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Fターム[5H740LL05]の内容

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Fターム[5H740LL05]に分類される特許

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【課題】逆流電流防止用のダイオードやトランジスタを必要としない逆流電流防止回路を提供する。
【解決手段】制御動作用として使用するMOSトランジスタ17のバックゲートの接続先を、電源電圧Vddと出力端子11の電圧とを比較する第1電圧比較回路22の出力で駆動される第1スイッチ回路19および第2スイッチ回路20で制御し、電源電圧Vddが出力端子11の電圧より低いとき、MOSトランジスタ17の持つ寄生ダイオード18を逆流電流防止用ダイオードとして利用する。 (もっと読む)


【課題】静電気による絶縁ゲートバイポーラトランジスタの破損を防止することができる電力変換装置を得る。
【解決手段】絶縁ゲートバイポーラトランジスタと保護回路とを内蔵し、保護回路は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタのゲートと電流センス端子との間に互いに逆向きに直列接続された第1、第2のツェナダイオードと、絶縁ゲートバイポーラトランジスタのゲートとエミッタとの間に互いに逆向きに直列接続された第3、第4のツェナダイオードとを有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、LCDバックライトインバータ駆動回路に関し、さらに詳しくはより安定したオン/オフスイッチングをすることにより発熱特性と駆動効率を向上させることができるLCDバックライトインバータ駆動回路に関する。
【解決手段】本発明は、第1駆動信号を供給する制御部と、第2駆動信号を供給するレベルシフタと上記第1駆動信号のライジング区間をディレイして供給する第1ディレイ回路と、上記第2駆動信号のフォーリング区間をディレイして供給する第2ディレイ回路と、パワースイッチング回路とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、LCDバックライトインバータ駆動回路でスイッチング素子がオフされる場合スイッチング素子に流れる電流量を減少させることにより発生する熱が減少し、かつ上記スイッチング素子から逆流される電流による発熱を防止し、駆動効率を向上させる効果を奏する。 (もっと読む)


スイッチング回路装置100は、電界効果トランジスタ40と、電界効果トランジスタ40のゲート電圧を特に、或る閾値、特に或る正の閾値レベル下にして、電界効果トランジスタ40のゲート電圧にバイアスをかける回路50,52,54,60,62とを有している。実施形態においては、逆回復及びゲートバウンスが同時に軽減される。一実施形態においては、バイアス回路は、電界効果トランジスタ40のゲート電圧にバイアスをかけるために、電界効果トランジスタ40のゲートGと直列に接続されたバイアスダイオード52と、電界効果トランジスタ40のゲート電圧を或る閾値、特に或る正の閾値レベル下にするために、電界効果トランジスタ40のゲートGと電界効果トランジスタ40のソースSとの間に接続されたクランピング電界効果トランジスタユニット62とを有している。
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【課題】MOSFETを正常に通電動作させた後に電源電圧がオン可能レベルよりもある程度低下しても、その通電状態を保持することが可能な電力供給制御装置を提供する。
【解決手段】電源電圧Vcc(生成電圧Vin)が第1レベルと第2レベルとの間のレベルまで低下したとき(A期間)は、電源電圧Vcc(生成電圧Vin)が第1レベルを下回った時点ではヒステリシス回路29からの出力信号S4がローレベルのままとされ、放電阻止用FET28がオフした放電阻止状態が継続される。つまり、充電回路25の駆動によって蓄積されたゲート電荷の放電を阻止してゲート電圧を維持することでパワーMOSFET14の通電状態が保持され、負荷11への電力供給が継続される。 (もっと読む)


【課題】 小電流ターンオフ時の過大な短絡電流を確実に防止できる。
【解決手段】 ゲート駆動回路20は、制御信号Saが絶縁器10を介して供給され、ゲート抵抗13,15の接続点がIGBT5aのゲートに接続されている。ゲート制御回路30は、第1の基準値Vref1を設定するための基準電源31と、この第1の基準値Vref1とIGBT5aのゲート電位を比較するコンパレータ回路32と、このコンパレータ回路32の出力とスイッチ素子14をオンオフ制御するスイッチング信号S2との論理積(アンド)演算を行う論理積回路33と、セット端子(S)とリセット端子(R)を持つフリップフロップ34とから構成され、ゲート駆動回路20に対する制御信号Saがオフ指令に切換わった後に、スイッチ素子22をオン状態に切換えて保持するように動作する。 (もっと読む)


【課題】 パルストランスを介して電力供給を行うと共に、パルスの波高値を制御することにより、パルス動作の周波数に関わらず情報伝達が可能な電気絶縁型駆動回路を提供すること。
【解決手段】 1次側回路ICαは、電源電圧出力部2を備える。電源電圧出力部2からパルストランスTRには、制御指令信号CSに応じた電圧が給電される。またパルストランスTRは、クロック信号CLKに応じてパルス動作する。よって、制御指令信号CSに応じて、パルスの波高値が変更される。2次側トランス出力信号VT2の波高値は、2次側回路ICβに備えられる比較部3および波高値検出部4により検出される。よって、2次側回路ICβでは、2次側トランス出力信号VT2に含まれる制御指令信号CSの情報を抽出するデコード動作が行われる。デコードされた制御指令信号CSに応じて、上アーム素子UAのスイッチング制御が行われる。 (もっと読む)


共振ゲート・ドライバ回路は、例えばMOSFETの効率的なスイッチングを実現する。しかし、共振ゲート・ドライバ回路の動作は、しばしば、高いスイッチング周波数が必要とされる応用分野を可能としない。本発明によれば、共振ゲート・ドライバ回路のインダクタのプリチャージが実行される。これは、MOSFETの非常に効率的かつ高速な動作を可能にする。
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