【課題】充電対象素子へ充電電流を効率的に供給することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】充電対象素子Ｃに充電電流を供給する半導体装置１は、第１導電型の半導体層１と、充電対象素子Ｃの第１電極に結合される第１ノードＮ１を有し、半導体層１の主表面上に形成される第２導電型の第１の半導体領域２と、電源電圧が供給される電源電位ノードＮＬ１に結合される第２ノードＮ３および第３ノードＮ４を有し、第１の半導体領域２の表面において半導体層１と間隔をあけて形成される第１導電型の第２の半導体領域３と、第２ノードＮ３および第３ノードＮ４から半導体層１への電荷キャリアの移動を制限する電荷キャリア移動制限部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ドレイン電流が温度依存性、プロセスばらつき依存性がないようにＭＯＳＦＥＴの基板電圧を制御可能な半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に複数のＮ型ＭＯＳＦＥＴを備えた集積回路本体１６Ｂと、複数のＮ型ＭＯＳＦＥＴの一つのドレイン電流をモニタするモニタ部１５Ｂと、ドレイン電流が一定になるよう半導体基板の基板電圧を制御する基板電圧調整部１４Ｂとを備える。モニタ部は、電流源１２Ｂ及びモニタ用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１Ｂを有する。基板電圧調整部は、モニタ用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレイン電位と基準電位を比較し、その結果に基づく出力電圧をモニタ用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴの基板電圧にフィードバックする。モニタ部は、リーク電流キャンセル用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴを有し、そのゲートとソースが略同電位である際のソース−ドレイン間の電流をモニタ用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレインに加算する。 （もっと読む）

【課題】コンデンサに充電された電荷の放電タイミングを最適にし、高速信号に対応できるようにした波形改善回路を提供する。
【解決手段】信号線４に伝送されるデジタルの信号Ｓtの波形を改善する波形改善回路１は、信号Ｓtのレベルが所定値を超えたことをレベル検出回路１１Ａが検出すると、その出力電圧Ｖｄに基づいてスイッチ回路１２Ａが導通状態になり、電源電圧Ｖ_Ｂを充電回路１３Ａのコンデンサ１３１に印加してコンデンサ１３１を充電する。信号Ｓtの電圧レベルが、コンデンサ１３１の充電電圧Ｖｃよりも低くなったタイミングでコンデンサ１３１から信号線４へ、放電回路１４Ａのダイオード１４１を介して放電が行われ、アンダーシュートが改善される。 （もっと読む）

【課題】製品の歩留まりを向上させることのできる過電圧制御リミッター及びそれを有するＲＦＩＤタグを開示する。
【解決手段】リミッターは、第１リミッター部１３１及び第１リミッター部１３１と直列に接続された第２リミッター部１３４を備える。第２リミッター部１３４は第１リミッター部１３１に備えられた素子よりしきい電圧が低いリミットダイオードを備える。従って、リミッターは過電圧が印加されると、入力電圧を最大に降下させることができるので、漏れ電流を最大に増加させることができる。これによりＲＦＩＤタグはＲＦＩＤリーダー器から過電圧が印加されＲＦＩＤ駆動部が破損されることを防止することができ、ＲＦＩＤリーダー器から受信される駆動電力の大きさに関係なく正常に動作できるので、製品の歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 小さな回路面積で３逓倍波を生成する周波数逓倍器を提供する。
【解決手段】 周波数逓倍器１０は、方形波状の信号を出力する方形波出力回路１２と、ポリフェーズフィルタ１４を備えており、方形波出力回路１２から出力された信号がポリフェーズフィルタ１４に入力される。ポリフェーズフィルタ１４の周波数領域の極は、方形波状の信号に含まれる第１次成分に対応するように設定される。これにより、ポリフェーズフィルタ１４から、方形波状の信号の３倍の周波数を持つ正弦波を取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】新規なコンパレータ回路アッセンブリ、特に、新規なコンパレータ／レシーバ回路アッセンブリ、および、このような回路アッセンブリを有する半導体コンポーネントを提供する。
【解決手段】制御入力部が相互に接続されている第１および第２のトランジスタ（８，９）と、上記第１トランジスタ（８）に接続されており、制御入力部に入力信号（ＶＩＮ）が印加される第３トランジスタ（１０）と、第２トランジスタ（９）に接続されており、制御入力部に基準信号（ＶＲＥＦｍｏｄ）が印加される第４トランジスタ（１１）とを備え、第３トランジスタ（１０）の制御入力部が、結合デバイス（２２）を介して、第１および第２のトランジスタ（８，９）に接続されている新規なコンパレータ/レシーバ回路アッセンブリ及びこのような回路アッセンブリを有する半導体コンポーネント。 （もっと読む）