【課題】入力電圧の急変や負荷短絡時等における共振外れにより、中間電位ＶＳが急変した場合にも、ハイサイドドライブ信号ＳＤＨとローサイドドライブ信号ＳＤＬに応じて、所定の動作をすることが可能なドライブ制御回路を提供する。
【解決手段】ドライブ制御回路１０１は、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１とローサイドスイッチ素子Ｑ２との間の中間端子Ｘに接続された共振回路の状態を検出することにより得られた状態検出信号Ｄｅｓに応じて、第１のＭＯＳトランジスタＭ１の他端と第２の電位線９との間の抵抗値を下げる抵抗制御回路２を備える。 （もっと読む）

【課題】発振信号にノイズが発生してデッドタイムパルスが短くなる場合でも、ハイサイドドライブ信号およびローサイドドライブ信号を切り替えて出力することが可能なドライブ信号生成回路を提供する。
【解決手段】ドライブ信号生成回路１は、第１のパルス信号を出力するデッドタイムパルス生成回路１ａと、第２のパルス信号Ａを出力するデッドタイム調整回路１ｂと、第３のパルス信号Ｂを出力する補償パルス生成回路１ｃと、第２のパルス信号Ａと第３のパルス信号Ｂとの論理和を演算し、この演算結果に応じた第４のパルス信号Ｚを出力するＯＲ回路１ｄと、第４のパルス信号Ｚに応じて、ハイサイドドライブ信号ＳＨおよびローサイドドライブ信号ＳＬを出力する論理回路１ｅと、を備える。 （もっと読む）

【課題】パワースイッチング素子Ｓ＃＊がオン状態であるときとオフ状態であるときとの双方においてそのゲートの電圧を適切に検出することが困難なこと。
【解決手段】パワースイッチング素子Ｓ＃＊のゲートおよびエミッタ間は、ゲート電圧が低下することをトリガとして、オフ保持用スイッチング素子４０によって短絡される。オフ保持用スイッチング素子４０は、集積回路（ドライブＩＣ２０）によってオン操作される。パワースイッチング素子Ｓ＃＊のゲートに電圧を印加する電源２８，３０はそれぞれ端子電圧が相違し、ゲート電圧が上昇することで端子電圧の低い電源３０から端子電圧の高い電源２８へと切り替える。パワースイッチング素子Ｓ＃＊がオフ状態であるときには端子Ｔ１の電圧を、また、オン状態であるときには端子Ｔ２の電圧を、それぞれゲート電圧として検出する。 （もっと読む）

【課題】異常停止時においても主素子の逆並列ダイオードを通流させることで、還流ダイオードにおける発熱を抑え、還流ダイオードの冷却が容易にした電力変換装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体スイッチ制御装置は、各相のアーム毎に、主素子３の負極と補助素子５の負極とを接続して主素子の正極を正極端子７とし、補助素子の正極を負極端子８とし、正極端子と負極端子との間に負極端子から正極端子に向かう方向が順方向となるように還流ダイオード４を並列接続した半導体スイッチに対して、主素子と補助素子とをそれぞれ個別にＯＮ／ＯＦＦ制御する。 （もっと読む）

【課題】回路が複雑でなく、スイッチング素子の保護機能を向上することができる電源装置を提供する。
【解決手段】電源装置１０は、一端が電源端子に接続され、他端が出力端子に接続された主スイッチング素子１５と、カソード端子が主スイッチング素子の他端に接続され、アノード端子が接地された整流素子と、主スイッチング素子を制御する制御信号を電圧レベル変換して出力するレベルシフト回路と、ドライバ回路と、レベルシフト回路とドライバ回路に電源供給するブートストラップ回路と、電源からの電圧を所定の電圧に変換してブートストラップ回路に電源供給するレギュレータとを備えた電源装置であって、主スイッチング素子をオンする制御信号が入力されている期間中は、レギュレータからブートストラップ回路への電源供給を遮断するレギュレータ電源供給遮断手段２３を設けた。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ＦＥＴ１の劣化ないし破壊を防止するための保護回路を提供することを目的とする。
【解決手段】
主スイッチ２をＯＮすると＋電源３および−電源４に電圧が供給されコンデンサＣ３およびＣ４により＋電源と−電源は徐々に立ち上がる。この時電子スイッチ２１はＯＦＦに設定されている。−電源４が規定値まで立ち上がると電子スイッチ２１はＯＮとなりＦＥＴ１のドレインに＋電源３が印加される。主スイッチ２をＯＦＦとすると＋電源３と−電源４はコンデンサＣ３およびＣ４により徐々に電圧は下がり始める。−電源が下がり始めると電子スイッチ２１はＯＦＦとなりＦＥＴ１のドレイン電圧７はＯＦＦとなる。
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【課題】スイッチング損失が小さく、かつ、安定してモータを動作させることが可能なモータ駆動回路を提供する。
【解決手段】モータ駆動回路１は、インバータ回路２と、制御回路部３と、バッファ回路４ａ〜４ｃと、抵抗Ｒ２と、キャパシタ素子Ｃ１〜Ｃ３とを備えている。バッファ回路４ａは、ＰＭＯＳトランジスタＱ１ａと、ＮＭＯＳトランジスタＱ１ｂと、抵抗Ｒ１ａと、抵抗Ｒ２ａとを有する。バッファ回路４ａ〜４ｃにＭＯＳトランジスタを用いるため、ターンオン時間Ｔｏｎおよびターンオフ時間Ｔｏｆｆを短くでき、スイッチング損失を小さくできる。また、ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートをハイに設定する場合は抵抗Ｒ２ａを介して充電し、ロウに設定する場合は抵抗Ｒ２ａ，Ｒ１ａを介して放電するため、ターンオフ時間Ｔｏｆｆよりターンオン時間Ｔｏｎが長くなる。そのため、すべての相をオフに設定するデッドタイムを設ける必要がなく、モータを安定して駆動できる。 （もっと読む）

【課題】ｄｖ／ｄｔ印加時に誤動作を防止し且つローサイド側からハイサイド側へ信号を伝達し低電圧でも広い範囲で動作するレベルシフト回路。
【解決手段】トランジスタＭＮ３とトランジスタＭＮ４とをオン／オフさせるパルス発生回路１０、第１抵抗Ｒ１の両端に第３抵抗Ｒ９と非線形特性を有し且つ一定以上のｄｖ／ｄｔ過渡信号が印加された場合にオンするダイオードＤ３〜Ｄ６とが接続された直列回路、第２抵抗Ｒ２の両端に第３抵抗と同じ抵抗値を有する第４抵抗Ｒ１０とダイオードとが接続された直列回路、ＭＮ３がオンである場合にセット信号、ＭＮ４がオンである場合にリセット信号を生成し、ＭＮ３のドレインにおける電位とＭＮ４のドレインにおける電位との間において電圧差が生じていない場合にはいずれの信号も生成しない制御部、セット信号とリセット信号とに基づいて入力信号をレベルシフトした出力信号を出力するフリップフロップ１２を備える。 （もっと読む）

【課題】外部直流電源の逆接続や負サージの印加を認識し、確実に電子制御装置に過電流が発生することを防止できる電源逆接続保護回路を提供する。
【解決手段】外部直流電源の高電位側端子２と低電位側端子３とに接続される整流器１２が備えられる。この整流器１２の高電位側ノード１３及び低電位側ノード１４は逆接続保護制御回路１１に接続される。外部直流電源の逆接続状態でも、整流器１２は高電位側ノード１３に高電位を発生し、低電位側ノード１４に低電位を発生する。従って、逆接続保護制御回路１１の比較器１５は、電源端子３とグランド端子５への外部直流電源の逆接続状態を判定し、逆接続保護素子駆動回路１６は逆接続保護素子１０を確実にオフ動作させる。その結果、グランド端子５から電源端子３への過電流は確実に防止される。 （もっと読む）

【課題】ゲート駆動回路の設計を、短ＴＡＴ化する設計支援装置を提供する。
【解決手段】半導体素子のスイッチングを制御するゲート駆動回路に含まれる回路素子のパラメーを用いて前記半導体素子のスイッチング電圧を計算する回路解析部と、前記スイッチング電圧によって前記ゲート駆動回路を搭載するシステムに発生する電磁放射ノイズを計算する電磁界解析部と、前記電磁放射ノイズが目標値に収まっているか否か判定する第１の判定部と、前記電磁放射ノイズが目標値に収まっていない場合に、前記電磁放射ノイズを抑制するように前記回路素子のパラメータを改良する第１の回路改良部と、前記改良したパラメータを用いて前記回路解析部が計算したスイッチング電圧に基づいて電磁放射ノイズを推定するノイズ推定部と、を備え、中央処理装置が、前記回路素子のパラメータを最適化する。 （もっと読む）

【課題】より簡素な構成にて、駆動回路を構成する各スイッチング素子の動作遅延を最小限に抑えつつ、そのスイッチング伴う電流変化を穏やかにすることのできるモータ制御装置を提供すること。
【解決手段】各ＦＥＴ３０ａ〜３０ｆのゲート端子に対する電圧印加経路Ｌgcには、抵抗可変回路３４が設けられる。抵抗可変回路３４は、第３抵抗Ｒ３が設けられた主経路ＬprとスイッチＳＷが設けられた迂回経路Ｌbpとを備えてなるとともに、そのスイッチＳＷは、制御回路ＣＬにより作動が制御される。そして、制御回路ＣＬは、各ＦＥＴ３０ａ〜３０ｆのゲート駆動電圧Ｖgに基づいて、当該ゲート駆動電圧Ｖgの変化が平坦化する領域にある場合に、迂回経路Ｌbpを遮断すべくスイッチＳＷを作動させる。 （もっと読む）

【課題】電源部品を減らし、安価な構成の駆動回路。
【解決手段】一次巻線Ｎ１と第１の二次巻線Ｎ２とを有し、一次巻線に駆動信号が印加されるトランスＴ１と、トランスの第１の二次巻線の一端と第１スイッチング素子Ｑ１の制御端子との間に接続された第１コンデンサＣ３と、第１ツェナーダイオードＺＮ１と第２ツェナーダイオードＺＮ２とが直列に接続され、第１コンデンサと第１スイッチング素子との接続点に第１ツェナーダイオードのカソードに接続され、トランスの第１の二次巻線の他端に第２ツェナーダイオードのカソードが接続された第１直列回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】駆動回路やトランジスタにおいてばらつきがあっても、ＰＷＭ駆動信号の駆動デューティ成分が小さい場合にも、上側トランジスタと下側トランジスタのシュート・スルー（貫通状態）を防止する。
【解決手段】入力端子の第２レベルまたは第１レベル信号に応じてスイッチングデバイスの制御端子に駆動電流をシンク出力するシンク回路と、スイッチングデバイスのオフ期間中に制御端子を経て容量性の電流をシンクする電流シンクトランジスタと、入力端子の信号に応じてソース回路の入力駆動信号と、シンク回路あるいは前記シンクトランジスタへの入力駆動信号とを生成するＩ／Ｆ回路と、シンク回路または前記シンクトランジスタへの入力駆動信号をシンク回路かあるいはシンクトランジスタのどちらに入力駆動信号として出力するかを選択するセレクタと、この選択動作を制御するセレクタへの選択信号を受ける入力端子とを備える。 （もっと読む）

【課題】駆動回路及びこれを含む電源装置及び電気装置を提供する。
【解決手段】制御端子及び出力端子を有するスイッチング素子、及び制御端子と出力端子との間の電圧が臨界電圧以下に維持されるように、前記スイッチング素子を制御するための駆動電圧が目標レベルに達するのにかかる上昇時間を制御する制御部を含み、制御端子と出力端子との間の電圧が臨界電圧より高ければ、制御端子と出力端子との間に漏れ電流が発生する電源装置である。 （もっと読む）

【課題】位相制御装置において、トランジスタに与えるゲート駆動電圧を、簡単な構成を用いて全波整流により生成する。
【解決手段】スイッチング手段3は、ソースが交流電源1の一端と、ドレインが負荷2の一端と接続される第１トランジスタ31と、ソースが交流電源1の他端と、ドレインが負荷2の他端と接続される第２トランジスタ32とを含む。定電圧生成手段7のダイオードブリッジ71の一方の入力端子は、交流電源1と第１トランジスタ31の接続点に接続され、ダイオードブリッジ71の他方の入力端子は、交流電源1と第２トランジスタ32の接続点に接続される。定電圧生成手段7の出力端子間には、抵抗72とツェナーダイオード74及びコンデンサ73の並列回路とが直列に接続される。トランジスタ31,32の制御端子の電位は、この並列回路と抵抗72の接点の電位と、ダイオードブリッジ71の負側の出力端子の電位との間で切り換わる。 （もっと読む）

【課題】複数の開閉素子と第二の多チャンネルＡＤ変換器を内蔵したインテリジェントパワーモジュール（ＩＰＭ）において、多様な制御信号に対応したデジタル変換値をマイクロプロセッサで正確に読み出す。
【解決手段】電子制御装置100A内のＣＰＵ110Aは、直並列変換器114a、114bと第二の多チャンネルＡＤ変換器116bを介してＩＰＭ190A内の開閉素子140nの通電電流を読み出し、開閉素子140nは、シリアル制御信号SRn又はパラレル制御信号PWMnによって開閉制御され、読出時期制御回路170nは、制御信号の種別を問わず常に開閉素子140nが閉路駆動されている期間に読出しするよう読出タイミングを調整するように構成され、直並列変換器によってＩＰＭとマイクロプロセッサ間の配線数が削減できると共に、シリアル信号とパラレル信号間のタイミング誤差を調整して、正確にデジタル変換値を読み出す。 （もっと読む）

【課題】ブートストラップコンデンサを十分に充電することができ、かつ回路を簡略化及び小型化することができる電力用半導体装置を得る。
【解決手段】ブートストラップコンデンサＣｂｓの一端が、トーテムポール接続されたハイサイドスイッチング素子Ｍ１とローサイドスイッチング素子Ｍ２の接続点に接続され、他端がハイサイド駆動回路１０ａの電源端子に接続されている。ブートストラップダイオードＤｂｓは、ローサイド駆動電源ＬＶからの電流をブートストラップコンデンサＣｂｓの他端に供給する。ハイサイド駆動回路１０ａがハイサイドスイッチング素子Ｍ１をＯＮにし、ローサイド駆動回路１０ｂがローサイドスイッチング素子Ｍ２をＯＦＦにする場合に、ブートストラップ補償回路１２は、ブートストラップコンデンサＣｂｓの他端に、高圧側電位を基準電位とするフローティング電源ＦＶからの電流を供給する。 （もっと読む）

【課題】直列に接続した複数のトランジスタの耐圧を確実に分散できるシリーズレギュレータを提供することを課題とする。
【解決手段】複数の出力制御用トランジスタ５ａ，５ｂを直列に接続したシリーズレギュレータ５であって、複数の出力制御用トランジスタ５ａ，５ｂの耐圧を分散させるための分圧を設定する複数の分圧素子５ｅ，５ｇと、複数の出力制御用トランジスタ５ａ，５ｂにそれぞれ設けられ、出力制御用トランジスタ５ａ，５ｂのゲート電圧を制御する分圧制御用トランジスタ５ｊ，５ｋを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安価な構成で高効率、信頼性の高いインバータ装置を実現すること。
【解決手段】インバータ装置は、複数の上下アームから構成されるスイッチング回路とスイッチング回路を駆動する制御手段とを備え、上アーム側スイッチング回路を構成するスイッチング素子が電圧駆動型素子であり、下アーム側スイッチング回路を構成するスイッチング素子が電流駆動型素子であり、上アーム側スイッチング回路に素子を駆動する電源電圧を印加するブートストラップ回路を有することにより、低損失、高速のスイッチング素子での回路コストを低減すると共に、スイッチング素子の駆動制御を最適に行うことにより、インバータ回路損失を低減し効率向上を行うことを目的としている。 （もっと読む）

【課題】被保護回路の動作を阻害することなく、被保護回路を保護できる過電流保護回路を提供する。
【解決手段】被保護回路を過電流から保護する過電流保護回路を、一定の値の定電流Ｉrefを生成する電流生成部６、電源電圧の変化に追従する基準電流を生成するＮＭＯＳトランジスタ４６、被保護回路において生成された電流と、前記基準電流とを比較する比較器４１及びＰＭＯＳトランジスタ４３、比較の結果に基づいて被保護回路の動作を停止する駆動回路と、によって構成する。 （もっと読む）