【課題】パワーエレクトロニクスシステムの不要輻射を低減する装置を提供する。
【解決手段】パワー半導体モジュール又は少なくとも１つのパワー半導体モジュールの構成部と、第１形成体を備えている基準電位と、パワー半導体構成素子を外部接続するために付設されている端子要素と接続するため、装置内に配されている異なる極性の少なくとも２つの直流負荷接続要素とを有している。異なる極性の２つの直流負荷接続要素は少なくとも夫々１つの部分を有し、この部分においてこれらの接続要素は平面状に形成され、これらの部分は互いに平行で隣接して延び電気絶縁されている。平面状の第１部分形成体を有する少なくとも１つの第２形成体を有し、この第２形成体は直流負荷接続要素の２つの平行する部分間の範囲でこれらの接続要素から電気絶縁されて配されている。同様に第２部分形成体は第１形成体と導電接続されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失を低減しつつサージ電圧やノイズの発生を効果的に抑えることができる電力変換装置のゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子と、電流指令値に追従して前記スイッチング素子を駆動し、該スイッチング素子に流れる主電流を制御するスイッチング素子駆動部とを有する電力変換装置のスイッチング素子駆動回路であって、前記スイッチング素子駆動部は、前記電流指令値の大きさによって前記駆動電圧の時間変化率を制御する駆動電圧制御部を備えた。 （もっと読む）

【課題】電力変換器の主回路の駆動動作をフィードバックし、制御指令信号と比較して主回路素子の動作の不一致を監視する異常検出方式では不一致検出信号に対し所定猶予時間以内は検知マスクしていたが、主回路またはこれを駆動するドライブ回路などで異常が生じた場合に猶予時間の分の検出遅れが生ずるとともに、発振的な動作の異常が生じて猶予時間内の短時間で異常を繰り返す動作を行った場合の異常の検知ができないケースがあった。
【解決手段】電力変換器において、正常状態でフィードバック信号が遅延により不一致になるのは、制御指令信号が変化した直後の所定の時間範囲のみであることに注目し、制御指令信号が変化した直後のみ検出猶予時間を持つようにすることにより、発振動作等の異常に対しても検出が可能となるとともに、異常検出出力の遅れ時間を大幅に短縮する異常検出方式とした。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の過電流の誤検出を抑制可能な過電流検出回路およびそれを備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ゲート端子に印加される制御信号Ｖｇに基づき、負荷に供給する駆動電流を制御するＭＯＳＦＥＴである主スイッチング素子１と、主スイッチング素子１の過電流を検出する過電流検出回路とを備える。過電流検出回路は、制御信号Ｖｇが印加されるゲート端子を有するＭＯＳＦＥＴである電流センス素子２と、閾値電圧が通常動作時における主スイッチング素子１の電圧降下以上であり、ゲート端子がドレイン端子に接続した電流検出用ＭＯＳＦＥＴ３と、抵抗素子７とから成る直列回路により構成される。抵抗素子７の電圧降下Ｖｓ１が、過電流の発生を示す検出信号として用いられる。 （もっと読む）

【課題】過電圧印加によりヒータが異常温度上昇するのを防止して安全性を高めることを目的とする。
【解決手段】ヒータ１と、ヒータ制御手段２と、電源電圧検出手段６とを備え、前記ヒータ制御手段２は、前記電源電圧検出手段６から得られる検出電圧が所定の電圧以上となった場合には、強制的に前記ヒータ１への通電をＯＦＦさせる構成としたものである。これによって、過電圧印加によるヒータ電流増加によって異常な温度上昇となることを防ぐことができるものである。 （もっと読む）

【課題】低歪み特性、低消費電流のスイッチ回路を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの第１の端子、複数の第２の端子及び前記第１の端子を前記第２の端子のいずれか１つと接続させるスイッチ素子を有するスイッチ部と、外部からの端子切替信号により前記スイッチ素子を駆動するドライバ部と、負荷変動に対する応答特性が第１の状態と、負荷変動に対する応答特性が前記第１の状態よりも遅い第２の状態とを有し、前記ドライバ部に電源を供給するＤＣ−ＤＣ変換部と、前記端子切替信号の変化に対応した第１の時間は前記ＤＣ−ＤＣ変換部を前記第１の状態に制御し、前記第１の時間以外の第２の時間は前記ＤＣ−ＤＣ変換部を前記第２の状態に制御することにより前記ＤＣ−ＤＣ変換部の前記第２の状態を定常状態とするように制御する電源制御部と、を備えることを特徴とするスイッチ回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】共通のＰ型半導体基板上にＮチャンネルＤＭＯＳＦＥＴを含む複数の素子を形成した半導体装置において、ＮチャンネルＤＭＯＳＦＥＴのソース端子が負電圧にバイアスされると、寄生ＮＰＮトランジスタにより誤動作を発生する問題があった。
【解決手段】本発明による半導体装置４０は、Ｐ型半導体基板２１と、Ｐ型半導体基板２１上に形成された複数のｎ型ウェル２２〜２４と、複数のｎ型ウェル２２〜２４のすくなくとも１つのｎ型ウェル２２上に形成されたＮチャンネルＤＭＯＳＦＥＴ３１と、を備え、Ｐ型半導体基板２１の電位がＮチャンネルＤＭＯＳＦＥＴ３１が形成されたｎ型ウェル２２の電位以下になるように負電位−Ｅｇｅにバイアスされるように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の負荷にそれぞれ対応して複数のスイッチング電源回路を設け、さらに各スイッチング電源回路単位でノイズ対策を講じていたため、回路構成が大きくなり、また機器への組込みに際し、広い設置面積を必要としていた。
【解決手段】複数のスイッチング電源回路１４におけるノイズ対策構成として、共通のフィルタ回路１５と平滑回路１６を設け、このフィルタ回路１５、平滑回路１６と並列に複数のスイッチング電源回路１４を接続することにより、ノイズ対策を容易にし、またその構成の簡素化が可能となり、機器への組込みスペースを小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】リアクトルの出力を短絡するスイッチ素子の導通・遮断タイミングを適正に設定して高調波の発生を抑制することのできる直流電源装置を提供する。
【解決手段】スイッチ素子の導通タイミングから制御周期の初期において前記リアクトルからの出力電流が零である第１のオフ期間を求めると共に、前記スイッチ素子を遮断した後に前記リアクトルから出力される電流が零となるタイミングから前記周期の終期において前記リアクトルからの出力電流が零である第２のオフ期間を求め（第１の手段）、第２のオフ期間に基づいて設定される目標オフ期間に前記第１のオフ期間が近付くように前記スイッチ素子の導通タイミングを修正して前記第１の手段を再起動して、前記第１のオフ期間と前記目標オフ期間とが一致するように前記スイッチ素子の導通タイミングを決定する（第２の手段）。 （もっと読む）

【課題】逆接保護機能を有する半導体装置の実装面積を縮小する。
【解決手段】半導体装置５０には逆接保護回路１と信号処理部２が設けられる。逆接保護回路１には制御部３、逆接保護ダイオードＤ１、及びＰｃｈパワーＭＯＳトランジスタＰＭＴ１が設けられる。逆接保護ダイオードＤ１はＰｃｈパワーＭＯＳトランジスタＰＭＴ１の寄生ダイオードである。ＰｃｈパワーＭＯＳトランジスタＰＭＴ１はドレインがノードＮ１に接続され、ソースがノードＮ２に接続され、ゲートに制御部３から出力される信号が入力される。制御部３は電源１１、電流源１２、コンパレータＣＭＰ１、抵抗Ｒ１、及びスイッチＳＷ１が設けられ、ＰｃｈパワーＭＯＳトランジスタＰＭＴ１のオン・オフ動作を制御する。ＰｃｈパワーＭＯＳトランジスタＰＭＴ１は電源３０の瞬停時や逆接続時にオフし、電源３０が正常にセットされたときにオンする。 （もっと読む）

【課題】ＵＶＬＯ機能を内蔵したドライバ装置を提供する。
【解決手段】電源に接続された第１のスイッチ素子と、前記第１のスイッチ素子と直列接続された第２と、第３と、前記第３のスイッチ素子と並列接続された第４のスイッチ素子と、一端が前記第３及び第４のスイッチ素子に接続され、他端が前記第１のスイッチ素子の制御電極に接続された第１の抵抗と、前記第１の抵抗を介して前記第３のスイッチ素子の負荷となるカレントミラーと、前記カレントミラーに電流を流す放電回路と、外部から入力信号を受けて、前記第２と第３のスイッチ素子を介して前記第１のスイッチ素子と、を交互にオン、オフするように制御し、かつ、前記放電回路及び前記第４のスイッチ素子を、前記電源が立ち上がるときにオンさせて前記カレントミラーに電流を流すことにより、電源が立ち上がった後は前記第４のスイッチ素子をオフする制御回路を備える。 （もっと読む）

【課題】自動車用半導体ヒューズの低消費電流化を図ると共に通電電流が非常に小さい場合のスイッチングを可能とする車両の電源供給装置及び電源供給方法を提供する。
【解決手段】電源と負荷との間に半導体リレーが配置された車両の電源供給装置において、第１の半導体リレー１１と、第２の半導体リレー１２と、第１の半導体リレー駆動用の昇圧器１１４を有しかつ第１の半導体リレー及び第２の半導体リレーを制御する制御部１００と、を備え、車両の定常状態においては昇圧器を介して第１の半導体リレーを駆動して負荷に電力を供給すると共に、車両の特定の状態を検出した場合に第１の半導体リレーの駆動に変えて第２の半導体リレーを駆動させるようになっている。 （もっと読む）

【課題】 寄生発振を防止できて誤動作を防止でき、簡素な構成で従来の対策技術と併用でき、あるいは単独に適用し得るスイッチング素子の誤動作防止回路を提供すること
【解決手段】 スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２，…はＭＯＳＦＥＴとし、それらＭＯＳＦＥＴはドレイン，ソースをそれぞれ接続して並列接続とし、ゲートも同様に並列接続するが各自ゲートとゲート集合点ｇとの間にゲート抵抗Ｒをそれぞれ直列に設けて接続する。ドレイン集合点ｄはトランスＴの１次側の一端へ接続し、ソース集合点ｓは接地し、そしてトランスＴの１次側の他端は回路電源Ｖccへ接続させ、ゲート集合点ｇへゲート制御信号を加えることでＭＯＳＦＥＴをオン・オフ動作（並列動作）させる。各ゲートへ連なるゲート集合点ｇと各ソースへ連なるソース集合点ｓとの間にコンデンサＣを渡して設ける。短い周期の電位変動がゲートへ加わったとき、コンデンサＣが吸収する。 （もっと読む）

【課題】キャリア周波数の値を離散的に時間変化させる場合、キャリア周波数の高調波のスペクトルに形成される凸凹を低減し、ノイズのピークレベルを十分に低減した電力変換装置を提供する。
【解決手段】 ＰＷＭインバータ２により入力電力を三相交流に変換する電力変換装置において、ＰＷＭインバータ２を制御する制御装置５は、ＰＷＭ制御の搬送波の周波数を、離散的かつ周期的に時間変化させるキャリア周波数変化部１０と、キャリアをＰＷＭ比較部８ａ，８ｂ，８ｃへ出力するキャリア出力部１１とを備える。キャリア周波数変化部１０は、所望の周波数帯域内において、キャリアの各次数の高調波の周波数スペクトルが連続するように、キャリア周波数の可変範囲を決定する。 （もっと読む）

【課題】低損失かつ高精度の電流検出手段を有するレノイド電流制御回路を提供することにある。
【解決手段】
直流電源１に対して直列接続されたハイサイドＭＯＳＦＥＴ４とローサイドＭＯＳＦＥＴ５との接続点からソレノイド６に電流を供給する。制御回路３は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ及びローサイドＭＯＳＦＥＴのオンオフを制御する。センスＭＯＳＦＥＴ７とセンス抵抗８との直列回路が、ローサイドＭＯＳＦＥＴ５と並列に接続される。誤差増幅器９は、センス抵抗８の両端の電圧を増幅する。制御回路２の電流算出部２Ａ，２Ｂは、誤差増幅器の出力値を用いて、ローサイドＭＯＳＦＥＴがオフとなる期間の電流を算出する。 （もっと読む）

【課題】部品点数を増加させずに半導体スイッチング素子への負荷を防止するスイッチング回路を提供する
【解決手段】寄生ダイオード１０４を有する半導体スイッチング素子１０３と、寄生ダイオード１０４と同じ方向で、半導体スイッチング素子１０３と並列接続されたダイオード１０１と、ダイオード１０１と直列、半導体スイッチング素子１０３と並列に接続された可飽和リアクトル１０２を有し、寄生ダイオード１０４の立ち上がり電圧をダイオード１０１の立ち上がり電圧より大きくする （もっと読む）

【課題】従来の電力用半導体装置では、還流ダイオードが発生する逆回復電流により、回路内で電流、電圧の振動現象が生じるおそれがあったため、電流電圧の振動現象を抑制するスイッチング回路を提供する
【解決手段】ユニポーラダイオード１０１とバイポーラダイオード１０２とが同じ方向に並列接続された並列回路と、前記並列回路に接続されたスイッチング素子１０３とを備える （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ素子に印加される電圧を簡易な構成で精度良く測定することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１は、第１導通電極と、第２導通電極とを有する半導体スイッチ素子１０と、半導体スイッチ素子１０の第１導通電極および第２導通電極間の電圧を測定するための電圧測定回路３１とを備え、電圧測定回路３１は、半導体スイッチ素子１０と並列に接続され、半導体スイッチ素子１０の導通方向に印加される電圧を所定値に制限する定電圧素子３と、定電圧素子３と並列に接続された制御用スイッチ７と、半導体スイッチ素子１０がオフされているときに制御用スイッチ７をオンし、半導体スイッチ素子１０がオンされているときに制御用スイッチ７をオフするスイッチ制御部１５とを含む。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体モジュールの過電流検出器において、外部の磁気的な外乱による影響を少なくした構造、簡単で低コストの検出器を提供する。
【解決手段】トロイド状に巻線されて形成されたトロイダルコイル２が設けられた電流検出器１を有する電力用半導体モジュール１１において、トロイダルコイル２の上部あるいは下部のいずれか一方の部位にトロイダルコイル２の平面投影形状を覆うような大きさを有する導電材５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ゲート端子の入力容量の充放電に伴うスイッチングの遅れを防止して電力用半導体スイッチング素子を高速にスイッチングする。
【解決手段】ＩＧＢＴ１がオフしているときに第１の充放電コンデンサＣ１を充電し、ＩＧＢＴ１がオフからオンにスイッチングするときに、正端子Ｐを介した電源電圧と第１の充放電コンデンサＣ１の充電電圧とを直列に合成した順方向の高電圧によりＩＧＢＴ１のゲート端子１ｇの入力容量Ｃｉを瞬時に初期充電して迅速にオンする。また、ＩＧＢＴ１がオフしているときに第２の充放電コンデンサＣ２を充電し、ＩＧＢＴ１がオンからオフにスイッチングするときに、負端子Ｎを介した電源電圧と第２の充放電コンデンサＣ２の充電電圧とを直列に合成した逆方向の高電圧により入力容量Ｃｉを瞬時に初期放電して迅速にオフする。 （もっと読む）