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Fターム[5H740BA11]の内容

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【課題】電力変換装置のスナバ回路の小形化、簡略化を行いつつ、逆変換部の素子のスイッチング損失の低減をすることにより、装置の小形化などを実現する技術、製品を供給することを課題とする。
【解決手段】逆変換部のP相、N相と、平滑コンデンサの正極、または負極とを接続したバスバーと直列接続されたコンデンサの中間層を接続する配線バスバーの形状を大きくし、互いに重なり合う面積を大きくして、流れる電流を互いに逆方向とすることで、インダクタンスを低減する。 (もっと読む)


【課題】過電流時の強制遮断機能を従来よりも小型,低コストに実現できるようにする。
【解決手段】フォトカプラ12の出力とトランジスタ10,11のベースとの間に、抵抗15と25との直列回路を接続し、この2直列接続された抵抗15と25との接続点に、従来回路と同じくか電流時強制遮断を目的とするスイッチ素子19と抵抗21との直列回路を接続するとともに、抵抗25とトランジスタ10,11のベースとの接続点と、IGBT5のエミッタとの間にコンデンサ26を接続し、かつ、抵抗25と並列にダイオード27を接続することにより、特にコンデンサ26として小型,低コストのものを使用可能とする。 (もっと読む)


【課題】単位スイッチ回路に過電圧が発生する状態となったとき、過電圧を抑制すると共に、全直列スイッチング素子を保護することにある。
【解決手段】直列接続されるスイッチング素子1と、当該スイッチング素子のオン,オフに伴って発生する過渡的な電圧上昇を抑制するスナバ回路5とを有する単位スイッチ回路7を、少なくとも2つ以上直列に接続した直列半導体スイッチ装置において、単位スイッチ回路7ごとに並列に接続され、所定の電圧が印加されたときに導通し、過電圧を抑制する過電圧抑制手段8と、過電圧抑制手段の導通時に流れる電流を検出する電流検出手段9と、これら電流検出手段の何れか1つから電流検出信号を受信すると、停止指令を出力する素子異常検出手段21と、停止指令を受けたとき、全スイッチング素子をオフするスイッチング素子オフ手段23とを設けた直列半導体スイッチ装置である。 (もっと読む)


【課題】PNP型及びNPN型からなる出力回路を内蔵しながら、1つの過電流保護回路等で過電流保護を可能にする過電流保護機能付き電子スイッチ装置を提供する。
【解決手段】NPN出力回路と、NPN出力回路電流検知抵抗R2と、NPN出力回路の過電流判定を行う過電流判定回路と、NPN出力回路のNPN型トランジスタTr12の過流保護動作を行う過電流保護回路と、出力端子T3と接続され出力信号の極性を反転させる極性反転回路と、極性反転信号によりスイッチング動作するPNP型トランジスタTr21を有するPNP出力回路と、トランジスタTr21のエミッタ・電源ライン間に接続されたPNP出力回路電流検知抵抗R4と、検知抵抗R4により検知される電流により変化したトランジスタTr21のベースの電位変化を過電流判定回路の判定に用いる出力端子T3の電位V2に変化させる変換回路と、を備える。 (もっと読む)


【課題】所定の損失目標値を達成する電力変換器の設計方法を実現する。
【解決手段】電力変換用スイッチング素子の候補となる1つ若しくは複数の選定対象素子について、各選定対象素子の使用個数を算出する第1の工程と、各選定対象素子を使用した場合の選定対象素子個別の損失を算出する第2の工程と、第1の工程で算出された各選定対象素子の使用個数と第2の工程で算出された損失とに基づいて電力変換器における総損失を算出する第3の工程と、総損失が所定の損失目標値を満たす選定対象素子を電力変換用スイッチング素子として選定する第4の工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】容量の小さなキャパシタを能動的に制御することにより、等価的に大きなキャパシタと同等の平滑作用をさせるアクティブ制御キャパシタ装置を提供する。
【解決手段】直流負荷の両端に接続された第1のキャパシタと、第1のスイッチ回路と、第1のスイッチ回路に直列接続された第2のスイッチ回路と、第1のスイッチ回路と第2のスイッチ回路が直列接続された回路の両端に接続された第2のキャパシタと、第1のスイッチ回路と第2のスイッチ回路との接続点と、第1のキャパシタの正側端子との間に接続された第1のリアクトルと、を含み、第1のキャパシタの負側端子と第2のキャパシタの負側端子とが共通接続される昇圧型の電流可逆チョッパ回路を含み、前記キャパシタ電流を能動的に制御することを特徴とするアクティブ制御キャパシタ装置。 (もっと読む)


【課題】電力変換装置を構成する各アームが、複数の電圧駆動型半導体素子の直列接続回路で構成される場合に、各素子とこれに逆並列接続されるFWDの電圧分担にアンバラスが生じないようにする。
【解決手段】複数の電圧駆動型半導体素子Q1,Q2の電圧バランスを図るために設けられるテイル期間バランス回路の抵抗Rs1,Rs2と並列に、コンデンサCds1,Cds2を接続することにより、素子Q1,Q2と逆並列に接続されているFWDの過渡動作が速い領域での電圧アンバランスも抑制(低減)できるようにする。 (もっと読む)


【課題】 負側電源の故障が発生しても、絶縁ゲート型半導体素子が誤オン動作しないような安全な絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を得る。
【解決手段】 正側電源2Aと負側電源2Bで動作し、絶縁ゲート型半導体素子3のゲート駆動を行うFET12A及びFET12Bから成るトーテムポール回路と、ゲート制御IC11と、ゲート制御ICの出力とFET12Aのゲート間に設けたツェナーダイオード15A及び抵抗14Aから成る直列回路と、ゲート制御ICの出力とFET12Bのゲート間に設けたツェナーダイオード15B及び抵抗14Bから成る直列回路とで構成し、ツェナーダイオード15Aの降伏電圧は、正側電源の電圧からFET12Aのゲートしきい値電圧を減算した値より大きく、ツェナーダイオード15Bの降伏電圧は、負側電源の電圧からFET12Bのゲートしきい値電圧を減算した値より小さく選定する。 (もっと読む)


【課題】各アームに電圧駆動型半導体素子を複数個直列接続した電力変換装置の小型化,低コスト化を図る。
【解決手段】電力変換装置の或るアームを、例えば電圧駆動型半導体素子(素子)1と2の直列接続回路で構成し、ターンオフ時に素子1,2の内部インダクタンス3,8に発生する電圧を電圧検出回路16により検出してスイッチングタイミング差を検出し、その検出信号に基き遅れている側の素子をターンオフすることで、素子間の電圧アンバランスを抑制する。スナバ回路を用いないので大型化せず、低コストになる。 (もっと読む)


【課題】 昇圧回路を含むインバータ装置の各回路構成部品を1つにまとめて効率的に配置するとともに、前記各回路構成部品を電気的に接続するバスバーの形状を単純化し、インダクタンスを低減することが可能なインバータ装置を提供する。
【解決手段】 モータ・ジェネレータMG1、MG2の各相の相電流を生成するための複数の各相用スイッチングユニットS2〜S7と、昇圧用のリアクトルLに接続される昇圧用スイッチングユニットS1とを、各スイッチングユニットS1〜S7の正極端子Tp1〜Tp7及び負極端子Tn1〜Tn7が配される一側面S1a〜S7aを同一方向に揃えるとともに、各スイッチングユニットS1〜S7の正極端子Tp1〜Tp7と負極端子Tn1〜Tn7とを結ぶ方向に対して直交する方向に一列に並べて配置する。 (もっと読む)


【課題】 装置を複雑化させず、IGBT等の電圧駆動型半導体スイッチング素子の損失を低減する。
【解決手段】 ゲート駆動回路231の電源電圧Vgsを、電圧指令装置(マイコン)234からの指令により制御可能とし、素子の温度情報、インバータの直流側電圧Vp情報等に応じて変化させ、IGBT211のゲート電圧Vgを調整する。例えば、素子の冷却水の温度が低く、熱的に余裕がある場合には、ゲート電圧を低く設定しノイズを低減する。他方、インバータ21の直流側電圧Vpが高い場合には、ゲート電圧Vgを高くして、IGBTのスイッチング損失を低減する。 (もっと読む)


【課題】 FETに対するPWM基本信号のON時間が遅延手段の遅延時間より短い場合にスイッチング信号を補正することでFETに逆並列接続されたダイオードに逆電流が生じる場合には必ず逆電圧を印加することを可能とし、ダイオード(寄生ダイオード)に逆方向電流が流れることを抑制し、消費電力やノイズの低減を図ることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】 ダイオード6が接続された一対の主回路スイッチング素子5と、PWM基本信号を生成する手段13cと、このPWM基本信号を所定時間遅延させる遅延手段13dと、遅延時間とPWM基本信号のON時間を比較し、遅延時間よりもPWM基本信号のON時間が短い場合には一方のスイッチング素子のON状態を維持するスイッチング信号補正手段13eと、ダイオード6に対して逆電圧を印加する逆電圧印加手段7を備える。 (もっと読む)


【課題】スイッチング損失および発熱損失を低減することができ、しかも小型化が可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】主電極の一方が正極端子10に接続された電力用半導体スイッチング素子21および該電力用半導体スイッチング素子の主電極の他方と負極端子11との間に接続されたMOSFET22を備えたカスコード素子20と、正極端子にカソード電極が接続され、負極端子にアノード電極が接続された高速ダイオード30と、電力用半導体スイッチング素子の制御端子と負極端子との間に接続され、制御端子と負極端子との間を所定値以下の電位差に制御する電力用半導体スイッチング素子駆動回路60と、MOSFETの制御端子と負極端子との間に接続されて該MOSFETを制御するMOSFET駆動回路70とを備える。 (もっと読む)


【課題】導通制御端子への電圧の印加により導通状態が制御される電圧駆動形のパワースイッチング素子を備える電力変換回路について、その回路規模の増大を抑制しつつも電力損失を低減することのできる電力変換回路の制御装置を提供する。
【解決手段】インバータ10の各スイッチング素子12〜22のゲートに対する電圧の印加により、モータ2に供給される交流電力が生成される。インバータ2の出力電力が大きいときには、各スイッチング素子12〜22のゲートに印加する電圧を増大させる。 (もっと読む)


【課題】電力変換装置の通常運転動作における半導体素子のオンオフ動作と並行して、熱疲労によるクラック発生等の異常を過電流による過熱等と判別して検出可能とし、かつ、回路構成を簡略化する。
【解決手段】制御信号aに応じてIGBT4のオフ時、オン時の温度を検出して温度差を求めるためのワンショット回路31,34、サンプルホールド回路32,35、差分器36と、IGBT4のオン時間tが設定値以下であることを検出する積分器37、コンパレータ38、ワンショット回路40と、IGBT4の電流が設定値以下であることを検出するコンパレータ59、ワンショット回路41と、前記温度差が設定値を超えたことを検出するコンパレータ57と、ワンショット回路40,41及びコンパレータ57の出力の論理積によって半田層の熱疲労を検出するAND回路42と、を備える。 (もっと読む)


【課題】並列接続した複数の電圧駆動型素子の特性にばらつきがあっても、熱破壊を回避可能な電圧駆動型スイッチング回路、多相インバータ装置および電圧駆動型スイッチング制御方法を提供する。
【解決手段】半導体モジュール10を構成する並列接続した複数の電圧駆動型素子IGBT(Q1)〜(Q3)それぞれをPWM駆動する複数のゲート駆動部としてプッシュプル接続したPchMOSFET(Q4,Q6,Q8)、NchMOSFET(Q5,Q7,Q9)をゲート駆動回路11に備え、そのいずれか1乃至複数のゲート端子に順番にオンになる入力信号PWM1〜PWM3を入力することにより、対応するIGBT(Q1)〜(Q3)を順次切り替えて交互駆動することを可能とし、たとえば、IGBT(Q1)〜(Q3)のスイッチング損失が定常損失よりも大きい場合、前記交互駆動を行い、そうでない場合は、IGBT(Q1)〜(Q3)すべてを同時駆動する。 (もっと読む)


本発明は供給電源(12)により負荷に電力を供給する給電装置(13)に関する。該給電装置(13)は電力供給の機能と電源フィルタの機能の両方を果たし、配電器/能動フィルタとしての動作モードに関する最適な作動点が必要な予備エネルギーに応じて調整可能である。これは能動型電源フィードバックフィルタにより実現される。高調波検出手段(3)は電源高調波電力に依存する補償電力(pc、qc)を求めるものであり、増幅係数(6)を求めるために、補償電力要求に関して適応的に作用する制御装置構成要素(5)が含まれており、補償電力(pc、qc)はインバータ(1)の負荷率及び/又は前記増幅係数(6)に応じてインバータ(1)に供給される。
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【課題】
電源電圧低下保護回路に過熱保護機能を持たせた半導体装置を提供する。
【解決手段】
本発明の半導体装置の保護回路は、電源電圧を抵抗と正のツェナー電圧温度依存性があるツェナーダイオード直列接続体とで分割してコンパレータの一方の入力端に接続し、コンパレータの他方の入力端に、電源電圧を抵抗分割して加えたので、過熱が無い場合の電源電圧の変動の有無をツェナー電圧と抵抗分割電圧を比較して検出し、電源電圧の変動が無い場合の半導体装置の過熱の有無をツェナー電圧の変動で検出する。 (もっと読む)


【課題】 大電力の半導体素子を用いる必要のない、サージクランプ回路を提供する。
【解決手段】 サージ電圧検出回路4によってサージ電圧が検出されたときに、スイッチング回路2がトランジスタTR1をOFFにして、サージ電圧をスイッチング回路2の抵抗R1およびサージ電圧検出回路4のトランジスタTR3を介して接地側へと流すものとしたので、回路を遮断するトランジスタTR1、サージ電圧を検出するツェナーダイオードZD1にサージ電圧が直接流れることがない。よって、トランジスタTR1やツェナーダイオードZD1としてサージ電圧に耐えることができる大電力用のものを用いる必要がない。 (もっと読む)


本発明は、上側および下側の変換整流器(T1,…,T6)を有する少なくとも1つの相モジュール(100)を有する電力変換回路であって、各変換整流器(T1,…,T6)が少なくとも1つの2極のサブシステムを有する電力変換回路に関する。本発明によれば、各2極のサブシステム(14)が、電気的に直列に接続された4つのターンオフ制御可能な半導体スイッチ(21,23,25,27)と、それぞれ1つのターンオフ制御可能な半導体スイッチ(21,23,25,27)に電気的に逆並列に接続された4つのダイオード(22,24,26,28)と、電気的に直列に接続されて半導体スイッチ(21,23,25,27)の直列接続回路に並列に接続された2つの単極性の蓄積コンデンサ(29,30)と、共通電位(P0)に導電接続された基準電位端子(M)を有する電子装置(32)とを有する。4つの電位段階を有する端子電圧(UX21)が発生可能である接続端子(X2,X1)を有するサブシステム(14)が得られ、このサブシステム(14)は、エネルギー供給が対称的に行なわれる1個のみの電子装置(32)を有し、電位絶縁のために高い費用を必要としない。
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