【課題】製造し易い高耐圧素子を使用し、且つ、インピーダンスのバラツキを考慮しなくても良い過電圧保護回路。
【解決手段】制御信号によりスイッチング素子Ｑ１を駆動する駆動部１０と、スイッチング素子のドレインとソースとの間に接続され、コンデンサＣ２と抵抗Ｒ１とが直列に接続された微分回路と、抵抗Ｒ１の両端に接続され、抵抗Ｒ２とコンデンサＣ３とが直列に接続された積分回路と、コンデンサＣ３の電圧が基準電圧以上となった場合にドレイン及びソース間の電圧が所定電圧以上になったと判定し、スイッチング素子をオンさせてドレイン及びソース間の電圧をクランプさせる過電圧保護部Ａ１，Ｒ３，Ｃ４とを備える。 （もっと読む）

【課題】主素子の出力静電容量の増大を防止し、接合容量充電電流に起因するターンオン損失を抑制する半導体スイッチを提供する。
【解決手段】逆導通性能を有し、高耐圧な電圧駆動型スイッチング素子である主素子１と、主素子１に比べ耐圧が低い逆流防止素子３と、主素子１の負極と逆流防止素子３の負極とを接続して主素子１の正極を正極端子とし、逆流防止素子３の正極を負極端子とし、正極端子と負極端子間に負極端子から正極端子に向かう方向が順方向となるように接続し、主素子１と同等の耐圧を有する高速還流ダイオード４と、主素子１の正極に正電圧が印加される方向に接続し、少なくとも主素子１の耐圧より低い電圧パルスを発生するとともに主素子１又は逆流防止素子３がオフする時期と略同期して電圧パルスを出力する予備電圧印加回路５と、を備えた半導体スイッチ。 （もっと読む）

【課題】回路用電源電圧としてむやみに高い電圧を用いることなく、シャント抵抗の低電位側端子の電圧がグランド電位付近となる異常が原因で生じる過電流を検出する。
【解決手段】検出電流出力部１１は、シャント抵抗Ｒｓの各端子電圧を入力し、その入力した電圧から負荷２に流れる電流に応じた検出電流を出力する。過電流判定部１２は、検出電流に基づいて負荷２に過電流が流れているか否かを判定する。検出電流出力部１１において、通常時に駆動用電源電圧Ｖｄに近い電圧が印加される部分と、回路用電源電圧Ｖｃに近い電圧が印加される部分との間の経路に第１ダイオードＤ１および第２ダイオードＤ２を逆方向に介在させることにより、第１トランジスタＴ１および第２トランジスタＴ２がブレークダウンして電流が流れることを阻止する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ化したＧａＮ−ＨＥＭＴを電源回路に用いた場合、長期間電源をオフしている間にノーマリーオンに戻るのを防止する制御回路を提供する。
【解決手段】制御回路は、ソース、ゲート及びドレインを有する第１のスイッチング素子と、第２のスイッチング素子を介して前記ゲートに電圧を供給するバッテリーと、第３のスイッチング素子を介して前記ゲートにＰＷＭ信号を供給するＰＷＭ信号発生回路と、電源がオフの状態で、前記第２のスイッチング素子をオンして前記ゲートに前記バッテリーの電圧を供給すると共に、前記第３のスイッチング素子をオフし、電源がオンの状態で、前記第３のスイッチング素子をオンして前記ゲートに前記ＰＷＭ信号電圧を供給すると共に、前記第２のスイッチング素子をオフするゲート制御回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】固定が容易で且つ設置スペースを削減できるようにしたスイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】多層配線板８の下面が主電流経路６上に搭載する搭載面とされているため、その多層配線板８の搭載面を平坦面にすることができる。したがって、主電流配線６は、その上面が平坦な設置面として形成されていれば、単に多層配線板８の搭載面を主電流配線６の上面に配置することで設置できる。これにより、コイルＬを容易に固定でき設置スペースを削減できる。 （もっと読む）

【課題】性能のばらつきが小さな半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ノードＮ１，Ｎ２間に直列接続された第１のスイッチング素子（高耐圧のトランジスタＱ１）および第２のスイッチング素子（抵抗素子Ｒ１および低耐圧のトランジスタＱ２）と、第２のスイッチング素子に並列接続された第３のスイッチング素子（低耐圧のトランジスタＱ３）とを含む。トランジスタＱ２をオンさせるとトランジスタＱ１がオンし、さらにトランジスタＱ３をオンさせるとノードＮ１，Ｎ２間が導通状態になる。したがって、オン抵抗値の高い第１のスイッチング素子をオンさせて高耐圧のトランジスタＱ１をオンさせるので、ターンオン時間のばらつきが小さくなる。 （もっと読む）

【課題】入力に帰還する同相ノイズが小さく、小型化・高効率化が容易なブリッジレス・ブースト・コンバータ方式のスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】インダクタンスが略等しい第一及び第二昇圧インダクタ１２，１４と、マイナス端子が制御グランド２０に接続された平滑コンデンサ１６を備える。制御回路３０によってオン・オフされる第一及び第二スイッチング素子２２，２６、及びそれらと相補的にオン・オフする整流素子２４，２８を備える。同じ巻数の３巻線を有する入力線インダクタ４２を備え、第一巻線４８の出力端４８ｂが第一昇圧インダクタ１２の入力端１２ａに接続され、第二巻線５０の出力端５０ｂが第二昇圧インダクタ１４の入力端１４ａに接続される。第三巻線５２の入力端５２ａが制御グランド２０に接続され、出力端５２ｂが交流遮断コンデンサ４４を介して第二昇圧インダクタ１４の入力端１４ａに接続される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング周波数が高くても、適切にトランジスタの保護を行うことが可能なトランジスタ保護回路を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るトランジスタ保護回路１０は、駆動回路３０によって電源４０の高電位側電圧または低電位側電圧がゲート端子に印加されて、スイッチング制御される電圧駆動型のトランジスタ２０の保護を行うためのトランジスタ保護回路である。このトランジスタ保護回路１０は、トランジスタ２０の保護を実行する保護指令を受けたときに、電源４０の高電位側電圧を次第に低下させる電源制御部１２を備える。 （もっと読む）

【課題】漏れ電流および高周波ノイズを抑制する小型の系統連系インバータを提供する。
【解決手段】インバータ１と、インバータ１の入力側において直列に接続されたコンデンサによる第１コンデンサ対４１と、インバータ１の出力側において直列に接続されたコンデンサによる第２コンデンサ対４２と、第１コンデンサ対４１の中性点ｃと第２コンデンサ対４２の中性点ｆとを接続する中性点接続線ｇと、第１コンデンサ対４１と第２コンデンサ対４２との間で、且つ、インバータ１の入力側もしくは出力側に配置されインバータ１で発生したコモンモード電流を抑制するコイル３と、インバータ１から出力されるパルス幅変調された電圧を正弦波状の交流に変換するローパスフィルタ構造を構成した出力フィルタ２と、を備え、コイル３は、各相の第１巻線３２ａおよび第２巻線３２ｂと、第１巻線３２ａと第２巻線３２ｂとが近接した状態で巻きつけられたコア３１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を調整可能な駆動回路を提供すること。
【解決手段】駆動回路１０は、チャージポンプ回路部１４を備えている。チャージポンプ回路部１４は、メインスイッチング素子ＳＷ１０がターンオンする遷移期間の初期段階において、キャパシタＣ１に充電された充電電圧に基づいて駆動電源１８の電圧Ｖsを昇圧して駆動電圧Ｖgprを生成する。チャージポンプ回路部１４では、指示信号Ｓ１に基づいてキャパシタＣ１に充電される充電電圧が調整可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】双方向に導通可能なスイッチング素子に逆電流が流れた場合であってもスイッチング素子の損失を低減できるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】双方向に導通可能なスイッチング素子Ｑ１のゲートに正電圧を印加してオンさせ、ゲートに負電圧を印加してオフさせる駆動部２と、スイッチング素子Ｑ１に逆方向電流が流れる前にゲートへの負電圧の印加を解除する負電圧解除部３とを備える。 （もっと読む）

【課題】印加可能なゲート電圧の制約条件を満たしながら、高速スイッチングによる低損失特性を満足させるとともに、誤オン動作等のインバータとしての不正動作を阻止することのできるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】ＳｉＣで形成された接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）１のゲート側にゲート抵抗（Ｒｇ１）３を設け、スイッチ５を介してゲート電源（Ｖｓｇ）７と接続し、ＪＦＥＴ１のゲート・ソース間に、ＪＦＥＴ１のドレイン・ゲート間に生じる浮遊容量（Ｃｆ１）９よりも大きな容量を有するコンデンサ（Ｃｇ）１１を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＥＭＩを低減できるスイッチングシステムを提供する。
【解決手段】本発明は、スイッチングシステムを提供する。スイッチングシステムは、Ｈブリッジ、電流ルーターおよび制御回路を含む。Ｈブリッジは、第一出力ノードに結合される第一スイッチと第二スイッチおよび第二出力ノードに結合される第三スイッチと第四スイッチを含み、ロードは、第一出力ノードと第二出力ノード間に結合される。電流ルーターは、第一出力ノードと第二出力ノード間に結合される第一シャントスイッチと第二シャントスイッチを含む。制御回路は、第一制御信号を生成して、第一スイッチと第四スイッチを制御し、第二制御信号を生成して、第二スイッチと第三スイッチを制御し、第三制御信号を生成して、第一シャントスイッチを制御し、第四制御信号を生成して、第二シャントスイッチを制御する。 （もっと読む）

【課題】電流回生ルートから電流還流ルートへの切替時におけるホールドコンデンサの電荷抜けを抑制して電流検出精度の向上を実現可能な誘導性負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】第１のスイッチング素子と、第２のスイッチング素子と、還流回路と、逆起電流回生回路と、第２のスイッチング素子とアースとの間に介挿されたシャント抵抗とを備えた誘導性負荷駆動回路から誘導性負荷に供給される駆動電流を検出する誘導性負荷駆動装置であって、シャント抵抗の両端に接続された差動増幅器と、第１及び第２のスイッチング素子を制御するプロセッサと差動増幅器の出力端子とを結ぶ配線に介挿されたサンプルスイッチと、プロセッサから第２のスイッチング素子に出力される制御信号がオンレベルに遷移してから所定の遅延時間の経過後にサンプルスイッチをオンにさせる遅延回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数のスイッチング素子を含む電力変換器において、動作モードに応じてスイッチング速度を制御することによって、サージ電圧抑制およびスイッチング損失低減の両立を図る。
【解決手段】電力変換器５０は、スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４を独立にオンオフ制御して、直流電源１０，２０および負荷３０の間で電力変換を実行する第１の動作モードと、スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４のうちの２個ずつを共通にオンオフ制御して、直流電源１０または２０と負荷３０の間で電力変換を実行する第２の動作モードとを有する。スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４の各々のターンオンおよびターンオフ時におけるスイッチング速度は、動作モードに応じて制御される。具体的には、第２の動作モードにおけるスイッチング速度は、第１の動作モードにおけるスイッチング速度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴのゲートドライブ回路に正負の電源を必要とせず、簡単な受動素子のみの回路で、ゲート電位に正極／負極電位を印加しＦＥＴの高速スイッチングドライブを可能とする。
【解決手段】電流路が導通する電位を超える電位１を、電流路の一端を基準電位として、制御端に容量素子を介して断続的に印加されるべく構成され、電位１が印加されたとき、電位１が前記定電圧素子１に対して、電流路が導通に要す定電圧素子１の有する降伏電圧１を発生すべく、かつ電位１が定電圧素子２に対して順方向に、電位１が印加された後、電位１が低下されたとき、電位１により容量素子に充電された電位２が電流路の一端を基準電位とし定電圧素子２に対して、電位１と逆極性の、定電圧素子２の有する降伏電圧２を発生すべく、かつ電位２が定電圧素子１に対して順方向に、定電圧素子１と定電圧素子２の直列接続回路を、制御端と電流路の一端との間に介在させた。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチングに起因するラジオノイズの低減を図ることの可能な誘導性負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】電源と誘導性負荷の一端との間に介挿された第１のスイッチング素子と、前記誘導性負荷の他端とアースとの間に介挿された第２のスイッチング素子と、前記第１及び第２のスイッチング素子の両方がオフの時に前記誘導性負荷の他端から出力される逆起電流を前記電源に回生させる逆起電流回生回路と、を備えた誘導性負荷駆動装置において、前記誘導性負荷の両端或いは片端に接続されたノイズ吸収回路を備える。 （もっと読む）

【課題】低ゲート消費電力で、高速かつ確実にスイッチング素子をオンオフさせる半導体スイッチング回路、及びそれを用いた半導体モジュール、電力変換モジュールを提供する。
【解決手段】スイッチング素子１，１１を有するスイッチング回路２０，２１において、容量４，１４と抵抗５，１５との容量抵抗並列接続回路３，１３と、ダイオード直列接続回路７，１７とこのダイオードと逆方向に並列に接続されたダイオード８，１８とを有するダイオード直列並列接続回路６，１６とを有し、スイッチング素子１，１１のゲート端子には容量抵抗並列接続回路３，１３の一端が接続され、この他端とゲート駆動用回路９の出力端子との間には、ダイオード直列接続回路７，１７のダイオードのアノード端子をゲート駆動用回路９側、このカソード端子をスイッチング素子１，１１のゲート端子側にして、ダイオード直列並列接続回路６，１６が接続されている。 （もっと読む）

【課題】単発的な異常が原因でブートストラップ電圧の低下を一時的に検出した場合に、上アームスイッチング素子の動作停止期間を最短に制御することが可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】電圧監視回路２４は、ブートストラップコンデンサ２２に充電されているブートストラップ電圧(c)を監視する。電圧監視回路２４は、上アームスイッチング素子駆動信号(b)の上アームスイッチング素子１１への出力を、ブートストラップ電圧(c)が閾値電圧以上であれば実行し、ブートストラップ電圧(c)が閾値電圧よりも低下すれば停止する。停止期間制御回路２５は、電圧監視回路２４が上アームスイッチング素子１１への上アームスイッチング素子駆動信号(b)の出力を停止する期間を制御する。 （もっと読む）