する切替スイッチ103と、その選択電圧をPWM変調でデューティ信号に変換するデューティ変換部106と、デューティ信号と周期が異なる固有のヘッダ信号HdA,HdBを、複数の発生電圧の数に対応した種類だけ並列に生成するヘッダ生成部108a,108bと、それらヘッダ信号HdA,HdBの1つを選択する切替スイッチ104と、この選択されたヘッダ信号HdA又はHdBと、デューティ信号とを選択する切替スイッチ105とを備える。制御部110で各発生電圧が交互に選択され、切替スイッチ105で1つのヘッダ信号HdA又はHdBと、1つのデューティ信号との一対の組が選択されるように制御する。 (もっと読む)


【課題】ダイオードの低温時のEMIノイズ低減と特定の温度条件と、電力変換器駆動条件における電圧電流振動の抑制とスイッチング損失の低減の両立。
【解決手段】上述した高圧ダイオードの課題を解決する方法として、制御パルス生成時のパルス幅と、所定のパルス幅しきい値を比較および、デバイス温度推定情報と所定の温度しきい値を比較して、EMIが大きくなる動作条件にあわせて、ゲート抵抗を切り替える。または、パワー半導体に使われているダイオードの発振現象がおきる温度での動作時や、通流時間が短い制御パルスを生成時にあわせて、対アームのスイッチング素子の駆動条件を緩やかにする。 (もっと読む)


【課題】半導体スイッチング素子の実動作に応じて貫通電流を防止することで動作信頼性を向上する。
【解決手段】下アーム側のIGBT(BTU2)に流れる通電電流を測定するときに、トランジスタQ2がIGBT(BTU2)の通電電流を直列抵抗R1およびR2の印加電圧によってセンシングする。そしてトランジスタQ3がトランジスタQ2の出力信号をレベルシフトする。そして、トランジスタQ4がトランジスタQ3のエミッタ電圧に応じてIGBT(BTU1)を強制的にオフ制御する。 (もっと読む)


【課題】電力変換を行う複数の半導体素子の温度を正確に検知することができ、これを安価で小型な回路で実現すること。
【解決手段】各スイッチング素子35a,35bに対応付けられた複数のダイオード122a,122bの発生電圧を選択する切替スイッチ103と、その選択された電圧をPWM変調により所定デューティ比のデューティ信号に変換するデューティ変換部106と、そのデューティ信号と周期が異なる固有のヘッダ信号を生成するヘッダ生成部108と、このヘッダ信号とデューティ信号とを選択する切替スイッチ104とを備える。制御部110で、切替スイッチ103で各ダイオード122a,122bの発生電圧が交互に選択され、切替スイッチ104で、ヘッダ信号の後に上記の交互に選択されたデューティ信号が順次配列され、このヘッダ信号及びデューティ信号の配列順が繰り返される選択が行われるように制御する。 (もっと読む)


【課題】並列に設けられた複数のトランジスタと、これに共通に接続されるコンデンサとを有する半導体回路において、各トランジスタのターンオン電流に関して各トランジスタ間における過渡的な電流アンバランスを低減することである。
【解決手段】半導体回路10において、コンデンサ30と、並列接続される複数のトランジスタと、コンデンサ30の一方側端子から延伸する一方側バスバーと、コンデンサの他方側端子から分岐して、その分岐の先端がそれぞれ各トランジスタの他方側端子に向かって延伸する他方側バスバーであって、各分岐バスバーと一方側バスバーとの間の各相互インダクタンスを調整することで各分岐バスバーのバスバインダクタンスが同一となるように一方側バスバーに並走して設けられる他方側バスバーと、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】装置を複雑化させず、IGBT等の電圧駆動型半導体スイッチング素子のスイッチングノイズを低減するインバータ装置やインバータ制御装置を提供する。
【解決手段】ゲート駆動回路231の電源電圧Vgsを、電圧指令装置(マイコン)234からの指令により制御可能とし、素子の温度情報に応じて変化させ、IGBT211のゲート電圧Vgを調整する。すなわち、素子の冷却水の温度が低く、熱的に余裕がある場合、ゲート電圧を高く設定し、スイッチングノイズを低減する。 (もっと読む)


【課題】複数のスイッチング素子のスイッチング状態が同時に切り替わることを回避する場合、スイッチング状態の切替を遅延させる時間が必要以上に長くなること。
【解決手段】U相のパワースイッチング素子の操作信号Upiがオフ状態への切替指令を示すことで、このタイミングから所定時間ΔT1に渡って他相のパワースイッチング素子のスイッチング状態の切替指令の出力を禁止する。また、上記オフ状態への切替指令から遅延時間Td経過後の所定時間ΔT2に渡って、他相のオン状態への切替を禁止する。これにより、W相の操作信号Wpiのオン状態への切替指令は所定時間ΔT2の終了タイミングまで補正される。 (もっと読む)


【課題】各電力用半導体素子の寿命を均一にさせる電力変換器を得ること。
【解決手段】
電力変換器1は並列接続されると共に、出力電流を流し得る複数の電力用半導体素子11nと、出力電流指令値に基づく電力用半導体素子11nの動作により所望の出力電流を発生させる制御部20と、出力電流指令値に基づいて電力用半導体素子11nを選択して電流を流す選択部21,22と、を備え、選択部21,22は、電力用半導体素子11nを選択する際の優先度を決定するため、電力用半導体素子11nのストレス値を温度上昇に基づいて求め、ストレス値が均一になるように選択する、ものである。 (もっと読む)


【課題】 パワースイッチング素子直列電圧制限回路を提供する。
【解決手段】 パワースイッチング素子直列電圧制限回路は、複数のパワースイッチング素子(Q1〜Qn)などからなるパワースイッチング素子直列分岐回路を含み、当該パワースイッチング素子は制御端と、高端(SD)と低端(WD)とを含み、パワースイッチング素子は分岐回路に直列にされるが、当該複数のパワースイッチング素子(Q1〜Qn)直列方式は1つのパワースイッチング素子における高端(SD)と別の1つのパワースイッチング素子における低端(WD)とを順に従って直列する。また、複数のエネルギー一時記憶回路(K1〜Kn)を含み、各パワースイッチング素子の両端が1つのエネルギー一時記憶回路を対応並列するが、各パワースイッチング素子の開/閉が非同期短時間過電流の負荷エネルギーを記憶するためである。また、前記パワースイッチング素子直列分岐回路に電圧制限を行う集中電圧制限回路Hを含む。 (もっと読む)


【課題】電流検出器を大型化したり損失を増大させたりすることなく、検出精度を向上できるようにする。
【解決手段】オペアンプと抵抗からなる電流−電圧変換回路21と、可変電圧出力回路22からなる電流検出回路2の、電流−電圧変換回路21の第1入力端子をセンス端子Sに接続し、第2入力端子を可変電圧出力回路22に接続し、電流−電圧変換回路21からの出力を可変電圧出力回路22の制御入力に接続し、センス端子Sに流れる電流Isに応じて可変電圧出力回路22の出力電圧を調整することにより、パワー半導体デバイスの主領域と電流検出用領域との特性の差を補正し、精度の向上を図る。 (もっと読む)


【課題】交流電源や負荷に流れる漏洩電流を抑制できる電力変換装置を得る。
【解決手段】コンバータ11は、入力側のフィルタ2を介して交流電源に接続され交流を直流に変換し、インバータ12は直流母線15を介してコンバータ11に接続され直流を交流に変換して出力側のフィルタ3を介して負荷に供給する。入力側及び出力側のコンデンサ22,32の中性点同士を接続線16にて接続し、接続線16をコンデンサ5にて接地し、浮遊容量による漏洩電流の低減を図る。ブリッジ回路100は、入力側を直流母線15に接続し、出力側をリアクトル101とコンデンサ102との直列回路により接地し、制御回路200にてコンデンサ5に発生するコモンモード電圧VCEN及び直流母線15に発生するコモンモード電圧Vcを打ち消す電圧をコンデンサ102に発生させ、変換器1から交流電源や負荷へ還流する漏洩電流を抑制する。 (もっと読む)


【課題】交流電源や負荷に流れる漏洩電流を抑制できる無停電電源装置を得る。
【解決手段】変換器3のコンバータ4は入力側のフィルタ2を介して交流電源1に接続され交流を直流に変換し、インバータ7は直流母線6を介してコンバータ4に接続され直流を交流に変換して出力側のフィルタ8を介して負荷15に供給する。蓄電池12は、直流−直流コンバータ11を介して直流母線6に接続され変換器3との間で電力を授受する。入力側及び出力側のコンデンサ2b,8bの中性点同士を接続しバイパスコンデンサ21を介して接地し、浮遊容量による漏洩電流の低減を図っている。蓄電池12を循環コンデンサ22を介して接地し、制御回路28にてバイパスコンデンサ21に発生するコモンモード電圧Vcom及び直流母線に発生するコモンモード電圧Vcを打ち消す電圧を発生させ、変換器3から交流電源1や負荷15へ還流する漏洩電流を抑制する。 (もっと読む)


【課題】並列接続された各半導体素子をスイッチング素子とする電力変換装置において、配線の長短により電流アンバランスが生じる場合でも、各半導体素子のターンオフ損失のアンバランスを抑制し損失を低減できるようにする。
【解決手段】2つの半導体素子11,12を並列接続した上アームのみについて、配線インダクタンス5を等価回路で表わした図示のような電力変換装置では、配線の長短によりインダクタンスが異なることで電流アンバランスが生じるので、配線長の長くなる方のスナバコンデンサ(同図ではCs2)の容量よりも、短くなる方のスナバコンデンサの容量を大きくすることにより、掲記課題の解決を図る。 (もっと読む)


オプトカプラ回路10は、フォトLED20と並列接続するスイッチ22を含み、フォトLED20はアノード及びカソードを有する。アノードは減結合コンデンサ28を介して電源に接続される。オプトカプラ回路は、スイッチが開放位置にあるときフォトLEDをオンにするよう構成される。スイッチが閉じているときは、スイッチ22は電流の流れの向きを、直列抵抗器32を経由して接地へ向けるようにし、電流の流れを分流してフォトLEDから離すことでフォトLEDをオフにする。第2のコンデンサ38は、フォトLEDのカソードへ接続される。第2のコンデンサは、第2のスイッチ40及び接地へ接続された電流制限抵抗器42と直列に配線される。第1のスイッチ22及び第2のスイッチ40は、カソードが接続されたコンデンサ38の放電を回避するために相補状態で動作する。開示されるオプトカプラ回路10は、より高レベルのコモンモード電圧過渡現象で機能する性能を提供する。
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