【課題】 ＩＧＢＴのゲートに印加される電圧をＶｃｃに近づけ、ＩＧＢＴのスイッチング損失を抑えることができる駆動回路を提供する。
【解決手段】 駆動回路が、電源電位にドレインが接続された第１のＮチャネルＭＯＳと、接地電位にソースが接続された第２のＮチャネルＭＯＳと、第１のＮチャネルＭＯＳのソースと第２のＮチャネルＭＯＳのドレインとに接続された出力部と、第１のＮチャネルＭＯＳのゲートと第２のＮチャネルＭＯＳのゲートとに接続された入力部とを有し、第１のＮチャネルＭＯＳと第２のＮチャネルＭＯＳとが交互にオン状態になるＣＭＯＳを有する駆動回路が、出力部に接続されたトランジスタのゲート電圧を制御する。電源電位と出力部との間に、第１のＮチャネルＭＯＳがオン状態になった場合に、オン状態となる素子を備える。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング素子のゲート容量を増大することなく、フライホイールダイオードの電圧が急激に立ち上がったときにも、ゲート電圧を安定して、高い応答性能を確保し、最大性能を出力する。
【解決手段】 スイッチング素子７のコレクタ端子、エミッタ端子に接続された微分器１６によって、スイッチング素子７のコレクタ・エミッタ間電圧“Ｖｃｅ”を微分して、微分信号を生成するとともに、電圧増幅器１７によって、前記微分信号を増幅して、制御電流源１８を制御し、スイッチング素子７のコレクタ・エミッタ間電圧“Ｖｃｅ”が急速に上昇し始めたとき、内部帰還容量を介して、コレクタ側からゲート端子側に帰還される電流と対応する電流値分だけ、ゲート端子から電流を引き去る。 （もっと読む）

【課題】 電力変換装置のスイッチング手段または整流手段として用いられる半導体スイッチ回路の発生損失を低減する。
【解決手段】 逆並列接続される外付けダイオードまたは内蔵ダイオードを還流ダイオードとするSiCを素材とする静電誘導トランジスタを主スイッチ素子に並列に接続し、オン・オフ制御のタイミングを主スイッチ素子に同期させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体スイッチング素子のコレクタ電流の立ち上がりおよび立下り時における電流変化の傾きを変化できないため、ノイズ発生およびスイッチング損失を最適に設定できない。
【解決手段】 半導体スイッチング素子と、入力信号に基づきこの半導体スイッチング素子の駆動制御を行う駆動制御手段(9)とからなる半導体装置において、前記駆動制御手段(9)に、駆動能力の異なる複数個の駆動デバイス(T1〜T6)を備え、その駆動デバイスの中からいずれか１つ、もしくは複数個を選択して用いることにより、半導体スイッチング素子の動作特性を補正する特性補正手段(10)を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁電源の個数を減少させて装置全体の小型軽量化、低コスト化を可能にした双方向スイッチの駆動電源回路を提供する。
【解決手段】逆阻止ＩＧＢＴ１，２が逆並列接続された双方向スイッチを駆動するために、各ＩＧＢＴ１，２の駆動回路に電源を供給する双方向スイッチの駆動電源回路に関する。逆阻止ＩＧＢＴ１の駆動回路２３に電源を供給する直流電源１９と、逆阻止ＩＧＢＴ２の駆動回路２４に電源を供給するコンデンサ２２と、直流電源１９とコンデンサ２２との間に直列に接続され、かつ、そのオン時に逆阻止ＩＧＢＴ１を介して直流電源１９によりコンデンサ２２を充電する駆動電源用半導体スイッチとしてのＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 直流電圧が高い場合、低い場合、一定の場合においても任意のタイミングでコレクタ短絡検出の検知電圧の設定レベルを変えることができ、電圧駆動素子を過電流から確実に保護することができる電力変換装置の過電流保護装置を提供する。
【解決手段】 電圧駆動形の電力用スイッチング素子４を有する電力変換装置と、上記電力用スイッチング素子４の入力側主端子の電圧を検出し、上記電圧が所定値を超えた時、上記電力用スイッチング素子にオフ信号を与える過電流検知部５、６、７、８と、上記過電流検知部に任意のタイミングで並列関係に接続し得るようにされ、上記所定値を変更し得るようにした過電流設定部２１、２２とを備えた構成とする。 （もっと読む）

インバータ装置内のコモンモード電流をフィルタリングするための電磁干渉フィルタにおいて、接地ラインを有するインバータ装置への少なくとも１つの電源ライン中に接続されたインダクタと、インダクタと接地ラインとの間に接続されたキャパシタと、インダクタと接地ラインとの間のキャパシタと直列に接続された被制御スイッチと、前記インバータ装置内での転換に従って制御される制御ユニットとを備えていて、これにより前記スイッチは、コモンモード電流が前記インバータ装置によって引き込まれるとき、オンされ、コモンモード電流が実質的に前記インバータ装置によって引き込まれなくなるとき、オフされる。
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【課題】 寄生トランジスタのオン動作を防止し、回路消費電流を低減するブートストラップ方式の半導体装置を提供する。
【解決手段】 パワーデバイスの低圧側(112)の電力素子を駆動して高圧側駆動部（１１１）の電源を供給するブートストラップ回路は、少なくともブートストラップコンデンサに電源を供給する低圧半導体素子部（７）と高圧島ドリフト部（Ｒn，８）を備え、低圧半導体素子部と高圧島ドリフト部は接合分離され、ｐｃｈ−ＭＯＳトランジスタ（Tr７）のバックゲート（１６）はダイオードが接続されていないオープン構成としている。 （もっと読む）

制御電極および２つの主電極を備えている電力切換トランジスタ用の過電流保護回路において、電力切換トランジスタの主電極の１つにおいて時間に対する電圧の変化率を検出し、変化率が所定値を上回った場合に、保護スイッチを制御して、電力切換トランジスタの制御電極に対する制御信号を取り除き、電力切換トランジスタをオフにする、保護スイッチを含む回路を備えている。
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本発明の目的は、小型で、しかも、金属接合部の劣化を精度良く検知できる半導体素子を用いたパワー半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置並びに移動体を提供することにある。パワー半導体素子（２）の表面電極と電極用の金属板（３）は、金属ワイヤ（８）により金属接合される。接合部特性検出回路（２０）は、金属接合の接合部の特性を検出し、接合部の劣化による抵抗ＲＴ８の上昇と寿命の関係から決定したしきい値ＶＬを用いて、接合部の劣化を予測する。
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【課題】
【解決手段】能動ＥＭＩフィルタは、アース線を流れる電流を、そのアース線に結合されたコンデンサにかかる電圧として検出する。ＥＭＩフィルタは、同相電圧を検出し、該同相電圧と雑音との差を決定することによって、アース線への出力を提供し、その差の低減を図る。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置の冷却性能の向上による電力変換装置の小型化にある。
【解決手段】熱伝導性を有する樹脂２２に、インバータケース１０内に配設された制御基板１５に複数実装されると共に、発熱量が異なる少なくとも２種類の電子部品のうち、発熱量の小さい電子部品及び制御基板１５と物理的に非接触状態で、発熱量の大きい電子部品或いは発熱量の大きい電子部品に設けられた放熱器２３を埋め込み、樹脂２２に熱伝達された発熱量の大きい電子部品の発熱をインバータケース１０に熱伝達する。 （もっと読む）

【課題】 冷却効率の向上、及び寄生インダクタンスの低減を図ること。
【解決手段】 液冷式冷却器１３Ａの冷却管１４Ａを絶縁基板１９に近い線膨張係数を有する金属基複合材料により形成し、この冷却管１４Ａの外面に絶縁基板１９の裏面を直接に接触させた状態で取り付けているので、冷却効率が向上している。そして、絶縁基板１９及び冷却管１４Ａの各線膨張係数は互いに近いものであるため、絶縁基板１９に熱応力が生じることはない。また、熱緩衝板２８を介して幅広導体２５，２６が半導体チップに接続されているので寄生インダクタンスが低減されている。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路を各アームに3個以上の電圧駆動型半導体素子を直列接続して構成する場合、各アームのいずれかの電圧駆動型半導体素子の素子破壊を高速に検出する方法を提供する。
【解決手段】各アームが３個の電圧駆動型半導体素子の直列接続からなる場合、各直列接続された電圧駆動型半導体素子がターンオフ動作中に、印加される電圧が過電圧かどうかを過電圧判別回路ＯＶで監視し、素子故障判別回路ＣＶにより2個の電圧駆動型半導体素子が過電圧と判別されたときには、素子破壊が発生したとする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、低周波域から高周波域まで広帯域のノイズ電流を除去することを目的とする。
【解決手段】 絶縁トランス１３を介して入力した交流入力を整流する整流回路１４、この整流回路１４の出力端子間に直列接続されその接続中点が変換器５のアース側入力電源ラインに接続された２個のコンデンサＣ₂，Ｃ₃及び整流回路１４の出力を動作電圧としてノイズ補償電流が流れる電流制御素子Ｔｒ₁，Ｔｒ₂を備えたノイズ低減回路９を有し、変換器５におけるスイッチング素子の駆動信号から生成した信号及びノイズ検出手段８のノイズ電流検出信号を合成した信号により電流制御素子Ｔｒ₁，Ｔｒ₂を駆動することを特徴とする。 （もっと読む）