【課題】
ノーマリオン特性を有する半導体素子または、しきい電圧が低いスイッチング素子に好適な半導体回路を提供する。
【解決手段】
本発明の半導体回路は、高圧電源から負電源を充電する手段を設け、高圧端子に電圧を印加するかどうかを制御する高圧スイッチを設け、電力用スイッチング素子用の電源供給が低下したときに高圧スイッチを遮断したり、電力用スイッチング素子の制御回路用が低下しても、高圧端子から制御回路用の電源キャパシタを充電し、制御回路が動作するようにした。さらに、出力端子側からキャパシタに充電されるエネルギーを利用した負電源電圧発生回路を設け、高圧端子と基準電圧端子との間に電圧端子を設け、この電圧端子と複数の出力側端子との間に負電源電圧発生回路を設けた。 （もっと読む）

【課題】 電力変換装置に好適な駆動回路を提供する。
【解決手段】 電力変換装置における駆動回路の絶縁部をホトカプラ１２５ｂ（１２５ｅ）と、電源Ｖ５Ａからホトカプラ１２５ｂ（１２５ｅ）の発光素子に流す電流値を設定する抵抗１２５ａ（１２５ｄ）と、ホトカプラ１２５ｂ（１２５ｅ）の出力を電源Ｖ５Ｂにプルアップする抵抗１２５ｃ（１２５ｆ）と、論理積（ＡＮＤ）素子１２５ｇと、排他的論理和（ＥＸＯＲ）素子１２５ｈとで形成し、ホトカプラ１２５ｂ，１２５ｅそれぞれの出力値に基づいて、それぞれのホトカプラの動作状態を排他的論理和（ＥＸＯＲ）素子１２５ｈで監視しつつ、論理積（ＡＮＤ）素子１２５ｇの出力により電力変換主回路を形成するＩＧＢＴなどへの駆動信号を生成するようにして、この駆動回路の動作信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置の大型化やコストアップを招くことなく、サージ電圧と損失のトレードオフ特性の改善を図る。
【解決手段】ＰＷＭ信号発生部１からの出力を絶縁器４を介して電力半導体素子をオンオフ制御するに当り、ターンオフ指令信号Ｂの直後に、デッドタイム生成回路２で作成されるデッドタイムよりも短いパルス状の信号Ｄを、遅延回路５およびワンショット回路７により得て、これをアンド回路８を経てオア回路３においてデッドタイム生成回路２の出力に重畳させることにより、ゲート駆動条件を切り換えてターンオフやターンオン時間を変えられるようにする。 （もっと読む）

【課題】発動発電機用インバータのフィルタ回路に利用されるインダクタンス素子の性能を確保しつつコスト削減を図る。
【解決手段】長円筒状の合成樹脂製のボビン３０の外周面に単線を巻回したコイル３１を巻装し、ボビン３０の中空部には、円柱棒状のフェライトから成る第１コア３２と多数の矩形状の珪素薄鋼板を積重させて成る第２コア３３とを収容して満たす。コア３２、３３とコイル３１とはボビン３０の筒状部の厚さを挟んで隔てられるだけであるので、コイル３１で発生する磁力線を有効にコア３２、３３に通過させて高い効率を達成できる。また、コイル３１は単線で形成でき、自動巻線装置による巻回も可能であるため、コストを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路などにおいて電力スイッチング素子の駆動回路と他の回路とが絶縁され、絶縁された回路間で、フォトカプラを用いないで、駆動信号と異常信号を伝達する。
【解決手段】絶縁された回路間にトランスを有し、駆動信号を駆動パルス信号にして１次側から２次側に伝達して２次側で駆動信号を再生し、異常信号で２次側の負荷の抵抗値を変化させ、２次側に流れる駆動パルス信号の電流の大きさに応じて変化する１次側の電流を検出して、異常信号を１次側で再生する。 （もっと読む）

【課題】溶断検出機能付きヒューズを備えた電力変換装置において、主回路の寄生インダクタンスを減少させ且つ溶断検出器が誤動作することを防止する。
【解決手段】主ヒューズエレメント３ａ、４ａと、この主ヒューズエレメントと並列接続
され且つ略平行配置された溶断検出用エレメント３ｃ、４ｃとからなる第１の過電流保護
素子３および第２の過電流保護素子４を、互いに逆極性の電流が流れる第１の電流路と第
２の電流路にそれぞれ配設し、第１の過電流保護素子と第２の過電流保護素子の配置構成
を、第１の電流路と第２の電流路に流れる電流によって、互いのインダクタンスを打ち消
し合うように主ヒューズエレメント３ａ、４ａ同士を近接配置すると共に、溶断検出用エ
レメント３ｃ、４ｃ同士は、近接効果が出にくいように、互いの間隔が主ヒューズエレメ
ント同士の間隔よりも大きくなるように配置する。 （もっと読む）

【課題】ダイオードの逆回復時にサージ電圧や電圧の高周波振動を抑制すると共に、電圧変化ｄＶ／ｄｔで電圧制御型パワー半導体素子を導通させる際の貫通電流を低減し、低損失化も両立したインバータを提供すること。
【解決手段】本発明のインバータは、上下アームに電圧制御型パワー半導体素子とこれに並列なダイオードを各々備え、スイッチ手段を具備した駆動回路で該電圧制御型パワー半導体素子のオン、オフを制御し、前記電圧制御型パワー半導体素子が主電流を出力する為に必要な制御しきい値電圧より低い値を設定電圧として、順電圧の総和が前記設定電圧とほぼ等しい複数の第二のダイオードを、前記駆動回路で該電圧制御型パワー半導体素子をオフさせるスイッチ手段に直列に接続する。 （もっと読む）

【課題】インパルス試験において半導体素子のゲート回路に流れる電流を容易に測定することのできる半導体電力変換装置及びその試験方法を提供する。
【解決手段】電力変換器を構成する複数個の変換アーム２と、この変換アームを構成する半導体スイッチング素子３と、各々の半導体スイッチング素子３のゲート電極にゲートパルスを供給するためのゲート回路５とを備えた半導体電力変換装置１において、ゲート回路５の出力と半導体スイッチング素子３のゲート電極の間に１個または複数個直列接続した発光素子６を取り付け、変換アーム２の両端にインパルス電圧を印加したとき、発光素子６によりゲート電流の通電量を光信号に変換し、発光素子６に接続された光ファイバー８によってこの光信号を外部に設けられた光量測定器９に導いてゲート電流を測定することによりインパルス試験を行なう。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴなどの電圧駆動型半導体素子を、アーム短絡等による過電流破壊から防止できるようにする。
【解決手段】１段目のゲート駆動回路１５には過電流保護回路１１と、ＩＧＢＴに流れる電流を検出する電流検出器１９とを接続し、１段目以外のゲート駆動回路１６〜１８には過電流保護回路１２〜１４と、電圧検出回路８〜１０とをそれぞれ接続して構成し、電流検出器１９で検出される電流が過電流の場合は、ゲート駆動回路１５に保護信号を出力してＩＧＢＴ１にゲート電流を流し、その結果ＩＧＢＴ２にもゲート電流を流して両ＩＧＢＴ１，２のゲート電圧を下げ、ソフト遮断動作を開始させ保護を図る。 （もっと読む）

【課題】過電流が流れた際に早期に断線して故障を最小限に抑制することができる電力変換装置及びこれを搭載した車両を提供すること。
【解決手段】交流電力と直流電力との間、或いは直流電力同士若しくは交流電力同士の間で電力の変換を行う電力変換装置１。電力変換装置１によって制御される被制御電流の経路内に半導体モジュール２の主電極端子２１とバスバー３のバスバ端子３１との接続部４が形成されている。接続部４は、主電極端子２１とバスバ端子３１とを、先端部２１１、３１１同士が同じ方向を向くように重ね合わせると共に先端部２１１、３１１において接合してなる。そして、２つの部品の端子を流れる被制御電流の主方向が逆向となるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体素子の損失の温度依存性を低減する駆動回路を提供すること。
【解決手段】本発明の電圧駆動型のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路は、パワー半導体スイッチング素子と、該スイッチング素子のエミッタ制御端子或いはソース制御端子を基準として、該スイッチング素子のゲート端子に駆動信号を与える駆動回路と、該スイッチング素子の温度を検出する手段を有するパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、前記パワー半導体スイッチング素子の温度を検出し、その検出値に基づいて、ゲート駆動電圧或いはゲート駆動抵抗を可変させる。 （もっと読む）

【課題】電力変換器を構成する複数個の半導体素子の寿命が平均化するように、電力変換制御を行う電力変換器制御装置を提供することである。
【解決手段】出力制御手段１７は電力変換器を構成する複数個の半導体素子１１をオンオフして電力変換出力指令Ｐｒを満たすように電力変換器の負荷出力を制御する。一方、複数個の半導体素子１１のうち寿命延伸対象の半導体素子を素子選別手段２０で選別し、寿命延伸制御手段１９は電力変換器の負荷出力が定格電力より小さいときは、素子選別手段２０で選別された半導体素子を寿命延伸制御する。 （もっと読む）

【課題】汎用のパワーモジュールを用いて交流スイッチを構成し、スナバ回路により吸収したエネルギーを電源側または負荷側に回生可能であって小型かつ安価な交流スイッチ回路を提供する。
【解決手段】半導体スイッチング素子を少なくとも２個、順方向に直列接続したスイッチングレグＳＬと、ダイオードを少なくとも２個、順方向に直列接続したダイオードレグＤＬと、スナバコンデンサを少なくとも２個、直列接続したコンデンサレグＣＬと、を並列に接続し、スイッチングレグＳＬ内の内部接続点とダイオードレグＤＬ内の内部接続点とを交流スイッチの入出力端子６０６，６０７とし、ダイオードレグＤＬ内の内部接続点とコンデンサレグＣＬ内の内部接続点との間に抵抗６０４を接続する。 （もっと読む）

【課題】耐環境性を向上させつつ、経時劣化を抑制した上で、外部磁束に起因するノイズ
としての影響を軽減するとともに、低圧側と高圧側とを電気的に絶縁しながら信号の授受
を行うことが可能なパワーエレクトロニクス機器を提供する。
【解決手段】車体筐体に接地される制御回路１側と、高圧となる上アーム２側および下アーム３側との間には、空芯型絶縁トランスＴＵ１〜ＴＵ３、ＴＤ１〜ＴＤ３がそれぞれ介挿され、各空芯型絶縁トランスＴＵ１〜ＴＵ３、ＴＤ１〜ＴＤ３は、対向配置された１次巻線と２次巻線とを備える。 （もっと読む）

【課題】素子破壊が生じることを考慮して、素子の直列数を予め増加しておくことでアームに素子破壊が発生した場合においても、残りの正常な素子により継続運転が可能であるが、余分な素子が必要となり、装置の大型化やコスト増加などが問題になる。
【解決手段】複数個直列接続された自己消弧型半導体素子と，前記各半導体素子に設けられたゲート駆動回路とからなる半導体スイッチ回路において，前記半導体素子のいずれかが破壊し，コレクタ−エミッタ間が短絡状態になった時，残りの正常な素子のターンオフ動作が遅くなるように，当該ゲート駆動回路の順バイアス電圧と逆バイアス電圧の一方または両方の値を変化させる。ターンオフ動作を緩やかにすることにより、ターンオフ時のスパイク電圧が小さくなり、より少ない直列数での運転継続を可能とする。 （もっと読む）

【課題】
小型・軽量でスナバ用コンデンサの交換が容易、かつスナバ効果の優れたなスナバモジュールを提案すること。
【解決手段】
ブリッジ構成に接続されている複数のスナバ用ダイオードとスナバ用コンデンサとを組み合わせてなるスナバモジュールにおいて、前記スナバ用ダイオードは、第１の一対のダイオードのカソード同士が接続されているカソードコモンダイオード部と、第２の一対のダイオードのアノード同士が接続されているアノードコモンダイオード部とからなり、前記カソードコモンダイオード部と前記アノードコモンダイオード部とは、互いに並列接続となるように一端が第１の引き出し電極部材に接続され、他端が第２の引き出し電極部材に接続されており、前記スナバ用コンデンサは、前記カソードコモンダイオード部のカソードと前記アノードコモンダイオード部のアノードとの間に接続されていることを特徴とするスナバモジュール。 （もっと読む）

【課題】多様な電子機器に使用可能であると共に、検出制御が簡単で、かつ安価に構成できる平滑コンデンサの劣化検出回路を提供する。
【解決手段】平滑コンデンサの劣化検出回路を、脈流を含む直流電圧が印加された平滑コンデンサ３に接続された負荷（変換部６とモータ７）の負荷電流を測定する負荷電流検出部５と、平滑コンデンサ３の直流電圧を測定するリップル電圧検出部４と、これらが接続される制御部９と、負荷電流と対応して予め定められた比較リップル電圧値を記憶する記憶部９ａとを備えた構成にし、制御部９は平滑コンデンサ３の直流電圧からリップル電圧値を算出すると共に、同リップル電圧値と、負荷電流検出部５で測定した負荷電流の値に対応する比較リップル電圧値とを比較して平滑コンデンサ３の劣化を判定する。 （もっと読む）

【課題】高電位側基準電位の負ノイズ、ｄｖ／ｄｔによる誤信号の伝達を防ぐことができるパワーデバイスの駆動回路を得る。
【解決手段】パワーデバイスをそれぞれオン状態・オフ状態に制御するためのオン信号とオフ信号とをレベルシフトして出力するレベルシフト回路と、オン信号とオフ信号が両方とも第１の閾値レベルより低い場合に、オン信号とオフ信号の伝達を阻止するマスク回路と、マスク回路の前段に設けられ、オン信号とオフ信号が両方とも第２の閾値レベルより低い場合に、オン信号の伝達経路とオフ信号の伝達経路を短絡する短絡回路とを有し、第２の閾値レベルは第１の閾値レベルよりも高い。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電源自給回路で健全なゲート電源を得ることができなかったとしても半導体素子へのゲート電源を確保できる半導体素子のゲート電源供給装置を提供することである。
【解決手段】 ゲート電源自給回路１２ａ、１２ｂ、１２ｃは半導体素子のオフ時の電圧を分圧してコンデンサＣａ、Ｃｂ、Ｃｃに電荷を蓄積し半導体素子のゲート駆動回路１３ａ、１３ｂ、１３ｃにゲート電圧を供給する。一方、バックアップ電源供給回路１４は、半導体素子のオフ時の電圧が低下しゲート電源自給回路１２ａ、１２ｂのコンデンサＣａ、Ｃｂにゲート電圧を維持するだけの電荷が蓄積できなくなったとき、他のゲート電源自給回路からコンデンサＣａ、Ｃｂに電荷を供給する。 （もっと読む）

【課題】放熱効率に優れ、生産性に優れた電力変換装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電力変換回路の一部を構成する半導体モジュール２と、半導体モジュール２を両面から冷却するための冷却部材４とを積層配置してなる電力変換装置。半導体モジュール２と冷却部材４との間には、熱伝導性を有するゲルグリース５が介在している。ゲルグリース５は、架橋度が１６〜８０％である。また、半導体モジュール２等へのゲルグリース５の塗布は、スクリーン印刷法によって行う。 （もっと読む）