説明

Fターム[5H740BA12]の内容

電力変換一般 (12,896) | 主回路スイッチング素子 (1,744) | トランジスタ (1,563) | 電界効果トランジスタ(FET) (722)

Fターム[5H740BA12]に分類される特許

201 - 220 / 722



【課題】損失を抑えつつ、負電圧を印加することによるスイッチング素子のターンオフを行う電力変換器を提供する。
【解決手段】ハイサイド駆動回路111a及びローサイド駆動回路131aは、第二電源140と、第一コンデンサ111c及び第一ダイオード111dからなるブートストラップ回路とにより常時正電圧が印加され、ハイサイド駆動回路111aは、第一電源111bにより常時負電圧が印加される。また、ハイサイド素子110がOFF、ローサイド素子130がONである間は、第一電源111bにより、ローサイド駆動回路131aへの負電圧の印加と、第二コンデンサ141への充電が行われる。そして、ハイサイド素子110がON、ローサイド素子130がOFFである間には第二コンデンサ141が放電され、ローサイド駆動回路131aに負電圧が印加される。 (もっと読む)


【課題】電源として燃料電池を用いた場合であっても、追従性よく直流電力を負荷機器に供給し、最終的には環境負荷も低減する。
【解決手段】監視装置7の負荷電流検出部70は負荷電流Iを検出する。負荷電流Iが変化したと判定部72で判定されると、制御部73は、第2の期間が経過するまで、燃料電池163が接続されている第2の電源機器6(FCコンバータ6c)の出力電流Io2(Ioc)を一定にする。このとき、商用電源ACが接続されている第1の電源機器5の出力電流Io1が負荷電流Iの変化に追従する。第2の期間が経過した後、制御部73は、第1の期間が経過するまでに、出力電流Iocが負荷電流Iの変化に追従するような指示値をFCコンバータ6cに送信する。FCコンバータ6cは、制御部73から指示値を受け取ると、調整手段を用いて出力電流−出力電圧特性をシフトし、指示値通りの出力電流Iocを直流機器102に供給する。 (もっと読む)


【課題】貫通電流を防止する。
【解決手段】ローサイドオフ検出回路10は、ローサイドトランジスタM2のゲート信号SGを所定の第1レベルTHと比較することによって、ローサイドトランジスタM2がオフしたことを示すローサイドオフ検出信号S1を生成する。ローサイド検出トランジスタMSは、ローサイドトランジスタM2と同型であり、そのソースが接地端子108に接続され、そのゲートにローサイドトランジスタM2のゲート信号SGを受ける。第1抵抗R11は、ローサイド検出トランジスタMSのドレインと電源端子106の間に設けられる。第1バイパス回路12は、第1抵抗R11と並列に設けられ、制御信号SINがローサイドトランジスタM2のオフを指示するレベルをとるときに導通し、オンを指示するレベルをとるとき遮断する。ローサイド検出トランジスタMSのドレインの信号が、ローサイドオフ検出信号S1として出力される。 (もっと読む)


【課題】電圧駆動素子のスイッチ時のサージ電圧とリンギングを抑制して、ノイズ放射による誤動作を防止する。
【解決手段】電圧駆動素子であるIGBT(Q11)に、誘導性負荷L11とユニポーラ型の還流ダイオードD12が接続されている。Q11のターンオフ時に、Q11のコレクタからコンデンサC11とダイオードD11及び抵抗R19を介して、ベース抵抗R12へ電流が流れ、ベース抵抗R12で電圧が発生し、PNPトランジスタQ12のベース電圧Vbは上昇する。この電圧上昇速度は、コンデンサC11とベース抵抗R12及び抵抗R19によって決まる時定数により決定され、上昇電圧はベース抵抗R12と抵抗R19で分圧される。これによりQ12のベース電圧Vbの変化速度、即ちQ11のゲート電圧Vgの変化速度を制御する。 (もっと読む)




【課題】 スイッチング損失を抑制しつつ、広い帯域に存在する高調波周波数成分を低減できるスイッチング回路およびスイッチング回路の制御方法の提供。
【解決手段】 スイッチング回路1は、狙いとするノイズ低減帯域を2つの帯域に分割して両帯域の高調波周波数成分を小さくする最適波形をそれぞれ生成し、生成した2つの最適波形を1パルス毎に切り替えてパワートランジスタM1を駆動する規範電圧波形生成部3を備える。 (もっと読む)


【課題】スイッチ素子の発熱を抑制して小型化を図りつつ、開閉タイミングを正確に制御して、調光制御等の高度な負荷制御を行うことができる負荷制御装置を提供する
【解決手段】操作部28に入力された操作に応じて、制御部13が交流電源の1/2周期のうちトランジスタ構造の主開閉部11を導通させるために計数される主開閉部導通時間を設定し、電圧検出部18が第3電源部16に入力される電圧が所定の閾値に達したときから計数される第1所定時間と、主開閉部導通時間とが重複している時間だけ、主開閉部11を導通させることにより調光制御する。 (もっと読む)


【課題】 受信機が受信するノイズを低減することができるスイッチング回路を提供すること。
【解決手段】 パワートランジスタM1を駆動して負荷5を作動させる駆動電圧波形を生成するスイッチング回路1において、ラジオ受信機7が受信している送信局の周波数を検出する受信周波数検出部33と、負荷5を制御する制御パルスを生成する制御パルス生成部と、駆動電圧の変位により生じる高調波のスペクトル包絡線の谷部が、ラジオ受信機7が受信している送信局の周波数を含むように駆動電圧波形の立ち上がり部分と立ち下がり部分の波形を生成する最適波形記憶部32と、最適波形記憶部32が生成した駆動電圧波形の立ち上がり部分と立ち下がり部分の波形を、制御パルスに適用して駆動波形を生成する波形生成部31とを備えた。 (もっと読む)


【課題】スイッチング損失低減のためにゲート抵抗を小さくすると、ゲート・ソース間電圧が振動しスイッチング素子が誤動作すること、ゲート駆動回路用電源が大型になることなどが問題となる。
【解決手段】トランス6aとコンデンサ7の直列回路をスイッチング素子と並列に接続し、前記トランスと磁気結合した第1の巻線を第1のダイオード8を介して前記スイッチング素子の正極端子とゲート端子との間に、前記トランスと磁気結合した第2の巻線を第2のダイオード9を介して前記スイッチング素子の負側端子とゲート端子との間に、各々接続する。 (もっと読む)


【課題】第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子との接続部に負電圧が発生することを防止し、絶縁を不要としパワーモジュールへの適用を可能にしてインバータ回路を構成する部品点数の削減、基板実装面積の低減を図ることのできる電力変換装置を提供する。
【解決手段】上相スイッチング素子2と下相スイッチング素子3とからなる半導体スイッチ1を備える電力変換装置Sであり、下相スイッチング素子3は第1のスイッチング素子4と第2のスイッチング素子5とからなり、両者の負極を接続し、前者の正極を正極端子8、後者の正極を負極端子9とし、正極端子8と負極端子9との間に並列に接続される高速環流ダイオード7と、上相スイッチング素子2がオン中に第2のスイッチング素子5をオンさせ、上相スイッチング素子2のオフ中は第2のスイッチング素子5のオンを継続させる駆動信号を出力するロジック回路10とを備える。 (もっと読む)


【課題】 簡単な回路構成で、素子の大きさを小さくすることができ、かつ負荷が短絡したとき、その素子の破壊を防止することができる出力遮断回路および電子機器を提供する。
【解決手段】 時刻t1に負荷が地絡し、出力電流Ioutが増大すると、電流検出用抵抗Rsでの電圧降下が増加し、トランジスタQ2がオンとなる。トランジスタQ2は、直流電源11から供給される電流をコレクタ電流Icとしてゲート抵抗Rgに流し、ゲート電圧VGを上昇させ、出力電流Ioutを制限電流値Ilimで制限する。ゲート抵抗Rgを流れる電流の一部がタイマ用コンデンサC1を充電し、トランジスタQ3のベース電圧が上昇すると、トランジスタQ3はオンになる。トランジスタQ3がオンになると、トランジスタQ2はフルオン状態となり、トランジスタQ1のゲートソース間の電圧がほぼ0Vとなり、トランジスタQ1はオフし、シャットダウン状態となる。 (もっと読む)


【課題】 ノイズによる誤動作や短絡を防止して安全に駆動できるゲート駆動回路を有する電力変換装置をより少ない部品と簡単な構成で実現する。
【解決手段】 上側スイッチング素子(1−SW2)を駆動する上側ゲート駆動回路(1−G2)と、下側スイッチング素子(1−SW1)を駆動する下側ゲート駆動回路(1−G1)と、を有する電力変換装置に、前記上側ゲート駆動回路については負電圧電源回路(1−E3)を備え、前記下側ゲート駆動回路については負電圧電源を作り出す下側ブートストラップ回路(1−B2)を備えた。 (もっと読む)



【課題】隣接するパワー半導体素子からの伝熱の影響を受けても寿命であるとの誤認識を防止することができるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】パワー半導体素子であるIGBT2の表面中央部および表面周辺部の2箇所にダイオード6a,6bを取り付けてそれらの温度を検出し、温度勾配監視手段7が表面中央部の温度と表面周辺部の温度との温度勾配(温度差)を監視する。動作状態検出手段8がIGBT2の動作状態、すなわち、オン状態かオフ状態かを検出し、素子電流検出手段9がIGBT2の大電流動作を検出し、寿命推定手段10は、動作状態検出手段8がIGBT2のオン状態を検出し、素子電流検出手段9がIGBT2の大電流動作を検出しているときだけ、温度勾配監視手段7の監視結果に基づいた寿命の推定を行う。これで、寿命推定時に、他のパワー半導体素子からの熱の影響による誤認識を防止できる。 (もっと読む)


【課題】電力変換器を構成する電力半導体スイッチ素子のスイッチング損失を大幅に増加させることなく、その過電圧保護が可能なスナバ回路を提供する。
【解決手段】電力変換器を構成する電力半導体スイッチ素子4に対し、逆直列接続したツェナーダイオード91,92とコンデンサ10との直列接続回路を並列に接続することにより、素子4のターンオフ時のサージのみならずダイオード5の逆回復時のサージをも抑制可能にする。これにより、小型で低損失のシステムが構築可能となる。 (もっと読む)


【課題】部品点数を減らすことでコストを低減し、且つ、変換効率が向上する。
【解決手段】スイッチング電源装置1は、MOSFETQ2を含むフライバック方式のスイッチング回路13と、MOSFETQ1を含む共振フォワード方式のスイッチング回路17と、絶縁トランスT1と、2次側回路19と、制御部16とを有する。絶縁トランスT1の第2の1次側巻き線32の端子間には、直列にダイオードD2及び平滑コンデンサC2が接続されている。制御部16は、第2の1次側巻き線32に接続されており、平滑コンデンサC2間に発生した電圧により駆動する。また、フライバック方式のスイッチング回路13のグランド配線41と共振フォワード方式のスイッチング回路17のグランド配線42は短絡している。 (もっと読む)


【課題】検出精度のよい過熱保護回路を備えた電源用集積回路を提供すること。
【解決手段】ゲート端子とドレイン端子を接続し、弱反転領域で動作する第一MOSトランジスタと、ゲート端子を第一MOSトランジスタのゲート端子に接続し、第一MOSトランジスタと同一導電型であり、弱反転領域で動作する第二MOSトランジスタと、第二MOSトランジスタのソース端子に接続された第一抵抗素子とを備えた電流発生回路の電流によって得られる、正の温度特性を有する基準電圧と、負の温度特性を有する温度電圧とをコンパレータで比較する構成とした。 (もっと読む)


【課題】 電力用半導体をターンオフするために負電圧の電源を用いない単純な構成で、ゲート閾値電圧が低い電力用半導体素子でも、高速かつ確実に遮断させることを目的とする。
【解決手段】 主端子と制御基準端子と制御端子とを有しこの制御端子と制御基準端子との間に充電される電荷を制御して主端子と制御基準端子との間を流れる電流を制御するよう構成された電力用半導体を駆動する電力用半導体の駆動回路において、電源端子とグランド端子とを有する電源を備え、電源端子と制御端子の間に充電用制御回路を、制御基準端子とグランド端子の間に充電用スイッチを、電源端子と制御基準端子の間に放電用制御回路を、制御端子とグランド端子の間に放電用スイッチを、設けた。 (もっと読む)


201 - 220 / 722