【課題】電源に対して並列に接続された昇圧部およびスイッチ部から成る並列回路においてスイッチ部の故障の有無を的確に検知する。
【解決手段】制御ＥＣＵ３４は、直結スイッチ１３のオン及び昇圧回路１４の昇圧動作を指示する制御パルスを出力したときに、第１及び第２電圧センサ１５，１６により検出された入力側電圧および出力側電圧に基づき、出力側電圧が昇圧されている場合、直結スイッチ１３はオープン故障であると判定するオープン故障検知モードを有する。制御ＥＣＵ３４は、直結スイッチ１３のオフ及び昇圧回路１４の昇圧動作を指示する制御パルスを出力したときに出力側電圧が昇圧されていない場合、直結スイッチ１３はショート故障または昇圧回路１４は故障であると判定するショート故障検知モードを有する。制御ＥＣＵ３４はショート故障検知モードをオープン故障検知モードの実行に先立って実行する。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子の破壊を防止したスイッチング回路及びＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】ハイサイドスイッチと、整流要素と、駆動回路と、を備えたスイッチング回路が提供される。前記ハイサイドスイッチは、高電位端子と出力端子との間に接続されている。前記整流要素は、前記出力端子と低電位端子との間に、前記低電位端子から前記出力端子に向かう方向を順方向として接続される。前記駆動回路は、入力されるハイサイド制御信号に応じて前記ハイサイドスイッチの制御端子に第１の電圧を供給してオンさせ、前記出力端子の電圧が規定値以上に上昇したとき前記ハイサイドスイッチの制御端子に前記第１の電圧よりも高い第２の電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】遷移期間においてハイサイドトランジスタQ1がオンしないようにする。
【解決手段】高電位電源ラインと低電位電源ラインとの間に直列に接続されたハイサイドトランジスタとロウサイドトランジスタと，両トランジスタの接続ノードと出力端子との間に設けられたインダクタとを有する電源装置の前記両トランジスタを駆動する駆動回路であって，前記ハイサイドトランジスタのゲートを駆動する第１のゲートドライバと，前記ロウサイドトランジスタのゲートを駆動する第２のゲートドライバとを有し，前記ハイサイドトランジスタがオンでロウサイドトランジスタがオフの第１の状態から，前記ハイサイドトランジスタがオフでロウサイドトランジスタがオンの第２の状態に遷移する遷移期間で，前記第１のゲートドライバは前記ハイサイドトランジスタのゲートを前記低電位電源ラインの電位より低い第１の電圧に駆動する電源装置の駆動回路。 （もっと読む）

【課題】動作条件が変化しても、損失およびノイズ特性に優れたスイッチング制御を実現できるゲート駆動装置を得ることを目的としている。
【解決手段】定電流駆動回路１１Ｃと、定電圧駆動回路１１Ｖと、スイッチング素子２の動作条件をパラメータとして、定電流駆動回路１１Ｃおよび定電圧駆動回路１１Ｖのそれぞれでスイッチング素子２を駆動させたときの、スイッチング損失および放射ノイズの一方または両方についての情報を保持する回路特性情報保持部１５と、スイッチング素子２の動作条件を検出する動作条件検出部１４と、検出した動作条件と、保持する回路特性情報に基づき、定電流駆動回路１１Ｃと定電圧駆動回路１１Ｖのうちのいずれか一方をスイッチング素子２の駆動回路として切替える駆動回路切替部１２、１３とを備えるように構成した。 （もっと読む）

【課題】上側のスイッチング素子の誤動作を抑制できる電力変換装置用の駆動回路を提供する。
【解決手段】第１回路１０は、直流電源Ｅ１の低電位端と高電位端との間で相互に直列に接続される第１素子１１及び第２素子１２を有し、第１素子１１は高電位端側に設けられ、第２素子１２は低電位端側に設けられる。第１素子１１及び第２素子１２は、その両方がスイッチである。第２回路２０は、第２素子１２の両端の電圧が所定値よりも大きいときにスイッチング素子Ｔｘ１を非導通とし、当該電圧が所定値よりも小さいときにスイッチング素子Ｔｘ１を導通させる。スイッチ素子３２は、第１素子１１と並列に接続され、スイッチング素子Ｔｘ１が非導通である状態で導通し、スイッチング素子Ｔｘ１が導通する状態で非導通する。 （もっと読む）

【課題】内部ダイオード又は外部ダイオードを使用せずに、逆方向へ導通可能なＭＯＳ−ＦＥＴ回路を提供すること。
【解決手段】ＭＯＳ−ＦＥＴ（１０）と、このＭＯＳ−ＦＥＴ（１０）のドレインをマイナス入力に接続し、ソースをプラス入力に接続したオペアンプ（１５）と、このオペアンプ（１５）の出力を一方の入力とし、ゲート端子（１４）を他方の入力とした第一ＯＲ回路（１７）とからなり、前記第一ＯＲ回路（１７）の出力を前記ＭＯＳ−ＦＥＴ（１０）のゲートに接続した。 （もっと読む）

【課題】従来のゲート駆動回路で高速スイッチングさせる場合、複数の直流電源と、複数の制御用スイッチと、複雑な制御回路が必要で、装置が大型で、高価格となっていた。
【解決手段】制御用スイッチ直列回路の中点にスイッチング素子のゲート端子を、制御用スイッチ直列回路と並列に直流電源を、制御用スイッチ直列回路の正極端子と制御対象となるスイッチング素子のソース端子との間に小さい静電容量のコンデンサとダイオードとの並列回路と十分大きい静電容量を有するコンデンサとの直列回路を、スイッチング素子のソース端子と制御用スイッチ直列回路の負極端子との間に小さい静電容量のコンデンサとダイオードの並列回路を、各々接続する。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】ワイドバンドギャップ半導体かなるスイッチング素子Ｑ１のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲートドライブ回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続されたコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とからなる並列回路と、並列回路にコンデンサＣ２とスイッチング素子Ｑ２と抵抗Ｒ２からなる直列回路がさらに並列接続され、コンデンサＣ２とスイッチング素子Ｑ２との接続点にダイオードＤ１のアノードが接続され、ダイオードＤ１のカソードとスイッチング素子Ｑ２のゲートはスイッチング素子Ｑ１のソースに接続され、制御信号のオフ信号に対してスイッチング素子Ｑ１ゲートを負電位にバイアスする。 （もっと読む）

【課題】貫通電流の発生を防止することのできる出力回路を提供する。
【解決手段】実施形態の出力回路は、出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００のドレイン端子に入力電圧ＶＤＩＮが印加され、ソース端子ＯＵＴにＬＣ回路およびダイオードＤが接続される。この出力回路は、ＮＭＯＳトランジスタＮ１およびＮ２が、出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００のソース端子ＯＵＴとゲート端子との間に直列に接続され、ＮＭＯＳトランジスタＮ３が、ＮＭＯＳトランジスタＮ１とＮＭＯＳトランジスタＮ２の接続点と接地電位端子ＧＮＤとの間に接続され、制御回路１が、出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００が非導通のときに出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００のソース端子ＯＵＴとゲート端子との間に短絡経路が形成されるようＮＭＯＳトランジスタＮ１〜Ｎ３の導通を制御する。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で、出力トランジスタを確実にオフ状態に維持できるトランジスタ駆動回路を提供する。
【解決手段】ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５とコイル２との共通接続点；出力端子ＯＵＴとグランドとの間にフライホイールダイオード３を接続する。ＦＥＴ５のゲートには、ＮＰＮトランジスタ６及びＰＮＰトランジスタ７のプッシュプル回路により制御信号を出力し、トランジスタ７のベースとグランドとの間にＮＰＮトランジスタ１１を接続し、トランジスタ１１のベースとグランドとの間にＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４を接続して、ＦＥＴ１４にＰＷＭ信号を入力する。ダイオード１３は、ＦＥＴ１４がオフ状態になるとトランジスタ１１のベースにベース電流を供給し、ダイオード１５をダイオード１３のアノードとトランジスタ６及び７のベースとの間に接続する。ＮＰＮトランジスタ２２をＦＥＴ５のゲートと出力端子との間に接続し、トランジスタ２２をＰＷＭ信号に応じてＦＥＴ５がオフする際にオンさせる。 （もっと読む）

【課題】アクティブクランプ動作期間を短縮するとともにＥＳＤ耐量を向上させたアクティブクランプ回路を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１のスイッチ素子と、第１のダイオードと、第１の抵抗と、第１および第２の制御回路と、を備えたことを特徴とするアクティブクランプ回路が提供される。前記第１のダイオードは、前記第１のスイッチ素子の両端にかかる過電圧によりブレークダウンする。前記第１の抵抗は、前記第１のダイオードの電流を検出する。前記第１の制御回路は、前記第１の抵抗の両端の電圧を増幅して前記第１のスイッチ素子の電流を制御する。前記第２の制御回路は、前記第１の抵抗の両端の電圧に応じて前記第１のスイッチ素子の導通を制御する。 （もっと読む）

【課題】両極性ブートストラップ回路のキャパシタ充電を短絡電流が流れることがなく安全かつ確実に実施できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】各レグ２〜４を構成する上下の各アームのスイッチング素子ＳｕＨ、ＳｕＬ、・・・に対しオン／オフ駆動用の正負両極の電圧を印加するアーム駆動回路ＤＲｕＨ、ＤＲｕＬ、・・・を個別に設け、直流電源Ｖｇ１〜Ｖｇ３からの電力により正負の各電圧を充電する各キャパシタＣ１ｕ、Ｃ２ｕ、・・・を上下の各アームに設け、かつ各レグ２〜４に両極性ブートストラップ回路５〜７を配置し、キャパシタ充電制御を行う制御回路８は、多相交流電源１の各相の電圧の中で最も高い電圧が入力されているレグの上段アーム側のスイッチング素子と、最も低い電圧が入力されているレグの下段アーム側のスイッチング素子のみをオンする制御信号を各相の電圧変化に応じて繰り返し出力する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で負荷オープン状態を検出することができる負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】電源端子Ｔ１に入力される入力電圧Ｖｉｎよりも低い基準電圧Ｖ１と出力端子Ｔ２の電圧Ｖｏｕｔとを比較する第１のコンパレータ８と、スイッチング素子２がオフ状態で、且つ負荷オープン状態である場合に、出力端子Ｔ２の電圧Ｖｏｕｔを基準電圧Ｖ１よりも高く、且つ入力電圧Ｖｉｎよりも低いｃｌａｍｐ電圧にクランプするクランプ回路７とを備えることにより、第１のコンパレータの出力によって、負荷オープン状態を検出する。また、入力電圧Ｖｉｎよりも低く且つｃｌａｍｐ電圧よりも高い基準電圧Ｖ２と出力端子Ｔ２の電圧Ｖｏｕｔとを比較する第２のコンパレータ９を備えることにより、第１のコンパレータ及び第２のコンパレータ９の出力によって、負荷オープン状態と出力天絡状態とを検出する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失の増大を抑制しつつ、より高い周波数帯で発生するスイッチングノイズを抑制できるスイッチング素子の駆動装置を提供する。
【解決手段】スルーレート調整部は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴを介してＤＣモータに出力される電圧波形のスルーレートを変化させ、キャリア周波数によって決まる周波数帯よりも高い周波数帯域に現れるスイッチングノイズの周波数成分を分散させてピークレベルを低下させる。 （もっと読む）

【課題】オンデューティが５０％以上のパルス信号でもスイッチング素子のゲートをドライブできる安価なゲートドライブ回路。
【解決手段】直流電源Vcc1の両端にトーテムポール接続され且つ各ベースにパルス信号が入力されるトランジスタQ2,Q3と、直流電源Vcc2の両端にトーテムポール接続され且つ各エミッタがスイッチング素子Q1のゲートに接続されるトランジスタQ4,Q5と、一次巻線P1がトランジスタQ2,Q3の各エミッタとトランジスタQ2,Q3の一方のコレクタとにコンデンサC1を介して接続され、二次巻線S1がトランジスタQ4,Q5の各ベースとトランジスタQ4,Q5の各エミッタとに接続されたトランスT1とを有し、パルス信号Vinの最大オンデューティは、トランスT1の一次巻線電圧VpとトランジスタQ4,Q5のベース−エミッタ間順方向電圧とに基づいて決定される。 （もっと読む）

【課題】窒化物ＦＥＴを高速スイッチング動作させることができ、且つ、サージ電圧から窒化物ＦＥＴを保護することができるスイッチング素子の保護回路。
【解決手段】直列に接続された高圧側素子Ｍ１及び低圧側素子Ｍ２と、高圧側素子をオンオフさせる信号を出力するハイサイドプリドライバ１１と、高圧側素子と逆のオンオフ状態になるように低圧素子をオンオフさせる信号を出力するローサイドプリドライバ１２と、高圧側素子と低圧側素子の接続点に制御端子が接続されたスイッチング素子Ｔｒ１と、スイッチング素子の一方の端子にカソードが接続されたダイオードＤ１と、ダイオードのアノードに入力端子が接続され、ダイオードのブレーク時にスイッチング素子の制御端子に電流を供給するとともに、低圧側素子のオフを指示する信号をローサイドプリドライバに供給する制御器２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置を構成するＦＥＴの発熱を低下させ、最大出力電力を高めた改良された電力変換装置を得る。
【解決手段】ＦＥＴ１ａ、ＦＥＴ１ｂとＦＥＴ１ａ、ＦＥＴ１ｂに逆並列接続された還流ダイオードＤ１ａ、Ｄ１ｂとにより半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂを構成し、スイッチング動作を行う２個１組の半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂと、平滑コンデンサＣ１とを有し、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂのＦＥＴ１ａ、ＦＥＴ１ｂの相補的スイッチング動作により電力変換を行う電力変換装置１０において、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂに流れる電流の向きを検出する電流センサＣＳ１と、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂに流れる電流の向きが負であるときに、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂのＰＷＭゲート信号のオン信号を間引くゲート生成部１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】高電圧で動作可能であると共に、スイッチング時の損失を低減可能な双方向スイッチを提供する。
【解決手段】一実施形態に係る双方向スイッチ１は、第１及び第２の端子１a,１bの間に流れる電流の向きを双方向にスイッチする双方向スイッチであって、逆方向に耐性を有しない第１の半導体スイッチ素子２０Ａと、第１の半導体スイッチ素子２０Ａと順方向で直列接続される第１の逆流阻止ダイオード部３０Ａとを有する第１の直列回路部１０Ａと、逆方向に耐性を有しない第２半導体スイッチ素子２０Ｂと、第２の半導体スイッチ素子２０Ｂと順方向で直列接続される第２の逆流阻止ダイオード部３０Ｂとを有する第２の直列回路部１０Ｂと、を備える。第１の直列回路部１０Ａと第２の直列回路部１０Ｂとは、第１及び第２の端子１a,１bの間に、第１及び第２の半導体スイッチ素子２０Ａ，２０Ｂの順方向が反対向きになるように並列接続されている。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】ドレインとソースとゲートとを有し且つワイドバンドギャップ半導体かなるスイッチグ素子Ｑ１のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲートドライブ回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続され、第1のコンデンサＣ１と第1の抵抗Ｒ１とからなる並列回路と、スイッチング素子のゲートとソースとの間に接続され、制御信号のオフ信号に対して遅延させてゲートとソースとの間を短絡する短絡手段Ｓ４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子の回生動作時の電力損失を抑制し、かつ、安定してターンオン／オフさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】制御回路とスイッチング素子Ｑ１のゲートとの間に接続され、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とダイオードＤ１からなる直列回路と、スイッチング素子のゲートとソースとの間にＰＮＰ型トランジスタＱ２が抵抗Ｒ２を介して接続され、トランジスタＱ２のコレクタ・ベース間にダイオードＤ２が接続され、さらにトランジスタＱ２のベースはダイオードＤ１のアノードに接続され、制御回路からのオフ信号が入力されると、トランジスタの接合電圧とダイオードＤ２との順方向電圧との差分電圧を残してゲートとソースとの間を短絡する。 （もっと読む）