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Fターム[5H740BB10]の内容

電力変換一般 (12,896) | 主回路スイッチング素子の接続と負荷態様 (2,347) | 誘導性負荷 (269)

Fターム[5H740BB10]に分類される特許

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【課題】スイッチング素子のゲート電圧閾値が変動しても、スイッチング素子が十分な放電能力を発揮できる、電力変換装置を提供すること。
【解決手段】ハイサイドのスイッチング素子Q1とローサイドのスイッチング素子Q2が直列に接続された直列回路11を備え、スイッチング素子Q1,Q2が両サイドとも重複してオンすることで、直列回路11に接続されるコンデンサ12を放電させる電力変換装置であって、スイッチング素子Q1、Q2に所定の電流値が流れるゲート電圧を測定し、コンデンサ12を放電させるとき、測定したゲート電圧測定値にスイッチング素子Q1のゲート電圧を制御する制御部とを備えることを特徴とするもの。 (もっと読む)


【課題】電力損失が少なく、低コストなスイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子の駆動回路は、電源と、前記電源の正極性端子とスイッチング素子の制御端子との間に挿入される第1スイッチと、前記電源の負極性端子と前記スイッチング素子の制御端子との間に挿入される第2スイッチと、前記スイッチング素子の電流出力端子に一端が接続される第3スイッチと、前記スイッチング素子の前記電流出力端子に一端が接続される第4スイッチと、前記第3スイッチの他端に高電位側の端子が接続され、前記第4スイッチの他端に低電位側の端子が接続される電圧出力部とを含む。 (もっと読む)


【課題】電圧制御形の駆動対象スイッチング素子を駆動して且つ集積回路を備える新たな駆動回路およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電圧制御形の駆動対象スイッチング素子を駆動して且つ集積回路を備える駆動回路において、前記駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子に電荷を充電するための充電経路を備え、前記集積回路には、電流量を規制する内側流通規制要素と、前記充電経路を介した電流の流通および遮断を制御する制御手段と、前記制御手段の出力端子を前記集積回路内の部材に接続することで前記内側流通規制要素を前記充電経路として用いるか前記集積回路の備える外部出力端子に接続するかを切り替える切替回路と、前記集積回路の外部入力端子からの信号に基づき前記切替回路を操作することで前記切り替えを行う操作手段とを備えることを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子をオフするように制御しているにもかかわらず、オフできない異常状態を検出し、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】IGBT110dに流れる電流が電流閾値より大きくなると、電流検出回路125は、IGBT110dに電流が流れていると判断する。制御回路128は、駆動信号がIGBT110dのオフを指示しているにもかかわらず、電流検出回路125がIGBT110dに電流が流れていると判断すると、IGBT110dをオフできない異常状態にあると判断する。そして、オフ保持用FET123aをオンする。その結果、IGBT110dのゲートから電荷が放電され、IGBT110dがオフする。そのため、駆動信号がIGBT110dのオフを指示しているにもかかわらず、IGBT110dをオフできない異常状態を検出し、IGBT110dの熱破壊を防止できる。 (もっと読む)


【課題】電流回生ルートから電流還流ルートへの切替時におけるホールドコンデンサの電荷抜けを抑制して電流検出精度の向上を実現可能な誘導性負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】第1のスイッチング素子と、第2のスイッチング素子と、還流回路と、逆起電流回生回路と、第2のスイッチング素子とアースとの間に介挿されたシャント抵抗とを備えた誘導性負荷駆動回路から誘導性負荷に供給される駆動電流を検出する誘導性負荷駆動装置であって、シャント抵抗の両端に接続された差動増幅器と、第1及び第2のスイッチング素子を制御するプロセッサと差動増幅器の出力端子とを結ぶ配線に介挿されたサンプルスイッチと、プロセッサから第2のスイッチング素子に出力される制御信号がオンレベルに遷移してから所定の遅延時間の経過後にサンプルスイッチをオンにさせる遅延回路とを備える。 (もっと読む)


【課題】スイッチングデバイスが過電流の状態ではないが、過電流からの保護に先立ち、スイッチングデバイスの遮断時のサージ電圧を抑制するようにする。
【解決手段】本発明は、電流センサ10と、コンパレータ501と、タイマラッチ502と、制御回路80と、トランジスタ95とを備える。電流センサ10は、スイッチングデバイスQ1の電流を検出し、これに応じた検出電圧ESを出力する。コンパレータ501は、検出電圧ESが基準電圧ER1以上のときに信号を出力する。タイマラッチ502は、その出力信号の継続時間が設定時間以上の場合に、サージ抑制検出信号S3を出力する。制御回路80は、そのサージ抑制検出信号S3を基に、スイッチングデバイスQ1をターンオフさせる駆動信号S12を、トランジスタ95に出力する。基準電圧ER1は、スイッチングデバイスQ1に流れる過電流検出時の基準電圧ER2よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】高速スイッチングに起因するラジオノイズの低減を図ることの可能な誘導性負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】電源と誘導性負荷の一端との間に介挿された第1のスイッチング素子と、前記誘導性負荷の他端とアースとの間に介挿された第2のスイッチング素子と、前記第1及び第2のスイッチング素子の両方がオフの時に前記誘導性負荷の他端から出力される逆起電流を前記電源に回生させる逆起電流回生回路と、を備えた誘導性負荷駆動装置において、前記誘導性負荷の両端或いは片端に接続されたノイズ吸収回路を備える。 (もっと読む)


【課題】単発的な異常が原因でブートストラップ電圧の低下を一時的に検出した場合に、上アームスイッチング素子の動作停止期間を最短に制御することが可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】電圧監視回路24は、ブートストラップコンデンサ22に充電されているブートストラップ電圧(c)を監視する。電圧監視回路24は、上アームスイッチング素子駆動信号(b)の上アームスイッチング素子11への出力を、ブートストラップ電圧(c)が閾値電圧以上であれば実行し、ブートストラップ電圧(c)が閾値電圧よりも低下すれば停止する。停止期間制御回路25は、電圧監視回路24が上アームスイッチング素子11への上アームスイッチング素子駆動信号(b)の出力を停止する期間を制御する。 (もっと読む)


【課題】ノイズ耐性が高く、且つ、製造プロセス、電源、及び電源電圧が変動するような場合においても精度が高い、出力トランジスタに対する電流制限回路を提供する。
【解決手段】電流制限回路が、基準トランジスタと、基準トランジスタに所定の電流を流す電流源と、出力トランジスタがオンした時の両端の第1の電位差と基準トランジスタの両端の第2の電位差を比較する比較器であって、第1の電位差が第2の電位差よりも大きくなった場合に、出力トランジスタをオフするように制御する電流制限信号を出力する、比較器とを備える。基準トランジスタは、出力トランジスタとは素子サイズの異なる同型のトランジスタであり、基準トランジスタがオンした時のオン抵抗は、出力トランジスタがオンした時のオン抵抗の1/Nの大きさ(Nは1より大きい数)であり、更に、基準トランジスタがオンするように基準トランジスタのゲートにバイアスがかけられている。 (もっと読む)


【課題】電力変換回路の入力側主回路ラインとアースとの間に生じる雑音端子電圧を効果的に低減することができるノイズ低減装置を提供する。
【解決手段】インバータ回路4の直流入力端子間に直列接続されたコンデンサ41,42の接続中点とアースとの間に、補償コンデンサCcと接地コンデンサCeとを直列接続し、補償コンデンサCcの両端に二次巻線を並列に接続した相殺変圧器T2とを備え、インバータ回路4のスイッチング素子がオンオフ動作するときに発生する雑音電圧と逆極性で大きさが同じ相殺電圧を補償コンデンサCcの両端に発生させる。相殺電圧は、補償コンデンサCcと相殺変圧器T2との間に挿入された波形調整回路によって雑音電圧の波形と同形状に波形調整される。 (もっと読む)


【課題】ブートストラップダイオード(BSD)を用いない新たな方式のブートストラップ回路を提供する。
【解決手段】ブートストラップ部用電源供給部10は、抵抗R1からなる回路である。抵抗R1の一方の端子は、P母線と接続している。抵抗R1の他方の端子は、コンデンサC1およびツェナーダイオードD1の並列回路の一端と接続している。コンデンサC1は、充電された電圧をスイッチング素子駆動用回路(HVIC4)に印加する。抵抗R1は、メイン電源母線に一方の端子が接続し、他方の端子がコンデンサC1と接続して、メイン電源母線の電圧をコンデンサC1に印加する。抵抗R1によって、メイン電源側からブートストラップ回路のコンデンサC1を充電することができる。 (もっと読む)


【課題】還流ダイオードの逆回復による損失を低減し、スイッチング時に発生する振動を抑制する電力変換装置を提供することにある。
【解決手段】電力変換装置1は、対になる2つのスイッチング素子4a,4bと、スイッチング素子4a,4bのそれぞれに逆並列に接続された還流ダイオード5a,5bと、スイッチング素子4a,4bに印加される主電圧よりも低い電圧の補助電源21a,21bと、スイッチング素子4aのターンオフ後からスイッチング素子4bのターンオンまでの間に、スイッチング素子4a及び還流ダイオード5aに補助電源21aの電圧を印加し、スイッチング素子4aのターンオン動作中に、スイッチング素子4aのスイッチング速度を変化させる主素子制御回路6aとを備える。 (もっと読む)


【課題】線間電圧及び線電流の歪みを低減しつつ線電流を検出できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】スイッチング信号生成部31は、所定周期において、交流線Pu,Pv,Pwのうち、1つのみが直流線LH,LLの一方と導通し、2つが他方と導通して互いに異なる第1及び第2のスイッチングパターンを第1及び第2期間に渡ってそれぞれ採用する。線電流取得部32は、第1の期間が所定期間より長くかつ第2の期間が所定期間よりも短いときに、第1の期間に流れる直流電流Idcを直流電流検出部4を用いて検出し、平均値Idc_aveの周期における積分が第1及び第2の期間に流れる直流電流Idcの積分と等しいという関係に基づいて第2の期間に流れる直流電流を算出し、第2の期間に流れる直流電流Idcを、第2のスイッチングパターンに基づいて決定される1つの線電流と推定する。 (もっと読む)


【課題】更なる信頼性向上を図れる電力変換装置及び電力変換システムを提供すること。
【解決手段】上記課題を解決するために、例えば、インバータ回路は、前記モータ制御回路からのPWM信号に基づき前記インバータ回路を構成する半導体スイッチング素子を駆動するゲートドライブ回路とサージ電圧検出信号を検出するサージ電圧検出回路を備え、サージ電圧検出回路により検出されたサージ電圧検出信号はモータ制御回路に入力され、サージ電圧検出信号を検出した際に前記電流指令生成部からの電流指令値と所定の電流指令値と対比することによりサージ電圧を抑制するサージ電圧抑制手段の実施の可否を選択するような手段を設けるようにすればよい。 (もっと読む)


【課題】アクティブクランプ動作期間を短縮するとともにESD耐量を向上させたアクティブクランプ回路を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1のスイッチ素子と、第1のダイオードと、第1の抵抗と、第1および第2の制御回路と、を備えたことを特徴とするアクティブクランプ回路が提供される。前記第1のダイオードは、前記第1のスイッチ素子の両端にかかる過電圧によりブレークダウンする。前記第1の抵抗は、前記第1のダイオードの電流を検出する。前記第1の制御回路は、前記第1の抵抗の両端の電圧を増幅して前記第1のスイッチ素子の電流を制御する。前記第2の制御回路は、前記第1の抵抗の両端の電圧に応じて前記第1のスイッチ素子の導通を制御する。 (もっと読む)


【課題】より簡単な構成で、出力トランジスタを確実にオフ状態に維持できるトランジスタ駆動回路を提供する。
【解決手段】NチャネルMOSFET5とコイル2との共通接続点;出力端子OUTとグランドとの間にフライホイールダイオード3を接続する。FET5のゲートには、NPNトランジスタ6及びPNPトランジスタ7のプッシュプル回路により制御信号を出力し、トランジスタ7のベースとグランドとの間にNPNトランジスタ11を接続し、トランジスタ11のベースとグランドとの間にNチャネルMOSFET14を接続して、FET14にPWM信号を入力する。ダイオード13は、FET14がオフ状態になるとトランジスタ11のベースにベース電流を供給し、ダイオード15をダイオード13のアノードとトランジスタ6及び7のベースとの間に接続する。NPNトランジスタ22をFET5のゲートと出力端子との間に接続し、トランジスタ22をPWM信号に応じてFET5がオフする際にオンさせる。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子の耐数年数をのばすと共に、駆動電圧を低下させることによるスイッチング素子の損失増加も改善させるインバータ装置およびそれを用いた誘導加熱装置を提供することを目的とする。
【解決手段】交流電圧を直流電圧に変換するコンバータ回路30と、スイッチング素子24で構成され直流電圧を任意の電圧と周波数の電力に変換し、負荷に高周波電流を供給するインバータ回路31と、インバータ回路31のスイッチング素子24にスイッチング信号を供給する駆動回路25と、インバータ回路31の出力電力を検知する電力検知手段26とを備え、電力検知手段26で検知した電力に応じて、インバータ回路31のスイッチング素子24に供給するスイッチング信号の駆動電圧を可変させる駆動電圧可変手段27とを備えた構成とすることで、インバータの出力電力に応じて、スイッチング素子24の駆動電圧を可変させることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 リカバリー電流を低減させつつ、出力MOSトランジスタのスイッチング応答性を高くすることができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】 制御信号Scdの信号レベルが所定の第1レベルLから第2レベルHへ遷移する第1遷移を契機として出力MOSトランジスタ2のゲートへ充電を開始する第1チャージ回路6と、制御信号Scdの第1遷移または第1期間Tp1の経過を契機として出力MOSトランジスタ2のゲートへの充電を開始する第2チャージ回路7と、制御信号Scdの第1遷移から第1期間Tp1より長い所定の第2期間Tp2経過後に出力MOSトランジスタ2のゲートへ充電を開始する第3チャージ回路8とを備え、第2チャージ回路7の単位時間あたりの充電量は、第1チャージ回路6および第3チャージ回路8の単位時間あたりの充電量より少ない。 (もっと読む)


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