【課題】遅延回路の遅延量の最小値よりも短い相間隔を有する多相クロック信号を小さな回路規模で生成する。
【解決手段】縦列接続された遅延回路ＵＤ１〜ＵＤｎからなり、入力クロック信号ＩＧＣＫをｋ周期遅延させるディレイラインと、遅延回路ＵＤ１〜ＵＤｎからそれぞれ出力される出力クロック信号Ｎｏｄｅ１〜Ｎｏｄｅｎに基づいて互いに位相の異なる多相クロック信号ＤＴＣＫ１を生成するルーティング回路１３０とを備える。ｎとｋの最大公約数をＧＣＭ、入力クロック信号ＩＧＣＫの１サイクルをＧＣＫ、多相クロック信号ＤＴＣＫ１の相間隔をＵＩとした場合、相間隔ＵＩの長さは、ＵＩ＝ＧＣＫ×ＧＣＭ／ｎで与えられる。これにより、１個の遅延回路の遅延量の最小値よりも短い相間隔を有する多相クロック信号を小さな回路規模で生成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】広帯域の周波数範囲におけるどの周波数の基準クロックを受けてもロックする時間を短くできるクロック生成回路を簡易な回路構成で実現。
【解決手段】基準クロックを第１の個数の電圧制御遅延素子１２−1〜１２−Ｎで遅延させて第１の遅延クロックを生成し、第２の個数の電圧制御遅延素子１２−1〜１２−Ｋで遅延させて第２の遅延クロックを生成する遅延部１１と、前記基準クロックの位相と前記第１の遅延クロックの位相とを比較する位相比較部２１と、遅延制御電流を出力するチャージポンプ２２と、遅延制御部２３と、前記基準クロックの位相と前記第２の遅延クロックの位相とを比較し、前記基準クロックと前記第１の遅延クロックとの位相差を判定する判定部１３ａと、前記位相差が閾値より大きい場合、前記遅延制御電流が第１の値になり、前記閾値以下の場合、前記第１の値より小さい第２の値になるように制御するチャージ制御部１３ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】電圧−周波数変換方式のＡ−Ｄ変換装置の精度を向上する。
【解決手段】２つの等価な鋸波発生回路１８Ａおよび１８Ｂと、その２つの鋸波発生回路１８Ａおよび１８Ｂを交互に切り替えるスイッチ回路１９と、を含む電圧制御型発振器２４を有する、電圧−周波数変換回路を備える。好ましくは、第１の周期の周期信号を出力する第１の電圧制御型発振器と、第１の周期と異なり、かつ第１の周期と一定の比を保つ第２の周期の周期信号を出力する第２の電圧制御型発振器とを備え、サンプリング周期内に含まれる第１の周期信号の波数に基づいて、入力であるアナログ信号に対応するディジタル信号の上位ビットを算出し、サンプリング信号の活性化時点から第１および第２の周期信号の位相が一致する時点までの間に含まれる周期信号の波数に基づいて、デジタル信号の下位ビットを算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであって、高い周波数のクロックを使用することなくパルス幅変調の分解能を高めることができるデジタル方式パルス幅変調装置の提供を課題とする。
【解決手段】クロックＡ（１００）を用いて、カウント信号（１０５）とデジタル信号（１０７）に従ってパルス幅変調信号（１１０）のパルス前縁の位置を特定する一方、クロックＢ（１０１）を用いて、カウント信号（１０６）と前記デジタル信号（１０７）に従ってパルス幅変調信号（１１０）のパルス後縁の位置を特定することによって、（クロックＡの１周期）／Ｎのパルス幅を単位とするパルス幅変調信号を生成することができる。このため、従来の装置に比べてＮ倍の分解能を実現することができ、従来と同じ周波数のクロックを用いてもＮ倍高い分解能を有する高性能な装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 高い精度で遅延時間を制御できる可変遅延回路を用いた半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
【解決手段】入力クロック信号を遅延させる第１のＤＬＬ回路３と、第１のＤＬＬ回路よりも高い精度で遅延を制御できる第２のＤＬＬ回路１０とを有し、第１及び第２のＤＬＬ回路の位相比較（３１、１４）を独立に動作させ、かつ第２のＤＬＬ回路の遅延量制御を第１のＤＬＬ回路の動作に従属させることで、入力クロック信号に対し所定の位相関係を有する出力クロック信号を出力するように第１及び第２のＤＬＬ回路で遅延を与える半導体集積回路装置。 （もっと読む）