【課題】コンパレータ回路において、従来技術に比較して高速で消費電力を低下させる。
【解決手段】入力される２つの入力電圧に応じて、第１及び第２のＭＯＳトランジスタからなる入力差動対のいずれか１つのＭＯＳトランジスタにおいて、当該１つのＭＯＳトランジスタとスイッチトランジスタとを含むループにより適応バイアス電流を発生する入力差動対及び適応バイアス電流発生回路と、上記適応バイアス電流に対応する電流を検出してラッチ論理を変化させた後、上記スイッチトランジスタをオンからオフに切り換えることにより上記適応バイアス電流を遮断するラッチ回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】比較器に対して最適な同相電圧を与えることによって、動作速度の向上を図る。
【解決手段】比較器１と、前記比較器の応答速度を判定する判定器２と、前記判定器の判定結果に従って、前記比較器の応答速度の遅延を低減するように、前記比較器の複数の入力における同相電圧を制御する電圧制御器３と、を有し、電圧比較回路１００は、電圧比較器（比較器）１，判定器２および電圧制御器３を有する。比較器１は、差動の入力信号Ｖip，Ｖimの高低を比較し、判定器２は、比較器１の動作の遅速を判定して電圧制御器３を制御し、電圧制御器３は、判定器２の出力に従って、入力信号Ｖip，Ｖimの同相電圧（コモン電圧）を制御する。なお、クロック発生器２００は、電圧比較回路１００における比較器１および判定器２に対するクロックを発生する。 （もっと読む）

【課題】入力信号の位相の同相／反転関係を検出する位相検出回路であって、検出可能な信号速度が制限されることを回避することが可能な位相検出回路を提供する。
【解決手段】ギルバートセルと、このギルバートセル内の下段側に位置する第１の差動対（１０１、１０２）に対して並列関係に設けられた第２の差動対（１２０、１２１）と、第１の差動対に電流を供給する第１の電流源（１００）とは別に設けられ、第２の差動対に電流を供給する第２の電流源（１３０）と、第１の電流源と第２の電流源とのいずれかのみが動作するように制御する制御回路（１４０）とを備え、第１の電圧信号は第１の差動対の正側電圧入力端子と第２の差動対の負側電圧入力端子に入力され、第１の電圧信号と相補の関係にある第２の電圧信号は第１の差動対の負側電圧入力端子と第２の差動対の正側電圧入力端子に入力されている位相検出回路。 （もっと読む）

【課題】プルアップ抵抗の抵抗値や接続する外部回路に依存せず、ハイレベル出力電圧を所望の電圧に精度よく設定することが可能なコンパレータ回路を提供する。
【解決手段】オープンドレイン型またはオープンコレクタ型のコンパレータ２と、一端がコンパレータ２の出力端子５に電気的に接続されたプルアップ抵抗ＲＬと、反転入力端子１１がコンパレータ２の出力端子５に電気的に接続され、出力端子１２がプルアップ抵抗ＲＬの他端に電気的に接続され、非反転入力端子１３にハイレベル出力電圧となる基準電圧Ｖ₀が印加される増幅回路１０と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】ホスト機器とサブ機器との間の双方向データ伝送を行うインターフェイス回路において、待機時の消費電流をゼロにする機能を実現し、かつ安定した起動シーケンスを実現する。
【解決手段】ホスト機器１側で、差動信号の電位は、アイドル／スタンバイ状態においてプルアップ素子４によって電源電位にプルアップされている。ノーマル状態に移行するとき、差動信号が出力されるにつれて、コモンモード電位が電源電位から徐々に低下していく。サブ機器２側では、レベル検知回路１０によってコモンモード電位が所定レベルよりも下がったことを検知したとき、ノーマル状態になったと判断し、起動する。レベル検知回路１０は、通常状態で消費電流が生じないバッファタイプの回路構成で実現される。 （もっと読む）

【課題】ＰＤの数を減らし、光遅延分岐回路を必要としない電気遅延型ＯＣＴＡを提供すること。
【解決手段】伝送線路１０に入力パラレル電気信号が入力されたスイッチ２０−１〜２０−Ｎが並列に取り付けられている。スイッチ２０−１〜２０−Ｎは、ノーマリオフ状態に設定されており、光電変換器３０から出力され分岐した電気信号によってＯＮされると伝送線路１０に出力シリアル電気信号を構成する電気パルスを生成する。光電変換器３０は光パルス又は光ラベルトリガーが照射されると電気信号を出力し、分岐回路４０−１〜４０〜Ｎ、遅延回路５０−１〜５０−（Ｎ−１）を介して各スイッチ２０−１〜２０−Ｎに入力する。遅延回路５０−１〜５０−（Ｎ−１）は分岐回路４０−１〜４０〜Ｎの間に設置されており、出力シリアル電気信号のビット間隔τに相当する時間差でスイッチ２０−１〜２０−Ｎに電気信号が到達するように調整されている。 （もっと読む）

【課題】高い周波数の差動信号をシングルエンドの信号に変換可能な信号変換回路、当該信号変換回路を備えたアイソレータ回路及び信号変換方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる信号変換回路１０は、差動信号である信号Ｄ１及び信号Ｄ２が入力されるヒステリシスコンパレータ１、２及び変換バッファ３を備える。ヒステリシスコンパレータ１は、信号Ｄ１の電位Ｖ１と信号Ｄ２の電位Ｖ２との大小の比較結果を信号Ｅ１として出力する。ヒステリシスコンパレータ２は、電位Ｖ１と電位Ｖ２との大小を比較し、当該比較結果を信号Ｅ１の反転信号である信号Ｅ２として出力する。変換バッファ３は、信号Ｅ１及び信号Ｅ２をシングルエンド信号Ｆに変換する。 （もっと読む）

【課題】高速に伝送されてくるデータを安定して受信する差動入力インターフェース回路を提供する。
【解決手段】一対の差動信号を受信して正相データ信号ＰＡ１１を出力する第１の差動アンプ１０３と、一対の差動信号を受信して負相データ信号ＮＡ１１を出力する第２の差動アンプ１０４と、一対の差動クロック信号を受信して正相クロック信号ＦＸ１１を出力する第３の差動アンプ１０５と、正相データ信号ＰＡ１１と負相データ信号ＮＡ１１とを正相クロック信号ＦＸ１１に同期してラッチすることにより、ラッチ出力信号ＰＤを出力するデータラッチ回路３０３と、ラッチ出力信号ＰＤよりシングルエンドのデータ信号Ｌ１３を生成するデータ生成回路３０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】入力信号と出力信号の位相差の増大を抑制すること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、縦続接続された複数の遅延素子を用いて、入力信号と出力信号の位相を合致させるロック調整動作を行うＤＬＬ回路と、リファレンス電位を基準として生成した出力電圧を、複数の遅延素子に供給する遅延素子用電源回路と、出力電圧がリファレンス電位の一定範囲内にあるか否かを検出し、出力電圧が一定範囲内にない場合、ロック調整動作を停止させるＤＬＬ動作信号をＤＬＬ回路に出力する検出回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】安定したヒステリシス特性を有するコンパレータを提供する。
【解決手段】コンパレータ１は、一対の差動入力トランジスタＴ１，Ｔ２を有する差動回路部１０と、差動回路部１０にヒステリシスを付加するためのセレクタ回路部２０と、レベル変換増幅部３０とを備える。セレクタ回路部２０は、差動入力トランジスタＴ１，Ｔ２のドレインにそれぞれ接続するトランジスタＴ３，Ｔ４を有し、トランジスタＴ３，Ｔ４の一方がオンするときオンしたトランジスタに接続する側のトランジスタＴ１，Ｔ２から一定のバイアス電流Ｉｂを吸引するように接続される。レベル変換増幅部３０の２つの増幅回路３１，３２は、セレクタ回路部２０のトランジスタＴ３，Ｔ４に対して並列に接続されており、差動回路部１０の出力に応じてトランジスタＴ３，Ｔ４の一方をオンし同時に他方をオフすることでバイアス電流Ｉｂを切り換える。 （もっと読む）

【課題】セットの部品点数削減や低消費電力化を実現することが可能な制御回路及びこれを用いたデータ保持装置を提供する。
【解決手段】制御回路１０は、トリガ信号ＴＲＩＧＧＥＲに特定の信号パターンが現れたときに制御部１１の動作に必要な内部クロック信号ＬＣＬＫの生成を開始し、少なくとも制御部１１において所定の処理が完了するまで内部クロック信号ＬＣＬＫの生成を継続した後、内部クロック信号ＬＣＬＫの生成を停止する内部クロック生成部１２と、内部クロック信号ＬＣＬＫを用いて前記所定の処理を実行する制御部１１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】新規な出力論理を有するコンパレータを提供する。
【解決手段】コンパレータ１００は、入力電圧Ｖ_ＩＮを基準電圧Ｖ_ＲＥＦと比較する。差動増幅回路１０は、その制御端子に基準電圧Ｖ_ＲＥＦが印加された第１入力トランジスタＭｉ１と、その制御端子に入力電圧Ｖ_ＩＮが印加された第２入力トランジスタＭｉ２を含む。出力段２０は、差動増幅回路１０の出力信号Ｖ_ｘを受け、それに応じた信号を比較結果を示す出力信号Ｓ_ＯＵＴとして出力する。フィードバック回路３０は、出力段２０の出力信号Ｓ_ＯＵＴを受け、出力信号Ｓ_ＯＵＴが第１レベルから第２レベルに遷移すると、出力信号Ｓ_ＯＵＴが第２レベルに戻るように、差動増幅回路１０または出力段２０にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】各動作モードにおいてレベルシフト回路を用いることなく所望の入力電圧範囲となる多入力差動増幅器を提供する。
【解決手段】差動部１は、バイアス部２と出力部３との間に設けられ、第一入力部１０と第二入力部２０とを有する。第一入力部１０は、ソースがバイアス部２と接続され、ドレインが出力部３と接続された１個のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ１１）からなる。第二入力部２０は、直列接続される２個のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ２１）、（Ｍ２２）と、直列接続される２個のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ２３）、（Ｍ２４）とが２列に並列接続される。また、入力端ＩＮａはＭ１１のゲートに接続され、入力端ＩＮｘはＭ２２とＭ２３のゲートに接続され、入力端ＩＮｙはＭ２１とＭ２４のゲートに接続される。バイアス部２は１つの定電流源２１を有し、出力部３は２つのｐ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１、Ｑ２）で構成のカレントミラー回路を有する。 （もっと読む）

【課題】応答性を損なうことなく能動クランプ素子の損失電力を低減できる能動クランプ回路を用いたゲート駆動回路及び半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチ素子Ｔｒ７のゲートを駆動するゲート駆動回路であって、制御信号に基づいてスイッチ素子Ｔｒ７を駆動する駆動部（トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ４，Ｔｒ５）と、スイッチ素子Ｔｒ７の第１主端子（ドレイン）と第２主端子（ソース）との間に印加される電圧が所定電圧以上の場合に、駆動部によるスイッチ素子Ｔｒ７に対する駆動動作を強制的に遮断して、スイッチ素子Ｔｒ７の第１主端子と第２主端子との間の電圧がクランプされるようにスイッチ素子Ｔｒ７を駆動するアクティブクランプ回路（ダイオードＤ１、ツェナーダイオードＺＤ１、抵抗Ｒ１、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ピークホールド回路及びボトムホールド回路の検出精度を高め、高温動作における当該回路の検出精度の劣化を抑制すること。
【解決手段】各ゲートに入力端子１と出力端子２が接続される第１の差動入力回路７と、第１のカレントミラー回路１０を備える第１の差動増幅回路１２と、第１のカレントミラー回路１０に流れる電流Ｉ１に比例する充電電流Ｉ２を生成する第５のトランジスタ１３と、ゲートが第１の差動増幅回路１２の出力ノード１６に接続され、ソースとドレインがそれぞれ第５のトランジスタ１３のドレインとキャパシタ１７に接続される第６のトランジスタ１４と、充電電流Ｉ２を充電するキャパシタ１７を備え、出力電圧ＶＯＵＴが入力信号ＶＩＮのピーク値に近づくに従って充電電流Ｉ２を減少させることで、ピークホールド回路の過剰の行き過ぎを抑制し、検出精度を高めた。 （もっと読む）

【課題】高速量子化器および最適化された時間遅延を提供する。
【解決手段】高速量子化器コンパレータの装置と方法は、３部を含む：プリアンプ部、再生ラッチ部、およびデータラッチ部。時間遅延は、再生ラッチ出力の最初の電圧を変えることによって減少される。電流源はコンパレータの底部に提供され、時間遅延最適化を可能にする。ＰＭＯＳ同等化スイッチが停止されたとき、クロック信号をフィードスルーにし、出力に電荷の注入を提供する。これらの電荷によって、コンパレータの時間遅延が可変となる。リセット時間が比較時間より長いために、非常に低い電流が出力電圧を決定する。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドスイッチの過電流の検出精度を高めることが可能なハイサイドスイッチ回路、および、そのハイサイドスイッチ回路を含む装置を提供する。
【解決手段】ハイサイドスイッチ回路１０は、入力端子１１と出力端子１２との間に電気的に接続されるスイッチ（ＭＯＳトランジスタ１５）と、ゲート制御部１６と、過電流検出部２０とを備える。過電流検出部２０は、抵抗素子２１と、比較器２２とを含む。比較器２２は、抵抗素子２１の電圧Ｖ１がしきい電圧を超える場合に、過電流を検出する。比較器２２は、過電流時の検出電圧Ｖ１がしきい電圧を上回るように、予め調整される。抵抗素子２１の抵抗値の精度が高くない場合にも、比較器２２の調整によって、過電流の検出精度が高められる。 （もっと読む）

【課題】動作速度の速いルックアップテーブル回路およびフィールドプログラマブルゲートアレイを提供する。
【解決手段】ルックアップテーブル回路１は、入力信号に基づいて複数の抵抗変化型素子の中から一つの抵抗変化型素子を選択する抵抗変化回路２と、抵抗変化回路２の最大抵抗値と最小抵抗値との間の抵抗値を有する参照回路４と、抵抗変化回路２の他端にソースが接続された第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６と、参照回路の他端にソースが接続された第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８と、第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６のドレインを通して抵抗変化回路２に電流を供給する第１の電流供給回路１０と、第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のドレインを通して参照回路４に電流を供給する第２の電流供給回路１２と、第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６のドレイン電位と第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のドレイン電位を比較する比較器１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ヒステリシスコンパレータの閾値の設定範囲を広げる。
【解決手段】一つの実施形態のヒステリシスコンパレータには、電流源２乃至４、比較増幅部１０、基準電圧発生部２１、カレントミラー回路２３、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ３、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ４、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ６、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ８、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ９、端子Ｐｖｄ、端子Ｐｖ１、端子Ｐｉｎ、端子Ｐｖｓ、及び端子Ｐｏｕｔが設けられる。 （もっと読む）

【課題】コンパレータの遅延時間分散を低減する。
【解決手段】コンパレータ１００は、入力電圧Ｖ_ＩＮと基準電圧Ｖ_ＲＥＦを比較する。入力段１０は、差動増幅器を含む。遅延回路２０は、入力段１０の出力信号Ｓ１を調節可能に遅延させる。遅延補償回路３０は、入力段１０におけるオーバードライブ電圧Ｖ_ＯＤに応じて、遅延回路２０の遅延量を制御する。遅延補償回路３０は、差動増幅器の出力電圧をオーバードライブ電圧Ｖ_ＯＤを示す信号として利用し、遅延回路２０の遅延量τを制御する。 （もっと読む）