Fターム[5H740JB10]の内容
Fターム[5H740JB10]に分類される特許
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ゲート回路
【課題】本発明は、パワー素子の過電流を速やかに抑制しつつ、di/dtを小さくしてパワー素子をオフすることができるゲート回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るゲート回路は、パワー素子の過電流発生と同時にパワー素子のゲート電圧の一部を抵抗素子に負担させる過電流抑制手段を有する。さらに、パワー素子の過電流を抑制した後は、抵抗値の高い抵抗素子を用いてパワー素子をゆっくりオフするオフ動作遅延手段を有する。
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