【課題】トランジスタがスイッチ・オンされた時、スイッチング・ロスと、電磁干渉（電磁妨害）と、を削減するのに最適化された動作特性を有する、ＪＦＥＴタイプのトランジスタの制御装置を提案する。
【解決手段】本発明は、ゲート、ドレイン及びソースを備えるＪＦＥＴタイプのトランジスタのゲート制御装置に関し、前記装置は、前記トランジスタの前記ゲート（Ｇ）に接続された出力（ｏｕｔ２）を備える電圧生成回路１１を備え、前記回路は、前記出力にて、所定の電圧ランプに追随する、基準ゲート・ソース電圧（Ｖ_ＲＥＦ）を生成するように設計され、前記基準ゲート・ソース電圧（Ｖ_ＲＥＦ）を所定の最大値（Ｖ_{ＧＳ_ｍａｘ}）に、前記ＪＦＥＴトランジスタの端子におけるゲート・ソース電圧（Ｖ_ＧＳ）が前記最大値に到達した時、制限するように設計された、電圧制限回路１２を備える。 （もっと読む）

【課題】１個のスイッチング素子を制御して負荷に電流を供給する場合でも、スイッチングノイズおよびスイッチング損失を低減する。
【解決手段】スイッチング素子制御装置（１）は、第１の信号を受けて、低電圧でスイッチング素子（ＳＷ１）をオン制御する第１の制御回路（１１）と、スイッチング素子（ＳＷ１）が低電圧でオン制御されてから第２の信号を出力するオンタイミング制御回路（１２）と、第２の信号を受けて、低電圧よりも高い電圧でスイッチング素子（ＳＷ１）を引き続きオン制御する第２の制御回路（１３）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴ内で発生するオン抵抗の上昇を抑制することで、使用するＦＥＴの耐性を下げ、以ってコストを低減する
【解決手段】ＦＥＴをオン・オフするためのゲート電圧を所定タイミングで供給するゲートドライブ回路と、第一入力ラインと前記ゲートドライブ回路との間に介在して、第一入力ラインに供給されるゲートドライブ電圧の電圧値が一定の値になった場合に第一入力ラインとゲートドライブ回路とを導通させる第一のスイッチ回路と、スタート信号が前記ＦＥＴのスイッチング動作をオフにすることを示すローレベルに変化した場合に、この信号変化に応じて第一入力ラインからゲートドライブ回路へのゲートドライブ電圧の供給を遮断する第二のスイッチ回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】逆回復電流に起因するスイッチング損失ならびに発熱損失を減少することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置において、ノーマリーオン型スイッチング素子４とノーマリーオフ型スイッチング素子５とを、電気的に直列接続し、カスコード接続用ダイオード７を介して、ノーマリーオン型スイッチング素子４のゲート端子とノーマリーオフ型スイッチング素子５のソース端子を接続したカスコード素子２１と、このカスコード素子２１と電気的に並列接続され、正極端子にカソード領域が接続され、負極端子にアノード領域が接続された高速ダイオード６とを備える。 （もっと読む）

【課題】パルス信号を停止した場合に半導体スイッチング素子のオン期間の増大を防止できる半導体スイッチング素子のドライブ回路。
【解決手段】ドライブ回路は、直列に接続された第１半導体スイッチング素子Q1と第２半導体スイッチング素子Q2とを交互にオン動作させ、第1，第2半導体スイッチング素子の制御信号となるパルス信号を生成するパルス信号発生回路2の両端に接続され、コンデンサCとトランスT1の一次巻線Pとの直列回路と、一次巻線とは逆方向に巻回され、発生した電圧を第１半導体スイッチング素子の制御端子に印加するトランスの第１の二次巻線S1と、一次巻線と同方向に巻回され、発生した電圧を第２半導体スイッチング素子の制御端子に印加するトランスの第２の二次巻線S2と、パルス信号が停止されたときにオンすることにより第１半導体スイッチング素子のオン期間を短くさせるスイッチング素子Q3とを備える。 （もっと読む）

【課題】逆耐圧を有するＩＧＢＴの短絡保護回路として、ゲート駆動回路とＩＧＢＴのコレクタとの間にダイオードを接続して、過電流時コレクタ電圧が上昇した時、ゲート遮断する方式では、駆動回路に逆電圧がかかり破壊される。
【解決手段】ゲート駆動回路とＩＧＢＴのコレクタとの間にダイオードと抵抗の直列回路を接続し、さらにゲート信号遮断用トランジスタのエミッタと制御端子に接続した定電圧ダイオードのカソードとの間にダイオードを設ける。 （もっと読む）

【課題】 電源装置に内蔵されているインバータ回路の導通時間が最少近傍のとき、出力電流の制御が不安定になる。
【解決手段】 商用交流電源を整流・平滑して直流電圧を出力する直流変換回路と、直流電圧を高周波交流電圧に変換するインバータ回路と、高周波交流電圧を負荷に適した電圧に変換する変圧器と、インバータ回路を制御する出力制御信号を出力する出力制御回路と、出力制御信号に応じてインバータ回路を駆動するスイッチング素子駆動回路と、を備えた電源装置において、スイッチング素子駆動回路は、出力制御信号のオンデューチイが予め定めた基準値未満のとき予め定めた第１の駆動電圧を供給し、出力制御信号のオンデューチイが前記基準値を超えたときから第１の駆動電圧を高くし予め定めた第２の駆動電圧として供給し、インバータ回路を駆動すること、を特徴とする電源装置である。 （もっと読む）

【課題】ゲート用電源の構成を改善し、インバータ等を構成する複数の半導体スイッチのスイッチング周波数とスイッチング電圧を向上できる高周波交流電源装置を提供する。
【解決手段】多出力ゲート用電源７は、各ゲートドライブ回路１９に相互に、絶縁された電圧源を供給する複数のトランス１５と、これらのトランスに駆動電力を供給するトランスドライブ回路１４を含み、トランスは、閉じた磁路を形成するトランスコア１８と、このトランスコアに巻回された２次巻線１７と、トランスコアの中空部を貫通する１次巻線１６とで構成され、２次巻線は各ゲートドライブ回路に接続され、複数のトランスの１次巻線は直列に接続され、直列１次巻線１６と２次巻線１７が空間距離を設けて配置され、かつ、直列１次巻線１６がプリント基板２８に配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板上におけるデッドスペースを有効に利用して基板面積を低減することができる三相交流電動機の制御装置を提供する。
【解決手段】電力供給回路８０は、一次回路８１と、一次回路８１に第一上段トランスＴ１を介して結合されるとともに第一上段駆動回路２１に接続される上段二次回路８２と、上段二次回路８２に第二上段トランスＴ２を介して結合されるとともに第二上段駆動回路２２に接続される上段三次回路８３とを有し、一次回路領域７と、第一上段回路領域６１と、第二上段回路領域６２とを備え、第一上段トランスＴ１は、一次回路領域７と第一上段回路領域６１との間に形成された絶縁領域を架け越して配置されるととともに、第二上段トランスＴ２は、第一上段回路領域６１と第二上段回路領域６２との間に形成された絶縁領域を架け越して配置されている。 （もっと読む）

【課題】一次巻線の故障が発生した場合であっても、二次巻線の出力電圧の低下を抑制し、正常なインバータの動作を行うことが可能なインバータ駆動用電源回路を実現する。
【解決手段】プッシュプル方式に対応したＮ個（Ｎは２以上の整数）のトランスＴ１〜Ｔ６を備え、Ｎ個の一次巻線Ｔ１１〜Ｔ６１の第一巻線Ｔ１Ａ〜Ｔ６Ａ同士が第一電源制御部５により制御される一次側電源４に並列接続されると共に、第二巻線Ｔ１Ｂ〜Ｔ６Ｂ同士が第二電源制御部６により制御される一次側電源４に並列接続され、各トランスＴ１〜Ｔ６のコアの飽和磁束密度が、Ｎ個のトランスＴ１〜Ｔ６を構成する回路内に欠損箇所がない正常状態で一次巻線Ｔ１１〜Ｔ６１に流れる電流の最大値によっても磁気飽和を起こさないために最低限必要とされる必要飽和磁束密度に対して｛１＋１／（Ｎ−１）｝倍以上に設定されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子のスイッチングを高速化できるスイッチ素子の制御手段について、小型化および高効率化すること。
【解決手段】スイッチ素子Ｑを制御するスイッチ素子制御回路１は、トランスＴおよびツェナーダイオードＤを備える。ツェナーダイオードＤのアノードには、トランスＴの２次巻線Ｔ２の一端が接続され、ツェナーダイオードＤのカソードには、スイッチ素子Ｑのゲートが接続される。スイッチ素子Ｑは、ゲート−ソース間に入力容量Ｃｉｓｓを内蔵する。 （もっと読む）

【課題】負荷を安定に制御できるスイッチング装置を提供する。

【解決手段】スイッチング素子（２）と、前記スイッチング素子をＰＷＭ制御する制御回路（８）と、を有し、前記スイッチング素子のスイッチング動作により入力電力を負荷に供給するスイッチング装置であって、
前記制御回路が、前記ＰＷＭ制御のデューティ比率の保持とリセットとを周期的に繰り返し、前記スイッチング装置が異常状態になる直前と異常状態から正常状態に復帰した直後とにおいて、同一のデューティ比率でスイッチング素子をＰＷＭ制御することを特徴とするスイッチング装置。 （もっと読む）

【課題】電力損失が小さな電力変換装置を提供する。
【解決手段】この電力変換装置では、マイクロコンピュータ２０は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２，４３の飽和電圧がＩＧＢＴ６，９の飽和電圧よりも低くなる低電流域では、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２，４３およびＩＧＢＴ７，１０をオン／オフ制御し、ＩＧＢＴ６，９の飽和電圧がＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２，４３の飽和電圧よりも低くなる高電流域では、ＩＧＢＴ６，７，９，１０をオン／オフ制御する。したがって、トランジスタの直流損失を低減できる。 （もっと読む）

【課題】電力変換器の始動時または電力変換器の故障時にノーマリオン型トランジスタを使用する整流器が変換器の入力およびバスキャパシタを短絡させることができない。
【解決手段】直列に接続される２つのトランジスタ（Ｔ１，Ｔ２）が設けられる少なくとも１つのスイッチレッグを備える整流器を備えた電力変換器に関する。トランジスタは、ノーマリオン電界効果型、例えばＪＦＥＴであり、それぞれがゲート制御装置（ＣＴ１，ＣＴ２）によって制御される。各ゲート制御装置は、特に、制御トランジスタのゲートＧに接続される出力と、制御装置の出力と変換器の入力ｉｎ１との間に接続される電圧整流素子と、トランジスタのソースＳと、制御装置の出力と電圧整流素子との間に位置する点との間に接続されるキャパシタＣ１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】新たな部品追加や駆動方式を変更することなく、セルフターンオン現象を防止することができるＤＣ／ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】非絶縁型のＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、ローサイドＭＯＳＦＥＴ３のゲートを駆動するローサイド用のプリドライバ５の基準電位は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ２とローサイドＭＯＳＦＥＴ３とを通る主回路以外から印加されていることで、主回路の寄生インダクタンスの合計は大きくすることなく、ローサイドＭＯＳＦＥＴ３のソースとプリドライバ５の基準電位の間の寄生インダクタンスが大きくなり、部品追加や駆動方式の変更をせずに、ローサイドＭＯＳＦＥＴ３のゲートの負電位駆動ができ、セルフターンオン現象を防止できる。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ耐性に優れ、保護素子の新たな作製を要さない半導体装置を提供する。
【解決手段】この発明にかかる半導体装置は、主電流を制御するゲート端子２２に接続されたゲート電極と、主電流を流すドレイン端子２１に接続されたドレイン電極と、主電流を流すソース端子２３に接続されたソース電極とを有する主ＭＯＳＦＥＴ素子３１と、ゲート端子２２に接続されたゲート電極と、ドレイン端子２１に接続されたドレイン電極と、電流検出用のセンスソース端子２４に接続されたソース電極とを有するセンスＭＯＳＦＥＴ素子３２と、ソース端子２３に接続されたゲート電極と、ドレイン端子２１に接続されたドレイン電極と、センスソース端子２４に接続されたソース電極およびボディ電極とを有するＥＳＤ保護素子Ａ３３と、ゲート端子２２に接続されたカソード電極と、センスソース端子２４に接続されたアノード電極とを有するＥＳＤ保護素子Ｄ４１とを備える。 （もっと読む）

【課題】広バンドギャップの半導体デバイス及び／または非絶縁入力を有する半導体デバイス向けにカスタマイズした効率がよくかつ費用対効果がよいゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】非絶縁入力を有する半導体デバイス（６２）をスイッチングするゲート駆動回路（６０）は、半導体デバイス（６２）の本来性寄生ダイオードを順バイアスするように半導体デバイス（６２）のゲート上に電流を印加することによって半導体デバイス（６２）をターンオンする第１の回路（６４）を有する。半導体デバイス（６２）の寄生ダイオードを逆バイアスするように半導体デバイス（６２）のゲート上に電流を印加することによって半導体デバイス（６２）をターンオフする第２の回路（６６）を存在させており該第１の回路（６４）及び第２の回路（６６）はそれぞれ第１のスイッチ及び第２のスイッチを通して半導体デバイス（６２）に結合されている。 （もっと読む）

【課題】発熱がダイオードに集中することを抑制できるスイッチング制御回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子の順方向導通時に流れる電流の向きと逆方向で、スイッチング素子に並列接続されるダイオードと、スイッチング素子又はダイオードの少なくとも一方の温度を検出する温度検出手段と、温度検出手段の検出温度に応じて、スイッチング素子の逆方向導通時に流れる電流を制御する制御手段を有する。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路において、電圧変化率を抑制できるようにする。
【解決手段】直流電源Ｖ０の正・負極側に接続されるスイッチング素子Ｍ１，Ｍ２と誘導性の負荷ＬＬとの間にそれぞれインダクタＬ１，Ｌ２を設け、これらインダクタＬ１，Ｌ２のスイッチング素子Ｍ１，Ｍ２の側に、クランプダイオードＤ０を、スイッチング素子Ｍ２からスイッチング素子Ｍ１に向かって導通する方向に接続する。クランプダイオードＤ０は、ターンオフ時にインダクタＬ１，Ｌ２を流れる電流を短絡するので、大きなサージ電圧が発生しなくなる。一方、ターンオン時は、インダクタＬ１，Ｌ２のために、主回路はいわゆる電流共振型ソフトスイッチング方式の回路と同様の動作をするので、ターンオンしつつあるスイッチング素子Ｍ１またはＭ２に流れる電流は、ゆっくり増加するようになり、その結果、電圧変化率は抑制されることになる。 （もっと読む）

【課題】パワーエレクトロニクスシステムの不要輻射を低減する装置を提供する。
【解決手段】パワー半導体モジュール又は少なくとも１つのパワー半導体モジュールの構成部と、第１形成体を備えている基準電位と、パワー半導体構成素子を外部接続するために付設されている端子要素と接続するため、装置内に配されている異なる極性の少なくとも２つの直流負荷接続要素とを有している。異なる極性の２つの直流負荷接続要素は少なくとも夫々１つの部分を有し、この部分においてこれらの接続要素は平面状に形成され、これらの部分は互いに平行で隣接して延び電気絶縁されている。平面状の第１部分形成体を有する少なくとも１つの第２形成体を有し、この第２形成体は直流負荷接続要素の２つの平行する部分間の範囲でこれらの接続要素から電気絶縁されて配されている。同様に第２部分形成体は第１形成体と導電接続されている。 （もっと読む）