【課題】並列接続された電力用スイッチング素子の特性の差異により生ずるターンオン／オフ動作時間の差に起因する当該並列接続された電力半導体素子間の遮断電流の偏りを緩和し、信頼性を向上させ、電流定格、及び耐圧の低い素子の適用を可能とし、低コスト化を実現する。
【解決手段】図は直流から交流に変換する電力変換装置１相分の回路を示し、電力用スイッチング素子を２並列で用いている回路構成例であり、電力半導体素子６ａ、６ｂの特性に差異があると各々の通電電流はＩＬａ≠ＩＬｂとなるが、６ａ、６ｂの特性に適したゲート電流ＩＧａ、ＩＧｂを流すゲート駆動回路構成を提供とすることで、ターンオン／オフに要する時間に差を緩和しＩＬａ≒ＩＬｂとし、並列接続された一方の電力半導体素子への主回路電流の集中を抑制することが可能となる。図では２並列の例であるが、並列接続数によらず本解決手段は有効である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】電子回路１の半導体素子駆動回路１３は、ゲート抵抗２１と、電圧源２２と、ｄｉ／ｄｔ帰還部２３と、バッファ１１１と、を備えている。バッファ１１１は、従来良く使われる方式であるトランジスタ１１１ｔａ，１１１ｔｂで構成されるＩＧＢＴ駆動用のバッファ回路の少なくとも一部である。ｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、トランス１２１と、抵抗１２２と、を備えている。即ち、トランス１２１が、ｄｉ／ｄｔ検出部及びゲイン部に対応する。なお、電圧源２２とバッファ１１１とを結ぶ経路に抵抗１２２が直列接続され、抵抗１２２の両端が、トランス１２１の２次側に接続されており、当該経路上の抵抗１２２の両端の間が、電圧源に対応する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】電子回路１は、ＩＧＢＴ１１と、ＦＷＤ１２と、半導体素子駆動回路１３と、を備えている。半導体素子駆動回路１３は、ＩＧＢＴ１１のゲート−エミッタ間の電圧Ｖｇｅを可変することによって、ＩＧＢＴ１１のターンオン及びターンオフを制御する。半導体素子駆動回路１３のｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、電子回路１の主電流であるＩＧＢＴ１１のコレクタ電流Ｉｃの時間的変化、即ち時間微分値ｄＩｃ／ｄｔに基づき帰還電圧ＶＦＢを生成し、ＩＧＢＴ１１のゲート−エミッタ間の電圧Ｖｇｅの一部として加算する。 （もっと読む）

【課題】 サージ電圧によってインダイレクトマトリクスコンバータのインバータのスイッチ素子が破壊されることを防止する。
【解決手段】 インダイレクトマトリクスコンバータは、コンバータ２を正極性母線４ｐと負極性母線４ｎとを介してインバータ６に接続してある。正極性母線４ｐにクランプダイオード２８ｕのアノードを接続し、カソードをコンデンサ３０の一端に接続し、コンデンサ３０の他端をクランプダイオード２８ｄのアノードに接続し、カソードを負極性母線４ｎに接続してある。インバータ６のスイッチ素子１６ｕｕ乃至１６ｕｗに上側放電阻止形スナバ回路２０ｕを設け、インバータ６のスイッチ素子１６ｄｕ乃至１６ｄｗに下側放電阻止形スナバ回路２０ｄに設け、上側放電阻止形スナバ回路２０ｕの放電抵抗器２６ｕが、ダイオード２８ｄアノードに接続され、下側放電阻止形スナバ回路２０ｄの放電抵抗器２６ｄが、ダイオード２６ｕのアノードに接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴモジュールを並列接続した構成で、Ｖ_CEを検出して過電流保護（遮断）する場合、配線インダクタンスの影響で、高速で、確実な保護ができない課題がある。
【解決手段】並列接続されたＩＧＢＴモジュール内のＩＧＢＴのＶ_CE検出用のダイオードを各ＩＧＢＴ毎又は複数個に対して1個の割合で接続し、過電流時いずれかのＶ_CEが上昇した場合には並列接続された全てのＩＧＢＴのゲート信号を強制遮断する。 （もっと読む）

【目的】過電流や短絡電流が流れたとき素子を素早く確実にソフト遮断し素子破壊を防止しノイズの発生を抑制できる電力用半導体素子のゲート駆動回路を提供すること。
【解決手段】ゲート駆動回路１００にＩＧＢＴ１のゲート１ｄに蓄積された電荷を速やかに引く抜くｎチャネルＭＯＳＦＥＴでありオン抵抗が小さいＭＳＩＮＫ８と緩やかに引き抜くｎチャネルＭＯＳＦＥＴでありオン抵抗が大きいＭＳＯＦＴ７を設ける。そして、これらのＭＯＳＦＥＴがオンするタイミングをずらすことで、過電流や短絡電流が流れたときＩＧＢＴ１を素早く確実にソフト遮断することができる。その結果、素子破壊の防止とノイズ発生の抑制を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ダイオード内蔵ＩＧＢＴを備えた半導体装置において、ダイオード素子とＩＧＢＴ素子のゲート信号との干渉を回避してダイオードの順方向損失増加を防止する。
【解決手段】メイン用のダイオード素子２２ａに流れる電流を電流検出用のダイオードセンス素子２２ｂおよびセンス抵抗３０にて検出する。他方、フィードバック回路部４０にてセンス抵抗３０の両端の電位差Ｖｓがモニタされると共に、当該電位差Ｖｓに基づいてダイオード素子２２ａに電流が流れているか否かが判定される。そして、ダイオード素子２２ａに電流が流れていると判定された場合、フィードバック回路部４０からＩＧＢＴ素子２１ａの駆動を停止させる停止信号がＡＮＤ回路１０に入力され、ＡＮＤ回路１０にてＩＧＢＴ素子２１ａの駆動が停止される。 （もっと読む）

【課題】一般家庭や車載等で使用される空気清浄機において、商用交流電源でも低圧直流電源でも動作することができ、かつどちらら一方を選択できることを目的とする。
【解決手段】イオンを発生するイオン発生装置２と、イオン発生装置２が内装され空気を通風させる送風手段３と、交流商用電源と直流電源の２系統の電源の入力を有しイオン発生装置２と送風手段３を制御する制御装置１を備えた構成にしたことにより、商用交流電源か低圧直流電源のどちらか片方の電源を選択して動作させることができる空気清浄機を得られる。 （もっと読む）

【課題】メインスイッチＳｍのオン状態への切り替えタイミングが基準タイミングに対して有する遅延時間の制御によってオン状態への切り替えがソフトスイッチングとされるものにあって、メインスイッチＳｍに対するオン状態への切り替え指令と実際のスイッチング状態の切り替わりとの時間差のばらつきによってソフトスイッチングの制御性が低下すること。
【解決手段】メインスイッチＳｍのゲートには、共通抵抗９６、充電用インダクタ９４、充電用抵抗体９２、および充電用スイッチング素子９０を介して電源８８が接続されている。また、メインスイッチＳｍのゲートおよびエミッタ間には、コンデンサ１１０が接続されている。上記時間差の誤差を低減すべく、充電用インダクタ９４のインダクタンスやコンデンサ１１０の静電容量が調節される。 （もっと読む）

【課題】作業者のアームの誤解による電圧検出配線とスイッチング配線の誤配線を検出できる電力変換装置のゲートパルス誤配線検出方法を提供することにある。
【解決手段】複数の半導体素子で形成され、一方端を三相交流電源に接続され、他方端を直流端子として直流端子間に直流コンデンサを接続し、制御装置から半導体素子にゲートパルスを与える配線を備え、一方端の線間または星状にコンデンサを接続し、低減電圧を所定時間印加して直流コンデンサを充電した後、制御装置から半導体素子に所定の複数パターンでゲートパルスを与えてこのときの三相交流の各相電流を検知し、複数パターンでのゲートパルスを与えた半導体素子とこのときの三相交流の各相電流の関係を記憶し、制御装置から半導体素子にゲートパルスを与える配線が健全であるときの記憶された関係と、同じ手順により今回記憶された関係とからゲートパルスを与える配線の誤配線を検知する。 （もっと読む）

【課題】電力算出装置において、系統誤差を排除し、測定に要する手間を削減し、コストを低減する技術を提供する。
【解決手段】直流電源１の出力電流Ｉｄｃの電流値に第１のＡ／Ｄ変換を施して得られるデジタル電流値を出力するデジタル電流値出力部２と、直流電源の出力電圧Ｖｄｃの電圧値に第２のＡ／Ｄ変換を施して得られるデジタル電圧値を出力するデジタル電圧値出力部４と、デジタル電流値及びデジタル電圧値を入力し、デジタル電流値に第１のＤ／Ａ変換を施して得られるアナログ電流値と、デジタル電圧値に第２のＤ／Ａ変換を施して得られるアナログ電圧値とを求め、アナログ電流値とアナログ電圧値とに基づいて直流電源から供給される電力の推定値を算出する電力算出部６とを備え、第１のＤ／Ａ変換は、デジタル電流値出力部の回路構成で決定される第３のＡ／Ｄ変換特性の逆変換である。 （もっと読む）

【課題】 安定した高い信頼性のゲート駆動回路を有する電力変換装置を提供することを達成する。
【解決手段】 半導体スイッチング素子１０によって構成される電力変換装置において、半導体スイッチング素子１０の各々の制御電極を制御する制御回路が、半導体スイッチング素子１０の主電極間に印加される電圧に比例する第一の電圧信号を生成する電圧検出手段２１と、第一の電圧信号の低域信号を取り出して第二の電圧信号を生成する低域通過フィルタ２２と、第一の電圧信号と前記第二の電圧信号との差分を第三の電圧信号として得る減算手段２３と、第三の電圧信号に応じて半導体スイッチング素子１０の制御電極に印加する電圧を調整することで、安定した高い信頼性のゲート駆動回路を有する電力変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】異常停止時においても主素子の逆並列ダイオードを通流させることで、還流ダイオードにおける発熱を抑え、還流ダイオードの冷却が容易にした電力変換装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体スイッチ制御装置は、各相のアーム毎に、主素子３の負極と補助素子５の負極とを接続して主素子の正極を正極端子７とし、補助素子の正極を負極端子８とし、正極端子と負極端子との間に負極端子から正極端子に向かう方向が順方向となるように還流ダイオード４を並列接続した半導体スイッチに対して、主素子と補助素子とをそれぞれ個別にＯＮ／ＯＦＦ制御する。 （もっと読む）

【課題】パルス幅に基づいて複数の保護回路が保護動作状態であるか否かを正確に判別することができる半導体素子の駆動装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置１を構成する半導体素子の保護動作を行う複数の保護回路５１〜５３と、保護回路毎に異なるパルス幅のパルス列信号を設定し、最初に保護動作が必要であることを検出した保護回路に対応するパルス列信号を出力するパルス信号発生回路５５と、スイッチング素子５７がオン・オフ制御されることによりアラーム信号を形成して外部に出力するアラーム信号形成回路４５と、該アラーム信号形成回路のアラーム信号に基づいて保護動作状態であるか否かを判別する保護動作状態判別回路４６と、該保護動作状態判別回路の判別結果に基づいて前記パルス信号発生回路から出力されるパルス列信号を前記アラーム信号形成回路の前記スイッチング素子の制御端子に供給するアラーム制御回路４７とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ｄｖ／ｄｔ印加時に誤動作を防止し且つローサイド側からハイサイド側へ信号を伝達し低電圧でも広い範囲で動作するレベルシフト回路。
【解決手段】ｄｖ／ｄｔ過渡信号が印加され且つ入力信号が入力されないとき第１抵抗R1を含むセット側負荷抵抗R1,R9,MP1のオン抵抗及び第２抵抗Ｒ２を含むリセット側負荷抵抗R2,R10,MP2のオン抵抗を第１抵抗及び第２抵抗よりも小さくし、トランジスタMN3がオンである場合にセット信号を生成し且つセット側負荷抵抗をリセット側負荷抵抗よりも大きくし、トランジスタMN4がオンである場合にリセット信号を生成し且つリセット側負荷抵抗をセット側負荷抵抗よりも大きくする制御部MN1,MN2,MP1,MP2,R1,R2,R9,R10、セット信号とリセット信号とに基づいて入力信号をレベルシフトした出力信号を出力するフリップフロップ12を備える。 （もっと読む）

【課題】ゲートドライブ回路や半導体スイッチに製造ばらつきがあっても、各出力ゲート用電源のトランス出力電圧に大きなばらつきを発生させることなく、寿命および信頼性を改善した高周波交流電源装置を提供すること。
【解決手段】半導体スイッチと、半導体スイッチを駆動するゲート回路と、ゲート回路に電圧源を供給するトランスと、トランスの２次側の巻き線に並列に接続された抵抗とを備えるユニットを複数設け、ユニットの前記半導体スイッチ同士を直列に接続し、ユニットの各トランスの１次側の巻き線を直列に接続して駆動電力を供給することにより、ゲート用電源の出力電圧の安定性を改善した。 （もっと読む）

【課題】ゲート駆動回路の設計を、短ＴＡＴ化する設計支援装置を提供する。
【解決手段】半導体素子のスイッチングを制御するゲート駆動回路に含まれる回路素子のパラメーを用いて前記半導体素子のスイッチング電圧を計算する回路解析部と、前記スイッチング電圧によって前記ゲート駆動回路を搭載するシステムに発生する電磁放射ノイズを計算する電磁界解析部と、前記電磁放射ノイズが目標値に収まっているか否か判定する第１の判定部と、前記電磁放射ノイズが目標値に収まっていない場合に、前記電磁放射ノイズを抑制するように前記回路素子のパラメータを改良する第１の回路改良部と、前記改良したパラメータを用いて前記回路解析部が計算したスイッチング電圧に基づいて電磁放射ノイズを推定するノイズ推定部と、を備え、中央処理装置が、前記回路素子のパラメータを最適化する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴがスイッチング動作することにより生じるノイズ電流によりゲート駆動ケーブルから発生される放射ノイズを低減する。
【解決手段】ゲート駆動ケーブル５６を構成する、ＩＧＢＴのゲート端子及びゲート駆動回路５７間を接続する信号線ｍ１とエミッタ端子及びゲート駆動回路５７間を接続する信号線ｍ２とにコモンモードリアクトル１１を介挿し、且つコモンモードリアクトル１１をＩＧＢＴ近傍に配置する。ＩＧＢＴがスイッチング動作することにより生じたノイズ電流はゲート駆動ケーブル５６に流れるが、ＩＧＢＴ近傍に設けられたコモンモードリアクトル１１で低減されるため、ゲート駆動ケーブル５６に流れるノイズ電流を低減することができる。そのため、ノイズ電流が流れることによりゲート駆動ケーブル５６から発生される放射ノイズを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体の温度を決定するための方法を提供する。
【解決手段】パワー半導体１２の温度を決定するための方法において、第１の制御コンタクト２２ａが、パワー半導体１２に集積された直列抵抗器１４の第１の極に接続され、直列抵抗器１４の、パワー半導体１２へ延びている第２の極が、第２の制御コンタクト２２ｂに接続され、第１の制御コンタクト２２ａおよび第２の制御コンタクト２２ｂが、それぞれのボンディングワイヤ１６を介して、第１の接続端子２４ａおよび第２の接続端子２４ｂに接続され、直列抵抗器１４の抵抗値Ｒ_Ｖが、２つの接続端子２４ａ、ｂ間の電気測定によって決定され、直列抵抗器１４の抵抗値Ｒ_Ｖおよび温度−抵抗特性曲線に基づいて、直列抵抗器１４の温度が、パワー半導体１２の温度として決定される。 （もっと読む）

【課題】電力伝送効率が良く、より小型化できるスイッチング素子駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子１０２のゲート信号を発生させる制御演算装置１０１と、スイッチング素子と制御演算装置との絶縁を確保するトランス１１０と、第１の周波数とより速い第２の周波数の信号を発生する発振装置１０５，１０７と、ゲート信号の立ち上がり及び立ち下りの瞬間に一定時間だけ第１の周波数から第２の周波数に変化させた交流信号を出力する交流周波数変更手段１１１と、第１の周波数を第１のゲインにて変圧し、第２の周波数をより大きな第２のゲインで変圧して出力する共振回路１１０，１０９と、交流信号の振幅変化に従ってゲート信号の立ち上がり及び立ち下がりを復調して復調ゲート信号を出力する復調回路１３２，１３３，１３４と、復調ゲート信号によりスイッチング素子のゲートをオン／オフ駆動するゲートドライブ回路１４２，１４３を備えている。 （もっと読む）