説明

Fターム[5H740BA11]の内容

電力変換一般 (12,896) | 主回路スイッチング素子 (1,744) | トランジスタ (1,563)

Fターム[5H740BA11]の下位に属するFターム

Fターム[5H740BA11]に分類される特許

681 - 700 / 815


本発明は、上側および下側の変換整流器(T1,…,T6)を有する少なくとも1つの相モジュール(100)を備えた電力変換回路であって、相モジュール(100)の直流電圧側が正および負の直流電圧母線(P0,N0)に導電接続され、各変換整流器(T1,…,T6)が、電気的に直列に接続された少なくとも2つの2極のサブシステム(10)を有するような電力変換回路に関する。本発明によれば、各サブシステム(10)の接続端子(X1,X2)に対して電気的に並列に保護構成要素(12)が接続されている。それにより、故障時に冗長的に更に続けて動作することができる分散配置されたエネルギー蓄積器を有する電力変換回路が得られる。
(もっと読む)


【課題】 小型で比較的簡単な構造を有するスナバ回路とこれを用いた電力変換装置を提供する
【解決手段】 電力変換用スイッチング素子1のコレクタ11に接続され、このコレクタ11の直近位置に第1の張り出し部2A1を有する第1のブスバー2Aと、前記スイッチング素子のエミッタ12に接続され、このエミッタ12の直近位置に前記第1の張り出し部2A1と平行に重なり合う第2の張り出し部2B1を有する第2のブスバー2Bと、前記第1の張り出し部2A1と前記第2の張り出し部2B1との間に設けられた誘電性フィルム3と、前記第1のブスバー2Aのインダクタンスを増加させるスナバリアクトル形成手段4とによりスナバ回路を構成する。 (もっと読む)


【課題】単相ブリッジ電圧形自励式変換器の交流出力電圧に、基本波成分の実効値と位相を変化させること無く、直流成分を重畳することが可能となる1パルス単相ブリッジ電圧形自励式変換器の制御装置を得る。
【解決手段】複数の自己消弧形デバイスをブリッジ接続して構成され、交流端子が電力系統または負荷に接続されると共に直流端子が直流コンデンサに接続される1パルス単相ブリッジ電圧形自励式変換器の制御装置において、前記各自己消弧形デバイスのゲートパルスを発生する手段と、前記各自己消弧形デバイスのオンとオフの状態が変化した時に一定の期間再度オンとオフの状態が変化するのを禁止する手段とを備えて成る1パルス単相ブリッジ電圧形自励式変換器の制御装置。 (もっと読む)


【課題】 電力用半導体モジュールの残り寿命に応じた残り寿命信号を生成することによって、ユーザにその交換時期を予告するようにした電力用半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 ワイヤ電圧検出値は、フィルタ回路22からスイッチ回路32を介してピーク保持回路33に入力される。ピーク保持回路33は、オフセットゲイン調整回路34を介してアラーム信号出力端子19cと接続され、第4のコンパレータ35の非反転入力端子と接続される。第4のコンパレータ35の反転入力端子に所定周期の三角波信号を生成する三角波信号発生回路36が接続され、オフセットゲイン調整回路34の出力信号を、ワイヤ電圧検出値に応じてオンデューティが変化する矩形パルス信号に変換している。アンドゲート38では、それぞれ第4のコンパレータ35の出力信号とラッチ回路31の出力信号からアラーム信号を生成してアラーム信号出力端子19dに出力する。 (もっと読む)


【課題】絶縁耐圧試験に際して、双方向スイッチを構成する半導体スイッチング素子の過電圧破壊を防止したマトリクスコンバータ装置を提供する。
【解決手段】交流電源1に接続される各相入力端子と、任意の直交流電圧を出力する各相出力端子と、逆方向に直列接続されたIGBTトランジスタ102、103と前記各IGBTトランジスタに逆並列接続されたダイオード104、105を備える双方向スイッチと、前記各相入力端子と各相出力端子との間を繋ぐ各前記双方向スイッチで構成される双方向スイッチ群5を備え、前記双方向スイッチ群をPWM制御して前記交流電源電圧を任意の直交流電圧に変換して前記各相出力端子から出力するマトリクスコンバータ装置において、前記双方向スイッチを構成するIGBTトランジスタの直列接続部と前記相入力端子または相出力端子との間に接続された抵抗器R1,R2を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半田層の熱疲労や、必要に応じて過電流状態も迅速に検出可能として半導体素子を確実に保護するようにした電力用半導体素子の異常検出装置を低コストにて提供する。
【解決手段】センスエミッタ端子を備えると共に半田層の表面にチップの電極が接合されるIGBT等の異常検出装置であって、センスエミッタ端子に流れる電流を検出してIGBTに対する保護動作を行う電力用半導体素子の異常検出装置に関する。IGBTチップ101Cに形成された複数のセンスエミッタ端子101x,101yによる電流検出値の差を求める減算器133と、これらの差を所定の基準値と比較して半田層110の熱疲労によるクラック発生を検出するコンパレータ134,135、オア回路136等を備える。 (もっと読む)


【課題】 過電圧を抑制しながら、小型化、低コスト化を達成することができる電圧駆動型半導体スイッチング素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】 オン状態またはオフ状態のIGBT3のゲート3gに、それぞれ所定のオフ用電圧値Voffまたはオン用電圧値Vonをゲート回路7から入力することによってオン、オフ制御を行うようにしたIGBT3の駆動方法で、一方の状態から他方の状態へ切り替える時、ゲート回路7からゲート3gに、先ず、オン用電圧値Vonまたはオフ用電圧値Voffの一方の電圧値からオン用電圧値Vonとオフ用電圧値Voffの間の所定中間電圧値まで所定の時間をかけて漸次変化するよう電圧値を入力し、その後、他方の電圧値を入力することによりオン、オフ制御を行う。 (もっと読む)


【課題】 小電流ターンオフ時の過大な短絡電流を確実に防止できる。
【解決手段】 ゲート駆動回路20は、制御信号Saが絶縁器10を介して供給され、ゲート抵抗13,15の接続点がIGBT5aのゲートに接続されている。ゲート制御回路30は、第1の基準値Vref1を設定するための基準電源31と、この第1の基準値Vref1とIGBT5aのゲート電位を比較するコンパレータ回路32と、このコンパレータ回路32の出力とスイッチ素子14をオンオフ制御するスイッチング信号S2との論理積(アンド)演算を行う論理積回路33と、セット端子(S)とリセット端子(R)を持つフリップフロップ34とから構成され、ゲート駆動回路20に対する制御信号Saがオフ指令に切換わった後に、スイッチ素子22をオン状態に切換えて保持するように動作する。 (もっと読む)


【課題】
熱センサを用いることなく半導体電力変換器の電力半導体スイッチング素子の劣化状態を推定し、推定結果を表示する。
【解決手段】
本発明の電力変換器は、電力変換器の入力電流もしくは出力電流から電力半導体スイッチング素子の温度変動分を推定する温度変動幅推定器と、該温度変動幅推定器出力値から基準温度差の熱疲労サイクル回数に換算する熱疲労サイクル回数換算器と、熱サイクル回数から電力半導体スイッチング素子の劣化度を算出し、電力変換器の保守管理者もしくは所有者に通知する通知システムとを有する。 (もっと読む)


【課題】 直列接続された素子を備えた電力変換装置において、素子をばらつきなく同時にオン・オフさせるために、これら素子のゲート線をコアにより磁気結合させてスイッチングタイミングをバランスさせる方法において、コアを励磁したエネルギーを如何に高速にリセットする。
【解決手段】 直列接続された電圧駆動型半導体素子3、4と、これらの電圧駆動型半導体素子をオン・オフするためのゲート駆動回路1、2と、各ゲート駆動回路からの信号を同調するためにゲート線を互いにコア5で磁気結合した半導体スイッチ回路において、各電圧駆動型半導体素子をターンオンまたはターンオフする時のゲート駆動回路のゲート抵抗値15、17、25、27を、これらが定常状態になった後、より大きな抵抗値16、18、26、28を用いるように切替える抵抗値切替え手段を備え、前記コアの消磁を短時間に行う。 (もっと読む)


【課題】専用の検出回路を用いずに電力変換器の入出力端子が逆接続されていることを正確に検出して異常時の原因究明を容易にし、スイッチング素子等の保護を図る。逆接続状態のままで支障なく運転可能とする。
【解決手段】マトリクスコンバータ3等の電力変換器の正規の入力端子に印加されている交流電圧を検出する入力端電圧検出手段11と、正規の出力端子に印加されている交流電圧を検出する出力端電圧検出手段12と、両検出手段11,12により検出した電圧情報を用いて、マトリクスコンバータ3の逆接続状態を検知する逆接続検知手段13と、逆接続状態を検知した際に、正常接続時におけるスイッチング素子の駆動信号を逆接続時の駆動信号に入れ替えてなるスイッチングパターンを生成する制御手段14とを備える。 (もっと読む)


【課題】
ノーマリオン特性を有する半導体素子またはしきい電圧が低い電界効果型パワー半導体素子に好適な半導体回路と、電界効果型パワー半導体素子を提供すること。
【解決手段】
本発明の半導体回路は、ダイオードとキャパシタを使用した負電源電圧発生回路を設け、低温状態では、パワー半導体素子が接続されている高圧電圧端子の電圧を目標電圧まで上昇する前に、電界効果型パワー半導体素子を発熱させてしきい電圧を上昇させ、通常駆動時のゲート・ソース間電圧範囲を超える負のゲート・ソース間電圧を印加してドレインリーク電流を抑制した後に高圧電源を上昇させる。 (もっと読む)


【課題】 外部回路の状況に応じた運転を可能にする。
【解決手段】 アクティブフィルタ(AF)の電力変換器2の出力電流と出力電圧を1周期分検出し、系統周波数を基本波としてその整数倍の周波数成分についてフーリエ変換を行い、その結果得られた運転中の電圧と電流について周波数解析結果をつき合わせ変換器2からみた外部回路1のインピーダンスボード線図を作成し、系統インピーダンスボード線図のゲインと位相の特性を連系リアクトル単体の場合と比較して共振周波数を検出し、LCRの直列回路をディジタル演算で模擬するバンドカットフィルタを設け、共振周波数成分を共振検出可能に任意の量をカットする。
(もっと読む)


【課題】
スイッチング素子とダイオードとの逆並列接続回路を直列接続したスイッチングアーム直列回路に対し、スイッチング素子と並列に少なくとも一つのスナバコンデンサが並列に接続されるスナバ回路において、
スナバコンデンサには誘導性負荷を流れる電流や不要な共振電流が流れることから、大電流容量の素子を適用しなければならない。また、不要な共振電流は伝導・放射ノイズの発生源となる。
【解決手段】
ダイオードを逆並列接続したスイッチング素子を複数個直列接続したスイッチングアーム直列回路から成る電力変換装置において、可飽和リアクトルとコンデンサとの直列回路を前記スイッチング素子のいずれかと並列に接続する。 (もっと読む)


【課題】 絶縁ゲート型半導体素子のターンオンタイムをより短縮することのできる絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を提供する。
【解決手段】 絶縁ゲート型半導体素子10を駆動するため、半導体素子1、2、と3、4が夫々トーテムポール接続された直列接続体を2組設け、夫々の陽極に抵抗5、6、7、8を介して正負の電源を夫々接続し、半導体素子1、2の中点は抵抗11を介し、半導体素子3、4の中点は直接絶縁ゲート型半導体素子10のゲートに接続し、半導体素子3、4へ遅延回路13、14によりスイッチング信号を遅延させて供給するようにし、抵抗5と並列にスイッチング素子17を設け、このスイッチング素子17をワンショット信号発生回路18の出力で制御して絶縁ゲート型半導体素子へ電荷をいち早く充電する。 (もっと読む)


【課題】低コストにて電源短絡を防止でき、スイッチング損失の増加や電圧利用率及び出力電圧制御性能の低下を防ぐことができる交流直接変換装置を提供する。
【解決手段】交流電源電圧を任意の大きさ及び周波数の交流電圧に直接変換するマトリクスコンバータ等の交流直接変換器3と、この交流直接変換器3の電源側に接続され、かつリアクトル及びコンデンサを有する入力フィルタと、を備えた交流直接変換装置において、前記入力フィルタ2Aは、コンデンサ22に直列に接続された抵抗23を有する。 (もっと読む)


【課題】 装置容積の小型化及び低コスト化が実現できるサージ吸収装置を提供する。
【解決手段】 3相の交流を出力する電力変換装置で駆動される電動機の入力部に接続されたサージ吸収装置において、抵抗6とコンデンサ7と逆導通型スイッチ8から成り、その一端を前記電動機4の入力端近傍の各相に接続し、その他端を共通の中性点として接続した3相の直列回路と、前記直列回路の各相の両端の電圧を検出する電圧検知制御手段と
を有し、この電圧検知制御手段の各相の検出電圧に応じて、当該相の前記逆導通型スイッチ8のオン/オフ制御を行うようにサージ吸収装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】2次側から1次側への故障応答をより簡単で且つ集積可能な手段を用いて可能とする、ブリッジ装置内のパワー半導体スイッチ用の回路装置、並びにそれに付属する方法を紹介する。
【解決手段】回路装置が1次側(20)と2次側(30)の間に故障ステータス伝送のためのダイオード(60)を有する。故障のない稼動時、2次側はダイオードのカソードに「ハイ」レベル(Vd)を印加し、故障のある稼動時には「ロー」レベル(Gd)を印加する。2次側から1次側への故障ステータスは、2次側が、開かれているBOTスイッチ(52)又は高抵抗の抵抗(70)を介してほぼグラウンド・基準電位上にあるためにダイオードを通じて電流の流れが行なわれることにより認識される。 (もっと読む)


【課題】 従来の電圧駆動型半導体素子の駆動装置では、ターンオン損失の削減とリカバリーサージ電圧の減少とを両立させることが困難であり、装置の小型化を図ることも困難であった。
【解決手段】 IGBT1の駆動装置10であって、該IGBTのエミッタ電極Eに接続されるコンデンサC1と、該IGBTのエミッタ電極に接続される放電用抵抗R2と、該IGBTのエミッタ電極に前記コンデンサを介して接続されるコンデンサ側ノードN1の接続先を、IGBTのゲート電極Gに接続される接続ノードN2、およびIGBTのエミッタ電極に前記放電用抵抗を介して接続される放電側ノードN3に切り換える切換スイッチSW1とを備え、該切換スイッチは、IGBTのターンオン開始時には、前記コンデンサ側ノードを接続ノードに接続しており、ターンオン開始から終了までの途中の過程で、前記コンデンサ側ノードの接続先を放電側ノードに切り換える。 (もっと読む)


【課題】 従来のIGBTの駆動装置では、IGBTのゲート電圧精度向上のため、IGBTと電源入力端子との間に定電圧回路を介設しているが、IGBTのターンオン時に大きなゲート充電電流が流れるため、定電圧回路を大型で大電流用のものを用いる必要があった。
【解決手段】 IGBT1等の電圧駆動型スイッチング素子の駆動装置であって、電源装置3と、電源装置3よりも高精度な出力電圧を有するシリーズレギュレータ11と、IGBT1のゲート電極への電気的な接続先を、前記電源装置3とシリーズレギュレータ11とに切り換える切り換えスイッチ13とを備え、前記切り換えスイッチ13は、IGBT1のターンオン開始時には、ゲート電極と電源装置3とが電気的に接続される側へ切り換えられ、IGBT1のターンオン状態から定常状態への移行時に、IGBT1のゲート電極の電気的な接続先を、電源装置3からシリーズレギュレータへ切り換える。 (もっと読む)


681 - 700 / 815