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Fターム[5H740JA01]の内容

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Fターム[5H740JA01]に分類される特許

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【課題】ノーマリーオフ化したGaN−HEMTを電源回路に用いた場合、長期間電源をオフしている間にノーマリーオンに戻るのを防止する制御回路を提供する。
【解決手段】制御回路は、ソース、ゲート及びドレインを有する第1のスイッチング素子と、第2のスイッチング素子を介して前記ゲートに電圧を供給するバッテリーと、第3のスイッチング素子を介して前記ゲートにPWM信号を供給するPWM信号発生回路と、電源がオフの状態で、前記第2のスイッチング素子をオンして前記ゲートに前記バッテリーの電圧を供給すると共に、前記第3のスイッチング素子をオフし、電源がオンの状態で、前記第3のスイッチング素子をオンして前記ゲートに前記PWM信号電圧を供給すると共に、前記第2のスイッチング素子をオフするゲート制御回路とを有する。 (もっと読む)


【課題】電力損失が少なく、低コストなスイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子の駆動回路は、電源と、前記電源の正極性端子とスイッチング素子の制御端子との間に挿入される第1スイッチと、前記電源の負極性端子と前記スイッチング素子の制御端子との間に挿入される第2スイッチと、前記スイッチング素子の電流出力端子に一端が接続される第3スイッチと、前記スイッチング素子の前記電流出力端子に一端が接続される第4スイッチと、前記第3スイッチの他端に高電位側の端子が接続され、前記第4スイッチの他端に低電位側の端子が接続される電圧出力部とを含む。 (もっと読む)


【課題】電圧偏差量または電位量をフィードバックすることなく、複数直列接続された各半導体スイッチング素子の電圧分担を均等化させる。
【解決手段】電圧検出回路7により、直列接続された2つの半導体スイッチング素子A,Bの電圧を、そのうちの片方の半導体スイッチング素子Aの電位を基準にして検出し、比較器10において、半導体スイッチング素子A,Bの電圧を比較し、電圧偏差極性信号をフィードバックする。タイミング制御演算回路12により、1回のスイッチング毎に、前記電圧偏差極性信号に基づいて制御方向を決定し、次回のスイッチング時のゲート信号に対する制御量に対して、決定した制御方向に固定値の制御量を加算し、加算後の制御量を出力すると共に、その加算後の制御量を保持する。そして、タイミング制御回路13により、前記制御量に基づいて、ゲート信号の変化のタイミングを調整する。 (もっと読む)


【課題】固定が容易で且つ設置スペースを削減できるようにしたスイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】多層配線板8の下面が主電流経路6上に搭載する搭載面とされているため、その多層配線板8の搭載面を平坦面にすることができる。したがって、主電流配線6は、その上面が平坦な設置面として形成されていれば、単に多層配線板8の搭載面を主電流配線6の上面に配置することで設置できる。これにより、コイルLを容易に固定でき設置スペースを削減できる。 (もっと読む)


【課題】指令制御装置の出力した駆動指令信号に関連する回路が誤動作した場合でもアーム短絡を抑止でき、かつ誤動作したことを検知する電力変換回路を提供する。
【解決手段】直列接続された第1、第2スイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動制御する第1、第2駆動制御装置と、駆動制御装置に指令を与える指令制御装置からなる電力変換装置であって、前記駆動制御装置は、指令制御装置の指令信号と他の駆動制御装置の出力するインターロック信号を演算する駆動回路と、スイッチング素子の導通状態を判定する状態判定回路と、指令信号と他の駆動制御装置のインターロック信号と状態判定回路の出力の少なくとも1つを入力するインターロック信号生成回路と、前記指令信号とインターロック信号と状態判定回路の出力の少なくとも2つを入力するフィードバック信号生成回路とを備え、フィードバック信号生成回路の出力を指令制御装置に供給する。 (もっと読む)


【課題】スイッチング周波数が高くても、適切にトランジスタの保護を行うことが可能なトランジスタ保護回路を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るトランジスタ保護回路10は、駆動回路30によって電源40の高電位側電圧または低電位側電圧がゲート端子に印加されて、スイッチング制御される電圧駆動型のトランジスタ20の保護を行うためのトランジスタ保護回路である。このトランジスタ保護回路10は、トランジスタ20の保護を実行する保護指令を受けたときに、電源40の高電位側電圧を次第に低下させる電源制御部12を備える。 (もっと読む)


【課題】電圧制御形の駆動対象スイッチング素子を駆動して且つ集積回路を備える新たな駆動回路およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電圧制御形の駆動対象スイッチング素子を駆動して且つ集積回路を備える駆動回路において、前記駆動対象スイッチング素子の開閉制御端子に電荷を充電するための充電経路を備え、前記集積回路には、電流量を規制する内側流通規制要素と、前記充電経路を介した電流の流通および遮断を制御する制御手段と、前記制御手段の出力端子を前記集積回路内の部材に接続することで前記内側流通規制要素を前記充電経路として用いるか前記集積回路の備える外部出力端子に接続するかを切り替える切替回路と、前記集積回路の外部入力端子からの信号に基づき前記切替回路を操作することで前記切り替えを行う操作手段とを備えることを特徴とするスイッチング素子の駆動回路。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、突入電流抑制回路のバイパス手段(サイリスタ)の制御線から商用電源側へ流出するノイズを抑制することが可能な半導体電力変換装置を提供することである。
【解決手段】本発明では、整流回路4と、整流回路4からの入力を平滑化する平滑コンデンサ5と、半導体素子6aのスイッチングにより平滑コンデンサ5の電圧を変換する電力変換回路6と、整流回路4と平滑コンデンサ5との間に配置されている突入電流抑制回路7とを備えている半導体電力変換装置1において、バイパス手段7bの切替動作を制御する制御線V,Wに配置され、バイパス手段7bの制御線V,Wから商用電源2側へ伝播するノイズを低減させるように構成された第1のノイズフィルタ回路11と、突入電流抑制回路7と前記平滑コンデンサ5との間に配置され、電力変換回路6から商用電源2側へ伝播するノイズを低減させるように構成された第2のノイズフィルタ回路12とを備えている半導体電力変換装置1が提供される。 (もっと読む)


【課題】双方向に導通可能なスイッチング素子に逆電流が流れた場合であってもスイッチング素子の損失を低減できるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】双方向に導通可能なスイッチング素子Q1のゲートに正電圧を印加してオンさせ、ゲートに負電圧を印加してオフさせる駆動部2と、スイッチング素子Q1に逆方向電流が流れる前にゲートへの負電圧の印加を解除する負電圧解除部3とを備える。 (もっと読む)


【課題】印加可能なゲート電圧の制約条件を満たしながら、高速スイッチングによる低損失特性を満足させるとともに、誤オン動作等のインバータとしての不正動作を阻止することのできるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】SiCで形成された接合型電界効果トランジスタ(JFET)1のゲート側にゲート抵抗(Rg1)3を設け、スイッチ5を介してゲート電源(Vsg)7と接続し、JFET1のゲート・ソース間に、JFET1のドレイン・ゲート間に生じる浮遊容量(Cf1)9よりも大きな容量を有するコンデンサ(Cg)11を設ける。 (もっと読む)


【課題】駆動電圧を調整可能な駆動回路を提供すること。
【解決手段】駆動回路10は、チャージポンプ回路部14を備えている。チャージポンプ回路部14は、メインスイッチング素子SW10がターンオンする遷移期間の初期段階において、キャパシタC1に充電された充電電圧に基づいて駆動電源18の電圧Vsを昇圧して駆動電圧Vgprを生成する。チャージポンプ回路部14では、指示信号S1に基づいてキャパシタC1に充電される充電電圧が調整可能に構成されている。 (もっと読む)


【課題】パワー半導体素子のコントロールコンタクトとメインコンタクトとの間のショート回路が、システム全体の全体的な安定性および/または制御性に影響しないような、複数のパワー半導体素子(例えばIGBT)のコントロールコンタクトを駆動するためのシステムを提供する。
【解決手段】複数のパワー半導体素子のためのコントロールコンタクト駆動システムは、パワー半導体素子のコントロールコンタクトをプルアップおよび/またはプッシュダウンするための参照電流を提供するのに適した電流ドライバユニット1と、パワー半導体素子のコントロールコンタクトへの参照電流を増幅および/または分配するのに適した電流ディストリビュータユニット3とを具備する。 (もっと読む)


【課題】複数のスイッチング素子を含む電力変換器において、動作モードに応じてスイッチング速度を制御することによって、サージ電圧抑制およびスイッチング損失低減の両立を図る。
【解決手段】電力変換器50は、スイッチング素子S1〜S4を独立にオンオフ制御して、直流電源10,20および負荷30の間で電力変換を実行する第1の動作モードと、スイッチング素子S1〜S4のうちの2個ずつを共通にオンオフ制御して、直流電源10または20と負荷30の間で電力変換を実行する第2の動作モードとを有する。スイッチング素子S1〜S4の各々のターンオンおよびターンオフ時におけるスイッチング速度は、動作モードに応じて制御される。具体的には、第2の動作モードにおけるスイッチング速度は、第1の動作モードにおけるスイッチング速度よりも高い。 (もっと読む)


【課題】スイッチングデバイスが過電流の状態ではないが、過電流からの保護に先立ち、スイッチングデバイスの遮断時のサージ電圧を抑制するようにする。
【解決手段】本発明は、電流センサ10と、コンパレータ501と、タイマラッチ502と、制御回路80と、トランジスタ95とを備える。電流センサ10は、スイッチングデバイスQ1の電流を検出し、これに応じた検出電圧ESを出力する。コンパレータ501は、検出電圧ESが基準電圧ER1以上のときに信号を出力する。タイマラッチ502は、その出力信号の継続時間が設定時間以上の場合に、サージ抑制検出信号S3を出力する。制御回路80は、そのサージ抑制検出信号S3を基に、スイッチングデバイスQ1をターンオフさせる駆動信号S12を、トランジスタ95に出力する。基準電圧ER1は、スイッチングデバイスQ1に流れる過電流検出時の基準電圧ER2よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】FETのゲートドライブ回路に正負の電源を必要とせず、簡単な受動素子のみの回路で、ゲート電位に正極/負極電位を印加しFETの高速スイッチングドライブを可能とする。
【解決手段】電流路が導通する電位を超える電位1を、電流路の一端を基準電位として、制御端に容量素子を介して断続的に印加されるべく構成され、電位1が印加されたとき、電位1が前記定電圧素子1に対して、電流路が導通に要す定電圧素子1の有する降伏電圧1を発生すべく、かつ電位1が定電圧素子2に対して順方向に、電位1が印加された後、電位1が低下されたとき、電位1により容量素子に充電された電位2が電流路の一端を基準電位とし定電圧素子2に対して、電位1と逆極性の、定電圧素子2の有する降伏電圧2を発生すべく、かつ電位2が定電圧素子1に対して順方向に、定電圧素子1と定電圧素子2の直列接続回路を、制御端と電流路の一端との間に介在させた。 (もっと読む)


【課題】3相インバータを構成するスイッチング素子の操作信号の伝送と駆動回路への電力の供給とをトランス1つで行なうことが困難なこと。
【解決手段】マイクロプロセッサ50から出力される操作信号g¥#は、エンコーダ41にてマンチェスタ符号にて符号化され、1次側コイルW1の印加電圧信号となる。2次側コイルW2uには、電源回路60およびデコードユニット70が並列接続されている。電源回路60は、スイッチング素子Supの駆動部20の電源を生成する。これに対し、デコードユニット70は、2次側コイルW2uに伝送された電圧信号の復号処理をすることで、スイッチング素子Supの操作信号gupを抽出し、駆動部20に出力する。 (もっと読む)


【課題】簡単な回路構成により誤動作を防止できる半導体装置を得る。
【解決手段】パワー素子Q1とパワー素子Q2がトーテムポール接続されている。駆動回路1が入力信号INに応じてパワー素子Q2を駆動し、駆動回路2が入力信号/INに応じてパワー素子Q1を駆動する。駆動回路1は、電源に接続された高圧端子と、低圧端子とを有する。抵抗R1の一端がパワー素子Q2のエミッタに接続され、抵抗R1の他端が駆動回路1の低圧端子に接続されている。スイッチング素子Q3が駆動回路1の高圧端子と抵抗R1の一端との間に接続されている。スイッチング素子Q3は入力信号INに応じてオン・オフする。入力信号INがオフ信号の場合に、駆動回路1は低圧端子の電圧VGNDをパワー素子Q2のゲートに供給してパワー素子Q2はオフする。入力信号INがオフ信号の場合に、スイッチング素子Q3はオンする。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置における負荷電流のゼロ交差検出を提供する。
【解決手段】 ゲート電極と、エミッタとコレクタ電極との間の負荷電流経路と、を有する逆導通トランジスタを含む回路装置が開示される。トランジスタは、負荷電流経路を介し順方向と逆方向に負荷電流を導通できるようにするとともにゲート電極においてそれぞれの信号により活性化または非活性化されるように構成される。回路装置はさらにゲート制御手段と監視手段を含む。ゲート制御手段はゲート電極に接続されるとともに、トランジスタが逆導通状態である場合にゲート電極を介しトランジスタを非活性化するまたはトランジスタの活性化を防止するように構成される。監視手段は、トランジスタが非活性化されるまたは非活性化がゲート制御手段により防止されている間に負荷電流がゼロを交差するときに発生する逆導通トランジスタのコレクタ−エミッタ電圧の突然の上昇を検出するように構成される。 (もっと読む)


【課題】トランスの補助巻線を用いることなく、制御回路の電源を確保して安価にできるドライブ回路を提供する。
【解決手段】ノーマリオン型のハイサイドスイッチQ1とノーマリオフ型のローサイドスイッチQ2との直列回路が直流電源に並列に接続され、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ回路であって、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとを制御信号によりオンオフさせる制御回路10と、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとの接続点に一端が接続された整流手段D2と、整流手段の他端と直流電源の一端とに接続され且つ制御回路に電源を供給するコンデンサC2と、制御回路からの制御信号とコンデンサからの電圧とに基づいてハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ部A1,AND1,Q3,Q4とを備える。 (もっと読む)


【課題】IGBTのオン・オフ時に発生するスイッチングノイズや、コモンモードノイズによるゲート駆動信号への影響を低減できるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】ゲート駆動回路は、パルストランスTにより一次側と二次側とに絶縁され、パルストランスTの一次側は第1の接地電位点GND1に接地され、パルストランスTの二次側は第1の接地電位点GND1とは絶縁された第2の接地電位点GND2に接地され、入力側にインピーダンス整合用抵抗R1〜R4を備えたレシーバCMPを介してパルストランスTの二次巻線N2に発生したゲート駆動信号を出力するゲート駆動回路において、パルストランスの一次巻線N1と二次巻線N2との間に静電シールド板5を備え、静電シールド板5は第2の接地電位点GND2に接地されている。 (もっと読む)


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