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Fターム[5H740BA11]の内容

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【課題】コンバータ回路やインバータ回路に流れる電流を精度良く検出できるようにする。
【解決手段】DCリンク(13)には、コンバータ側シャント抵抗器(17)とインバータ側シャント抵抗器(18)とが接続される。コンバータ側シャント抵抗器(17)及びインバータ側シャント抵抗器(18)の両端の電位差は、コンバータ側増幅回路(21)及びインバータ側増幅回路(22)によって増幅されて出力される。コンバータ側増幅回路(21)には、オフセット回路(30)が接続される。オフセット回路(30)は、抵抗分圧回路(31)とボルテージフォロア回路(32)とを有している。 (もっと読む)


【課題】消費エネルギを低減することができる車載回転電機用電力変換装置の冷却システムの提供。
【解決手段】冷却システムは、不凍液を含む冷却液を循環する循環ポンプ6を有して、冷却液により車載回転電機用電力変換装置のパワー素子を冷却する冷却回路と、パワー素子の発熱量を算出する制御信号計算部110と、パワー素子の温度を検出するパワー素子温度センサ113と、冷却液の温度を検出する冷却液温度センサ115と、制御信号計算部110とを備えている。制御信号計算部110は、発熱量、パワー素子の温度および冷却液の温度に基づいて、パワー素子から冷却液へ伝達される単位温度差当たりの熱伝達量であるパワー素子冷却性能を算出し、算出されたパワー素子冷却性能が所定の判定基準値より大きい場合に循環ポンプ6の駆動力を低下させる。 (もっと読む)


【課題】入力電流の検出精度を向上させる。
【解決手段】電力変換装置(1)は、コンバータ回路(2)と、直流リンク部(3)と、インバータ回路(4)と、上記コンバータ回路(2)の出力電流(|iin|)を検出し、該検出値(iin,|iin|)をオフセット補正する電流検出部(60)とを備えている。そして、上記電流検出部(60)は、電源電圧(Vin)のゼロクロス付近で検出されるコンバータ回路(2)の出力電流(|iin|)の値を補正値(i0)としてオフセット補正する。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子駆動回路において、スイッチング素子のスイッチング損失を抑制する。
【解決手段】 ゲート電圧検出回路201は、スイッチング素子11のゲート電圧Vgsを検出し、このゲート電圧がスイッチング素子11の閾値電圧未満に設定された所定電圧未満のとき、Hレベルの昇圧指示信号を出力する。電圧制御回路103は、前記昇圧指示信号がLレベルの間は、制御電源102の所定電圧V1をそのまま出力し、前記昇圧指示信号がHレベルの間は、前記所定電圧V1を昇圧した電圧V2を出力する。駆動信号出力回路104は、PWMパルス出力回路111から出力されるPWMパルスの電圧を電圧制御回路103から出力される電圧に増幅する。従って、駆動信号出力回路104からスイッチング素子11への駆動信号は、前記PWMパルスがHレベルになった時に、先ず昇圧された電圧V2となり、スイッチング素子11のゲート電圧Vgsが所定電圧にまで上昇すると、所定電圧V1となる。 (もっと読む)


【課題】半導体スイッチングデバイスが完全な機能を維持していることを保証するために、サービス中にそれらを試験する方法を提供する。
【解決手段】負荷および電圧源2に接続するためのスイッチング回路1であって、負荷への電力をスイッチオンおよびスイッチオフするための1つまたは複数のスイッチングデバイス6、7、...、nと、負荷を短絡し、それにより負荷を電圧源から隔離するためのプルダウンデバイス4と、一度に複数のスイッチングデバイスのうちの少なくとも1つを起動するために、電圧源が負荷から隔離されている間に動作させることができるコントローラ3とを備え、起動された前記スイッチングデバイスまたは個々のスイッチングデバイスを通って電流が流れ、この電流を測定して、起動された前記スイッチングデバイスまたは個々のスイッチングデバイスが適切に動作しているかどうかを試験することができるスイッチング回路1が開示される。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子S*#のオン状態への切り替えによってこれを流れる電流が急激に大きくなると、ツェナーダイオード40およびクランプ用スイッチング素子42を備えて構成されるクランプ回路による対処が間に合わなくなるおそれがあること。
【解決手段】スイッチング素子S*#のオン操作指令に伴い、まず制限用電圧VLを端子電圧とする直流電圧源25を電源とし、定電流用スイッチング素子27を用いてスイッチング素子S*#のゲート充電処理を行う。そして、所定時間が経過することで、定常用電圧VH(>VL)を端子電圧とする直流電圧源22を電源とし、定電圧用スイッチング素子23を用いてスイッチング素子S*#のゲート充電処理を行う。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子をオンするために、スイッチング素子の制御端子に定電流を供給して電荷を充電するオン駆動用定電流回路の異常を検出できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御装置12は、オン駆動用定電流回路121と、オフ駆動用回路122と、制御回路128とを備えている。オン駆動用定電流回路121は、電流制御用FET121aと、電流検出用抵抗121bとを有している。制御回路128は、電流検出用抵抗121bの電圧に基づいて電流制御用FET121aを制御し、IGBT110dのゲートに定電流を流し込み、IGBT110dをオンする。オン駆動用定電流回路121の電流制御用FET121aや電流検出用抵抗121bが故障すると、それらに流れる電流や、それらに印加される電圧が変化する。そのため、電流検出用抵抗121bの電圧に基づいてオン駆動用定電流回路121の異常を検出することができる。 (もっと読む)


【課題】ゲートコレクタ間容量が大きい場合でも、キャパシタンスを大きくすることなく、ターンオン損失を低減することができる電圧駆動型素子を駆動するための駆動回路を提供することにある。
【解決手段】本発明では、駆動回路の最終段トランジスタTr1の出力点とIGBTのゲート端子Gとの間を、ゲート抵抗Rg1を介して接続し、ゲート抵抗Rg1にコンデンサCexの一端を接続し、コンデンサCexの他端を駆動回路の電源Vccへ接続している。IGBTのゲートエミッタ間容量Cgeに蓄積された電荷が、IGBTのゲートコレクタ間容量Cgcへ放電された後、コンデンサCexを介して、電源Vccから少なくともゲートエミッタ間容量Cgeを充電する。 (もっと読む)


【課題】充電用スイッチング素子24lをオン操作することで、直流電圧源22lの端子電圧(制限用電圧VL)をスイッチング素子S*#のゲートに印加している期間において、ノイズ等によってコレクタ等からゲートへの電流の流れ込みが生じうること。
【解決手段】ゲート電圧Vgeは、端子T8を介して駆動制御部70によってモニタされる。駆動制御部70では、充電用スイッチング素子24lのオン操作期間においてゲート電圧Vgeが制限用電圧VLを上回る場合、シンクスイッチング素子60をオン操作して、ゲートの過剰な電荷を放電させる処理を行う。 (もっと読む)


【課題】オン駆動用定電流回路が故障しても、スイッチング素子の破損を抑えて駆動することができる電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】制御回路128は、オン駆動用定電流回路121が故障して、IGBT110dのゲートに正常時に流れ込む電流より大きい電流が流れ込むようになったとき、オフ駆動用定電流回路122の電流を調整する。これにより、IGBT110dのゲートに流れ込む電流、及び、ゲートから引き抜く電流を調整することができる。そのため、オン駆動用定電流回路121が故障しても、IGBT110dの破損を抑えて駆動することができる。 (もっと読む)


【課題】パルス幅に基づいて複数の保護回路の何れが保護動作状態であるかを正確に判別することができる半導体素子の駆動装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置を構成する半導体素子を個別に駆動する半導体素子の駆動装置であって、前記半導体素子の保護動作を行うために必要な情報を検出する複数の保護回路32〜34と、前記複数の保護回路毎に異なるパルス幅のパルス信号が設定され、前記複数の保護回路のうち最初に保護動作が必要であることを検出した保護回路に対応するパルス信号を、当該保護動作が必要であることを検出している期間継続してアラーム信号として出力するアラーム信号出力回路35と、該アラーム信号出力回路からアラーム信号が出力されたときに、前記設定されたパルス幅に相当する1パルス分を保護動作通知信号として出力する通知信号出力回路36とを備えている。 (もっと読む)


【課題】複数のパワー半導体素子と保護回路部品の実装密度を高め、かつ浮遊インダクタンスを抑制した構造の、高信頼度のパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】リードフレーム51の一方の面に、パワー半導体素子1が直接電気接続され、これに対向するように、リードフレーム51の他方の面に、保護回路素子2が直接電気接続され、パワー半導体素子1を計測する温度センサ23、電流センサ32、電圧センサが、個々のパワー半導体素子に設置されている。電流センサ32は、パワー半導体素子1の電極に電気的に接続された電流端子3に設けられ、電流端子3はリードフレーム52に接続される。温度センサ23は、パワー半導体素子1と保護回路素子2と電流端子3とにより生じる空隙に配置される。 (もっと読む)


【課題】交流電源に不平衡が発生した場合でも安定した制御を実現して高調波補償の信頼性の向上を図ることができる高調波電流補償装置を提供すること。
【解決手段】高調波電流補償装置7は、アーム部18と、三相のAF電流を検出するシャント抵抗12a〜12cと、二相の負荷電流を検出する負荷電流検出器15a,15cと、交流電源1の一つの線間電圧を検出する電源電圧検出器14と、二相の負荷電流と線間電圧と三相のAF電流とに基づいて高調波電流を補償制御する補償制御部16とを備え、補償制御部16は、二相の負荷電流に基づいて当該二相のAF電流指令を生成し、二相のAF電流指令と線間電圧と三相のAF電流とに基づき、交流電源1の不平衡状態を検出してその不平衡の度合いを表す量を算出した後、当該不平衡の度合いを表す量と線間電圧とから不平衡状態に応じた三相の電源電圧を生成する。 (もっと読む)


【課題】VM電位のdv/dtに起因する上アーム電力用スイッチング素子の誤動作を抑制できるレベルシフト回路並びにこれを備えたインバータ装置を提供する。
【解決手段】支持体Si基板上にBOX酸化膜を介しN型Si活性層を形成したSOI基板により構成し、分離酸化膜により分離されN型MOSFETを形成する第1のN型Si活性層、分離酸化膜により分離されP型拡散層による拡散抵抗を形成する第2のN型Si活性層、分離酸化膜により分離され上アーム制御電源の一端側に接続する第4のN型Si活性層から構成され、第1のN型Si活性層を形成する分離酸化膜と第4のN型Si活性層を形成する分離酸化膜は、隣接配置されるとともに、N型MOSFETのドレイン電極と拡散抵抗の第一の電極を接続し、拡散抵抗の第2の電極を上アーム制御電源の他端側に接続した。 (もっと読む)


【課題】定電流制御に異常が生じる場合、スイッチング素子S*#が熱破損するおそれが生じたり、スイッチング状態の切替に伴うサージが過度に大きくなったりするおそれがあること。
【解決手段】電源20から出力される正の電荷は、異常検出用抵抗体22、定電流用抵抗体24および充電用スイッチング素子32を介してスイッチング素子S*#のゲートに充電される。この際、定電流用抵抗体24の電圧降下量が規定値となるように、オペアンプ36によって充電用スイッチング素子32のゲート電圧が操作される。異常検出用抵抗体22の電圧降下量は、充電側異常判断部62に取り込まれ、これに基づき定電流制御の異常の有無が判断される。 (もっと読む)


【課題】本発明では、上記のような問題を解消し、dV/dtによる誤動作を防止しつつも、外部要因に左右されることのない汎用的な誤動作防止機能を有する半導体回路および半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体回路は、ON駆動信号に応答してON駆動電荷を充電するコンデンサ40と、OFF駆動信号に応答してOFF駆動電荷を充電するコンデンサ41と、ON駆動信号に応答して第1トリガー信号を発生させる信号発生回路20と、OFF駆動信号に応答して第2トリガー信号を発生させる信号発生回路21と、第2トリガー信号に応答して、ON駆動電荷を放電する放電回路30と、第1トリガー信号に応答して、OFF駆動電荷を放電する放電回路31とを備える。 (もっと読む)


【課題】定電流回路をドライブIC20によって構成することでドライブIC20の発熱量が大きくなること。
【解決手段】ドライブIC20は、スイッチング素子Sw#をオン状態に切り替えるための電荷をスイッチング素子Sw#のゲートに充電する直流電圧源DC1,DC2,DC3を備える。これら直流電圧源DC1,DC2,DC3の出力電圧V1,V2,V3の間には、「V1<V2<V3」の関係がある。直流電圧源DC1の出力電流を定電流回路SC1によって一定値に制御しつつゲートを充電した後、直流電圧源DC2の出力電流を定電流回路SC2によって一定値に制御しつつゲートを充電し、最後に、直流電圧源DC3の出力電流を定電流回路SC3によって一定値に制御しつつゲートを充電する。 (もっと読む)


【課題】パワー素子にクランプ回路を接続してパワー素子の駆動端子に印加される電圧を所定電圧にクランプするに際し、スイッチング素子を駆動するための定電流の消費電流を削減できる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】クランプ回路50は駆動端子41に接続されており、ドライバ回路30が駆動端子41に定電流を流すことにより駆動端子41に印加される電圧が所定電圧に達すると、駆動端子41に印加される電圧を所定電圧にクランプする。また、ドライバ回路30は、パワー素子40の駆動端子41に定電流を流すことでパワー素子40をオン駆動する。さらに、ドライバ回路30は、駆動端子41に印加される電圧が所定電圧に達した後、駆動端子41に流す定電流の電流量を、駆動端子41に印加される電圧が所定電圧に達するまでに駆動端子41に流す定電流の電流量よりも低減する可変定電流回路32を備えている。 (もっと読む)


【課題】定電流回路を搭載したドライブIC30の汎用性を高めることと小型化とが両立しにくいこと。
【解決手段】抵抗体22は、スイッチング素子Sw#のゲートの充電経路を構成する。スイッチング素子Sw#のゲートに要求される充電速度が大きい場合等には、抵抗体22にスイッチング素子60を直列接続し、スイッチング素子60にスイッチング素子32をダーリントン接続する。オペアンプ34では、抵抗体22の電圧降下量を一定値に制御すべくスイッチング素子32のゲート電圧を操作する。一方、スイッチング素子Sw#のゲートに要求される充電速度が小さい場合等には、スイッチング素子32を抵抗体22に直列接続し、スイッチング素子32のドレインをスイッチング素子Sw#のゲートに接続する。 (もっと読む)


【課題】より高速駆動に対応でき、かつ、消費電流を低減することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】ダーリントン回路によってスイッチングデバイス2を駆動するようにし、ダーリントン回路を構成する第1PchMOSFET5と第2PchMOSFET6のドレインを共にスイッチングデバイス2を構成するIGBTのゲートに接続する。これにより、第2PchMOSFET6の駆動電流もIGBTの駆動に用いることができるため、消費電流を低減できると共に、より大電流でのIGBT駆動が可能になるため高速駆動を行うことができる。また、第2抵抗4と並列的にスイッチ10を備え、このスイッチ10をプルアップ駆動時にオンさせる。これにより、プルアップ駆動時に第1PchMOSFET5のゲート−ソース間の抵抗値を低下させることが可能となり、駆動スピードが低下することを抑制することが可能となる。 (もっと読む)


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