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Fターム[5H740LL02]の内容

電力変換一般 (12,896) | G−K間回路 (124) | コンデンサ(ノイズ除去用) (24)

Fターム[5H740LL02]に分類される特許

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【課題】 オン抵抗を小さくさせつつ、耐圧を向上させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ドレイン領域41と、チャネル領域42と、ソース領域43と、トレンチ44内に第1の絶縁膜2を介して設けられる第1のゲート電極3と、トレンチ44内に第1の絶縁膜2を介して設けられると共に第1のゲート電極3の下方に第2の絶縁膜4を介して設けられる第2のゲート電極5とを備えて構成し、第1のゲート電極3に、ドレイン領域41とソース領域43との間に流れる電流を制御する第1のゲート信号を入力し、第2のゲート電極5に、少なくとも第1のゲート信号がローレベルのとき正の電圧である第2のゲート信号を入力する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ターンオン時及びターンオフ時の過渡時、消費電力のロスを低減でき、且つ出力電流の高周波成分によるEMIノイズの発生を低減することができる駆動回路を提供する。
【解決手段】一方の端子に負荷が接続されたドライバ素子2のオン/オフを制御する駆動回路であって、ドライバ素子2の制御端子に電流を流し込むスイッチ素子4と、ドライバ素子2の制御端子から電流を引き出すスイッチ素子3とを有するスイッチング回路1と、ドライバ素子2の制御端子と他方の端子との間に設けられた容量素子8とを備える。 (もっと読む)


関連する高電圧NPNトランジスタ(T3)を破壊に対して保護するためのピーク電圧保護回路であり、この保護回路は、関連する高電圧NPNトランジスタ(T3)のベース−コレクタ電圧に関係づけられたセンサ電圧を感知するための低電圧NPN素子(T15)を含む。この回路はさらに、関連する高電圧NPNトランジスタ(T3)のベース−コレクタ電圧をトリガと同時に制限するための起動回路を含む。低電圧NPN素子(15)は、低電圧NPNトランジスタ(T15)の降伏電圧をセンサ電圧が超えると同時に起動回路をトリガするように起動回路に結合される。
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共振ゲート・ドライバ回路は、例えばMOSFETの効率的なスイッチングを実現する。しかし、共振ゲート・ドライバ回路の動作は、しばしば、高いスイッチング周波数が必要とされる応用分野を可能としない。本発明によれば、共振ゲート・ドライバ回路のインダクタのプリチャージが実行される。これは、MOSFETの非常に効率的かつ高速な動作を可能にする。
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