【課題】クロック信号に乗るジッタを低減することが可能なジッタ低減回路および半導体集積回路の提供を図る。
【解決手段】第１クロック信号CLK1の第１周波数を測定する第１周波数測定回路１１と、第２クロック信号CLK2の第２周波数を測定する第２周波数測定回路１２と、測定された前記第１および第２周波数を比較し、該第１および第２周波数が所定の関係に有るかどうかを判定する周波数比較判定回路２０と、前記周波数比較判定回路からの第１制御信号CNT1を受け取り、前記第１クロック信号の遅延を制御して前記第２クロック信号によるジッタを低減する第１遅延制御回路４１と、を有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】
積分回路や発振回路に、時間差なく各信号が入力され、さらには、積分回路や発振回路の補正や校正の自由度を高くする。
【解決手段】
複数のアナログ信号を入力し当該アナログ信号をそれぞれ積分した積分信号をそれぞれ出力する積分回路１１１，１１２と、各積分信号をそれぞれ入力し、積分信号の大きさを所定のしきい値と比較して比較信号をそれぞれ出力する比較回路１２１，１２２と、積分回路のうち少なくとも２つの積分回路の制御端子に接続され、それぞれセットされた時間だけ、他の少なくとも１つの積分回路の積分動作の開始タイミングと異なるタイミングで積分動作を開始させる遅延回路１３１，１３２と、比較信号を入力し、これらの入力信号の入力タイミングを比較し、これらの入力タイミングに応じた比較結果信号を出力する信号処理回路１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】安定したＰＬＬ動作を確立できる発振器制御装置を提供する。
【解決手段】発振器制御装置は、発振器調整信号ＯＴＷに応じた発振周波数の発振信号を出力するデジタル制御発振器１００と、発振信号で同期化された基準信号に基づいてカウント値を出力するカウンタ１２０と、発振信号と基準信号との位相差ｄを算出する時間デジタル変換器１３０と、カウント値と位相差とを加算し、加算値を第１位相情報として出力する加算器１４０と、発振信号の立ち上がりタイミングと基準信号の立ち上がりタイミングとの時間差が所定時間未満である場合に、デジタル制御発振器の発振周波数を設定するための位相制御信号Ａｃｃ１に基づいて第１位相情報を補正し、第２位相情報を出力する補正部１６０と、位相制御信号と第２位相情報との差分を平滑化するフィルタ１８０と、フィルタ出力にパラメータＫを乗算して発振器調整信号ＯＴＷを出力する乗算器１９０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】インピーダンス調整回路における調整誤差を低減する。
【解決手段】レプリカ回路１４４１，１４４３のインピーダンスをそれぞれ変化させるカウンタ回路１４２１，１４２２と、これらカウンタ回路のカウント値を更新するインピーダンス調整制御回路１４１とを備える。制御回路１４１は、レプリカ回路１４４１のインピーダンスが外部抵抗ＲＥのインピーダンスよりも低い状態から高い状態に変化したことに応答してカウンタ回路１４２１のカウント値更新を終了し、レプリカ回路１４４３のインピーダンスがレプリカ回路１４４１のインピーダンスよりも高い状態から低い状態に変化したことに応答してカウンタ回路１４２２のカウント値更新を終了する。これにより、レプリカ回路１４４１，１４４３にて生じる調整誤差が相殺される。 （もっと読む）

【課題】カウント動作を高速でも容易に行えるようにすること。
【解決手段】Ａ相パルスの前パルスエッジとＢ相パルスの前パルスエッジとのエッジ位相差と、Ａ相パルスの後パルスエッジとＢ相パルスの前パルスエッジとのエッジ位相差とを検出し、上記両エッジ位相差の比率を演算し、上記エッジ位相差比率に対応して割り当てられたカウント値を演算する２相カウンタ。 （もっと読む）

【課題】電圧制御発振器VCOの出力信号と参照信号との位相差をデジタル信号として高精度に検知できる位相比較器、PLL回路、及び位相比較器の制御方法を提供する。
【解決手段】各々複数段縦列接続され、基準信号および対象信号が入力される遅延回路と、各々の段の遅延時間の差により、基準信号と対象信号との位相差を出力する保持回路と、その出力結果を元に、遅延素子の時間差及び大小を変更する論理回路とを備えた。 （もっと読む）

【課題】電力効率を向上させる。
【解決手段】クロック信号ＣＬＫに同期して動作する２つの同期動作回路１１、１２間を並列形態で接続して信号伝送可能とされる複数の遅延路１３ａ、１３ｂ、・・１３ｎと、複数の遅延路１３ａ、１３ｂ、・・１３ｎにおけるそれぞれの遅延時間を検出する遅延検出部１４と、遅延検出部１４の検出結果に基づいて複数の遅延路１３ａ、１３ｂ、・・１３ｎの内の一の遅延路を選択し、選択した一の遅延路以外における信号伝送を阻止するように制御する制御部１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】デューティ補正回路のロッキングタイムを減らし、正確なデューティの補正が可能となり、多様な周波数のクロックについてデューティ補正を可能にするデューティ補正回路を提供すること。
【解決手段】本発明に係るデューティ補正回路は、デューティ調節コードＣ＜１：５＞に応答して入力クロックＣＬＫ、ＣＬＫＢのデューティを調節した出力クロックＣＬＫ＿ＯＵＴ、ＣＬＫＢ＿ＯＵＴを生成するデューティ調節部１１０と、前記出力クロックのハイパルス幅とローパルス幅の差異を測定してその差異値Ｓ＜１：４＞を出力するデューティ感知部１２０と、前記差異値を累積して前記デューティ調節コードを生成する累積部１３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、短いロッキングタイムを有する多相ＤＬＬ回路及びその制御方法を提供する。
【解決手段】本発明のＤＬＬ回路は、 基準クロックを遅延させてＤＬＬクロックを生成するが、制御電圧のレベルに応じて遅延量を調整する遅延手段；制御電圧の初期レベルを制御し、検出イネーブル信号を生成する初期動作制御手段；及び、検出イネーブル信号に応じて前記基準クロック及びＤＬＬクロックの位相を比較して、制御電圧を生成する遅延制御手段を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内部信号のタイミングを測定する場合、チップ内に形成されたトランジスタ等の素子における場所依存性によって特性が異なる場合にも、内部信号のタイミングを測定できる測定回路を提供する。
【解決手段】内部で実信号として用いられる第１及び第２の内部回路制御信号を生成する内部回路と、内部回路を通して受信される第１及び第２の内部回路制御信号を遅延時間測定開始信号及び遅延時間測定終了信号として受け、当該遅延時間測定開始信号及び遅延時間測定終了信号間の遅延時間を測定し、出力する遅延時間測定回路を備えた内部信号タイミング回路及び当該回路を含む半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＬ回路において、アナログ回路のデジタル化によって生じる量子化雑音を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】基準信号ＲＥＦと分周後の信号ＤＩＶとの位相及び周波数を比較してデジタル値に変換するデジタル位相周波数比較器（ＤＰＦＤ）１０１と、デジタル位相周波数比較器１０１の出力から高周波雑音成分を除去するデジタルループフィルタ（ＤＬＦ）１０２と、デジタルループフィルタ１０２の出力のデジタル値をアナログ値に変換するデジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）１０５と、デジタルアナログ変換器１０５の出力から高周波雑音成分を除去するアナログフィルタ（ＡｎＦ）１０６と、アナログフィルタ１０６の出力に基づいて周波数が制御される電圧制御発振器（ＶＣＯ）１０３と、電圧制御発振器１０３の出力を分周し、分周後の信号ＤＩＶを出力する分周器（ＤＩＶ）１０４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＴ変動による遅延制御回路の遅延量変動を正しく補正する。
【解決手段】互いに動作条件が異なる第１及び第２の遅延素子列１２１，１２２と、第１及び第２の遅延素子列１２１，１２２に同時に入力されたパルス信号Ｐの伝搬速度差を検出する検出回路１２３と、検出回路１２３による検出結果に基づいて選択信号ＳＥＬを生成する設定回路１２４とを備える。選択信号ＳＥＬは、基準信号を遅延させることによって動作タイミング信号を生成する遅延制御回路１３０に供給され、その遅延量は選択信号ＳＥＬによって調整される。これにより、ＰＶＴ変動を見越して遅延制御回路の遅延量を大きく設計しておく必要がなくなるため、パフォーマンスの低下を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ロック状態を維持したまま、発振周波数のVCO制御電圧特性を粗調整する。
【解決手段】VCO６３は、トランジスタを内蔵し、入力されたVCO制御電圧に対応する発振周波数を発生させ、LPF１３１a乃至１３１dは、VCO６３が内蔵するトランジスタのゲートに、予め決められた変化率でトランジスタのゲート電圧を変化させる入力電圧を入力し、VCO制御電圧に対する、発振周波数のVCO制御電圧特性を粗調整する。本発明は、例えばPLL回路やCDR回路に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 １／Ｎレート構成に対応可能な高精度な位相比較回路を得る。
【解決手段】それぞれ、Ｎ相クロック信号ＣＬＫの各クロック信号を、受信データ信号ＤＩＮの立ち上がりに同期してトラックホールドするＮ個のトラックホールド回路を備える。これらのＮ個のトラックホールド回路の出力から、受信データ信号ＤＩＮの立ち上がりエッジが、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジに位置しているクロック信号をトラックホールドしているもののみをセレクタで選択して、位相差信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】Ｄ−ＦＦの内部遅延が無視できない高速動作時において位相比較回路の低消費電力化を実現する。
【解決手段】マスタースレーブマスター型Ｄ−ＦＦ１１は、第１のＭ−ＦＦ１１−１，Ｓ−ＦＦ１１−２および第２のＭ−ＦＦ１１−３が縦続接続され、入力ＮＲＺデータ信号をクロック信号に応答して識別し、Ｓ−ＦＦおよび第２のＭ−ＦＦから出力する。遅延回路４は、入力ＮＲＺデータ信号をＳ−ＦＦと同じ時間だけ遅延させる。第１のＥＸＯＲ回路７は遅延回路の出力とＳ−ＦＦの出力の排他的論理和演算を行ない、第２のＥＸＯＲ８はＳ−ＦＦの出力と第２のＭ−ＦＦの出力の排他的論理和演算を行なう。加算器９は第１のＥＸＯＲ回路の出力と第２のＥＸＯＲの反転出力を加算する。 （もっと読む）

【課題】クロック信号の位相、デューティー比等の変動に対し耐性の強い、小型の半導体集積回路を提供する。
【解決手段】複数配設される回路部と、クロック信号の立ち上がりエッジから前記クロック信号を逓倍した周期の第１信号を生成する第１カウンタと、前記クロック信号の立ち下がりエッジから前記クロック信号を逓倍した周期の第２信号を生成する第２カウンタと、前記第１信号が転送される第１ラインと、前記第２信号が転送される第２ラインと、前記第１ライン及び前記第２ラインと接続され前記第１信号と前記第２信号との位相差から第３信号を生成し前記回路部に前記第３信号を出力する位相比較器と、を備え、前記位相比較器は、前記第１ライン及び前記第２ライン上に配設され且つ前記第１ライン及び前記第２ラインの末端と前記回路部との間に複数配設される。 （もっと読む）

【課題】デジタル位相検出器の時間分解能をデジタル制御し、回路規模・消費電力を低減する。
【解決手段】信号Ｓ１が入力される直列に接続された第１の遅延素子１０１１〜１０１Ｎと、信号Ｓ２が入力される直列に接続された第２の遅延素子１０２１〜１０２Ｎと、各々の第１の遅延素子の出力が与えられ、各々の第２の遅延素子の出力をクロックとするラッチ回路１０３１〜１０３Ｎと、前記ラッチ回路の出力値に基づいて信号Ｓ１のパルス幅を示すデジタルコードＰＷｍを算出して出力するデコーダ回路１０４と、デジタルコードＰＷｍと所定のデジタルコードＰＷｒとを比較し、比較結果を出力する比較器１０５と、前記比較結果に基づいて前記第１及び第２の遅延素子の少なくともいずれか一方の遅延時間を制御する遅延制御回路１０６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】遅延固定ループで反映される遅延の程度を測定して読み出し命令に反映することにより、ＣＡＳレイテンシに対応する最終出力イネーブル信号を生成することができる半導体メモリ装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体メモリ装置は、遅延固定ループ３１０と、外部クロック信号に同期化したロック完了情報に応答して基準クロック信号とフィードバッククロック信号との間の遅延の程度を測定し、これを遅延測定値として出力する遅延及び遅延時間測定手段３３０と、外部クロック信号に同期化した読み出し命令情報を、基準クロック信号とＤＬＬクロック信号との間の遅延の程度に対応する分だけ遅延させ、遅延測定値及びＣＡＳレイテンシ情報に対応してＤＬＬクロック信号に同期化させ、最終出力イネーブル信号として生成する出力イネーブル信号生成手段３５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発振周波数を線形に近くかつきめ細やかに制御可能なデジタル制御発振器を提供する。
【解決手段】正相発振信号を出力する正端子２１３と、逆相発振信号を出力する負端子２１４と、センタータップ２１０とを有し、正端子とセンタータップとの間の任意の位置に第１の接点２１１を備え、負端子とセンタータップとの間の第１の接点に対応する位置に第２の接点２１２を備える差動インダクタ２００と、正端子と負端子との間に接続され、第１のデジタル制御コードによってキャパシタンスを２値に変化させる第１の可変キャパシタを複数含む第１の可変キャパシタバンク２２０と、第１の接点と第２の接点との間に接続され、第２のデジタル制御コードによってキャパシタンスを２値に変化させる第２の可変キャパシタを複数含む第２の可変キャパシタバンク２４０と、正端子と負端子との間に接続される負性抵抗２３０とを具備する （もっと読む）

【課題】ロックアップ時間を短縮すること。
【解決手段】ＰＬＬ回路２０の位相比較器２３は、基準信号ｆｒと比較信号ｆｐの位相を比較し、両信号ｆｒ，ｆｐの位相差に応じた信号を出力する。ループフィルタ２５は強誘電体容量Ｃ１を含み、位相比較器２３の出力信号に応じたチャージポンプ２４から出力される位相差電流ＩＰにより直流電圧を生成するとともに、その直流電圧を平滑化して制御電圧ＶＣを生成する。ＶＣＯ２６は、制御電圧ＶＣに応じた周波数の出力信号ｆｏを生成する。カウンタ３１は、入力信号ｆｉをカウントし、カウント値と第１の設定値，第２の設定値とを比較し、第１の期間、強誘電体容量Ｃ１を高電位電源ＶDDの電源線に接続し、第２の期間、強誘電体容量Ｃ１と低電位電源ＶSSの電源線を接続する。 （もっと読む）