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Fターム[5H740BA11]の内容

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【課題】主素子の出力静電容量の増大を防止し、接合容量充電電流に起因するターンオン損失を抑制する半導体スイッチを提供する。
【解決手段】逆導通性能を有し、高耐圧な電圧駆動型スイッチング素子である主素子1と、主素子1に比べ耐圧が低い逆流防止素子3と、主素子1の負極と逆流防止素子3の負極とを接続して主素子1の正極を正極端子とし、逆流防止素子3の正極を負極端子とし、正極端子と負極端子間に負極端子から正極端子に向かう方向が順方向となるように接続し、主素子1と同等の耐圧を有する高速還流ダイオード4と、主素子1の正極に正電圧が印加される方向に接続し、少なくとも主素子1の耐圧より低い電圧パルスを発生するとともに主素子1又は逆流防止素子3がオフする時期と略同期して電圧パルスを出力する予備電圧印加回路5と、を備えた半導体スイッチ。 (もっと読む)


【課題】製造し易い高耐圧素子を使用し、且つ、インピーダンスのバラツキを考慮しなくても良い過電圧保護回路。
【解決手段】制御信号によりスイッチング素子Q1を駆動する駆動部10と、スイッチング素子のドレインとソースとの間に接続され、コンデンサC2と抵抗R1とが直列に接続された微分回路と、抵抗R1の両端に接続され、抵抗R2とコンデンサC3とが直列に接続された積分回路と、コンデンサC3の電圧が基準電圧以上となった場合にドレイン及びソース間の電圧が所定電圧以上になったと判定し、スイッチング素子をオンさせてドレイン及びソース間の電圧をクランプさせる過電圧保護部A1,R3,C4とを備える。 (もっと読む)


【課題】スイッチング損失、ダイオードの逆回復損失及びサージ電圧を抑制する仕組みを備えた電力変換回路を新たに提供する。
【解決手段】充電回路のDC−DC変換部に適用すべく、制御手段6がスイッチング素子SW1〜SW4に対しPWM制御を行うことで電力変換を行い、出力に回生スナバ回路4を備えた電力変換回路7において、前記制御手段6が回生スナバ回路4からの帰還電流によりスイッチング素子における電流値が低減された期間にスイッチング素子をオフするソフトスイッチングを実現するように構成したため、スイッチング損失を低減することができる。また、回生スナバ回路4が電力損失なくサージ電圧を抑制すると同時に、理想的にはダイオードD1〜D4の逆回復損失を0とすることができる。 (もっと読む)


【課題】電源電圧を安定化して、高周波駆動に対応可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】複数のハイサイドトランジスタユニットmhは、各相ごとに設けられ、対応する相の出力端子OUTと上側電源ラインLPの間に、電気的に並列に、かつ制御端子が独立して設けられる。複数のハイサイドゲートドライブ回路10H_U1〜U3は、対応する複数のハイサイドトランジスタユニットmhu1〜3にゲートドライブ信号を出力する。複数のハイサイド電源回路14H_U1〜U3は、対応するハイサイドゲートドライブ回路10H_U1〜U3に電源電圧VDDH_U1〜U3を供給する。下側アームについても同様に、複数のローサイドトランジスタユニットに分割される。 (もっと読む)


【課題】指令制御装置の出力した駆動指令信号に関連する回路が誤動作した場合でもアーム短絡を抑止でき、かつ誤動作したことを検知する電力変換回路を提供する。
【解決手段】直列接続された第1、第2スイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動制御する第1、第2駆動制御装置と、駆動制御装置に指令を与える指令制御装置からなる電力変換装置であって、前記駆動制御装置は、指令制御装置の指令信号と他の駆動制御装置の出力するインターロック信号を演算する駆動回路と、スイッチング素子の導通状態を判定する状態判定回路と、指令信号と他の駆動制御装置のインターロック信号と状態判定回路の出力の少なくとも1つを入力するインターロック信号生成回路と、前記指令信号とインターロック信号と状態判定回路の出力の少なくとも2つを入力するフィードバック信号生成回路とを備え、フィードバック信号生成回路の出力を指令制御装置に供給する。 (もっと読む)


【課題】電圧偏差量または電位量をフィードバックすることなく、複数直列接続された各半導体スイッチング素子の電圧分担を均等化させる。
【解決手段】電圧検出回路7により、直列接続された2つの半導体スイッチング素子A,Bの電圧を、そのうちの片方の半導体スイッチング素子Aの電位を基準にして検出し、比較器10において、半導体スイッチング素子A,Bの電圧を比較し、電圧偏差極性信号をフィードバックする。タイミング制御演算回路12により、1回のスイッチング毎に、前記電圧偏差極性信号に基づいて制御方向を決定し、次回のスイッチング時のゲート信号に対する制御量に対して、決定した制御方向に固定値の制御量を加算し、加算後の制御量を出力すると共に、その加算後の制御量を保持する。そして、タイミング制御回路13により、前記制御量に基づいて、ゲート信号の変化のタイミングを調整する。 (もっと読む)


【課題】電力損失が少なく、低コストなスイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子の駆動回路は、電源と、前記電源の正極性端子とスイッチング素子の制御端子との間に挿入される第1スイッチと、前記電源の負極性端子と前記スイッチング素子の制御端子との間に挿入される第2スイッチと、前記スイッチング素子の電流出力端子に一端が接続される第3スイッチと、前記スイッチング素子の前記電流出力端子に一端が接続される第4スイッチと、前記第3スイッチの他端に高電位側の端子が接続され、前記第4スイッチの他端に低電位側の端子が接続される電圧出力部とを含む。 (もっと読む)


【課題】パワー半導体スイッチング素子とユニポーラ型ダイオードとを並列接続したスイッチング回路(インバータ装置)において、リンギングによるノイズの低減化を図る。
【解決手段】主回路19に流れる主回路電流が所定値以下のときは、Si−IGBT12はゲート抵抗12gによってスイッチング駆動する。ここで、主回路電流検出カレントトランス18が検出した主回路電流が閾値以上になると、主回路電流検出回路50は、ゲート抵抗切替用pMOS33をONからOFFにする。これにより、Si−IGBT12はゲート抵抗12gとゲート抵抗31の和で動作する。すなわち、Si−IGBT12のゲート駆動回路のゲート抵抗値を大きくなる。これにより、Si−IGBT12のコレクタ−エミッタ間電圧のdv/dt、つまり、ユニポーラ型ダイオード14のリカバリdv/dtが小さくなるのでリンギングによるノイズを低減させることができる。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子のゲート電圧閾値が変動しても、スイッチング素子が十分な放電能力を発揮できる、電力変換装置を提供すること。
【解決手段】ハイサイドのスイッチング素子Q1とローサイドのスイッチング素子Q2が直列に接続された直列回路11を備え、スイッチング素子Q1,Q2が両サイドとも重複してオンすることで、直列回路11に接続されるコンデンサ12を放電させる電力変換装置であって、スイッチング素子Q1、Q2に所定の電流値が流れるゲート電圧を測定し、コンデンサ12を放電させるとき、測定したゲート電圧測定値にスイッチング素子Q1のゲート電圧を制御する制御部とを備えることを特徴とするもの。 (もっと読む)


【課題】スイッチング周波数が高くても、適切にトランジスタの保護を行うことが可能なトランジスタ保護回路を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るトランジスタ保護回路10は、駆動回路30によって電源40の高電位側電圧または低電位側電圧がゲート端子に印加されて、スイッチング制御される電圧駆動型のトランジスタ20の保護を行うためのトランジスタ保護回路である。このトランジスタ保護回路10は、トランジスタ20の保護を実行する保護指令を受けたときに、電源40の高電位側電圧を次第に低下させる電源制御部12を備える。 (もっと読む)


【課題】電圧制御形の駆動対象スイッチング素子を駆動して且つ集積回路を備える新たな駆動回路およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電圧制御形の駆動対象スイッチング素子を駆動して且つ集積回路を備える駆動回路において、前記駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子に電荷を充電するための充電経路を備え、前記集積回路には、電流量を規制する内側流通規制要素と、前記充電経路を介した電流の流通および遮断を制御する制御手段と、前記制御手段の出力端子を前記集積回路内の部材に接続することで前記内側流通規制要素を前記充電経路として用いるか前記集積回路の備える外部出力端子に接続するかを切り替える切替回路と、前記集積回路の外部入力端子からの信号に基づき前記切替回路を操作することで前記切り替えを行う操作手段とを備えることを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子をオフするように制御しているにもかかわらず、オフできない異常状態を検出し、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】IGBT110dに流れる電流が電流閾値より大きくなると、電流検出回路125は、IGBT110dに電流が流れていると判断する。制御回路128は、駆動信号がIGBT110dのオフを指示しているにもかかわらず、電流検出回路125がIGBT110dに電流が流れていると判断すると、IGBT110dをオフできない異常状態にあると判断する。そして、オフ保持用FET123aをオンする。その結果、IGBT110dのゲートから電荷が放電され、IGBT110dがオフする。そのため、駆動信号がIGBT110dのオフを指示しているにもかかわらず、IGBT110dをオフできない異常状態を検出し、IGBT110dの熱破壊を防止できる。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子を誤動作させずに高速低損失動作が可能なゲート駆動回路を部品点数の少ない簡易な回路を提供する。
【解決手段】ローサイドゲート駆動回路2から正極性の電圧が出力されるとハイサイドゲート駆動回路1は0Vを維持または負極性の電圧を出力し、ローサイドゲート駆動回路2からの出力が0Vまたは負極性の電圧を出力する時はハイサイドゲート駆動回路1から正極性の電圧が出力されるように制御を行なう。ハイサイドスイッチング素子5のゲート・ソース間にNchノーマリーオン型補助スイッチング素子13のドレイン・ソースを接続し、トランス15の1次側をゲート駆動回路1の出力に接続し、2次側をNchノーマリーオン型スイッチング素子13のゲート・ソース間に接続し、ローサイドスイッチング素子6側もトランス及びNchノーマリーオン型スイッチング素子をハイサイドと同様に接続して電力変換回路を構成する。 (もっと読む)


【課題】逆導通IGBTに内蔵されたダイオードで発生するリカバリ電流を低減させる。
【解決手段】逆導通IGBTに内蔵されているダイオードに順方向電流が流れている間に、逆導通IGBTのゲート−エミッタ間にゲート閾値電圧よりも低い電圧を印加することで、逆導通IGBTのドリフト領域への正孔の注入を抑制し、リカバリ電流を低減させる。 (もっと読む)


【課題】交流電源の電圧波形が変動する場合でも当該変動に対応した位相制御を行い、不具合の生じにくい位相制御を行えるようにすること。
【解決手段】交流電源400から供給される交流電力を用いて位相制御を行う電力制御方法であって、交流電圧Vの絶対値が所定の値以下であることに対応して第1レベルを示し交流電圧の絶対値が所定の値より大きいことに対応して第2レベルを示すゼロクロス信号Szを生成し、このゼロクロス信号Szにおける、交流電圧Vの絶対値が所定の値以下である際の時間幅であるゼロクロス幅および交流電圧の絶対値が所定の値以上である際の時間幅である非ゼロクロス幅を検出し、検出したゼロクロス幅および検出した非ゼロクロス幅に基づいて、交流電圧Vの周波数および電圧値を検出し、検出した交流電圧Vの周波数および電圧値に応じて位相制御を行う。 (もっと読む)


【課題】パワー半導体素子のコントロールコンタクトとメインコンタクトとの間のショート回路が、システム全体の全体的な安定性および/または制御性に影響しないような、複数のパワー半導体素子(例えばIGBT)のコントロールコンタクトを駆動するためのシステムを提供する。
【解決手段】複数のパワー半導体素子のためのコントロールコンタクト駆動システムは、パワー半導体素子のコントロールコンタクトをプルアップおよび/またはプッシュダウンするための参照電流を提供するのに適した電流ドライバユニット1と、パワー半導体素子のコントロールコンタクトへの参照電流を増幅および/または分配するのに適した電流ディストリビュータユニット3とを具備する。 (もっと読む)


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