説明

Fターム[5H740LL01]の内容

電力変換一般 (12,896) | G−K間回路 (124) | 抵抗(dV/dt用) (37)

Fターム[5H740LL01]に分類される特許

1 - 20 / 37


【課題】アクティブクランプ動作期間を短縮するとともにESD耐量を向上させたアクティブクランプ回路を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1のスイッチ素子と、第1のダイオードと、第1の抵抗と、第1および第2の制御回路と、を備えたことを特徴とするアクティブクランプ回路が提供される。前記第1のダイオードは、前記第1のスイッチ素子の両端にかかる過電圧によりブレークダウンする。前記第1の抵抗は、前記第1のダイオードの電流を検出する。前記第1の制御回路は、前記第1の抵抗の両端の電圧を増幅して前記第1のスイッチ素子の電流を制御する。前記第2の制御回路は、前記第1の抵抗の両端の電圧に応じて前記第1のスイッチ素子の導通を制御する。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で負荷オープン状態を検出することができる負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】電源端子T1に入力される入力電圧Vinよりも低い基準電圧V1と出力端子T2の電圧Voutとを比較する第1のコンパレータ8と、スイッチング素子2がオフ状態で、且つ負荷オープン状態である場合に、出力端子T2の電圧Voutを基準電圧V1よりも高く、且つ入力電圧Vinよりも低いclamp電圧にクランプするクランプ回路7とを備えることにより、第1のコンパレータの出力によって、負荷オープン状態を検出する。また、入力電圧Vinよりも低く且つclamp電圧よりも高い基準電圧V2と出力端子T2の電圧Voutとを比較する第2のコンパレータ9を備えることにより、第1のコンパレータ及び第2のコンパレータ9の出力によって、負荷オープン状態と出力天絡状態とを検出する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、パワー素子の過電流を速やかに抑制しつつ、di/dtを小さくしてパワー素子をオフすることができるゲート回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るゲート回路は、パワー素子の過電流発生と同時にパワー素子のゲート電圧の一部を抵抗素子に負担させる過電流抑制手段を有する。さらに、パワー素子の過電流を抑制した後は、抵抗値の高い抵抗素子を用いてパワー素子をゆっくりオフするオフ動作遅延手段を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は素子のスイッチング特性を改善したゲート駆動回路に係り、素子のスイッチング特性を任意に決定でき、十分な短絡耐量と、定常損失の抑制ができるゲート駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】パワースイッチング素子のゲートのオン動作を行うオン動作回路を備える。該オン動作回路は、該ゲートへの入力を第一所定値以下に保つ上限リミット部を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子をオンするために、スイッチング素子の制御端子に定電流を供給して電荷を充電するオン駆動用定電流回路の異常を検出できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御装置12は、オン駆動用定電流回路121と、オフ駆動用回路122と、制御回路128とを備えている。オン駆動用定電流回路121は、電流制御用FET121aと、電流検出用抵抗121bとを有している。制御回路128は、電流検出用抵抗121bの電圧に基づいて電流制御用FET121aを制御し、IGBT110dのゲートに定電流を流し込み、IGBT110dをオンする。オン駆動用定電流回路121の電流制御用FET121aや電流検出用抵抗121bが故障すると、それらに流れる電流や、それらに印加される電圧が変化する。そのため、電流検出用抵抗121bの電圧に基づいてオン駆動用定電流回路121の異常を検出することができる。 (もっと読む)


【課題】オン駆動用定電流回路が故障しても、スイッチング素子の破損を抑えて駆動することができる電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】制御回路128は、オン駆動用定電流回路121が故障して、IGBT110dのゲートに正常時に流れ込む電流より大きい電流が流れ込むようになったとき、オフ駆動用定電流回路122の電流を調整する。これにより、IGBT110dのゲートに流れ込む電流、及び、ゲートから引き抜く電流を調整することができる。そのため、オン駆動用定電流回路121が故障しても、IGBT110dの破損を抑えて駆動することができる。 (もっと読む)


【課題】ブリッジ回路を構成する一対のMOSFETの内蔵ダイオードに流れる負荷電流の逆回復を速くする。
【解決手段】ブリッジ回路3は内蔵ダイオード4a、5aを内蔵したMOSFET4、5により構成される。MOSFET4、5はスイッチング制御回路6によりゲート駆動回路7、8を介して駆動制御される。負荷電流ILがコイル1からブリッジ回路に向けて流れる状態であって、例えば内蔵ダイオード4aを介して環流電流を流す状態からMOSFET5を介して負荷電流を流す状態への移行期間の終盤にMOSFET4をオンして内蔵ダイオード4aをオフさせ、電流I1がゼロ相当になったらMOSFET4をオフ、MOSFET5をクランプ状態で一定時間オンする。その後、MOSFET5を通常のオン状態に移行させる。 (もっと読む)


【課題】 ノーマリーオン型のスイッチング素子を用いてハーフブリッジ回路を構成し、ドライバ回路もしくはインバータ回路として使用する場合のアーム短絡を防止し、安全な回路を提供する。
【解決手段】
入出力端子対の一端が高圧側の第1の電源電圧V1に接続する第1のスイッチング素子14と第2のスイッチング素子15とが直列に接続されたハーフブリッジ回路において、第2のスイッチング素子15と低圧側の第2の電源電圧V2の間にノーマリーオフ型の第3のスイッチング素子16を挿入したドライバ回路であり、第3のスイッチング素子16は、制御回路用電源13a,13bにより供給される動作電圧VH又はVLが制御回路11の動作に不十分な場合にオフされる。 (もっと読む)


【課題】オン駆動用スイッチング素子のオン故障や誤動作によって発生する、スイッチング素子をオフできない異常状態を検出することができる電子装置を提供する。
【解決手段】オン駆動用FET121aがオン故障や誤動作によってオンしたときにオフ駆動用FET122aがオンすると、IGBT110dのゲート電圧が低下せず、IGBT110dをオフできない異常状態が発生する。このとき、オン駆動用FET121aには、正常時には流れることがない、所定閾値Ith以上の電流が所定時間Tth以上流れる。制御回路128は、オン駆動用FET121aに所定閾値Ith以上の電流が所定時間Tth以上流れているとき、IGBT110dが異常状態にあると判断する。そのため、オン駆動用FET121aのオン故障や誤動作によって発生する、IGBT110dをオフできない異常状態を検出することができる。 (もっと読む)


【課題】モータ駆動装置内で駆動信号経路のオープン故障が発生した場合にも、モータ駆動回路のトランジスタを安全、確実にオフ状態とする。
【解決手段】モータ駆動回路3のトランジスタQ1〜Q6に駆動信号を供給してトランジスタをオン・オフ制御するトランジスタ駆動回路5を備えたモータ駆動装置において、トランジスタQ1〜Q6のゲート・ソース間(またはベース・エミッタ間)に、トランジスタ駆動回路5からトランジスタQ1〜Q6への駆動信号経路上にオープン故障が発生した場合に、トランジスタQ1〜Q6をオフさせるための抵抗体Rgs及び/又はコンデンサCgsを接続すると共に、抵抗体、コンデンサをトランジスタの内部に配置したもの。 (もっと読む)


【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路128は、オン駆動用抵抗121bの端子間電圧に基づいてオン駆動用FET121aに流れる電流を検出する。そして、駆動信号がIGBT110dのオフを指示しているにもかかわらず、オン駆動用FET121aに電流が流れているとき、駆動用電源回路120の動作を停止させ、駆動用電源回路120からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、IGBT110dがオフする。従って、オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】駆動信号がスイッチング素子のオフを指示しているにもかかわらず、制御端子の電圧が低下せず、スイッチング素子をオフできない場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路は、正常時に、オン駆動用FET121aがオフするタイミング(t6)、オフ駆動用FET122aがオンするタイミング(t7)、及び、オン保持用FET123aがオンするタイミング(t9)の後であって、駆動信号がIGBT110dのオン指示からオフ指示に切替わるタイミング(t5)から一定の時間Toffの経過後に、オン保持用FET123aをオンする(t10)。そのため、オン駆動用FET121aがオン故障し、駆動信号がIGBT110dのオフを指示しているにもかかわらずIGBT110dをオフできない異常状態であっても、IGBT110dを確実にオフできる。従って、IGBT110dの熱破壊を防止できる。 (もっと読む)


【課題】スイッチング損失が小さく、かつ、安定してモータを動作させることが可能なモータ駆動回路を提供する。
【解決手段】モータ駆動回路1は、インバータ回路2と、制御回路部3と、バッファ回路4a〜4cと、抵抗R2と、キャパシタ素子C1〜C3とを備えている。バッファ回路4aは、PMOSトランジスタQ1aと、NMOSトランジスタQ1bと、抵抗R1aと、抵抗R2aとを有する。バッファ回路4a〜4cにMOSトランジスタを用いるため、ターンオン時間Tonおよびターンオフ時間Toffを短くでき、スイッチング損失を小さくできる。また、MOSトランジスタQ1のゲートをハイに設定する場合は抵抗R2aを介して充電し、ロウに設定する場合は抵抗R2a,R1aを介して放電するため、ターンオフ時間Toffよりターンオン時間Tonが長くなる。そのため、すべての相をオフに設定するデッドタイムを設ける必要がなく、モータを安定して駆動できる。 (もっと読む)


【課題】ゲート駆動回路の設計を、短TAT化する設計支援装置を提供する。
【解決手段】半導体素子のスイッチングを制御するゲート駆動回路に含まれる回路素子のパラメーを用いて前記半導体素子のスイッチング電圧を計算する回路解析部と、前記スイッチング電圧によって前記ゲート駆動回路を搭載するシステムに発生する電磁放射ノイズを計算する電磁界解析部と、前記電磁放射ノイズが目標値に収まっているか否か判定する第1の判定部と、前記電磁放射ノイズが目標値に収まっていない場合に、前記電磁放射ノイズを抑制するように前記回路素子のパラメータを改良する第1の回路改良部と、前記改良したパラメータを用いて前記回路解析部が計算したスイッチング電圧に基づいて電磁放射ノイズを推定するノイズ推定部と、を備え、中央処理装置が、前記回路素子のパラメータを最適化する。 (もっと読む)


【課題】コンフォート機能付きシートベルトモータ駆動用のモータ制御装置に見られるように、二通り以上の電流モードを必要とするアプリケーションにおいて、各々の電流モードにおいて最適とされるノイズ低減およびスイッチング損失の低減が図れるよう、各素子の定数を最適化することはできなかった。
【解決手段】電流能力が異なる複数のプリドライバ回路を予め備えておき、実行するアプリケーションに応じてプリドライバ回路10A,10B,10Cなどを選択的に使用する。ノイズの増大を許容してでもスイッチング素子の発熱を抑えたい電流モードでは、プリドライバ回路の電流能力を高く設定し、スイッチング速度を高速化する。他方、スイッチング損失の増大を許容してでもノイズの増大を抑えたい電流モードでは、プリドライバ回路の電流能力を低く設定し、ノイズの発生を抑える。 (もっと読む)


【課題】 スイッチング素子の過電圧を低減すると共にスイッチング素子の発熱も抑制できる電力変換装置等を提供する。
【解決手段】 電源及び多相電動機と接続され、当該電源から供給される電力を変換して多相電動機に供給する。この時、多相電動機の各相に接続された複数のスイッチング素子のうち、第1スイッチング素子の相電流が正から負となる転流期間(時刻t3:W相,時刻t4:U相)と、複数のスイッチング素子のうち、第2スイッチング素子の相電流が負から正となる転流期間(時刻t3:V相、時刻t4:W相)とを少なくとも一部で重複させる。 (もっと読む)


【課題】電力変換用の半導体絶縁ゲート型スイッチング素子の駆動回路の出力段の素子の電流駆動能力を高め小型化することで、駆動回路を集積化したより小型で高性能な駆動回路と、さらにこれを用いることでより小型で高性能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】絶遠ゲート型の主半導体スイッチング素子のオン、オフを制御する駆動回路において、前記主半導体スイッチング素子のゲート電圧を制御する回路の出力段に絶縁ゲート制御型のバイポーラ半導体素子、特に、IGBTを用いる。 (もっと読む)


【課題】電力が入出力される電池への過電圧印加を抑制する動力出力装置を提供する。
【解決手段】電力が入出力される電池と、電池電圧を検出する電圧検出手段と、電池から電力供給を受けて動力を出力するとともに発電機能を有する回転電機と、電池と回転電機との間に電気的に接続されて両者間での電力のやりとりの際に電力変換を行う電力変換装置と、電力変換装置に含まれるスイッチング素子を制御する制御部と、を備える動力出力装置であって、制御部は、電池電圧が過電圧であるか否かを閾値との比較により判定し(S10)、過電圧であると判定された場合にスイッチング素子におけるオンオフ時のスイッチング損失を増加させる電力損失増加制御を行う(S12)ように構成されている。 (もっと読む)


【課題】部品点数が少ない回路構成で、制御用電源電圧よりもオン電圧が高いパワートランジスタを確実に駆動することのできるゲート駆動回路を提供すること。
【解決手段】ゲート駆動回路10は、ダイオード21とコンデンサ22とを備えたチャージポンプ回路20で入力信号を昇圧することによりスイッチング素子1のゲートを駆動する。ゲート駆動回路10は、ダイオード21のカソードとコンデンサ22の一端とを直列接続し、コンデンサ22の他端から入力されるパルス信号Pinを、ダイオード21のアノードに入力された制御電源Vinの電圧値だけオフセットしたオフセットパルス信号を出力するチャージポンプ回路20と、ダイオード21およびコンデンサ22の接続点とスイッチング素子1との間に配設され、パルス信号Pinに同期して開閉動作することでオフセットパルス信号を昇圧パルス信号に変換する第1スイッチ30と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ノーマリオン型の半導体素子を用いて、より安全なノーマリオフ的な動作となる簡単な構成の半導体スイッチング装置を提供する。
【解決手段】市販のゲートドライバ11を用いて、ノーマリオン型のJFET10を駆動する。このとき、NチャネルのJFET10のソースSをゲートドライバ11の高圧側の電源ノード12に接続し、ゲートGをゲートドライバ11の出力ノード15に接続する。入力された制御信号VsigがLレベルの場合、出力ノード15の電位Vgは低圧側の電源ノード13の電位Vnに等しくなる。したがって、Lレベルの制御信号Vsig入力に対して、ゲート・ソース間に負の閾値電圧以下の電圧が印加されてJFET10がターンオフするというノーマリオフ的な動作が実現している。 (もっと読む)


1 - 20 / 37