【課題】 ローサイドのスイッチ素子を駆動しない時間が長い場合があっても、コンデンサ容量を小さくできるインバータ装置を提供すること。
【解決手段】 ローサイドのスイッチ動作により充電され、ハイサイドのスイッチ駆動回路３１〜３３の駆動電源を供給するブートストラップコンデンサ４１〜４３と、ブートストラップコンデンサ４１〜４３の電圧を検出する電圧検出器OP1〜OP3と、スイッチ駆動回路３１〜３６を制御する制御部２と、制御部２に設けられ、ブートストラップコンデンサ４１〜４３の検出電圧に基づいて、PWM周波数を低い周波数に変更する基準値比較部２１及びPWM周波数制御部２２を備えた。 （もっと読む）

【課題】コモンモード電流を金属フレームに円滑に流し、コモンモード電流に起因する放射ノイズを低減させる。
【解決手段】モータ駆動装置は、ステッピングモータの巻線の端部に接続され、金属フレームの外部に露出する巻線端子７ａ〜７ｄを備えている。また、モータ駆動装置は、ドライバと巻線端子７ａ〜７ｄとの間に配設され、ドライバから出力される駆動信号を示す駆動電流を巻線に伝送するためのケーブルを備えている。そして、モータ駆動装置は、ステッピングモータの金属フレームと巻線端子７ａ〜７ｄとの間に配設され、ケーブルを流れたコモンモード電流を金属フレームを介してドライバに帰還させるためのコンデンサ１７ａ〜１７ｄを備えている。 （もっと読む）

【課題】電力変換用の半導体絶縁ゲート型スイッチング素子の駆動回路の出力段の素子の電流駆動能力を高め小型化することで、駆動回路を集積化したより小型で高性能な駆動回路と、さらにこれを用いることでより小型で高性能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】絶遠ゲート型の主半導体スイッチング素子のオン、オフを制御する駆動回路において、前記主半導体スイッチング素子のゲート電圧を制御する回路の出力段に絶縁ゲート制御型のバイポーラ半導体素子、特に、ＩＧＢＴを用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明に係る電流形電力変換回路は、使用する駆動電源を減らし、安価で単純な構成の電流形電力変換回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る電流形電力変換回路の一例は、相互に直列接続された第１自己消弧形素子３ｒ，３ｓ，３ｔ及び第１ダイオード４ｒ，４ｓ，４ｔを有する第１スイッチ回路と、相互に直列接続された第２自己消弧形素子５ｒ，５ｓ，５ｔ及び第２ダイオード６ｒ，６ｓ，６ｔを有する第２スイッチ回路との直列接続を含むハーフブリッジ整流回路２ｒ，２ｓ，２ｔの複数を並列接続して備える。一のハーフブリッジ整流回路３ｒ，３ｓ，３ｔの第１自己消弧形素子３ｒ，３ｓ，３ｔの第１電流電極と、他のハーフブリッジ整流回路３ｒ，３ｓ，３ｔの第１自己消弧形素子３ｒ，３ｓ，３ｔの第１電流電極とが短絡して接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体電力変換装置に用いられる積層配線導体において、ターンオフサージ電圧をより良く抑制する構造のヒューズ接続部を備えた積層配線導体を提供する。
【解決手段】積層配線導体１の絶縁部材１７を除いた内部では、平板導体１１及び１２と、平板導体１３とが夫々の平面部分が互いに向かい合って且つ平行に配置され、平板導体１１の引き出し部１１ａと平板導体１２の引き出し部１２ａ間にヒューズ１４がその端子１４ａ及び１４ｂを介して固定して接続される。平板導体１３とヒューズ１４とが対向する部分には平板導体１１及び１２の延出平面部１１ｂ及び１２ｂが介在する。平板導体１１及び１３間にスイッチング素子Ｑ１及びＱ２を接続し、平板導体１２及び１３間にコンデンサＣを接続する。平板導体１１及び１２と平板導体１３とで電流の向きが異なり磁束の向きが互いに打ち消し合いインダクタンス成分を相殺するのでスイッチング素子のターンオフ時のサージ電流が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ゲート駆動に必要な絶縁型の直流電源の数を減らして回路を簡素化し、低コストのマトリクスコンバータ回路を提供する。
【解決手段】単相交流電源１を所定の周波数の交流電圧に直接変換して３相モータ３の巻線に供給する３相のマトリクスコンバータ回路であって、電流方向に対応して２個のゲート入力を有し単相交流電源１の端子間に直列に接続され相毎に設けられた双方向スイッチ２ａ，２ｄと、直列の対となる双方向スイッチ２ａ，２ｄのうち下流側の双方向スイッチ２ｄを制御するゲート入力用の直流電源８ｂと、直流電源８ｂの電圧を整流した電荷が充電されるコンデンサ１１とを備え、直列の対となる双方向スイッチのうち上流側の双方向スイッチ２ａを制御するゲート入力用の電源としてコンデンサ１１の電圧を使用するものである。 （もっと読む）

【課題】各素子を近接配置する必要がなく、部品点数やコストの増大を招くことがなく、容易に実現することが可能であって、スイッチング素子の切換えに伴うサージ電圧を効果的に抑える。
【解決手段】第３及び第２トランジスタ１３、１２がオンからオフに切換わっても、各寄生インダクタンス５６ｂ、５５ｃに電流が流れ続けている。これは、第４ダイオード２４のカソードＫを第３トランジスタ１３のエミッタＥ近傍に接続し、かつ第１ダイオード２１のアノードＡを第２トランジスタ１２のコレクタＣ近傍に接続したことから、第４ダイオード２４から誘導性負荷１７への電流経路が寄生インダクタンス５６ｂを介して形成され、かつ直流抵抗１８から第１ダイオード２１への電流経路が寄生インダクタンス５５ｃを介して形成されるためである。 （もっと読む）

【課題】異常検出状態を充分な時間だけ保持できる異常検出装置を提供する。
【解決手段】第１の基準値Ｖref1に基づいてスイッチング素子４の第１の異常を検出して第１異常検出信号を出力する第１検出回路８と、第２の基準値Ｖref2に基づいて前記スイッチング素子の第２の異常を検出して第２異常検出信号を出力する第２検出回路９と、前記第１異常検出信号と前記第２異常検出信号の少なくとも一方が出力されている場合は異常検出信号を出力する論理和回路１０と、前記スイッチング素子へのゲート信号１に拘らず前記論理和回路から前記異常検出信号が出力された場合は前記スイッチング素子へＯＦＦ信号を出力する論理積回路２と、を備えるスイッチング素子の異常検出装置であって、前記第１異常検出信号の出力により、前記第２の基準値Ｖref2を、前記第２異常検出信号が出力される第３の基準値Ｖref3に切り換える切換回路９５を備える。 （もっと読む）

【課題】駆動信号の伝達抜けを抑制すること。
【解決手段】第１及び第２のパルストランス、所定のデューティ比をもったデューティ信号を生成するデューティ信号生成手段、スイッチング素子駆動信号及びデューティ信号が入力され、スイッチング素子駆動信号の状態により選択される第１又は第２のパルストランスをデューティ信号に応じて駆動するパルストランス駆動手段、第１及び第２のパルストランスの出力を整流した電力によって作動する第１及び第２のエッジ検出手段及び制御駆動手段であって、第１のパルストランスの整流前出力におけるエッジに応じたオンオフ信号を出力する第１のエッジ検出手段、第２のパルストランスの整流前出力におけるエッジに応じたオンオフ信号を出力する第２のエッジ検出手段、及び第１及び第２のエッジ検出手段の出力に基づいて駆動対象スイッチング素子を駆動する制御駆動手段、を備える電気絶縁型スイッチング素子駆動装置。 （もっと読む）

【課題】パワースイッチング素子１６，１８のゲート電位をソース電位に対して上昇及び低下させるべく、ゲートに正電圧及び負電圧を印加するものの場合、消費電力の増大やコスト高が生じること。
【解決手段】パルストランス３０によってパワースイッチング素子１６，１８のゲートに正電圧が印加される際、パルストランス３０からゲートに流れる電荷は、コンデンサ４６ｕ、４６ｄに充電される。そして、パワースイッチング素子１６，１８をオフ操作する場合、パワースイッチング素子１６，１８のソースとコンデンサ４６ｕ，４６ｄとを接続することで、ゲートに負電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】昇圧チョッパ回路を用いた力率改善もしくは高調波抑制回路において、部分スイッチング動作によるスイッチング損失の低減と直流電圧の安定制御化（適用システムの安定制御化）の両立である。
【解決手段】平滑回路に接続された負荷の状態を示す負荷状態情報を生成する負荷状態生成手段と、負荷状態情報を用いて第１の係数を補正する係数補正手段とを備えた昇圧比一定制御方式を用いた電源回路において、電源電圧や負荷の変化に応じて、昇圧比を補正もしくは変更することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電圧駆動型半導体素子に流れる短絡電流を抑制し、電圧駆動型半導体素子のスイッチング損失を低減することのできる電圧駆動型半導体素子のゲート回路を提供することにある。
【解決手段】 ＩＧＢＴ２のエミッタ側にコイル４が接続され、ＩＧＢＴ２のターンオン後に、ＩＧＢＴ２を駆動するゲート電圧を印加するゲート−エミッタ間の回路をコイル４を含まない回路からコイル４を含む回路に切り替えるゲート回路１。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路を構成する半導体素子の電圧、電流の利用率を向上させ、装置の小型、低価格化を図る。
【解決手段】電力変換回路を構成する半導体素子１ａをオン・オフ制御するとともに、これに過電圧が印加されたときは定電圧ダイオード４ａを用いて過電圧保護を行なうゲート駆動回路において、定電圧ダイオード４ａの定電圧レベルを電力変換回路を構成する直流コンデンサの直流電圧よりも低く設定するとともに、この定電圧ダイオード４ａと直列に定電圧ダイオード４ｂと電流制限コンデンサ１３との並列回路を接続し、半導体素子１ａの過電圧保護を可能にする。 （もっと読む）

【課題】損失が少なく且つ適切なゲート電圧得ることが可能な電力用半導体素子のゲート回路を提供する。
【解決手段】電力用半導体素子１用のゲート駆動回路３と、ゲート駆動回路３の制御電源と並列に接続された入力コンデンサ４と、入力コンデンサ４と電力用半導体素子１の正極間に接続された可変抵抗器１０と、入力コンデンサ４と並列に接続された電圧安定化回路５と、入力コンデンサ４の電圧を検出する電圧検出器８と、可変抵抗器１０及び電圧安定化回路５を制御するための電圧制御手段２０とで構成する。電圧制御手段２０は、起動時には可変抵抗器１０が第１の抵抗値となるように制御し、定常運転時には、制御電源電圧が所定の電圧範囲となるように可変抵抗器１０を平均して前記第１の抵抗値より大きい第２の抵抗値となるように制御し、制御電源電圧が過電圧レベルを超えたとき、電圧安定化回路５を投入する。 （もっと読む）

【課題】インバータ装置とＤＣ／ＤＣコンバータ装置との冷却水路を接続するホースに電食が生じないように、インバータ装置とＤＣ／ＤＣコンバータ装置とを一体型として小型化を図ること。
【解決手段】インバータ装置２とＤＣ／ＤＣコンバータ装置３との筺体同士を結合して一体型にすると共に、インバータ装置２とＤＣ／ＤＣコンバータ装置３との筺体内に形成された冷却水路の出入口を所定の抵抗値を有するホース４で接続し、筺体同士の結合部分の第１の抵抗値Ｒ１とホース４の第２の抵抗値Ｒ２との合成抵抗値Ｒを、電力変換動作時のＤＣ／ＤＣコンバータ装置３から筺体とホース４に電流が流れた際に、ホース４に電食を発生させない電位差以下の電圧が生じる値となるようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のミラー期間を精度良く検出できない場合でもサージとスイッチング損失の低減を図ることが可能な半導体駆動装置の提供。
【解決手段】本発明は、半導体素子Ｑ２と、前記半導体素子のゲート端子と電源又はグランドの間に設けられるスイッチング素子ＭＯＳ１，ＭＯＳ２と、入力される制御信号に基づいて前記スイッチング素子を駆動して、前記半導体素子を駆動制御する駆動制御手段６２と備える半導体駆動装置５０であって、前記駆動制御手段は、前記制御信号に基づいて前記半導体素子のオン／オフ状態を１回反転させる際に、複数個のパルスを持つパルス信号を生成し、該生成したパルス信号により前記スイッチング素子をＰＷＭ制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電力が入出力される電池への過電圧印加を抑制する動力出力装置を提供する。
【解決手段】電力が入出力される電池と、電池電圧を検出する電圧検出手段と、電池から電力供給を受けて動力を出力するとともに発電機能を有する回転電機と、電池と回転電機との間に電気的に接続されて両者間での電力のやりとりの際に電力変換を行う電力変換装置と、電力変換装置に含まれるスイッチング素子を制御する制御部と、を備える動力出力装置であって、制御部は、電池電圧が過電圧であるか否かを閾値との比較により判定し（Ｓ１０）、過電圧であると判定された場合にスイッチング素子におけるオンオフ時のスイッチング損失を増加させる電力損失増加制御を行う（Ｓ１２）ように構成されている。 （もっと読む）

半導体パワーモジュール（１００）は、少なくとも２つのサブモジュール（１０１−１０６）を含んでいる。サブモジュール（１０１−１０６）は、コレクタ（１０８）、エミッタ（１０９）およびゲート（１１０）を有する少なくとも１つのそれぞれのトランジスタ（１０７）を含んでいる。さらに、接続配置は、少なくとも２つのサブモジュール（１０１−１０６）のコレクタを外部回路部品に集合的に接続することに適したコレクタ端子ユニット（２０１）、少なくとも２つのサブモジュール（１０１−１０６）の個別のエミッタ（１０９）を外部回路部品に個々に接続することに適した少なくとも２つのエミッタ端子ユニット（３０１−３０４）、および少なくとも２つのサブモジュール（１０１−１０６）の個別のゲート（１１０）を外部回路部品に個々に接続することに適した少なくとも２つのゲート端子ユニット（４０１−４０４）を具備して提供される。 （もっと読む）

【課題】 発生損失を低減して、サージ電圧を抑制することのできる電力変換装置を提供することにある。
【解決手段】 直流電力を交流電力に変換する３レベルインバータ装置１０であって、出力された交流電力の電流値ＩＵ，ＩＶの実効値が、閾値よりも大きい場合、小さい抵抗値ｒ１を選択し、閾値よりも小さい場合、大きい抵抗値ｒ１＋ｒ２を選択し、選択された抵抗値のゲート抵抗Ｒ１，Ｒ２により、電力変換用半導体素子２１Ａ〜２１Ｄを駆動する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な構造の電力変換装置を提供すること。
【解決手段】ＩＧＢＴ１２に並列接続されたスナバモジュール６４のスナバコンデンサ６４とスナバダイオード７４の接続点９６と、ＩＧＢＴ１６に並列接続されたスナバモジュール６８のスナバコンデンサ８４とスナバダイオード８６の接続点９８とを互いに接続し、互いに接続しスナバ抵抗１０２，１０４を挿入し、スナバ抵抗１０２，１０４の一端とＩＧＢＴ１２の負極側の回路との間にスナバ共通抵抗１０６を接続する。 （もっと読む）