【課題】半導体装置の故障に繋がるような特性劣化を検出することができる半導体装置、及び半導体装置の特性劣化検出方法を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置（ＩＰＤ）１は、ＩＰＤ１の初期特性値に基づき定められた設定値を記憶する設定値記憶部３と、所定のタイミングにおけるＩＰＤ１の特性値と設定値記憶部３に記憶された設定値とに基づき、ＩＰＤ１の特性劣化を検出する検出回路４と、を備える。また、本発明にかかる半導体装置（ＩＰＤ）１の特性劣化検出方法は、初期特性値に基づき定められた設定値を記憶し、所定のタイミングにおけるＩＰＤ１の特性値と記憶された設定値とに基づき、ＩＰＤ１の特性劣化を検出する。 （もっと読む）

【課題】損失を抑えつつ、負電圧を印加することによるスイッチング素子のターンオフを行う電力変換器を提供する。
【解決手段】ハイサイド駆動回路１１１ａ及びローサイド駆動回路１３１ａは、第二電源１４０と、第一コンデンサ１１１ｃ及び第一ダイオード１１１ｄからなるブートストラップ回路とにより常時正電圧が印加され、ハイサイド駆動回路１１１ａは、第一電源１１１ｂにより常時負電圧が印加される。また、ハイサイド素子１１０がＯＦＦ、ローサイド素子１３０がＯＮである間は、第一電源１１１ｂにより、ローサイド駆動回路１３１ａへの負電圧の印加と、第二コンデンサ１４１への充電が行われる。そして、ハイサイド素子１１０がＯＮ、ローサイド素子１３０がＯＦＦである間には第二コンデンサ１４１が放電され、ローサイド駆動回路１３１ａに負電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】電源として燃料電池を用いた場合であっても、追従性よく直流電力を負荷機器に供給し、最終的には環境負荷も低減する。
【解決手段】監視装置７の負荷電流検出部７０は負荷電流Ｉ_Ｌを検出する。負荷電流Ｉ_Ｌが変化したと判定部７２で判定されると、制御部７３は、第２の期間が経過するまで、燃料電池１６３が接続されている第２の電源機器６（ＦＣコンバータ６ｃ）の出力電流Ｉｏ２（Ｉｏｃ）を一定にする。このとき、商用電源ＡＣが接続されている第１の電源機器５の出力電流Ｉｏ１が負荷電流Ｉ_Ｌの変化に追従する。第２の期間が経過した後、制御部７３は、第１の期間が経過するまでに、出力電流Ｉｏｃが負荷電流Ｉ_Ｌの変化に追従するような指示値をＦＣコンバータ６ｃに送信する。ＦＣコンバータ６ｃは、制御部７３から指示値を受け取ると、調整手段を用いて出力電流−出力電圧特性をシフトし、指示値通りの出力電流Ｉｏｃを直流機器１０２に供給する。 （もっと読む）

【課題】貫通電流を防止する。
【解決手段】ローサイドオフ検出回路１０は、ローサイドトランジスタＭ２のゲート信号ＳＧ_Ｌを所定の第１レベルＴＨ_Ｌと比較することによって、ローサイドトランジスタＭ２がオフしたことを示すローサイドオフ検出信号Ｓ１を生成する。ローサイド検出トランジスタＭＳ_Ｌは、ローサイドトランジスタＭ２と同型であり、そのソースが接地端子１０８に接続され、そのゲートにローサイドトランジスタＭ２のゲート信号ＳＧ_Ｌを受ける。第１抵抗Ｒ１１は、ローサイド検出トランジスタＭＳ_Ｌのドレインと電源端子１０６の間に設けられる。第１バイパス回路１２は、第１抵抗Ｒ１１と並列に設けられ、制御信号Ｓ_ＩＮがローサイドトランジスタＭ２のオフを指示するレベルをとるときに導通し、オンを指示するレベルをとるとき遮断する。ローサイド検出トランジスタＭＳ_Ｌのドレインの信号が、ローサイドオフ検出信号Ｓ１として出力される。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動素子のスイッチ時のサージ電圧とリンギングを抑制して、ノイズ放射による誤動作を防止する。
【解決手段】電圧駆動素子であるＩＧＢＴ（Ｑ１１）に、誘導性負荷Ｌ１１とユニポーラ型の還流ダイオードＤ１２が接続されている。Ｑ１１のターンオフ時に、Ｑ１１のコレクタからコンデンサＣ１１とダイオードＤ１１及び抵抗Ｒ１９を介して、ベース抵抗Ｒ１２へ電流が流れ、ベース抵抗Ｒ１２で電圧が発生し、ＰＮＰトランジスタＱ１２のベース電圧Ｖｂは上昇する。この電圧上昇速度は、コンデンサＣ１１とベース抵抗Ｒ１２及び抵抗Ｒ１９によって決まる時定数により決定され、上昇電圧はベース抵抗Ｒ１２と抵抗Ｒ１９で分圧される。これによりＱ１２のベース電圧Ｖｂの変化速度、即ちＱ１１のゲート電圧Ｖｇの変化速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で半導体スイッチの誤オンを防止することができるスイッチング素子駆動回路および該スイッチング素子駆動回路を備える電力変換装置を提供する。
【解決手段】半導体スイッチ７をオンする際、パルス電圧源１から正の電圧をトランス２に印加し、この電圧を半導体スイッチ７のゲートに印加することで、半導体スイッチ７のゲート・ソース間の寄生容量７ａを充電する。パルス電圧源１から負の電圧をトランス２に印加すると、放電回路を構成するトランジスタ６がオンして半導体スイッチ７のゲート・ソース間の寄生容量７ａの電荷が放電され、半導体スイッチ７がターンオフする。その後、短絡回路を構成する短絡スイッチ８がオンして半導体スイッチ７のゲート・ソース間を短絡する。 （もっと読む）

【課題】電力損失の少ない磁気エネルギー回生スイッチ装置、磁気エネルギー回生スイッチ制御方法、及び、プログラムを提供する。
【解決手段】磁気エネルギー回生スイッチ装置１は、フルブリッジ型ＭＥＲＳ１００と、制御回路２００と、コンデンサＣＭと、から構成される。フルブリッジ型ＭＥＲＳ１００は逆導通型半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ４がブリッジ接続され、直流端子ＤＣ間にコンデンサＣＭが接続される。逆導通型半導体スイッチＳＷ１乃至４は制御回路２００によってＯＮ・ＯＦＦを制御される。制御回路２００は、逆導通型半導体スイッチＳＷ２，３をＯＮし、逆導通型半導体スイッチＳＷ２，３をＯＮした後に逆導通型半導体スイッチＳＷ１，４をＯＮする。また、制御回路２００は逆導通型半導体スイッチＳＷ２，３をＯＦＦし、逆導通型半導体スイッチＳＷ２，３をＯＦＦした後に逆導通型半導体スイッチＳＷ１，４をＯＦＦする。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング損失を抑制しつつ、広い帯域に存在する高調波周波数成分を低減できるスイッチング回路およびスイッチング回路の制御方法の提供。
【解決手段】 スイッチング回路1は、狙いとするノイズ低減帯域を２つの帯域に分割して両帯域の高調波周波数成分を小さくする最適波形をそれぞれ生成し、生成した２つの最適波形を１パルス毎に切り替えてパワートランジスタM1を駆動する規範電圧波形生成部3を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子の発熱を抑制して小型化を図りつつ、開閉タイミングを正確に制御して、調光制御等の高度な負荷制御を行うことができる負荷制御装置を提供する
【解決手段】操作部２８に入力された操作に応じて、制御部１３が交流電源の１／２周期のうちトランジスタ構造の主開閉部１１を導通させるために計数される主開閉部導通時間を設定し、電圧検出部１８が第３電源部１６に入力される電圧が所定の閾値に達したときから計数される第１所定時間と、主開閉部導通時間とが重複している時間だけ、主開閉部１１を導通させることにより調光制御する。 （もっと読む）

【課題】 受信機が受信するノイズを低減することができるスイッチング回路を提供すること。
【解決手段】 パワートランジスタＭ１を駆動して負荷５を作動させる駆動電圧波形を生成するスイッチング回路１において、ラジオ受信機７が受信している送信局の周波数を検出する受信周波数検出部３３と、負荷５を制御する制御パルスを生成する制御パルス生成部と、駆動電圧の変位により生じる高調波のスペクトル包絡線の谷部が、ラジオ受信機７が受信している送信局の周波数を含むように駆動電圧波形の立ち上がり部分と立ち下がり部分の波形を生成する最適波形記憶部３２と、最適波形記憶部３２が生成した駆動電圧波形の立ち上がり部分と立ち下がり部分の波形を、制御パルスに適用して駆動波形を生成する波形生成部３１とを備えた。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失低減のためにゲート抵抗を小さくすると、ゲート・ソース間電圧が振動しスイッチング素子が誤動作すること、ゲート駆動回路用電源が大型になることなどが問題となる。
【解決手段】トランス６ａとコンデンサ７の直列回路をスイッチング素子と並列に接続し、前記トランスと磁気結合した第１の巻線を第１のダイオード８を介して前記スイッチング素子の正極端子とゲート端子との間に、前記トランスと磁気結合した第２の巻線を第２のダイオード９を介して前記スイッチング素子の負側端子とゲート端子との間に、各々接続する。 （もっと読む）

【課題】第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子との接続部に負電圧が発生することを防止し、絶縁を不要としパワーモジュールへの適用を可能にしてインバータ回路を構成する部品点数の削減、基板実装面積の低減を図ることのできる電力変換装置を提供する。
【解決手段】上相スイッチング素子２と下相スイッチング素子３とからなる半導体スイッチ１を備える電力変換装置Ｓであり、下相スイッチング素子３は第１のスイッチング素子４と第２のスイッチング素子５とからなり、両者の負極を接続し、前者の正極を正極端子８、後者の正極を負極端子９とし、正極端子８と負極端子９との間に並列に接続される高速環流ダイオード７と、上相スイッチング素子２がオン中に第２のスイッチング素子５をオンさせ、上相スイッチング素子２のオフ中は第２のスイッチング素子５のオンを継続させる駆動信号を出力するロジック回路１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 簡単な回路構成で、素子の大きさを小さくすることができ、かつ負荷が短絡したとき、その素子の破壊を防止することができる出力遮断回路および電子機器を提供する。
【解決手段】 時刻ｔ１に負荷が地絡し、出力電流Ｉｏｕｔが増大すると、電流検出用抵抗Ｒｓでの電圧降下が増加し、トランジスタＱ２がオンとなる。トランジスタＱ２は、直流電源１１から供給される電流をコレクタ電流Ｉｃとしてゲート抵抗Ｒｇに流し、ゲート電圧ＶＧを上昇させ、出力電流Ｉｏｕｔを制限電流値Ｉｌｉｍで制限する。ゲート抵抗Ｒｇを流れる電流の一部がタイマ用コンデンサＣ１を充電し、トランジスタＱ３のベース電圧が上昇すると、トランジスタＱ３はオンになる。トランジスタＱ３がオンになると、トランジスタＱ２はフルオン状態となり、トランジスタＱ１のゲートソース間の電圧がほぼ０Ｖとなり、トランジスタＱ１はオフし、シャットダウン状態となる。 （もっと読む）

【課題】 ノイズによる誤動作や短絡を防止して安全に駆動できるゲート駆動回路を有する電力変換装置をより少ない部品と簡単な構成で実現する。
【解決手段】 上側スイッチング素子（１−ＳＷ２）を駆動する上側ゲート駆動回路（１−Ｇ２）と、下側スイッチング素子（１−ＳＷ１）を駆動する下側ゲート駆動回路（１−Ｇ１）と、を有する電力変換装置に、前記上側ゲート駆動回路については負電圧電源回路（１−Ｅ３）を備え、前記下側ゲート駆動回路については負電圧電源を作り出す下側ブートストラップ回路（１−Ｂ２）を備えた。 （もっと読む）

【課題】パワーシステムの入力端子間のキャパシタンスを放電するための回路を開示する。
【解決手段】例示的な回路は、パワーシステムの入力に結合された制御回路を含む。制御回路は、電気エネルギ源がパワーシステムの入力に結合されたかどうかを検出するために結合される。スイッチも含まれており、スイッチは、制御回路およびパワーシステムの入力に結合される。制御回路は、電気エネルギ源がパワーシステムの入力に結合される第１の動作モードにおいてスイッチを駆動するように結合される。制御回路は、電気エネルギ源がパワーシステムの入力から分離される第２の動作モードにおいてスイッチを駆動するように結合される。パワーシステムの入力の入力端子間に結合されたキャパシタンスは、電気エネルギ源がパワーシステムの入力端子から分離されたときから最大期間未満の期間のうちに、スイッチによってしきい電圧に放電される。 （もっと読む）

【課題】隣接するパワー半導体素子からの伝熱の影響を受けても寿命であるとの誤認識を防止することができるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】パワー半導体素子であるＩＧＢＴ２の表面中央部および表面周辺部の２箇所にダイオード６ａ，６ｂを取り付けてそれらの温度を検出し、温度勾配監視手段７が表面中央部の温度と表面周辺部の温度との温度勾配（温度差）を監視する。動作状態検出手段８がＩＧＢＴ２の動作状態、すなわち、オン状態かオフ状態かを検出し、素子電流検出手段９がＩＧＢＴ２の大電流動作を検出し、寿命推定手段１０は、動作状態検出手段８がＩＧＢＴ２のオン状態を検出し、素子電流検出手段９がＩＧＢＴ２の大電流動作を検出しているときだけ、温度勾配監視手段７の監視結果に基づいた寿命の推定を行う。これで、寿命推定時に、他のパワー半導体素子からの熱の影響による誤認識を防止できる。 （もっと読む）

【課題】電力変換器を構成する電力半導体スイッチ素子のスイッチング損失を大幅に増加させることなく、その過電圧保護が可能なスナバ回路を提供する。
【解決手段】電力変換器を構成する電力半導体スイッチ素子4に対し、逆直列接続したツェナーダイオード91,92とコンデンサ10との直列接続回路を並列に接続することにより、素子4のターンオフ時のサージのみならずダイオード5の逆回復時のサージをも抑制可能にする。これにより、小型で低損失のシステムが構築可能となる。 （もっと読む）

【課題】部品点数を減らすことでコストを低減し、且つ、変換効率が向上する。
【解決手段】スイッチング電源装置１は、ＭＯＳＦＥＴＱ２を含むフライバック方式のスイッチング回路１３と、ＭＯＳＦＥＴＱ１を含む共振フォワード方式のスイッチング回路１７と、絶縁トランスＴ１と、２次側回路１９と、制御部１６とを有する。絶縁トランスＴ１の第２の１次側巻き線３２の端子間には、直列にダイオードＤ２及び平滑コンデンサＣ２が接続されている。制御部１６は、第２の１次側巻き線３２に接続されており、平滑コンデンサＣ２間に発生した電圧により駆動する。また、フライバック方式のスイッチング回路１３のグランド配線４１と共振フォワード方式のスイッチング回路１７のグランド配線４２は短絡している。 （もっと読む）

【課題】検出精度のよい過熱保護回路を備えた電源用集積回路を提供すること。
【解決手段】ゲート端子とドレイン端子を接続し、弱反転領域で動作する第一ＭＯＳトランジスタと、ゲート端子を第一ＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続し、第一ＭＯＳトランジスタと同一導電型であり、弱反転領域で動作する第二ＭＯＳトランジスタと、第二ＭＯＳトランジスタのソース端子に接続された第一抵抗素子とを備えた電流発生回路の電流によって得られる、正の温度特性を有する基準電圧と、負の温度特性を有する温度電圧とをコンパレータで比較する構成とした。 （もっと読む）

【課題】 電力用半導体をターンオフするために負電圧の電源を用いない単純な構成で、ゲート閾値電圧が低い電力用半導体素子でも、高速かつ確実に遮断させることを目的とする。
【解決手段】 主端子と制御基準端子と制御端子とを有しこの制御端子と制御基準端子との間に充電される電荷を制御して主端子と制御基準端子との間を流れる電流を制御するよう構成された電力用半導体を駆動する電力用半導体の駆動回路において、電源端子とグランド端子とを有する電源を備え、電源端子と制御端子の間に充電用制御回路を、制御基準端子とグランド端子の間に充電用スイッチを、電源端子と制御基準端子の間に放電用制御回路を、制御端子とグランド端子の間に放電用スイッチを、設けた。 （もっと読む）