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Fターム[5H740BA12]の内容

電力変換一般 (12,896) | 主回路スイッチング素子 (1,744) | トランジスタ (1,563) | 電界効果トランジスタ(FET) (722)

Fターム[5H740BA12]に分類される特許

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【課題】スイッチング素子による高温の悪影響を回避して、誤点弧を防止する回路をスイッチング素子と同一の基板上に配置した半導体装置を提供する。
【解決手段】基板5上の導電体パターン51,52上にNチャネル型のMOSFET10、及びNチャネル型で半導体材料が炭化珪素からなるJFET30を各別に近接して配置し、MOSFET10のゲート電極13とJFET30のドレイン電極31とをリード線61で接続する。MOSFET10をオン/オフに制御する外部からの駆動信号がJFET30のソース電極32及びドレイン電極31間を伝播するときに、ソース電極32及びゲート電極33間のゲート電圧の低/高に応じてJFET30のチャネル抵抗を大/小に変更することにより、MOSFET10のドレイン電極11及びソース電極12間のスイッチング波形の前縁を、後縁に比較して緩やかな傾斜にする。 (もっと読む)



【課題】高速なスイッチング動作が可能となりスイッチング損失の低減と誤点弧を防止することができるゲート駆動回路および電力変換装置を提供すること。
【解決手段】本発明のゲート駆動回路および電力変換装置は2つのトランジスタで構成されるプッシュプル回路を出力段に備えるゲート駆動回路と、プッシュプル回路(10)と直列に接続されるダイオード(5)を備え、プッシュプル回路とダイオードの直列回路と並列にゲート電源(1)が接続され、プッシュプル回路と並列に負電圧発生回路(6)を備え、負電圧発生回路の出力端子とゲート電源の負極端子間にトランジスタ(4)を接続し、プッシュプル回路とトランジスタのベース端子でプッシュプル回路の出力電圧を正負に出力することを特徴としたゲート駆動回路であり、このゲート駆動回路を使うことで達成できる。 (もっと読む)


【課題】ブリッジ回路を構成する高速スイッチング素子を駆動対象とする場合でも、セルフターンオンの発生を防止できる駆動回路を提供する。
【解決手段】SJ−MOSFETであるNチャネルMOSFET3H,3LによりHブリッジ回路1を構成する場合に、駆動回路21を、NチャネルMOSFET3のソースとゲートとの間に磁気結合構造22を設け、NチャネルMOSFET3Hがターンオンした際に、オフ状態に維持されるNチャネルMOSFET3Lの寄生ダイオード5Lに短絡電流が瞬間的に流れると、NチャネルMOSFET3Lのソースに発生する電圧変動に基づいてゲートに誘導される電圧変動を打ち消すため、磁気結合構造22Lを、PNPトランジスタ8LのコレクタとNチャネルMOSFET3のゲートとの間を接続する駆動側配線24Lを、NチャネルMOSFET3Lのソース配線23Lに対して同相で磁気結合させて構成する。 (もっと読む)



【課題】MOS−FETを確実にオフさせることができ、かつ、複雑な構成を追加することのない、ゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】パワーMOS−FETを駆動するためのゲート駆動回路において、前記MOS−FETのゲート端子に第1の抵抗を介してオンさせるための電圧を印加する第1のスイッチング素子と、前記MOS−FETのゲート端子に第2の抵抗を介してオフさせるための電圧に接続させる第2のスイッチング素子とを備え、前記第1の抵抗の抵抗値は前記第2の抵抗の抵抗値よりも大きく設定されているものである。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ素子のソース電極とドレイン電極との間の電圧変化がトランジスタ素子のオープン故障又は過電流のどちらによるものなのかを正確に判定すること。
【解決手段】制御回路50は、抵抗素子Rを流れる電流値を検出し、過電流検出回路40によって検出された電圧値が所定値以上である場合、電流値が第1判定値以上であるか否かを判別し、電流値が第1判定値以上である場合、トランジスタ素子Tのオープン故障が発生したと判定し、電流値が第1判定値未満である場合には、過電流が発生したと判定する。 (もっと読む)


【課題】従来の半導体装置は、出力電流の制限値のばらつきが大きくなる問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置は、電源端子と出力端子との間に接続される出力トランジスタ11と、出力トランジスタ11に流れる電流に比例した検出電流I12を生成する検出トランジスタ12と、検出電流I12に基づき検出電圧を生成する検出電圧生成部R10と、検出電圧に応じて出力トランジスタ11の制御端子から出力端子OUTに電流を引き抜く保護トランジスタ13と、保護トランジスタ13に電流が流れる状態において出力トランジスタ11に流れる電流を設定する制限設定電流I15を保護トランジスタ13の閾値電圧のばらつき及び検出電流I12に対する検出電圧のばらつきに応じて変換した制限電流I18を生成し、制限電流I18を保護トランジスタ13の第1の端子に供給する制限電流生成回路14と、を有する。 (もっと読む)


【課題】電流駆動型の半導体装置のゲートへの寄生インダクタンスによる外乱ノイズを低減し、ゲート駆動を高精度化及び安定化させる。
【解決手段】半導体装置100であって、電流駆動型の半導体素子3と、半導体素子3を制御するゲート駆動回路11と、接続端子部とを備え、半導体素子3は、窒化物半導体層の積層体の上に形成されたゲート電極パッド1と、オーミック電極パッド2及び5とを有し、接続端子部は、オーミック電極パッド2と接続されたオーミック電極端子6と、オーミック電極パッド5と接続されたオーミック電極端子10と、オーミック電極パッド2と接続されたゲート駆動用端子7と、ゲート電極パッド1と接続されたゲート端子8とを有し、ゲート駆動回路11の入力端子はゲート駆動用端子7に接続され、ゲート駆動回路11の出力端子はゲート端子8に接続され、ゲート駆動回路11の基準電位をオーミック電極パッド2の電位とする。 (もっと読む)


【課題】低コストの寿命検出回路を提供する。
【解決手段】スイッチング電源装置の寿命検出部11では、平滑コンデンサ10の端子間電圧VDCを分圧してモニタ電圧VMを生成し、そのモニタ電圧VMの瞬時値がトランジスタ25のしきい値電圧VTHよりも低下すると、トランジスタ25が非導通になって出力電圧VOが「H」レベルになる。報知部28は、出力電圧VOが「H」レベルになると、平滑コンデンサ10の寿命が到来したことを報知する。したがって、寿命検出用コンデンサを別途設けていた従来に比べ、構成の簡素化による低コスト化を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】簡素な構成で、サージ電圧を抑えつつ、リカバリー電流に伴う損失を抑えることができるスイッチング装置を提供する。
【解決手段】モータ制御装置を構成するインバータ回路は、平滑コンデンサと、FETと、スナバ回路とを備えている。スナバ回路は、コンデンサによって構成されている。スナバ回路102を構成するコンデンサ102aの一方の接続点a1から平滑コンデンサ100を経てコンデンサ102aの他方の接続点a2に至る経路r1のインダクタンスLr1が、直列接続されたFET101a、101d、及び、コンデンサ102aによって形成される経路r2のインダクタンスLr2の10倍となるような位置に、コンデンサ102aが接続されている。これにより、従来のように、リカバリー電流を抑える回路を別途設ける必要がなく、簡素な構成で、サージ電圧を抑えつつ、リカバリー電流に伴う損失を抑えることができる。 (もっと読む)



【課題】インバータ等に適用される半導体デバイスとして双方向デバイスを適用した場合に、意図しない過渡期における各部の過電流や過電圧の発生を未然に防止して、低損失なゲート駆動方法を提供することを目的としている。
【解決手段】第一ゲート端子2、第二ゲート端子3、ドレイン端子4、ソース端子5を備え、第一ゲート端子2、第二ゲート端子3を各オンオフすることで4つの動作モードを有する双方向スイッチ1に適用する駆動方法であり、双方向にオフ状態から双方向にオン状態へと移行する際に、直接移行しないように制御する制御手段を備え、双方向にダイオードを介在させない動作モードで主として動作し、過渡期においてはダイオードを介する動作が可能なため、低損失かつ各部の過電圧、過電流を防止できる効果が得られる。 (もっと読む)



【課題】より簡単な構成で、正弦波と同様に緩やかに変化する波形でスイッチング素子を制御できる信号出力回路を提供する。
【解決手段】NチャネルMOSFET8Tは、ゲートに与えられるPWM信号のレベル変化に応じてカレントミラー回路7の動作を制御し、カレントミラー回路7が動作すると電流源6が発生した電流がミラー電流として流れ、NチャネルMOSFET1のゲートを介してゲート−ソース間の容量成分に充電されている電荷を放電させる電流が流れる。カレントミラー回路7の動作が停止すると、カレントミラー回路5より電流源6を介して流れる電流が、NチャネルMOSFET1のゲートに充電電流として供給される。 (もっと読む)


【課題】ノーマリオン型のSiC−JFETとノーマリオフ型のSi−MOSFETとをカスコード接続してなるハイブリッドパワーデバイスにおいて、共振の発生を抑制しつつ、スイッチング損失を低減できるようにする。
【解決手段】ハイブリッドパワーデバイスを構成するノーマリオン型のSiC−JFET2とノーマリオフ型のSi−MOSFET4とは、各FET2、4のソース及びドレインを互いに接続することによりカスコード接続されており、SiC−JFET2のゲートとSi−MOSFET4のソースはスイッチング速度調整用の抵抗10を介して接続されている。そして、この抵抗10にコンデンサ12を並列接続することにより、ハイブリッドパワーデバイスのスイッチング期間中の前半部分ではスイッチング速度を速くしてスイッチング損失を低減し、後半部分ではスイッチング速度を遅くして発振の発生を防止する。 (もっと読む)


【課題】電源投入時の入力電圧が検出閾値に達すると起動し、かつ検出閾値が可変である、突入電流防止回路及び突入電流の防止方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、起動回路2及び電流制限回路3を有する。電流制限回路3は、直流電源の投入時に、突入電流の発生を防止する。起動回路2は、入力電圧を検出し、入力電圧が検出閾値に達すると、電流制限回路3を起動する。起動回路2は、検出閾値調整部21を有する。起動回路2は、検出閾値調整部21により、検出閾値を調整することができる。 (もっと読む)



【課題】誘導負荷に使用される単相あるいは三相インバータにおいて、単方向スイッチと双方向性スイッチを組合せ、インバータ損失の低減と簡単なゲート駆動回路構成による低コスト化を目的とする。
【解決手段】上アームを単方向スイッチ17、下アームに双方向スイッチ1を接続したハーフブリッジ回路18を並列に接続してインバータを構成し、唯一のゲート駆動電源22にて各単方向スイッチ17、および双方向スイッチ1の駆動電源を共用することで簡単な回路構成にて駆動することができるインバータ装置を提供することを目的とする。 (もっと読む)


【課題】追加の高電圧回路の不便なしに高電圧集積回路の端子に機能性を追加する方法を開示する。
【解決手段】特典は追加の端子の犠牲なしに集積回路の試験、トリミング・パラメータ、または他の目的で代替動作モードを選択することができることである。一実施形態において、普通の低電圧回路が、通常高電圧に曝される端子の電圧をモニタリングする。簡単な電圧検出器と通常のラッチの構成により、集積回路が意図された用途にないときには試験とトリミング・モードに容易に入ることができるが、集積回路が意図された用途で動作しているときには試験とトリミング・モードに入ることが禁止される。 (もっと読む)


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