【課題】スイッチ素子の耐圧保護回路について、損失を抑制しつつ、設計容易性を向上させること。
【解決手段】耐圧保護回路１は、キャパシタＣ１、Ｃ３と、インダクタＬ１、Ｌ２と、スイッチ素子Ｑ３と、制御回路１０と、を備える。キャパシタＣ１の他方の電極には、直流電源Ｖｉｎの正極が接続され、キャパシタＣ１はサージ電圧を吸収する。キャパシタＣ３の一方の電極には、ダイオードＤ４を介して直流電源Ｖｉｎの正極が接続される。キャパシタＣ１の一方の電極には、インダクタＬ１を介してキャパシタＣ３の他方の電極が接続されるとともに、スイッチ素子Ｑ３のドレインが接続される。スイッチ素子Ｑ３のソースには、直流電源Ｖｉｎの負極が接続され、スイッチ素子Ｑ３のゲートには、制御回路１０が接続される。制御回路１０は、キャパシタＣ１の端子間電圧が閾値電圧以上であれば、スイッチ素子Ｑ３をスイッチングさせる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置における負荷電流のゼロ交差検出を提供する。
【解決手段】 ゲート電極と、エミッタとコレクタ電極との間の負荷電流経路と、を有する逆導通トランジスタを含む回路装置が開示される。トランジスタは、負荷電流経路を介し順方向と逆方向に負荷電流を導通できるようにするとともにゲート電極においてそれぞれの信号により活性化または非活性化されるように構成される。回路装置はさらにゲート制御手段と監視手段を含む。ゲート制御手段はゲート電極に接続されるとともに、トランジスタが逆導通状態である場合にゲート電極を介しトランジスタを非活性化するまたはトランジスタの活性化を防止するように構成される。監視手段は、トランジスタが非活性化されるまたは非活性化がゲート制御手段により防止されている間に負荷電流がゼロを交差するときに発生する逆導通トランジスタのコレクタ−エミッタ電圧の突然の上昇を検出するように構成される。 （もっと読む）

【課題】モータ性能を向上するモータ駆動装置を提供することにある。
【解決手段】モータ駆動装置１００は、モータを駆動するモータ駆動信号を生成する駆動信号生成部１２０と、この駆動信号生成部１２０の前段に設けられ、プルアップ動作時、駆動信号生成部１２０のスイッチがオン／オフする時発生される電磁波妨害によって引き起こされるモータの振動またはノイズを防止するように、駆動信号生成部１２０の電流を調節する電流制御部１１０と、駆動信号生成部１２０から出力されるモータ駆動信号に基づいてモータを駆動する駆動部１３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】トランスの補助巻線を用いることなく、制御回路の電源を確保して安価にできるドライブ回路を提供する。
【解決手段】ノーマリオン型のハイサイドスイッチＱ１とノーマリオフ型のローサイドスイッチＱ２との直列回路が直流電源に並列に接続され、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ回路であって、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとを制御信号によりオンオフさせる制御回路１０と、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとの接続点に一端が接続された整流手段Ｄ２と、整流手段の他端と直流電源の一端とに接続され且つ制御回路に電源を供給するコンデンサＣ２と、制御回路からの制御信号とコンデンサからの電圧とに基づいてハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ部Ａ１，ＡＮＤ１，Ｑ３，Ｑ４とを備える。 （もっと読む）

【課題】グランド端子からグランド電位の供給を受けることなく、スイッチ素子をオン状態に維持することを可能とするスイッチ素子駆動回路を提供する。
【解決手段】本発明によるスイッチ素子駆動回路（１００）は、電源と負荷との間に接続されたスイッチ素子を駆動するためのスイッチ素子駆動回路であって、前記電源と前記負荷との間に設けられた電圧降下素子（１０）と、前記電圧降下素子の端子間に発生する電圧を動作電源として該電圧を昇圧し、該昇圧により得られた電圧から前記スイッチ素子を制御するための制御信号を生成する信号生成部（２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路素子の耐圧を超える過電圧から回路を保護することができる過電圧保護回路を提供する。
【解決手段】コンパレータＣＰ１は、検出電圧Ｖdetおよび電圧Ｖth1を比較し、その比較結果を表す比較信号Ｓc1を制御回路７に出力する。コンパレータＣＰ２は、検出電圧Ｖdetおよび電圧Ｖth1より高い電圧Ｖth2を比較し、その比較結果を表す比較信号Ｓc2を制御回路７に出力する。制御回路７は、比較信号Ｓc1が反転する時点から比較信号Ｓc2が反転する時点までの経過時間が所定時間未満である場合、電圧ＶＢの電圧変化率が所定値以上であり、直流電源線３、４間に回路素子の耐圧を超える過電圧が生じると判断する。制御回路７は、耐圧を超える過電圧が生じると判断した場合、短絡用トランジスタＴ２をオン駆動するなどの保護動作を実行する。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路において、ノーマリオン型トランジスタを利用したスイッチング素子への貫通電流を抑制する。
【解決手段】ハイサイドトランジスタ２１とローサイドトランジスタ２２の少なくとも一方は、ノーマリオン型トランジスタである。２つのゲート駆動回路１１、１２の少なくとも一方は、正電源から供給される第１電源電圧ＶＤＤと、負電圧源３０から供給され接地電圧ＧＮＤよりも低い第２電源電圧ＶＮＥＧとに応じた駆動電圧ＧＨ、ＧＬを、ノーマリオン型のトランジスタのゲートに出力する。制御回路４０は、第２電源電圧ＶＮＥＧが参照電圧Ｖｒｅｆよりも高い場合、ハイサイドトランジスタ２１に流れるドレイン電流を遮断する。 （もっと読む）

【課題】プリント配線基板上に搭載されるＦＥＴに流れる電流を、ＦＥＴオン時のオン抵抗Ｒｏｎと配線パターン抵抗Ｒｐによる電圧降下Ｖ_ＤＧを基に検出する際に、配線パターンの抵抗Ｒｐにより発生する電圧降下分（オフセット分）をキャンセルして、ＦＥＴ（Ｑｏ）のドレイン・ソース間電圧Ｖ_ＤＳを検出する。
【解決手段】本発明の電流検出回路１は、ＦＥＴ（Ｑｏ）のドレイン端子Ｄと回路グランドＧとの間に、第１の抵抗Ｒｄと第２の抵抗Ｒｏの抵抗直列回路を接続する。そして、第２の抵抗Ｒｏｎと第１の抵抗Ｒｄの抵抗値の比（Ｒｏ／Ｒｄ）が、ＦＥＴ（Ｑｏ）のオン抵抗Ｒｏｎと配線パターンＲｐの抵抗値の比（Ｒｏｎ／Ｒｐ）に一致するように設定する。そして、この第１の抵抗Ｒｄと第２の抵抗Ｒｏとの接続点（ノードＮ１）と回路グランドＧとの間の電圧ＶＲｏを、ＦＥＴ（Ｑｏ）に流れる電流の検出信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】過電流から電源スイッチ回路を適切に保護する技術を提供する。
【解決手段】電源スイッチ保護回路は、電源スイッチ回路と、第１回路素子及び第２回路素子の両方がオン状態を示す場合に電源スイッチ回路をオン状態とし、第１回路素子及び第２回路素子の少なくとも一方がオフ状態を示す場合に電源スイッチ回路をオフ状態とする電源スイッチ制御回路と、電源スイッチ回路の出力側の短絡を検出し、短絡が検出されているか否かを示しかつ第１回路素子のオフ状態及びオン状態を切り換えるための短絡検出信号を出力する短絡検出回路と、所定時間内における短絡検出信号の状態変化に応じて、短絡が発生しているか否かを判定し、短絡が発生していると判定すると、第２回路素子がオフ状態を維持するように電源スイッチ制御回路を制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フレア現像用高圧出力として、ＮｃｈＦＥＴ駆動によるフルブリッジ回路を構成する場合、ＮｃｈＦＥＴ駆動用の電源は、ＤＣ（直流）バイアス電源から生成し、単独のＦＥＴ駆動用電源を不要とするとともに、ＮｃｈＦＥＴのスイッチング駆動に必要な最低限のゲート−ソース端子間への電圧の供給を可能とする。
【解決手段】スイッチング素子によりパルス電圧をトナーに印加し、前記トナーを浮遊させて現像を行うフレア現像方式の画像形成装置に用いられる電源装置であって、ＤＣバイアス電源１１１の出力電圧を分圧して、前記スイッチング素子のゲート端子−ソース端子に所定の電圧を出力する分圧部１１１ａを備える。 （もっと読む）

【課題】ノイズ耐性が高く、且つ、製造プロセス、電源、及び電源電圧が変動するような場合においても精度が高い、出力トランジスタに対する電流制限回路を提供する。
【解決手段】電流制限回路が、基準トランジスタと、基準トランジスタに所定の電流を流す電流源と、出力トランジスタがオンした時の両端の第１の電位差と基準トランジスタの両端の第２の電位差を比較する比較器であって、第１の電位差が第２の電位差よりも大きくなった場合に、出力トランジスタをオフするように制御する電流制限信号を出力する、比較器とを備える。基準トランジスタは、出力トランジスタとは素子サイズの異なる同型のトランジスタであり、基準トランジスタがオンした時のオン抵抗は、出力トランジスタがオンした時のオン抵抗の１／Ｎの大きさ（Ｎは１より大きい数）であり、更に、基準トランジスタがオンするように基準トランジスタのゲートにバイアスがかけられている。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチを小さい負担で駆動できるとともに、半導体スイッチに十分なゲート電流を流すことができ、しかも、ゲート配線のインピーダンスによる障害を回避できる半導体モジュール。
【解決手段】ゲートに印加される電圧に応じてオンオフする半導体スイッチＱ１と、半導体スイッチのソース電位に対して正極性を有する正極コンデンサ１１０と、半導体スイッチのソース電位に対して負極性を有する負極コンデンサ１１１と、正極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオンさせる場合は正極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオン制御部１１２と、負極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオフさせる場合は負極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオフ制御部１１３を備える。 （もっと読む）

【課題】 電力損失が小さく、発生ノイズが小さいパワー半導体モジュールを実現する。
【解決手段】 ワイドバンドギャップ半導体を利用したユニポーラ型スイッチング素子（ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子）１とシリコン半導体を利用した絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Ｓｉ−ＩＧＢＴ）２を並列接続したパワー半導体モジュールで、ワイドバンドギャップ半導体素子１のチップ面積はＳｉ−ＩＧＢＴ２のチップ面積よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、また、電流回生時の電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲート駆動回路。
【解決手段】ドレインとソースとゲートとを有し且つワイドバンドギャップ半導体かなるノーマリオフ型スイッチグ素子Ｑ１のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲート駆動回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続され、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１との直列回路と並列にノーマリオン型スイッチグ素子Ｑ２が接続され、スイッチング素子Ｑ２のゲートはＧＮＤに接続され、スイッチング素子Ｑ１のゲート電圧に応じたゲートバイアス電流を供給し、スイッチング素子Ｑ１のオフ時にはゲート・ソース間を短絡する。 （もっと読む）

【課題】並列に接続したＭＯＳＦＥＴの発熱を均一化することが可能な負荷回路の制御装置を提供する。
【解決手段】電源と負荷とを接続する負荷回路に、２個のＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１），（Ｑ２）を並列に配置する。そして、各ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１），（Ｑ２）が交互にオン、オフとなるように制御する。その結果、各ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１），（Ｑ２）のいずれか一方にのみ電流が流れることになるので、電流センサ１２，２２で検出されるオフセット誤差は、いずれか一方のオフセット誤差のみとなり、高精度な電流検出が可能となる。従って、負荷に流れる電流が過電流となった際に回路を遮断する制御を行う際に、高精度な遮断制御が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体のターンオフの速度を高速化できるゲート駆動回路。
【解決手段】負極が接地された正電源Ｅ１と、正極が接地された負電源Ｅ２と、正電源の正極と負電源の負極との間に設けられ、制御信号を生成する制御回路１１と、正電源の正極と負電源の負極との間に設けられたトランジスタＱ１とトランジスタＱ２との直列回路と、ドレイン端子、接地されたソース端子及びＱ１とＱ２との接続点に接続されたゲート端子を備えたワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子ＧａＮＦＥＴと、制御信号のオフ時にＱ１を所定時間だけオンさせＱ１を介して負電源の電圧をスイッチング素子のゲート端子に印加するターンオフ制御回路１３と、スイッチング素子のゲート端子と接地との間に設けられ、制御信号のオフ時にそのゲート端子とソース端子を短絡させるトランジスタＱ３とトランジスタＱ４との直列回路を備える。 （もっと読む）

【課題】双方向に導通可能なスイッチング素子に逆電流が流れた場合であってもスイッチング素子の損失を低減させることができるゲート駆動回路。
【解決手段】双方向に導通可能なスイッチング素子ＳＷと、スイッチング素子のオンオフを制御する制御部１１と、スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出部１２と、電流検出部によってスイッチング素子に逆方向の電流が流れたことが検出された時に、制御部によるオンオフの制御とは独立に、スイッチング素子をオン制御するゲート駆動部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、出力駆動回路及びトランジスタ出力回路を提供する。
【解決手段】第１のスイッチ１１３のオン動作によって駆動され、出力トランジスタのゲートに高電圧電源を供給する第１のトランジスタ１１１を含む第１の駆動回路部１１０と、第１のスイッチ１１３と相補的に動作する第２のスイッチ１３３のオン動作によって生成されたワンショットパルスによって駆動され、出力トランジスタのゲート−ソースのキャパシタンスを放電させる第２のトランジスタ１３１を含む第２の駆動回路部１３０と、第１の駆動回路部１１０と並列されるように高電圧電源端と出力トランジスタのゲートとの間に配置され、第２のスイッチ１３３のオン動作によって放電した出力トランジスタのゲート電位を保持させる出力駆動電圧クランピング部１５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子の破壊を防止したスイッチング回路及びＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】ハイサイドスイッチと、整流要素と、駆動回路と、を備えたスイッチング回路が提供される。前記ハイサイドスイッチは、高電位端子と出力端子との間に接続されている。前記整流要素は、前記出力端子と低電位端子との間に、前記低電位端子から前記出力端子に向かう方向を順方向として接続される。前記駆動回路は、入力されるハイサイド制御信号に応じて前記ハイサイドスイッチの制御端子に第１の電圧を供給してオンさせ、前記出力端子の電圧が規定値以上に上昇したとき前記ハイサイドスイッチの制御端子に前記第１の電圧よりも高い第２の電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】遷移期間においてハイサイドトランジスタQ1がオンしないようにする。
【解決手段】高電位電源ラインと低電位電源ラインとの間に直列に接続されたハイサイドトランジスタとロウサイドトランジスタと，両トランジスタの接続ノードと出力端子との間に設けられたインダクタとを有する電源装置の前記両トランジスタを駆動する駆動回路であって，前記ハイサイドトランジスタのゲートを駆動する第１のゲートドライバと，前記ロウサイドトランジスタのゲートを駆動する第２のゲートドライバとを有し，前記ハイサイドトランジスタがオンでロウサイドトランジスタがオフの第１の状態から，前記ハイサイドトランジスタがオフでロウサイドトランジスタがオンの第２の状態に遷移する遷移期間で，前記第１のゲートドライバは前記ハイサイドトランジスタのゲートを前記低電位電源ラインの電位より低い第１の電圧に駆動する電源装置の駆動回路。 （もっと読む）