説明

Fターム[5H740BA11]の内容

電力変換一般 (12,896) | 主回路スイッチング素子 (1,744) | トランジスタ (1,563)

Fターム[5H740BA11]の下位に属するFターム

Fターム[5H740BA11]に分類される特許

221 - 240 / 815


【課題】スイッチング損失を抑制し、磁化電流を流すことにより発生するサージ電圧を抑制することのできるゲートドライブ回路を提供することにある。
【解決手段】直流電源5から供給される直流電力を変換し、可変磁束モータ2に交流電力を供給する電力変換回路41に用いられるスイッチング素子SWをドライブするためのゲートドライブ回路42であって、可変磁束モータ2に、磁化電流を出力ときのゲート抵抗値よりも、磁化電流を出力しないときのゲート抵抗値を小さくする構成がされたゲート抵抗回路を備えたゲートドライブ回路42。 (もっと読む)


【課題】消費電流を低減することができ、信号伝達に必要な電源電圧を低減することができ、電源電圧が揺れても正確に信号を伝達することができるレベルシフト回路を得る。
【解決手段】本発明のレベルシフト回路は、インバータ回路INV2、レベルシフト素子MOS1、第1の抵抗R1及びカレントミラー回路CM1を備える。インバータ回路INV2は、入力信号を反転して出力する。レベルシフト素子MOS1は、入力信号を反転した信号をゲート信号として動作する。第1の抵抗R1の一端は、インバータ回路の出力に接続されている。カレントミラー回路CM1は、第1の抵抗R1を介してインバータ回路INV2の出力から入力した電流に対応する電流をレベルシフト素子MOS1のソースから接地点に流す。 (もっと読む)


【課題】パワースイッチング素子Swのゲートと電源20との間を開閉する充電用スイッチング素子30を操作することでパワースイッチング素子Swをオン操作するに際し、過電流が流れる場合に問題が生じること。
【解決手段】パワースイッチング素子Swのオン操作に伴って、切替回路24のa端子を選択した状態で、充電用スイッチング素子30をオン操作する。その後、センス端子Stの出力電流による抵抗体44の電圧降下量に基づきコンパレータ48によってパワースイッチング素子Swに過電流が流れるか否かを判断する。過電流が流れていない場合、切替回路24のb端子を選択することで、ゲート印加電圧を電源20の電圧V1から電源20,22の直列による電圧V1+V2に切り替える。 (もっと読む)


【課題】負電源を必要とせず、コストを抑えることができる電圧検出装置を提供する。
【解決手段】電圧検出回路12は、オペアンプ120a、121aと、バッテリ122と、電圧回路123とを備えている。オペアンプ120a、121aの反転入力端子及び非反転入力端子は、電圧回路123によって、グランドGNDを基準として正側にオフセットされている。そのため、入力端子に入力される電圧が、グランドGNDを基準として負電圧になっても、入力端子の電圧が、グランドGNDを基準として負電圧になることはない。従って、グランドGNDを基準として正電圧を供給するバッテリ122のみでオペアンプ120a、121aを作動させることできる。これにより、オペアンプ120a、121aを作動させるための負電源が不要となり、コストを抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】高電圧で利用するIGBT等の半導体スイッチ素子の短絡保護装置において、電流センス用のスイッチ素子が存在しなくても、簡単かつ誤動作の可能性小さく、短絡状態を検出し、半導体スイッチ素子を未然に破壊から保護する。
【解決手段】導通中のIGBT1の電流の大きさを、コレクタ側の電圧から高抵抗2と検出用の抵抗3,4を用いた分圧により、電圧情報として検出し、その電圧値からIGBT1での電力損失を推定し、この電力損失に基づく発熱量を推定し、推定発熱量が所定値を超えたとき、ゲート信号電圧を漸減するように絞り込んでIGBT1を保護する。 (もっと読む)


【課題】電圧駆動型半導体素子のスイッチング時に配線インダクタンスにより発生する素子間のサージ電圧を低減するためにゲート駆動回路のゲート抵抗を大きくすると、スイッチングの動作遅れ時間が長くなる。
【解決手段】電圧駆動型半導体素子のターンオフ時において、オフ信号によりゲート電荷を放電させる時にはオフ信号印加の初めに第1の抵抗体とコンデンサにより早く放電させることにより、スイッチング動作時間遅れの増加を防止し、その後第2の抵抗体に切換ることによりゲート電流を減少させることによって、素子間のサージ電圧を低減する。また、電圧駆動型半導体素子のターンオン時には、ダイオードが導通状態となることにより、該第1の抵抗体と該第2の抵抗体が並列構成となるので、前記第1の抵抗体の抵抗値により、早くゲート電荷を充電することができる。 (もっと読む)


【課題】 電源側に流れ込むコモンモード電流を低減できるコモンモードノイズ低減装置を提供する。
【解決手段】 コモンモードノイズ低減装置4は、モータ3と電源1との間の一対の給電ライン5a,5b上に1次巻線7b,7cを配置すると共に2次巻線7dの始端を接地させ、1次巻線7b,7cを流れるコモンモード電流に応じた電流を2次巻線に励起させる電流トランス7と、一対の給電ライン5a,5bと終端が接地された中間接地線8cの始端とをそれぞれコンデンサ素子8a,8bを介してY字型に接続したYコンデンサ8と、中間接地線8c上に配置すると共に2次巻線7dの終端と接続し、2次巻線7dに誘起された電流に基づいて電源1側の浮遊容量C1に流れるコモンモード電流を打ち消す電流をYコンデンサ8に流す電流出力手段9と、を備える。 (もっと読む)


【課題】外部に高耐圧用の素子を設けることなく、コレクタの状態を検出することができる半導体電力変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】電力制御素子2のコレクタ2dの状態に基づいてゲート入力を制御して電力変換を行う半導体電力変換装置1であって、電力制御素子2のゲート2aを分割して形成された入力部2bと、電力制御素子2のゲート2aを分割して形成された状態検出部2cと、状態検出部2cとコレクタ2d間の寄生容量を用いてコレクタ2dの状態を検出するコレクタ状態検出手段3を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体スイッチ素子の動作状態の情報を外部装置へ伝送するにあたって、情報の数を減らすことなく絶縁素子の使用個数を低減し、装置の小型化と低コスト化、及び、故障率の低減を実現する。
【解決手段】異なる基準電位に基づいてスイッチング動作を行う半導体スイッチ素子(1a、1b)を2個以上直列接続して構成された半導体電力変換装置(100)であって、それぞれの半導体スイッチ素子の異常検出要因および所定の物理量を状態検知情報として検知し、外部装置へ伝送する情報伝送回路部(4b)を備え、情報伝送回路部(4b)は、検知した状態検知情報に応じて、異常検出要因および所定の物理量を識別可能な二値論理信号を生成し、生成した二値論理信号を単一の絶縁素子(7b)を介して外部装置へ伝送する。 (もっと読む)


【課題】光ファイバの本数を削減し、電圧アンバランスを更に低減すると共に、直列数の増加変更を容易に行なうことが可能な駆動回路を有する自励式電力変換装置を提供する。
【解決手段】同時スイッチングすべく直列接続されたスイッチング素子11〜1nと、スイッチング素子11〜1nを駆動するためのゲート駆動回路21〜2nと、基準ゲート信号を遠隔から光によって絶縁して供給する光伝送手段50と、伝送されたオンオフ信号を受光して電気信号に変換し、この電気信号を分配して再び光信号に変換する光分配回路91と、光分配回路91の各々の出力であるパルス信号をゲート駆動回路21〜2nに供給するライトガイド41〜4nとで構成する。ゲート駆動回路21〜2nは、パルス信号を受光して電気信号に変換し、パルスのオンオフタイミングを調整するタイミング調整手段61〜6nを介してスイッチング素子21〜2nを夫々駆動する。 (もっと読む)


【課題】3レベルインバータ2内の各スイッチング素子を駆動するためのゲート駆動電源の個数を低減する。
【解決手段】3レベルインバータ2は、直流電源4の正負端子間に接続され、2直列IGBTによる各相ブリッジ回路(SuH,SuL)と、各相ブリッジ回路(SuH,SuL)の交流出力端子Vu0と直流電源4の中間電圧端子VMとの間に接続され、双方向特性を有する各相スイッチ回路9aとを有する。高圧側素子SuHのゲート駆動電圧源(コンデンサCuH)は、SuMHがオンする期間に、スイッチ回路9a内のSuML、SuMHのゲート駆動電源VccUMからブートストラップ回路7により電力供給して駆動電圧を保持する。そして出力停止時において、各相交流出力端子Vu0の電位に基づいてSuMHがオンする期間を設けてコンデンサCuHの電圧を保持する。 (もっと読む)


【課題】交流モータのロック時におけるスイッチング素子の損失を的確に低減することにより、スイッチング素子を過熱から好適に保護することのできるモータ駆動制御装置を提供する。
【解決手段】インバータ装置のスイッチング素子T1U、T3V、T5W、T2U、T4V、T6Wの各々にゲート抵抗を介してゲート電圧を印加しつつその変換電力に基づき三相交流モータMの駆動を制御する。そして、この三相交流モータMがロック状態にあるか否かを検知するモータロック検知部100により三相交流モータMのロック状態が検知されることに基づきインバータ装置のシステム電圧を抑制するとともにゲート抵抗の抵抗値を小さい値に変更する。 (もっと読む)


【課題】電圧駆動素子のスイッチ時のサージ電圧とリンギングを抑制して、ノイズ放射による誤動作を防止する。
【解決手段】電圧駆動素子であるIGBT(Q11)に、誘導性負荷L11とユニポーラ型の還流ダイオードD12が接続されている。Q11のターンオフ時に、Q11のコレクタからコンデンサC11とダイオードD11及び抵抗R19を介して、ベース抵抗R12へ電流が流れ、ベース抵抗R12で電圧が発生し、PNPトランジスタQ12のベース電圧Vbは上昇する。この電圧上昇速度は、コンデンサC11とベース抵抗R12及び抵抗R19によって決まる時定数により決定され、上昇電圧はベース抵抗R12と抵抗R19で分圧される。これによりQ12のベース電圧Vbの変化速度、即ちQ11のゲート電圧Vgの変化速度を制御する。 (もっと読む)


【課題】BJT型SiC半導体デバイスを駆動させるベース電流制御型駆動回路において、スイッチング速度を高め、エネルギー損失の少ない電流制御型駆動回路を提供する。
【解決手段】SiC−BJT200を20kHz以上の周波数でスイッチング動作させるにあたり、SiC−BJTの起動時にベース電流を供給するための第1駆動電圧21を印加させる第1制御回路20と、SiC−BJTを駆動し続けるために必要なベース電流を保持するための第2駆動電圧31を印加させる第2制御回路30と、SiC−BJTの停止時にベース電流を取り除くための第3駆動電圧41を印加させる第3制御回路40とを備える電流制御型駆動回路100であって、第3駆動電圧は前記第1駆動電圧に対して逆極性であり、第1駆動電圧の値は第2駆動電圧の値より大きく設定されるとともに、第1駆動電圧の印加時間は1μ秒以内に設定される。 (もっと読む)


【課題】パワー半導体素子を駆動するためのドライバを低コストで得ることが可能な半導体装置およびそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置101は、ノーマリーオン型の第5の電界効果トランジスタ16,17を含み、入力信号処理部65から受けたスイッチング制御信号の基準電圧をシフトした信号を出力するためのレベルシフト部62と、ノーマリーオン型の第1の電界効果トランジスタ51および第3の電界効果トランジスタ53と、ノーマリーオフ型の第2の電界効果トランジスタ52および第4の電界効果トランジスタ54とを備え、レベルシフト部62、第1の電界効果トランジスタ51および第3の電界効果トランジスタ53は第1の半導体チップ71に含まれている。 (もっと読む)


【課題】第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子との接続部に負電圧が発生することを防止し、絶縁を不要としパワーモジュールへの適用を可能にしてインバータ回路を構成する部品点数の削減、基板実装面積の低減を図ることのできる電力変換装置を提供する。
【解決手段】上相スイッチング素子2と下相スイッチング素子3とからなる半導体スイッチ1を備える電力変換装置Sであり、下相スイッチング素子3は第1のスイッチング素子4と第2のスイッチング素子5とからなり、両者の負極を接続し、前者の正極を正極端子8、後者の正極を負極端子9とし、正極端子8と負極端子9との間に並列に接続される高速環流ダイオード7と、上相スイッチング素子2がオン中に第2のスイッチング素子5をオンさせ、上相スイッチング素子2のオフ中は第2のスイッチング素子5のオンを継続させる駆動信号を出力するロジック回路10とを備える。 (もっと読む)


【課題】 高特性を保ちながら信頼性の高い電力変換装置および電力変換装置の保護方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 パワー半導体素子Trを用いたパワー半導体モジュール101と、基準点の温度Tを測定する基準温度測定部3と、パワー半導体素子Trの温度Tを所定の伝達関数を用いて算出する半導体素子温度算出部2と、算出したパワー半導体素子の温度Tに基づいてパワー半導体モジュール101を駆動制御する駆動制御部4と、を備え、半導体素子温度算出部2は、熱時定数τの異なる複数の一次遅れ系伝達関数(r/(1+sτ))毎に半導体素子Trで発生する電力損失Pに基づいて基準点とパワー半導体素子Trとの温度差ΔTを演算し、演算したそれぞれの温度差の和ΣΔTと基準点の温度Tとに基づいてパワー半導体素子Trの温度Tを算出する。 (もっと読む)


【課題】
スイッチ素子数及び配線数を抑制しつつ、被制御素子に流す電流の極性を変えることが出来るマトリックス回路を提供する。
【解決手段】
複数の行配線及び列配線に各々スイッチ素子を介在させたマトリックス回路において、行配線及び列配線が交差する点に被制御素子を中心に4つの整流素子をH型に配置したH型ブリッジ回路を配設した。 (もっと読む)


【課題】パワースイッチング素子Swのスイッチング状態の切替速度を可変とするに際し、絶縁手段を新たに追加することとなること。
【解決手段】パワースイッチング素子Swの入力端子および出力端子間には、抵抗体26,28の直列接続体が接続されている。これら抵抗体26,28によるパワースイッチング素子Swの入力端子および出力端子間の分圧電圧は、コンパレータ30の反転入力端子に印加される。一方、コンパレータ30の非反転入力端子には、基準電源32の基準電圧が印加されている。コンパレータ30の出力信号は、ドライブIC20に入力される。ドライブIC20では、コンパレータ30の出力信号に応じて、パワースイッチング素子Swのスイッチング状態の切替速度を可変設定する。 (もっと読む)


【課題】 インバータ回路などで構成される半導体電力変換回路を冷却する冷却装置に異常が発生し、回路部品が過熱状態になる恐れがある場合でも、動作中の回路機能を低減させることなく動作を継続し、また低コストで実施可能な半導体電力変換装置を提供する。
【解決手段】 複数の半導体素子をからなる半導体電力変換回路と、前記半導体電力変換回路を放熱する放熱構造体と、前記放熱構造体を冷却する冷却装置と、一部の前記半導体素子の近傍に設置する前記冷却装置の数よりも少ない温度測定箇所を有する温度監視回路と、前記半導体電力変換回路の動作を停止させるための温度閾値を複数有する電力変換制御回路と、を備える半導体電力変換装置において、冷却装置の異状を発生した場合、前記電力変換制御回路により温度閾値を下げて動作を継続する。 (もっと読む)


221 - 240 / 815