説明

Fターム[5H740BA12]の内容

電力変換一般 (12,896) | 主回路スイッチング素子 (1,744) | トランジスタ (1,563) | 電界効果トランジスタ(FET) (722)

Fターム[5H740BA12]に分類される特許

21 - 40 / 722


【課題】低ゲート消費電力で、高速かつ確実にスイッチング素子をオンオフさせる半導体スイッチング回路、及びそれを用いた半導体モジュール、電力変換モジュールを提供する。
【解決手段】スイッチング素子1,11を有するスイッチング回路20,21において、容量4,14と抵抗5,15との容量抵抗並列接続回路3,13と、ダイオード直列接続回路7,17とこのダイオードと逆方向に並列に接続されたダイオード8,18とを有するダイオード直列並列接続回路6,16とを有し、スイッチング素子1,11のゲート端子には容量抵抗並列接続回路3,13の一端が接続され、この他端とゲート駆動用回路9の出力端子との間には、ダイオード直列接続回路7,17のダイオードのアノード端子をゲート駆動用回路9側、このカソード端子をスイッチング素子1,11のゲート端子側にして、ダイオード直列並列接続回路6,16が接続されている。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置における負荷電流のゼロ交差検出を提供する。
【解決手段】 ゲート電極と、エミッタとコレクタ電極との間の負荷電流経路と、を有する逆導通トランジスタを含む回路装置が開示される。トランジスタは、負荷電流経路を介し順方向と逆方向に負荷電流を導通できるようにするとともにゲート電極においてそれぞれの信号により活性化または非活性化されるように構成される。回路装置はさらにゲート制御手段と監視手段を含む。ゲート制御手段はゲート電極に接続されるとともに、トランジスタが逆導通状態である場合にゲート電極を介しトランジスタを非活性化するまたはトランジスタの活性化を防止するように構成される。監視手段は、トランジスタが非活性化されるまたは非活性化がゲート制御手段により防止されている間に負荷電流がゼロを交差するときに発生する逆導通トランジスタのコレクタ−エミッタ電圧の突然の上昇を検出するように構成される。 (もっと読む)


【課題】モータ性能を向上するモータ駆動装置を提供することにある。
【解決手段】モータ駆動装置100は、モータを駆動するモータ駆動信号を生成する駆動信号生成部120と、この駆動信号生成部120の前段に設けられ、プルアップ動作時、駆動信号生成部120のスイッチがオン/オフする時発生される電磁波妨害によって引き起こされるモータの振動またはノイズを防止するように、駆動信号生成部120の電流を調節する電流制御部110と、駆動信号生成部120から出力されるモータ駆動信号に基づいてモータを駆動する駆動部130とを含む。 (もっと読む)


【課題】トランスの補助巻線を用いることなく、制御回路の電源を確保して安価にできるドライブ回路を提供する。
【解決手段】ノーマリオン型のハイサイドスイッチQ1とノーマリオフ型のローサイドスイッチQ2との直列回路が直流電源に並列に接続され、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ回路であって、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとを制御信号によりオンオフさせる制御回路10と、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとの接続点に一端が接続された整流手段D2と、整流手段の他端と直流電源の一端とに接続され且つ制御回路に電源を供給するコンデンサC2と、制御回路からの制御信号とコンデンサからの電圧とに基づいてハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ部A1,AND1,Q3,Q4とを備える。 (もっと読む)


【課題】回路素子の耐圧を超える過電圧から回路を保護することができる過電圧保護回路を提供する。
【解決手段】コンパレータCP1は、検出電圧Vdetおよび電圧Vth1を比較し、その比較結果を表す比較信号Sc1を制御回路7に出力する。コンパレータCP2は、検出電圧Vdetおよび電圧Vth1より高い電圧Vth2を比較し、その比較結果を表す比較信号Sc2を制御回路7に出力する。制御回路7は、比較信号Sc1が反転する時点から比較信号Sc2が反転する時点までの経過時間が所定時間未満である場合、電圧VBの電圧変化率が所定値以上であり、直流電源線3、4間に回路素子の耐圧を超える過電圧が生じると判断する。制御回路7は、耐圧を超える過電圧が生じると判断した場合、短絡用トランジスタT2をオン駆動するなどの保護動作を実行する。 (もっと読む)


【課題】グランド端子からグランド電位の供給を受けることなく、スイッチ素子をオン状態に維持することを可能とするスイッチ素子駆動回路を提供する。
【解決手段】本発明によるスイッチ素子駆動回路(100)は、電源と負荷との間に接続されたスイッチ素子を駆動するためのスイッチ素子駆動回路であって、前記電源と前記負荷との間に設けられた電圧降下素子(10)と、前記電圧降下素子の端子間に発生する電圧を動作電源として該電圧を昇圧し、該昇圧により得られた電圧から前記スイッチ素子を制御するための制御信号を生成する信号生成部(20)とを備える。 (もっと読む)


【課題】電力変換回路において、ノーマリオン型トランジスタを利用したスイッチング素子への貫通電流を抑制する。
【解決手段】ハイサイドトランジスタ21とローサイドトランジスタ22の少なくとも一方は、ノーマリオン型トランジスタである。2つのゲート駆動回路11、12の少なくとも一方は、正電源から供給される第1電源電圧VDDと、負電圧源30から供給され接地電圧GNDよりも低い第2電源電圧VNEGとに応じた駆動電圧GH、GLを、ノーマリオン型のトランジスタのゲートに出力する。制御回路40は、第2電源電圧VNEGが参照電圧Vrefよりも高い場合、ハイサイドトランジスタ21に流れるドレイン電流を遮断する。 (もっと読む)


【課題】プリント配線基板上に搭載されるFETに流れる電流を、FETオン時のオン抵抗Ronと配線パターン抵抗Rpによる電圧降下VDGを基に検出する際に、配線パターンの抵抗Rpにより発生する電圧降下分(オフセット分)をキャンセルして、FET(Qo)のドレイン・ソース間電圧VDSを検出する。
【解決手段】本発明の電流検出回路1は、FET(Qo)のドレイン端子Dと回路グランドGとの間に、第1の抵抗Rdと第2の抵抗Roの抵抗直列回路を接続する。そして、第2の抵抗Ronと第1の抵抗Rdの抵抗値の比(Ro/Rd)が、FET(Qo)のオン抵抗Ronと配線パターンRpの抵抗値の比(Ron/Rp)に一致するように設定する。そして、この第1の抵抗Rdと第2の抵抗Roとの接続点(ノードN1)と回路グランドGとの間の電圧VRoを、FET(Qo)に流れる電流の検出信号として出力する。 (もっと読む)


【課題】過電流から電源スイッチ回路を適切に保護する技術を提供する。
【解決手段】電源スイッチ保護回路は、電源スイッチ回路と、第1回路素子及び第2回路素子の両方がオン状態を示す場合に電源スイッチ回路をオン状態とし、第1回路素子及び第2回路素子の少なくとも一方がオフ状態を示す場合に電源スイッチ回路をオフ状態とする電源スイッチ制御回路と、電源スイッチ回路の出力側の短絡を検出し、短絡が検出されているか否かを示しかつ第1回路素子のオフ状態及びオン状態を切り換えるための短絡検出信号を出力する短絡検出回路と、所定時間内における短絡検出信号の状態変化に応じて、短絡が発生しているか否かを判定し、短絡が発生していると判定すると、第2回路素子がオフ状態を維持するように電源スイッチ制御回路を制御する制御部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】フレア現像用高圧出力として、NchFET駆動によるフルブリッジ回路を構成する場合、NchFET駆動用の電源は、DC(直流)バイアス電源から生成し、単独のFET駆動用電源を不要とするとともに、NchFETのスイッチング駆動に必要な最低限のゲート−ソース端子間への電圧の供給を可能とする。
【解決手段】スイッチング素子によりパルス電圧をトナーに印加し、前記トナーを浮遊させて現像を行うフレア現像方式の画像形成装置に用いられる電源装置であって、DCバイアス電源111の出力電圧を分圧して、前記スイッチング素子のゲート端子−ソース端子に所定の電圧を出力する分圧部111aを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体スイッチを小さい負担で駆動できるとともに、半導体スイッチに十分なゲート電流を流すことができ、しかも、ゲート配線のインピーダンスによる障害を回避できる半導体モジュール。
【解決手段】ゲートに印加される電圧に応じてオンオフする半導体スイッチQ1と、半導体スイッチのソース電位に対して正極性を有する正極コンデンサ110と、半導体スイッチのソース電位に対して負極性を有する負極コンデンサ111と、正極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオンさせる場合は正極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオン制御部112と、負極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオフさせる場合は負極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオフ制御部113を備える。 (もっと読む)


【課題】ノイズ耐性が高く、且つ、製造プロセス、電源、及び電源電圧が変動するような場合においても精度が高い、出力トランジスタに対する電流制限回路を提供する。
【解決手段】電流制限回路が、基準トランジスタと、基準トランジスタに所定の電流を流す電流源と、出力トランジスタがオンした時の両端の第1の電位差と基準トランジスタの両端の第2の電位差を比較する比較器であって、第1の電位差が第2の電位差よりも大きくなった場合に、出力トランジスタをオフするように制御する電流制限信号を出力する、比較器とを備える。基準トランジスタは、出力トランジスタとは素子サイズの異なる同型のトランジスタであり、基準トランジスタがオンした時のオン抵抗は、出力トランジスタがオンした時のオン抵抗の1/Nの大きさ(Nは1より大きい数)であり、更に、基準トランジスタがオンするように基準トランジスタのゲートにバイアスがかけられている。 (もっと読む)


【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、また、電流回生時の電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲート駆動回路。
【解決手段】ドレインとソースとゲートとを有し且つワイドバンドギャップ半導体かなるノーマリオフ型スイッチグ素子Q1のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲート駆動回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続され、コンデンサC1と抵抗R1との直列回路と並列にノーマリオン型スイッチグ素子Q2が接続され、スイッチング素子Q2のゲートはGNDに接続され、スイッチング素子Q1のゲート電圧に応じたゲートバイアス電流を供給し、スイッチング素子Q1のオフ時にはゲート・ソース間を短絡する。 (もっと読む)


【課題】 電力損失が小さく、発生ノイズが小さいパワー半導体モジュールを実現する。
【解決手段】 ワイドバンドギャップ半導体を利用したユニポーラ型スイッチング素子(ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子)1とシリコン半導体を利用した絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(Si−IGBT)2を並列接続したパワー半導体モジュールで、ワイドバンドギャップ半導体素子1のチップ面積はSi−IGBT2のチップ面積よりも小さいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】並列に接続したMOSFETの発熱を均一化することが可能な負荷回路の制御装置を提供する。
【解決手段】電源と負荷とを接続する負荷回路に、2個のMOSFET(Q1),(Q2)を並列に配置する。そして、各MOSFET(Q1),(Q2)が交互にオン、オフとなるように制御する。その結果、各MOSFET(Q1),(Q2)のいずれか一方にのみ電流が流れることになるので、電流センサ12,22で検出されるオフセット誤差は、いずれか一方のオフセット誤差のみとなり、高精度な電流検出が可能となる。従って、負荷に流れる電流が過電流となった際に回路を遮断する制御を行う際に、高精度な遮断制御が可能となる。 (もっと読む)


【課題】ワイドギャップ半導体のターンオフの速度を高速化できるゲート駆動回路。
【解決手段】負極が接地された正電源E1と、正極が接地された負電源E2と、正電源の正極と負電源の負極との間に設けられ、制御信号を生成する制御回路11と、正電源の正極と負電源の負極との間に設けられたトランジスタQ1とトランジスタQ2との直列回路と、ドレイン端子、接地されたソース端子及びQ1とQ2との接続点に接続されたゲート端子を備えたワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子GaNFETと、制御信号のオフ時にQ1を所定時間だけオンさせQ1を介して負電源の電圧をスイッチング素子のゲート端子に印加するターンオフ制御回路13と、スイッチング素子のゲート端子と接地との間に設けられ、制御信号のオフ時にそのゲート端子とソース端子を短絡させるトランジスタQ3とトランジスタQ4との直列回路を備える。 (もっと読む)


【課題】双方向に導通可能なスイッチング素子に逆電流が流れた場合であってもスイッチング素子の損失を低減させることができるゲート駆動回路。
【解決手段】双方向に導通可能なスイッチング素子SWと、スイッチング素子のオンオフを制御する制御部11と、スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出部12と、電流検出部によってスイッチング素子に逆方向の電流が流れたことが検出された時に、制御部によるオンオフの制御とは独立に、スイッチング素子をオン制御するゲート駆動部13とを備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、出力駆動回路及びトランジスタ出力回路を提供する。
【解決手段】第1のスイッチ113のオン動作によって駆動され、出力トランジスタのゲートに高電圧電源を供給する第1のトランジスタ111を含む第1の駆動回路部110と、第1のスイッチ113と相補的に動作する第2のスイッチ133のオン動作によって生成されたワンショットパルスによって駆動され、出力トランジスタのゲート−ソースのキャパシタンスを放電させる第2のトランジスタ131を含む第2の駆動回路部130と、第1の駆動回路部110と並列されるように高電圧電源端と出力トランジスタのゲートとの間に配置され、第2のスイッチ133のオン動作によって放電した出力トランジスタのゲート電位を保持させる出力駆動電圧クランピング部150とを含む。 (もっと読む)



【課題】スイッチング電源装置のメーカ、方式によらず、電源の寿命予測を行う。
【解決手段】スイッチング電源装置100の入力端8には、電圧と電流を測定する電流計51、電圧計53が接続されている。また、スイッチング電源装置100の出力端9には電圧と電流を計測するする電流計52、電圧計54が接続されている。計算機50は、各計測装置51〜54による計測値から入出力における電力の比を計算して出力効率を求めて蓄積し、蓄積された出力効率から過去のある時点の出力効率の変動中心を求め、当該時点以前の出力効率のうち予め定められた変動範囲内を超えているものがいくつ発生しているかを示す発生頻度を計算する。警報装置70は、発生頻度が、予め定めた頻度に達しているときに警報出力を発生する。 (もっと読む)


21 - 40 / 722