【課題】配線ショートの発生時とコネクタの接触不良とを区別して回路を保護することが可能な電力供給装置を提供する。
【解決手段】本発明の電力供給装置では、半導体素子Ｔ１のドレインの電圧Ｖ１が、コンパレータＣＭＰ１の同相入力最低電圧を下回る前に半導体素子Ｔ１を遮断するので、負荷回路を確実に保護することができる。また、第１判定電圧をＬ＿Ｖ１とし、第２判定電圧をＶ３としたとき、電圧Ｖ１が「Ｖ１＜Ｌ＿Ｖ１」となった場合に、リトライ動作を実行し、「Ｖ１＜Ｌ＿Ｖ１」となる回数がＮ１回に達した場合、または、「Ｌ＿Ｖ１＜Ｖ１＜Ｖ３」となる回数がＮ２回に達した場合に、半導体素子Ｔ１の遮断状態を保持して負荷回路を保護する。更に、コネクタ１１の接触不良に起因して電圧Ｖ１が急激に低下した場合には、電圧Ｖ１の最低値が安定した値とならず、半導体素子Ｔ１の遮断状態は保持されない。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子が故障に至る前に、短絡保護や過電圧抑制が可能で応答性能の高い電力変換器を提供することである。
【解決手段】短絡判定手段５は、第１の比較手段７ａによりゲート電流検出手段４で検出されたゲート電流Ｉｇに対応した電圧が第１の基準電圧発生手段６ａの正基準電圧以上となってから所定時間内に、第２の比較手段７ｂによりゲート電流検出手段４で検出されたゲート電流Ｉｇに対応した電圧が第２の基準電圧発生手段６ａの負基準電圧以下となったときは、スイッチング素子１の短絡と判定する。 （もっと読む）

【課題】別個に大きな電流が流れる電流系統を必要とせずに、活線挿入時の流れ込み電流の抑制が可能な電源装置を提供する。
【解決手段】コンデンサＣ１は、出力電源ライン間に接続される。流れ込み電流抑制部２１は、出力電源ライン間に、コンデンサＣ１と直列に接続される。流れ込み電流抑制部２１は、コンデンサＣ１に他の電源装置から流れ込む充電電流を抑制する。電流制御部２３は、電源装置１０の活線挿入時に、流れ込み電流抑制部２１が抑制する充電電流を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、大電圧のスイッチング変換器のスイッチングに伴って発生するサージエネルギーの影響を効果的に回避する機能を備えたスイッチング変換器の制御用論理回路を提供することを目的とする。
【解決手段】大電圧のスイッチング変換器の制御用論理回路において、制御用論理回路ＩＣの外部接続端子と、該制御用論理回路ＩＣ内のコンプリメンタリロジック回路の出力端子とを接続する３つの配線を半導体基板内に多層配線構造として形成することによって、各配線の備える寄生インダクタンスが磁気的に結合され、その結果、コンプリメンタリロジック回路のＦＥＴに印加されるサージ電圧が効果的に低減される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＲＳ内のオフセット異常を迅速に検出することができる。
【解決手段】蛍光灯２及び交流電源３間に接続され、蛍光灯を点灯する負荷電圧を電源電圧から調整出力するＭＥＲＳ４と、ＭＥＲＳを駆動制御する制御装置１３とを備え、制御装置は、ＯＮ／ＯＦＦタイミングに応じたＭＯＳのＯＮ／ＯＦＦ動作及び、ＯＮ／ＯＦＦ動作に伴うコンデンサ２５の充放電動作に応じて、電源電圧から所望の負荷電圧を調整出力すべく、ＭＥＲＳを駆動制御する蛍光灯システム１であって、制御装置は、ＭＯＳのＯＮ継続期間内のコンデンサのコンデンサ電圧を継続検出するコンデンサ電圧継続監視部４４と、この検出結果に基づき、同ＯＮ継続期間内に継続検出したコンデンサ電圧内に零ボルト区間があるか否かを判定し、零ボルト区間がない場合、オフセット異常と判断する零ボルト区間有無判定部４５とを有している。 （もっと読む）

【課題】過電圧から電源回路を保護しつつ、特許文献１に記載の電源回路よりコストを低減することが容易な電源回路を提供する。
【解決手段】接続端子Ｔ１，Ｔ２で受電された１００Ｖ電圧から、直流電圧を生成するスイッチング電源回路３と、接続端子Ｔ１とスイッチング電源回路３との間に設けられたトライアックＴＲ１と、接続端子Ｔ１，Ｔ２により受電された電圧が、１００Ｖより高い高側閾値電圧以上の場合、トライアックＴＲ１をオフさせる保護制御部４とを備え、スイッチング電源回路３は、電圧耐圧が高側閾値電圧より高く、かつ２００Ｖより低いＦＥＴＱ２を含み、トライアックＴＲ１は、電圧耐圧が、２００Ｖ以上であり、かつスイッチング速度が、ＦＥＴＱ２より遅い構成とした。 （もっと読む）

【課題】還流ダイオードの省略化を図ること。
【解決手段】双方向に導通可能なスイッチング素子（T1,T2）におけるドレイン電位がソース電位より低くなると、ＰＮＰトランジスタ（46）のベース側からドレイン側へ電流を流すダイオード（48）の接続ラインが設けられている。これにより、ＰＮＰトランジスタ（46）のベース電位がゼロになり、スイッチング素子（T1,T2）のゲートにオン電圧が印可される。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置全体としての配線インダクタンスを低減し、一つのスイッチング素子の機能と同じ役割を複数のスイッチング素子で行うようにした場合、各スイッチング素子と配線部材と間の配線インダクタンスの平準化を図る。
【解決手段】基板上には一つのスイッチング素子の機能と同じ役割を行うための複数の半導体チップ23からなる複数組のスイッチング素子群が実装されている。正極用配線部材27及び負極用配線部材28が、基板と平行にかつ相互に絶縁された状態で近接して重なるように配置され、正極用配線部材27は端子部27ａにおいて基板の回路パターン24ｂに接合されている。負極用配線部材28上に複数のコンデンサ17が、正極端子が正極用配線部材27に、負極端子が負極用配線部材28にそれぞれに電気的に接続された状態で配置されている。半導体チップ23は正極用配線部材27の接合部27ｂに対して両側に同数配置されている。 （もっと読む）

【課題】従来の電源スイッチ回路では、出力電流検出端子Ｓの短絡状態時に適切な回路保護ができない問題があった。
【解決手段】本発明にかかる電源スイッチ回路は、電源端子ＶＣＣと出力端子ＯＵＴとの間に接続される出力トランジスタＯＴｒと、出力トランジスタＯＴｒの導通状態を入力信号に基づき制御する出力制御部１０と、出力トランジスタとゲートが共通に接続され、出力トランジスタＯＴｒに流れる出力電流を検出するセンストランジスタＳＴｒと、センストランジスタＳＴｒにより検出された出力電流に応じた検出電圧が生成される出力電流検出端子Ｓと、検出電圧に基づき出力電流検出端子の短絡状態を検出し、出力トランジスタＯＴｒを停止する又は前記出力電流を制限する短絡制御信号を出力する短絡検出部１２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板が熱により伸縮することで正極用配線部材及び負極用配線部材と基板との接合部に加わる応力を低減することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】基板に半導体チップが実装され、正極用配線部材２７及び負極用配線部材２８での平板状の本体部２７ａ，２８ａが基板の上方において基板と平行に、かつ相互に電気的に絶縁された状態で近接して重なるように配置されている。コンデンサ１７が負極用配線部材２８の本体部２８ａ上に配置されている。正極用配線部材２７及び負極用配線部材２８は、本体部２７ａ，２８ａから基板に向かって延びる垂下部２７ｂ，２８ｂが平板状に形成され、かつ、端子部２７ｃ，２８ｃにて基板に接合され、垂下部２７ｂ，２８ｂには切り欠き部２７ｄ，２８ｄが垂下部２７ｂ，２８ｂの下端から上端まで延設されている。 （もっと読む）

【課題】コンデンサの配線に寄生するインダクタンスをより小さくすることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】基板２２に半導体チップ２３が実装され、正極用配線部材２７及び負極用配線部材２８での平板状の本体部２７ａ，２８ａが基板２２の上方において基板２２と平行に、かつ相互に電気的に絶縁された状態で近接して重なるように配置されている。コンデンサ１７が負極用配線部材２８の本体部２８ａ上に配置されている。正極用配線部材２７及び負極用配線部材２８は、本体部２７ａ，２８ａから基板２２に向かって延びる垂下部２７ｂ，２８ｂが平板状に形成され、かつ、垂下部２７ｂ，２８ｂは基板２２との接合部の直近まで平行状態で互いに近接した状態に保持されている。 （もっと読む）

【課題】配線インダクタンスが低減され、コンデンサとして耐熱性の高い特殊なものを使用する必要がない電力変換装置を提供する。
【解決手段】基板２２を構成するセラミック基板２１上に複数の半導体チップ２３が実装されている。基板２２と平行に、かつ相互に絶縁された状態で近接して重なるように、平板状の正極用配線部材２７及び負極用配線部材２８が、端子部において基板２２の回路パターン２４ｂ，２４ｃに超音波接合で接合されている。負極用配線部材２８上に複数のコンデンサ１７が、正極端子が正極用配線部材２７に、負極端子が負極用配線部材２８にそれぞれに電気的に接続された状態で配置されている。各配線部材２７，２８の同じ側に配置された端子部の接合部２７ｂ，２８ｂは、一直線上に位置するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失とスイッチングノイズを同時に低減可能なスイッチング素子の制御方法を提供する。
【解決手段】電圧駆動型スイッチング素子（出力トランジスタＳＷ１）のターンオン時において、出力トランジスタＳＷ１の出力電流Ｉ_ＤＳの変化時にはゲート電流Ｉ_Ｇを小電流に抑制してスイッチングノイズを低減させ、出力電流Ｉ_ＤＳが一定となった後は、ゲート電流Ｉ_Ｇを大電流に増加させてスイッチング時間を短縮させることによりスイッチング損失を低減させる。また、ターンオフ時において、出力トランジスタＳＷ１の出力電流Ｉ_ＤＳが変化し始めるまでの期間は、ゲート電流Ｉ_Ｇを大電流にしてスイッチング時間を短縮させることによりスイッチング損失を低減させ、出力トランジスタＳＷ１の出力電流Ｉ_ＤＳの変化時にはゲート電流Ｉ_Ｇを減衰させてノイズを低減させる。 （もっと読む）

【課題】コンデンサに電気的に接続された配線部材の回路パターンへの接合部と各スイッチング素子との間の配線インダクタンスの低減を図る。
【解決手段】平板状の正極用配線部材及び負極用配線部材は相互に絶縁された状態で近接して平行に配置され、コンデンサの正極端子が正極用配線部材に、負極端子が負極用配線部材にそれぞれ電気的に接続されている。基板は、半導体チップ23のドレインが接続される回路パターン24ｂと、半導体チップ23のソースが接続される回路パターン24ｃとを備えている。回路パターン24ｂの少なくとも正極用配線部材の接合部27ｂ又は出力電極部材の接合部35が接合される領域と、回路パターン24ｂと対応する回路パターン24ｃの少なくとも出力電極部材の接合部35が接合される領域又は負極用配線部材の接合部28ｂが接合される領域とが平行状態で隣り合うように設けられている。 （もっと読む）

【課題】電圧コントローラと制御スイッチとを含む高電圧制御スイッチが提供される。
【解決手段】高電圧制御スイッチは、高電圧の制御スイッチングを２つの範囲に分割する。電圧コントローラは、入力信号が存在する範囲に基づいて印加するのに適切なオン及びオフ電圧を決定する。制御スイッチは、入力を検出し、論理入力に応じて電圧コントローラから発生した電圧を出力する。従って、高電圧制御スイッチは、高電圧スイッチング用途において高速で信頼性のある動作を提供する。 （もっと読む）

【課題】単一の発電機のみを備えた構成であっても、エンジン回転数が低い状態において、エンジン回転数を上げることなく、被電力供給系の稼動に必要な電圧の電力を確保することが可能な車両の電源供給制御装置及び電源供給制御方法を提供する。
【解決手段】左右後輪１０Ｌ、１０Ｒへの駆動力要求が無く、発電機４の発電電圧ＶＤＣが被電力供給系１２の稼動電圧未満である場合に、上アーム側スイッチング素子２８ｃと発電機４との電気的な接続を遮断し、上アーム側スイッチング素子２８ｃと被電力供給系１２とを電気的に接続し、発電機４と被電力供給系１２とを電機子コイル３６を介して接続し、電機子コイル３６と、下アーム側スイッチング素子３０ｃと、上アーム側スイッチング素子２８ｃとから、昇圧型のＤＣ−ＤＣコンバータを形成する。 （もっと読む）

【課題】主スイッチング素子のターンオフ，ターンオン動作を、コンデンサを用いることで高速化しスイッチング損失を低減させる。
【解決手段】主スイッチング素子１の例えばオン期間中に、電源電圧１１によりコンデンサ１５を充電し、このコンデンサ１５に蓄積された電圧を、主スイッチング素子１がオフする際の逆バイアス電源として用いることより、特に負電圧用の電源を用いることなく高速なターンオフ動作を可能にし、スイッチング損失の低減化を図る。 （もっと読む）

【課題】負荷を駆動するブリッジ回路のローサイド側のトランジスタを駆動するのに好適なトランジスタ駆動装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ駆動装置１００を、駆動制御部１０と、駆動電力供給部１１と、電流レベル検出部１２とを含んだ構成とし、駆動電力供給部１１は、Ｈブリッジ回路のローサイド側のＤＭＯＳＦＥＴであるＱ２又はＱ４を、最初はＰＴｒ２のみで駆動し、Ｈブリッジ回路の電流検出抵抗の電圧レベルと、そのハーフ・オン状態時の電圧レベルとを比較する電流レベル検出部１２からの比較信号から、Ｑ２又はＱ４がハーフ・オン状態になったと判別したときに、ＰＴｒ２に加えてＰＴｒ３をオンにし、これら２つのトランジスタを介してＱ２又はＱ４のゲート端子に駆動電流を供給する。 （もっと読む）

【課題】起動・安定化のフェーズにおいて、トランジスタ形式の静的出力を、その出力を流れる電流の増加によって生じる強い電流から保護する。
【解決手段】システムは、負荷抵抗Ｒ１０と、電気負荷Ｃが負荷抵抗Ｒ１０と直列に給電される通電状態と遮断状態とのスイッチングができるＭＯＳスイッチングトランジスタＴ１０とを有するスイッチ装置１０と、抵抗Ｒ１０の端子電圧を所定の最大値に制限する制限装置２０と、所定の時間経過にわたって負荷抵抗Ｒ１０を通る電流が所定の閾値を越えるときに、スイッチングトランジスタＴ１０を遮断状態にスイッチングできる遮断装置３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】誘導性負荷のフライホイル電流が流れる接合ダイオードの逆回復電流を実質的に低減するパワースイッチング回路を提供すること。
【解決手段】たとえばMOSFET４１ｈの寄生ダイオードからなる第１ダイオード４２ｈからなる第１転流経路と並列に、第２ダイオード４３ｈとインダクタンス素子４４ｈとを直列接続してなる第２転流経路を設ける。フライホイル電流によりインダクタンス素子４４ｈに蓄積された磁気エネルギーにより、第１ダイオード４２ｈを流れる逆回復電流を吸収する。これにより、下アームスイッチのMOSFET４１ｌに流れ込む逆回復電流を低減することができる。 （もっと読む）