【課題】ゲート駆動装置で駆動される複数個のスイッチングデバイスにおけるＶｔｈ、ミラー電圧のバラツキによるスイッチング速度のバラツキを抑え、かつ損失のバラツキを最小限とすることができるゲート駆動装置を得ることを目的とする。
【解決手段】スイッチングデバイス１へのゲート信号を定電流出力で作成する定電流パルスゲート駆動回路２、ゲート信号を定電圧出力で作成する定電圧パルスゲート駆動回路３、および定電流パルスゲート駆動回路２の動作と定電圧パルスゲート駆動回路３の動作との切替を行う判定／切替回路４を備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ素子に並列に接続される保護回路の異常を検出できる半導体スイッチ素子の制御回路を得る。
【解決手段】半導体スイッチに印加される電圧を抑制するために半導体スイッチに並列に接続された保護回路と、駆動回路の出力ゲート電圧が予め設定された電圧以上あることを検出し、半導体スイッチのオン・オフ状態を判別するゲート電圧検出手段と、半導体スイッチの主端子電圧を検出する主電圧検出手段と、駆動回路に与えられた駆動信号により、駆動指令がオン指令の場合はゲート電圧状態を選択し、駆動指令がオフ指令の場合は主電圧状態を選択する選択手段と、選択手段の出力を絶縁して低圧回路に伝達する第一の信号絶縁手段と、選択手段が選択して出力したゲート電圧状態・主電圧状態と半導体スイッチの駆動指令とを比較し、半導体スイッチの正常又は異常を判別する判別手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】同時オン防止回路を有し、かつ3レベル電力変換装置の構成部品を少なくし信頼性を向上した3レベル電力変換装置のゲート駆動装置を提供する。
【解決手段】3レベル電力変換装置は、一対の直流電源端子間に順次直列に接続された第一ないし第四の半導体スイッチング素子4〜7をそれぞれ、第一ないし第四のゲート駆動回路28〜31により駆動し、第一及び第二の半導体スイッチング素子4、5のみをオンしたときプラス出力、第二及び第三の半導体スイッチング素子5、6のみをオンしたとき零出力、そして、第三及び第四の半導体スイッチング素子6、7のみをオンしたときマイナス出力を出力する。その際、第一の駆動回路28と第三の駆動回路29、第二の駆動回路30と第四の駆動回路31をそれぞれ同一の基板に実装し、各基板上において、通信線を介して相互に論理回路に接続し、いずれか一方のゲート駆動回路がオンしている時に他方のゲート駆動回路をオフする。 （もっと読む）

【課題】線間電圧及び線電流の歪みを低減しつつ線電流を検出できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】スイッチング信号生成部３１は、所定周期において、交流線Ｐｕ，Ｐｖ，Ｐｗのうち、１つのみが直流線ＬＨ，ＬＬの一方と導通し、２つが他方と導通して互いに異なる第１及び第２のスイッチングパターンを第１及び第２期間に渡ってそれぞれ採用する。線電流取得部３２は、第１の期間が所定期間より長くかつ第２の期間が所定期間よりも短いときに、第１の期間に流れる直流電流Ｉｄｃを直流電流検出部４を用いて検出し、平均値Ｉｄｃ＿ａｖｅの周期における積分が第１及び第２の期間に流れる直流電流Ｉｄｃの積分と等しいという関係に基づいて第２の期間に流れる直流電流を算出し、第２の期間に流れる直流電流Ｉｄｃを、第２のスイッチングパターンに基づいて決定される１つの線電流と推定する。 （もっと読む）

【課題】更なる信頼性向上を図れる電力変換装置及び電力変換システムを提供すること。
【解決手段】上記課題を解決するために、例えば、インバータ回路は、前記モータ制御回路からのＰＷＭ信号に基づき前記インバータ回路を構成する半導体スイッチング素子を駆動するゲートドライブ回路とサージ電圧検出信号を検出するサージ電圧検出回路を備え、サージ電圧検出回路により検出されたサージ電圧検出信号はモータ制御回路に入力され、サージ電圧検出信号を検出した際に前記電流指令生成部からの電流指令値と所定の電流指令値と対比することによりサージ電圧を抑制するサージ電圧抑制手段の実施の可否を選択するような手段を設けるようにすればよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＩＧＢＴの制御信号のゲート−エミッタ電圧の傾きを制御するＩＧＢＴ駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明によるＩＧＢＴ駆動方法によって、ＩＧＢＴのゲート−エミッタ間電圧の傾きを低減して、ＩＧＢＴの両端に印加される過度電圧を低減できる。 （もっと読む）

【課題】バスバを含む接続配線において、比較的簡単な構造で、バスバに電流が流れるときのインダクタンスを効果的に抑制することである。
【解決手段】電力変換器１０においてバスバを含む接続配線３０は、平滑用コンデンサモジュール１２とパワーモジュール１４の間を接続する正極側バスバ３２と、正極側バスバ３２と対をなして平滑用コンデンサモジュール１２とパワーモジュール１４の間を接続する負極側バスバ３４と、絶縁物４０を介して正極側バスバ３２の外周全体を被覆する正極側導体４２と、絶縁物４４を介して負極側バスバ３４の外周全体を被覆する負極側導体４６と、正極側導体４２と負極側導体４６とを相互に電気的に接続する接続導体５０，５２を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の耐数年数をのばすと共に、駆動電圧を低下させることによるスイッチング素子の損失増加も改善させるインバータ装置およびそれを用いた誘導加熱装置を提供することを目的とする。
【解決手段】交流電圧を直流電圧に変換するコンバータ回路３０と、スイッチング素子２４で構成され直流電圧を任意の電圧と周波数の電力に変換し、負荷に高周波電流を供給するインバータ回路３１と、インバータ回路３１のスイッチング素子２４にスイッチング信号を供給する駆動回路２５と、インバータ回路３１の出力電力を検知する電力検知手段２６とを備え、電力検知手段２６で検知した電力に応じて、インバータ回路３１のスイッチング素子２４に供給するスイッチング信号の駆動電圧を可変させる駆動電圧可変手段２７とを備えた構成とすることで、インバータの出力電力に応じて、スイッチング素子２４の駆動電圧を可変させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電磁障害などの原因となる電圧振動の発生を低減できるパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】複数の絶縁基板２０，２０′の各々に搭載されるＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子５０，５０′の各主電極５２，５２′が導体部材４５により電気的に接続される。これにより、半導体スイッチング素子の接合容量と寄生インダクタンスとによる共振電圧の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の回路部間で異なるインダクタンス成分より生じる異なるサージ電圧を低減させ、かつ装置全体のコストダウンを図ることができるパワーモジュールを得る。
【解決手段】入力端子Ｐ１１及びＰ１２が設けられる第１の縁部と対向する第３の縁部の上方にスナバ端子Ｐ１３及びＰ１４を設け、スナバ端子Ｐ１３及びＰ１４間に補助スナバ回路２２を設けることにより、入力端子Ｐ１１及びＰ１２間に形成されるスナバ回路２１から最も離された位置に補助スナバ回路２２を設けている。そして、スナバ端子Ｐ１３及びＰ１４の形成幅を、入力端子Ｐ１２の形成幅の半分以下にする等により、スナバ端子Ｐ１３及びＰ１４それぞれの平面視断面積を、入力端子Ｐ１１及びＰ１２の平面視断面積の半分以下に抑えている。 （もっと読む）

【課題】ベース電流による電力損失を低減するドライブ回路を提供する。
【解決手段】ＢＪＴ２１のベース端子にベース電流を供給するドライブ回路１は、ＢＪＴ２１のベース電流を生成するベース回路部３０と、制御端子に供給される制御電圧に基づき、ベース電流を生成するための駆動電圧をベース回路部３０に供給するドライブ部１０と、ＢＪＴ２１のベース端子とＢＪＴ２１のエミッタ端子との間に発生する第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅを検出し、検出した第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅに応じたベース電流をＢＪＴ２１に供給するように制御電圧を制御して、ドライブ部１０に供給するベース電流制御部５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、電力変換装置における温度検出素子の時間変化率を検出し、温度上昇の事前予測によりフェールセーフをかけることで、発熱半導体素子の発熱抑制とモジュールケースの冷却構造最適化を実現することである。
【解決手段】上記課題を解決するために、前記半導体素子のモジュールケースまたは素子自体の温度の時間変化率を検出する検出手段と、素子のゲート抵抗値を可変にする抵抗可変回路とを設け、前記検出温度の時間変化率が所定の設定値以上になったと判断されたときは、ゲート抵抗値を前記抵抗可変回路により低減することを特徴とする電力変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ドライバチップの異常検出期間が短過ぎると、異常パルス信号のパルス生成が停止された後、異常判定期間の経過前に異常パルス信号のパルス生成が再開されてしまい、コントローラチップでドライバチップの異常を認識することができなくなるおそれがあり、２つの回路を絶縁しつつ一方の異常を確実に他方に伝達することのできる信号伝達装置、及びこれを用いたモータ駆動装置を提供する。
【解決手段】信号伝達装置１００は、第１回路１１０と第２回路１２０との間を絶縁しながら信号伝達を行うものであり、第１回路１１０は、第２回路１２０から伝達される異常パルス信号Ｓｂを監視して第２回路１２０の異常有無を判定し、第２回路１２０は、第２回路１２０で異常が検出されてから少なくとも第１回路１１０で第２回路１２０の異常有無が判定されるまで異常パルス信号Ｓｂを異常状態に保持する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング電源で、電流検出回路を設けずに、負荷変動に伴う電圧上昇の抑制を可能とする。
【解決手段】スイッチング電源回路１４は、一次巻線と二次巻線とを有するトランス４１と、スイッチング信号を一次巻線に入力してトランス４１を駆動する一次側回路４０と、二次巻線に接続され、一次側回路４０とは電気的に絶縁されているゲートドライブ回路２０−ｎとを具備している。ゲートドライブ回路２０−ｎは、モータＥＣＵ１００からのＰＷＭ信号によって駆動されるゲート駆動回路２１−ｎと、ゲートドライブ回路２０−ｎに流れる電流を増大させるブリーダ抵抗Ｒ２０−ｎとを有し、モータＥＣＵ１００からのＰＷＭ信号を検出した場合に、ブリーダ抵抗Ｒ２０−ｎに流れる電流値を減少させる。 （もっと読む）

【課題】 簡便な回路構成で、高速に動作するゲート駆動回路を提供することである。
【解決手段】 パワー半導体素子のゲート端子に正電圧を印加するためのＮＰＮトランジスタと、パワー半導体素子のゲート端子に負電圧を印加するためのＰＮＰトランジスタと、ＮＰＮトランジスタと、ＰＮＰトランジスタとに直列に接続された遮断用抵抗器と、遮断用抵抗器に、正極がパワー半導体素子のゲート端子側となるように並列に接続された遮断用抵抗器切換え半導体スイッチとを備えたゲート駆動回路である。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の発熱を抑制した過電圧抑制ゲート制御を確実、容易にし、さらにスイッチング素子を複数直列接続した半導体スイッチ回路における発振防止と分担電圧のバランス制御を確実、容易にする。
【解決手段】ゲートドライブ回路２によるゲート抵抗Ａを通したＩＧＢＴ１の主ゲート電流とは独立して、電圧補償ゲート制御回路３〜６はＩＧＢＴ１のコレクタ・エミッタ間電圧Ｖｃｅがしきい値を超えたときにゲート抵抗Ｂを通して電圧補償ゲート電流を注入し、電圧Ｖｃｅがしきい値を下回ったときに電圧補償ゲート電流の注入をオフする。
ゲート抵抗Ａの抵抗値に対してゲート抵抗Ｂの抵抗値を小さくする。電圧補償ゲート電流を注入した後にこのゲート電流の注入量とほぼ同じ電荷量分をＩＧＢＴ１からゲート電流として引き抜く。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ，負荷電流，温度，主回路構成等によるサージ電圧の波形に応じて半導体スイッチの動作タイミングを調整することなく、各半導体スイッチの電圧分担を均等化させる。
【解決手段】直列接続された複数の半導体スイッチＡ，Ｂに出力されるゲート信号のタイミングを調整するゲートタイミング制御回路３において、コンパレータ４，４により、各半導体スイッチＡ，ＢのＶｃｅ検出（Ａ），（Ｂ）と、予め設定されたしきい値とを比較してＶｃｅ検出における立ち上がりのタイミングを示すＶｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）を出力する。そして、時間差制御部８において、ゲート信号に基づいて、前記各Ｖｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）の変化のタイミングが整合するように生成されたゲート出力（Ａ），（Ｂ）をゲートドライバ２に出力する。 （もっと読む）

【課題】複数の電力用半導体素子を並列接続する場合において、スイッチング損失を従来よりも低減する。
【解決手段】電力用半導体装置２００は、互いに並列に接続された第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２と、駆動制御部１００とを備える。駆動制御部１００は、外部から繰返し受けるオン指令およびオフ指令に応じて第１および第２の電力用半導体素子の各々をオン状態またはオフ状態にする。具体的には、駆動制御部１００は、オン指令に対して、第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２を同時にオン状態にする場合と、第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２の一方をオン状態にした後に他方をオン状態にする場合とに切替え可能である。駆動制御部１００は、オフ指令に対して、第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２の一方をオフ状態にした後に他方をオフ状態にする。 （もっと読む）

【課題】ゲート駆動回路に無駄な電流が流れないようにし、消費電力を低減する。
【解決手段】本発明のゲート駆動回路は、制御電源１２と、一次巻線と二次巻線とを有するトランス８と、第１のスイッチング素子２１と、第２のスイッチング素子１４と、整流素子１５と、容量素子２０と、を備え、第１のスイッチング素子２１は、制御電源１２と前記一次巻線の一端との間に接続され、第２のスイッチング素子１４は、前記一次巻線の他端に接続され、整流素子１５の両端は、前記一次巻線の両端に並列接続され、容量素子２０の一端は、前記一次巻線の一端または他端に接続され、第１のスイッチング素子２１及び第２のスイッチング素子１４のうち一方の導通時に容量素子２０が制御電源１２により充電され、且つ、第１のスイッチング素子２１及び第２のスイッチング素子１４のうち他方の導通時に容量素子２０が放電されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】複数の電力変換回路を有し、これらの電力変換回路に属する半導体モジュールを積層した電力変換装置において、電力変換回路間のサージ電圧による干渉を低減する。
【解決手段】複数の電力変換回路の正極端子を接続する正極接続プレート６６にスリット１００，１０２を設ける。一方、正極接続プレート６６が配置される固定台６８上にかしめ突起１０５を設ける。かしめ突起１０５を、正極接続プレートのスリット１００，１０２に貫通させ、かしめ突起１０５の先端をつぶして正極接続プレート６６をかしめ、固定台６８に固定する。正極接続プレートを固定するためのボルト等を用いていないため、負極接続プレート７０の面積を広くすることができ、サージ電圧による干渉を低減できる。 （もっと読む）