【課題】出力トランジスタを負荷逆起電圧から保護すると共に、ダンプサージ電圧に対しても保護し、さらには、エネルギーは小さいがダンプサージ電圧よりも高い正電源サージに対しても出力トランジスタを保護する保護機能を備えた電力供給制御回路を提供する。
【解決手段】電源ライン１０１と出力端子１０６との間に接続される電力用半導体（出力ＭＯＳトランジスタ）１０９と、出力端子１０６に接続される負荷１１２と、第１の電源１０１と出力端子１０６との間の電圧差を制限する第１のダイナミッククランプ回路１１１と、このクランプ回路１１１と出力トランジスタ１０９との間に接続され基準電圧１０３と出力端子１０６の電圧との比較結果に基づいて導通状態が決定される第１のスイッチ１１０とを有する。さらに、電源ライン１０１と出力端子１０６との間の電圧差を制限して出力トランジスタ１０９を保護する第２のダイナミッククランプ回路１１４を設る。 （もっと読む）

【課題】実装面積が小さいサージ吸収保護回路の提供。
【解決手段】インダクタ負荷Ｒ_Ｌは導線１０１に接続され、他端は導線１０２により電界効果トランジスタＦＥＴのドレインＤに接続され、電界効果トランジスタに対して双方向ツェナーダイオードＺＤと第一抵抗Ｒ_ＧＳを導線１０４により並列に設け、電界効果トランジスタのソースＳより導線１０３をアースし、第一抵抗Ｒ_ＧＳの他端側は導線１０５により前記導線１０３に接続し、双方向ツェナーダイオードと第一抵抗Ｒ_ＧＳ間の導線１０４に電界効果トランジスタのゲートＧに接続する導線１０６を分岐させ、この導線１０６の他端に第二抵抗Ｒ_２を設けたインダクタ負荷ドライブ回路の逆起電力吸収回路１００。 （もっと読む）

【課題】回路サイズを極力小さく抑えつつスルーレートを容易に制御可能なドライブ回路を提供する。
【解決手段】電流値制御回路３１は、電源電圧ＶＢを検出してβ（一定値）×ＶＢなる電流ＩＨを出力するように電流出力回路２１に指令する。駆動指令信号Ｓd1がＨレベル、駆動指令信号Ｓd2がＬレベルに変化すると、ＭＯＳＦＥＴ２０がオンとなりＭＯＳＦＥＴ１４、１６をオフさせるとともに、ＭＯＳＦＥＴ１３にミラー比ｍ×ＩＨなる電流が流れる。このとき、電源線４からＭＯＳＦＥＴ１３、ＭＯＳＦＥＴ１３のゲート・ドレイン間容量ＣgdおよびＭＯＳＦＥＴ２４を介して電源線５に至る経路で電荷引き抜き電流ＩＨが流れ、電源電圧ＶＢによらず一定時間でＭＯＳＦＥＴ１３のゲート・ドレイン間容量Ｃgdの放電が行われる。 （もっと読む）

【課題】低電位系のMOSFETのドレイン−基板間に存在する寄生容量の影響により高電位系のラッチ回路が誤動作してしまうことを防止するレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】本実施形態では、容量(C)５１，５２を配することにより、ノイズを吸収してラッチ回路１００の誤動作を防止している。即ち、ラッチ回路１００のインバータ(U1)４１，インバータ(U2)４２の入力端子と、高電位系であるラッチ回路１００の基準電圧となる端子(V2L)６との間に、容量(C) ５１，５２を接続しているので、ノイズを容量(C)５１，５２に吸収させることが可能となり、ラッチ回路１００の誤動作を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】振動に強く、インダクタンスが低い接続部構造を備えたコンデンサモジュールの提供を課題とする。
【解決手段】上記課題は、複数のコンデンサを有するコンデンサモジュールにおいて、第１の幅広導体と第２の幅広導体を絶縁シートを介して積層した積層体を備え、この積層体を、前記複数のコンデンサを載置するとともに、電気的に接続される第１の平面部と、この第１の平面部に対して折り曲げられた第２の平面部と、前記第１の平面部及び第２の平面部の端部にそれぞれ設けられ、外部と接続される接続部とをもって構成することにより、解決できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界効果トランジスタのソース・ドレインいずれが高電位となるか不定であるシステムにも好適に用いることが可能なバックゲート切替回路、並びに、これを用いた充電制御装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るバックゲート切替回路２０は、端子Ｔ２から電力供給を受けて電圧Ｖａ、Ｖｂの比較信号を生成する比較部（ＣＭＰ、Ｒ１〜Ｒ５、Ｎ１）と；端子Ｔ３から電力供給を受けて反転比較信号を生成するインバータＩＮＶと；トランジスタ１４のバックゲートと端子Ｔ２との間に接続され、反転比較信号に応じてオン／オフ制御されるトランジスタＰ１と；トランジスタ１４のバックゲートと端子Ｔ３との間に接続され、比較信号に応じてオン／オフ制御されるトランジスタＰ２と；インバータＩＮＶの入力端及びトランジスタＰ２のゲートをプルダウンする抵抗（Ｒ６、Ｒ７）と；を有して成る。 （もっと読む）

【課題】直列接続ＩＧＢＴ３，４の接続点７のｄＶ／ｄｔによる誤動作発生時に、上下アーム短絡などの事故を回避できる高信頼性ＩＧＢＴ駆動装置を提供する。
【解決手段】高低圧側ＩＧＢＴ３，４は、デッドタイムを挟み相補的にオン／オフ制御される。これらデッドタイム期間中に、高圧側ＩＧＢＴ３をオフさせるリセットパルスＲＳを、例えば、次のような要領で発生させる。（１）低圧側ＩＧＢＴ４のオン指令ＬＤの直前に、（２）低圧側ＩＧＢＴ４のオン指令ＬＤの直前から、このオン指令ＬＤと重なる期間ｔｄをもつように、（３）デッドタイムＤＴ期間中、継続して、（４）低圧側ＩＧＢＴ４がオンとなる直前のデッドタイム期間中、継続して、（５）高圧側ＩＧＢＴ３のオン状態を観測したとき、低圧側ＩＧＢＴのオン指令を無効とするように、リセットパルスを生成する。 （もっと読む）

【課題】スイッチングパワーデバイスのオンオフ時におけるサージ電圧からのスイッチングパワーデバイスの保護と、スイッチング損失の低減との両立を図ることができる電力変換装置のゲート抵抗配置構造を提供する。
【解決手段】電力変換装置の使用開始からの経過時間に応じて大きな温度上昇が生じるスイッチングパワーモジュール１と同じ基板１５の実装面にこれと隣接して、あるいは、スイッチングパワーモジュール１と反対側の基板１５の面にこれと対向して、ゲート抵抗３を実装、配置する。ゲート抵抗３には、スイッチングパワーモジュール１がいかなる温度であってもサージ電圧がスイッチングパワーモジュール１の耐電圧値以内に収まるような、温度変化に対する抵抗値変化の特性を有するものを使用する。望ましくは、サージ電圧に対してスイッチングパワーモジュール１の耐電圧値が過剰なマージンを持つことにならないような特性のゲート抵抗３を用いる。 （もっと読む）

【課題】保護機能を有し、小型化が容易なパワートランジスタドライブ回路を提供する。
【解決手段】パワートランジスタの制御信号を出力する出力端子と、前記パワートランジスタの異常信号が入力される異常検出端子と、外部抵抗に流れる電流を電圧に変換するＩＶ変換回路と、ＡＤ変換回路と、ディジタル信号が保持される記憶回路と、前記記憶回路を用いて選択されるシャットダウン抵抗を少なくとも２つ含むソフトシャットダウン回路と、を備え、前記パワートランジスタのオフ状態において第１のシャットダウン抵抗が選択され、入力された前記異常信号により前記異常検出端子が低レベルに転じ、前記パワートランジスタをオフに切り替える前記制御信号が出力されると共に前記パワートランジスタのソフトシャットダウンが実行されることを特徴とするパワートランジスタドライブ回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】大電力用主電源スイッチングについて、ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子の誤作動を防ぐ技術を提供する。
【解決手段】スイッチング回路１００は、ゲート電極、接地に接続されるソース電極、及び電源電位Ｖ_ｄｄに接続されるドレイン電極を有するノーマリーオフ型のスイッチング素子１３０と、スイッチング素子１３０のゲート電極及びソース電極に、それぞれ接続される、ドレイン電極及びソース電極、並びに、ゲート電極を有するノーマリーオン型ＦＥＴ１３２とを含む。本回路１００を駆動するための電源供給が無い場合、ノーマリーオン型ＦＥＴ１３２はオン状態となる。その結果、スイッチング素子１３０のゲート／ソース間電位は０Ｖとなり、スイッチング素子１３０はオフ状態を保つ。本回路１００は、雑音電圧によるスイッチング素子１３０の誤作動を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】電力供給装置に接続可能である負荷を実用するための回路を提供する。
【解決手段】本回路（２００）は複数の三端子スイッチ（２１５）と１つの制御供給装置（２５２）とを含む。複数の三端子スイッチ（２１５）は電力供給装置（２１０）と負荷（２０５）との間に接続可能な直列の導電路（２５０）を規定する。複数の三端子スイッチ（２１５）の各々はソース端子（２３５）、ドレイン端子（２４０）及びゲート端子（２４５）を含む。制御供給装置（２５２）は制御電圧を生成するものであり且つ複数の三端子スイッチの各々のゲート端子とソース端子との間に電力接続関係にある。複数の三端子スイッチ（２１５）の各々はそのそれぞれのゲート端子（２４５）における制御電圧に応答して、複数の三端子スイッチの各々のそれぞれのソース端子（２３５）とそれぞれのドレイン端子（２４０）との間の接続部（２５５）を閉成する。 （もっと読む）

【課題】 IC化を容易にでき、特性を安定化させることができるスイッチング回路を提供すること。
【解決手段】 制御信号生成する構成は、スイッチング素子Ｍ１の制御信号のターンオン時の作動閾値電圧近傍までの昇圧を、電源Ｖ２からの注入で早めるパルス発振器Ｐ２、トランジスタＱ１、電源Ｖ２と、スイッチング素子Ｍ１の制御信号のターンオフ時の作動閾値電圧近傍までの降圧を、電流経路１０１と別の電流経路１０２，１０３で電流を流すことで早めるダイオードＤ２、トランジスタＱ２、電源Ｖ３を備えた。 （もっと読む）

【課題】回路の大型化を回避しつつ、供給電圧へ重畳されるノイズ又はサージ等を極力排除し、併せて、製造コストの高騰を抑え得るスナバ回路を提供する。
【解決手段】陽極側に配置される電圧制御回路Ｃｖと陰極側に配置される保護抵抗Ｒｈとが直列に接続された直列回路Ｃｄと、直列回路Ｃｄの両接続端と電圧制御回路Ｃｖ及び保護抵抗Ｒｈの間とにそれぞれ接続されたスイッチング素子Ｓｓとを少なくとも備え、かかるスイッチング素子Ｓｓは、陽極側から陰極側へ向けて透過電流Ｉｓが流れる配置とされているスナバ回路。 （もっと読む）

【課題】電力用変換器の過電流においてオン抵抗損失の著しい増大を抑制して、電力用変換器の小型・軽量化および低価格化をはかる。
【解決手段】定格電流容量の５倍ないし２０倍のサージ電流が流れる電力用変換器に炭化ケイ素を素材とした静電誘導トランジスタを適用するにあたり、該静電誘導トランジスタのオン時のゲート電圧を定格電流以下の正常動作時にはゲート接合のビルトイン電圧以下として高速、低損失、高効率の電力変換を行い、定格を超える過電流が流れた場合にかぎりゲート電圧をビルトイン電圧以上に昇圧することにより過電流による素子破壊を防止する制御方法によって変換器に使用される炭化ケイ素静電誘導トランジスタの電流容量を変換のそれを大幅に超えない小容量とする。 （もっと読む）

【目的】低コストで過熱検出温度のバラツキ範囲や過電流検出値のバラツキ範囲を低減できるマルチチップ型半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１ウェハ４１内に形成された第１の半導体チップの特性（検知電圧線や検知電流線）と第２ウェハ４２内に形成された第２の半導体チップの特性（検出電圧レベルや検出電流レベル）をクラス別にグループ分けする。このグループ分けを第１の半導体チップが形成されている第１ウェハ４１内の領域（Ａ，Ｂ，Ｃ）と第２の半導体チップが形成されている第２ウェハ４２内の領域（ａ、ｂ、ｃ）で行う。領域でクラス別にグループ分けされた第１の半導体チップと第２の半導体チップを、特性バラツキが相殺される領域にあるもの同士で組み合わせる。 （もっと読む）

【課題】ブリッジ方式回路において互いに直列接続される２つのスイッチング素子が同時にオンしないようにそれらスイッチング素子を駆動することが可能なドライブ回路を提供することを目的とする。
【解決手段】互いに直列接続されるＭＯＳＦＥＴ３２、３３及びＭＯＳＦＥＴ３４、３５がそれぞれ直流電源３６に並列接続されるブリッジ方式回路３１のＭＯＳＦＥＴ３２〜３５をオン、オフさせるためのドライブ回路１において、出力端子２４の電位を上昇させてＭＯＳＦＥＴ３２をオンさせるｎｐｎバイポーラトランジスタ２２をオンさせるための電荷を蓄積するコンデンサ１２と、ＭＯＳＦＥＴ３２がオンしたときＭＯＳＦＥＴ３３のドレイン−ゲート間の寄生容量に蓄積される電荷を引き抜くｐｎｐバイポーラトランジスタ２３をオンさせるための電荷を蓄積するコンデンサ１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、直流電源の出力電圧の変動による半導体素子の導通を防止して、意図しない負荷電流による誤動作を防止する負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】電源２から負荷１への電力供給経路に直列に接続されオン／オフ動作により負荷１に流れる電流を制御する半導体素子３を有する負荷駆動回路において、半導体素子３のオン／オフを制御する制御部４と、電源２の出力電圧の変動を検出して検出信号を生成する電圧変動検出部５と、電圧変動検出部５により生成された検出信号が入力された場合に、電源２の出力電圧の変動により半導体素子３がオンする前に半導体素子３を強制的にオフさせる遮断部６とを備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の入力容量を高速に充放電させ、スイッチング速度の増加、スイッチング損失の低減を可能にしたゲート駆動回路の制御方法を提供する。
【解決手段】直流電源１１，１２に接続された複数のスイッチ４〜６を備え、これらのスイッチ４〜６のオン・オフによりＮ（Ｎは３以上の整数）個のレベルの電圧を出力して半導体スイッチング素子１のゲートに供給するゲート駆動回路の制御方法において、スイッチング素子１をオンさせる時に、出力電圧のレベルを第１の電圧レベルからそれより高い第２の電圧レベルに変化させ、その後、出力電圧のレベルを第１のレベルと第２の電圧レベルとの間の第３の電圧レベルに変化させるように前記スイッチ４〜６をオン・オフさせる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、入力バイパスコンデンサの音鳴りを低減することが可能なＤＣ／ＤＣコンバータを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るＤＣ／ＤＣコンバータは、入力電圧の印加端と接地端との間に接続される入力バイパスコンデンサを用いて前記入力電圧を平滑化し、これを所望の出力電圧に変換して負荷に供給するＤＣ／ＤＣコンバータであって、前記入力バイパスコンデンサは、複数個のコンデンサが並列接続されたものである構成とされている。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が低下した場合でも、制御対象とする半導体素子を適切に制御することができる半導体素子制御装置を提供する。
【解決手段】電圧付与回路１８は、電源電圧Ｖccを所定の閾値電圧Ｖthと比較して、Ｖcc≦Ｖthであれば、プリドライブ回路２のグランド側端子にグランドレベル近傍の電圧である仮想グランド電圧Ｖcpを付与し、Ｖcc＞Ｖthであれば、前記グランド側端子に電源電圧Ｖccとクランプ制御用電圧Ｖgsとの差電圧を付与する。 （もっと読む）