【課題】ターンオフ時に出力端子に発生する逆起電圧に対して、電源の逆接続回路の影響を受けずに過電圧保護回路が正常に動作する電力供給制御回路を提供することである。
【解決手段】第１電源ライン１０１と出力端子１０６との間に接続される出力トランジスタ１０９と、出力端子と第２電源ライン１０２との間に接続される負荷１１２と、出力トランジスタ１０９の制御端子と第１電源ライン１０１との間に接続され負荷からの逆起電圧に対して導通状態となるスイッチトランジスタ１１０を含んで構成される過電圧保護回路と、電源が電源ラインに逆方向に接続された場合は出力トランジスタの制御端子に対して電気通路を形成し、一方、正常に接続された場合はその電気通路を負荷からの逆起電圧に対しても遮断状態とする電源逆接続保護回路（１１４、１１５、１２１、１２２）を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】駆動回路の電源電圧が所定値以上に上昇するまで駆動回路がオン動作しないことと、駆動回路の出力段のトランジスタに貫通電流が流れないようにする。
【解決手段】ＭＯＳトランジスタＱ１とＱ２は縦続接続されている。ＩＣ１２の出力は、ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートと、ツェナーダイオードＺＤ２を介してＭＯＳトランジスタＱ２のゲートに印加されている。ＩＣ１２の出力電圧がツェナー電圧未満のときは、ＭＯＳトランジスタＱ２はオフ状態となり、ＭＯＳトランジスタＱ４のゲートには、抵抗Ｒ６を介して電源電圧が印加されるので、駆動回路１１の出力段のＭＯＳトランジスタＱ４はオン状態となる。 （もっと読む）

【課題】複数個直列に接続された素子の過電流保護を確実、かつ安全に行ない得るようにする。
【解決手段】複数個直列接続される半導体素子１ａ〜１ｃと対応して設けられるゲート駆動回路３ａ，３ｂ，３ｃを、絶縁トランス１４ａ〜１４ｃおよび信号線１３を介して互いに接続し、いずれかの過電流判定回路８において過電流と判断されたら、当該過電流判定回路８から他のゲート駆動回路へその旨の信号を伝送することにより、他のゲート駆動回路でも過電流保護動作が行なわれるようにする。 （もっと読む）

【課題】３端子電圧調整器無しにＳＣＲをターンオンする高効率なソリッドステート・スイッチ用ドライバ回路を提供する。
【解決手段】トリガ回路１００は、電源電圧の変動によらず一定の出力ＤＣ電流を供給するＤＣ／ＤＣ電流モードバック・コンバータを含み、このバック・コンバータはシリコン制御整流器ＳＣＲ１０８の制御端子１０２へ固有の制御要求における変動にかかわらずシリコン制御整流器ＳＣＲ１０８がターンオンするための最小電流ＩＬを供給する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が低下した場合でも、制御対象とする半導体素子を適切に制御することができる半導体素子制御装置を提供する。
【解決手段】電圧付与回路１８は、電源電圧Ｖccを所定の閾値電圧Ｖthと比較して、Ｖcc≦Ｖthであれば、プリドライブ回路２のグランド側端子にグランドレベル近傍の電圧である仮想グランド電圧Ｖcpを付与し、Ｖcc＞Ｖthであれば、前記グランド側端子に電源電圧Ｖccとクランプ制御用電圧Ｖgsとの差電圧を付与する。 （もっと読む）

【課題】正電圧の電源のみで、導通損失を増加させることなく、誤点弧を防止する電圧駆動型半導体素子のドライブ回路及びインバータ装置を提供する。
【解決手段】半導体素子を駆動するドライブ回路において、直流電源の正側に接続された第１のスイッチと、第１のスイッチの他端子に接続され、かつ直流電源の負側に接続された第２のスイッチと、直流電源の正側に接続された第３のスイッチと、第３のスイッチの他端子に接続された第４のスイッチと、第４のスイッチの他端子に接続され、かつ直流電源の負側に接続された第５のスイッチと、第１のスイッチの他端子と第４のスイッチの他端子に接続されたコンデンサを備え、半導体素子のゲートは第３のスイッチの他端子に接続され、半導体素子のソースは直流電源の負側に接続する。
【効果】正電圧の電源のみで、半導体素子のゲートに負電圧を印加することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 電流増幅半導体のベース電流をコレクタ電流に応じた必要最小限の値に制御するようにし、高速で低消費電力の電流増幅半導体素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】 ２個の直流電源の正側電源２の正極と負極の間に、チョッピング用スイッチング素子４とインダクタ６と被制御電流増幅半導体１のベース及びエミッタとの直列回路を接続するとともに、チョッピング用スイッチング素子とインダクタの接続点に該接続点側にカソード及び負側電源３の負極にアノードとなるようダイオード８を接続し、被制御電流増幅半導体のベースと負側電源の負極間に制御用スイッチング素子７を接続した回路構成をなし、被制御電流増幅半導体のコレクタ及びエミッタ間の電圧を検出し、被制御電流増幅半導体がオン状態時に、該電圧が準飽和電圧近辺の２値間になるようにチョッピング用スイッチング素子のオンオフ期間を制御する制御回路５を有する電流増幅半導体の駆動回路。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置の各半導体素子の破損を防止する。
【解決手段】制御装置５のゲート接続端子Ｇ０１と接続点Ｇ００間の配線１４及びエミッタ接続端子Ｅ０１と接続点Ｅ００間の配線１６にコモンモード電流対策部品１８を接続するとともに、制御装置５のゲート接続端子Ｇ０２と接続点Ｇ００間の配線１５及びエミッタ接続端子Ｅ０２と接続点Ｅ００間の配線１７にコモンモード電流対策部品１９を接続する。 （もっと読む）