【課題】充電対象素子へ充電電流を効率的に供給することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】充電対象素子Ｃに充電電流を供給する半導体装置１は、第１導電型の半導体層１と、充電対象素子Ｃの第１電極に結合される第１ノードＮ１を有し、半導体層１の主表面上に形成される第２導電型の第１の半導体領域２と、電源電圧が供給される電源電位ノードＮＬ１に結合される第２ノードＮ３および第３ノードＮ４を有し、第１の半導体領域２の表面において半導体層１と間隔をあけて形成される第１導電型の第２の半導体領域３と、第２ノードＮ３および第３ノードＮ４から半導体層１への電荷キャリアの移動を制限する電荷キャリア移動制限部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 複数のツェナーダイオードを用いることによって、簡易な構成で、所望の波形に変換できる波形整形回路を提供する。
【解決手段】 オルタネータＧからの出力信号に基づいて、矩形状に信号変換された矩形波信号を制御手段２へ出力する波形整形回路において、アノード側に接続されたオルタネータＧからの前記出力信号が所定レベル以上の電圧である場合に、カソード側からの電源出力によってハイレベルに設定し、前記矩形波信号として制御手段２が検出可能に接続される第１のツェナーダイオード３と、アノード側に接続されたオルタネータＧからの前記出力信号が所定レベルよりも低い電圧である場合に、アノード側の電源出力を、カソード側の接地によってローレベルに設定し、前記矩形波信号として制御手段２が検出可能に接続される第２のツェナーダイオード４と、を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】応答性を損なうことなく能動クランプ素子の損失電力を低減できる能動クランプ回路を用いたゲート駆動回路及び半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチ素子Ｔｒ７のゲートを駆動するゲート駆動回路であって、制御信号に基づいてスイッチ素子Ｔｒ７を駆動する駆動部（トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ４，Ｔｒ５）と、スイッチ素子Ｔｒ７の第１主端子（ドレイン）と第２主端子（ソース）との間に印加される電圧が所定電圧以上の場合に、駆動部によるスイッチ素子Ｔｒ７に対する駆動動作を強制的に遮断して、スイッチ素子Ｔｒ７の第１主端子と第２主端子との間の電圧がクランプされるようにスイッチ素子Ｔｒ７を駆動するアクティブクランプ回路（ダイオードＤ１、ツェナーダイオードＺＤ１、抵抗Ｒ１、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】電圧クランプ回路構成を用いてスイッチ両端の電圧を制限するためのシステム、方法、および装置を提供する。
【解決手段】電圧クランプ回路構成１２５は、入力２２７および出力２２９を備えた整流器回路２２５であって、入力２２７は動作回路構成に渡って並列に連絡する整流器回路２２５と、整流器回路２２５の出力２２９と並列に連絡する電子能動スイッチング素子２０５と、電子能動スイッチング素子２０５と並列に連絡する少なくとも１つのツェナー・ダイオード２１０と、を備えていても良い。電子能動スイッチング素子２０５およびツェナー・ダイオード２１０に渡る電圧が所定の値を満たすかまたは超えた場合には、電流が電子能動スイッチング素子２０５を通って流れて、動作回路構成に渡る電圧を電圧クランプ回路構成１２５の電圧制限内に制限する。 （もっと読む）

【課題】差動増幅回路において参照電圧と外部入力信号とを比較する方式を採用した場合においても、出力信号の立ち上がりと立ち下がりとの対称性を維持する。
【解決手段】定電流源回路は、一端が第３及び第４トランジスタのソースである第２ノードに接続され、他端が前記第１電圧とは異なる第２電圧を供給する第２電源ノードに接続される。クランプ回路は、第２ノードと第２電源ノードとの間に電流経路を形成し、第１の外部入力信号が第１の状態から第２の状態に切り替わる場合において、第２ノードを所定の電位に調整する。 （もっと読む）

【課題】消費電流および回路規模をほとんど増大させることなく、容易に容量の充電時間を短くすることの出来る比較回路を提供する。
【解決手段】差動増幅回路１０の出力が入力される単相増幅回路２０の出力をＮチャネルＭＯＳトランジスタＭＮ５からなるソースフォロワによるクランプ回路４１に入力し、当該クランプ回路４１により単相増幅回路２０の入力を制限することにより、新たに定電圧源を設けることなく必要な充電電圧幅を狭めて容量Ｃｐの充電時間を短くすることができる。また、単相増幅回路１０の出力に応じて単相増幅回路１０の入力を制限するので、単相増幅回路１０の閾値電圧のばらつきや電源電圧の影響が問題にならない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レベルシフタ誤動作防止回路に係り、レベルシフタの誤動作を、信号伝達の過大な遅延と消費電流の増大とを招くことなく防止することにある。
【解決手段】伝達すべき信号に応じて駆動されるＮ型トランジスタ３０と、Ｎ型トランジスタ３０の出力に応じて駆動されるＰ型トランジスタ３２と、Ｐ型トランジスタ３２を駆動するために設けられるプルアップ抵抗３４と、を有する、基準電圧が互いに異なる２つの回路系の間で信号伝達を行うレベルシフタ１６の誤動作を防止する回路において、２つの回路系の基準電圧が相対変位した際、Ｎ型トランジスタ３０に存在する寄生容量３６へプルアップ抵抗３４を介して充電電流が供給される前に、その寄生容量３６へ充電電流を供給する急速充電手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】低電圧の制御信号を高電圧の制御信号に変換して出力する高圧用のドライブ回路において、待機時の消費電力を削減することができるようにする。
【解決手段】低圧部１からの制御信号ａ１〜ｄ１及びａ２〜ｄ２により高圧部２のトランジスタＭＮ１〜ＭＮ８を駆動し、操作対象３に駆動信号を出力する。その際、低圧部１からの制御信号ａ１〜ｄ１をそれぞれ論理積ゲートＱ１〜Ｑ４の一方の入力端子を介して高圧部２のトランジスタＭＮ１，ＭＮ３，ＭＮ５，ＭＮ７のゲートに入力し、論理積ゲートＱ１〜Ｑ４の他方の入力端子には高圧部２のオン／オフ信号を入力する。 （もっと読む）

本発明は、電子スイッチに電気的に接続される制御回路に基づいて、様々なタイプの負荷を駆動することができ、広く使用される電子スイッチに関する。制御回路は、本スイッチの少なくとも導通の時点で、制御回路に電力を供給するように設計された電圧レギュレータブロックに接続される。従って、少なくとも一つの交流電圧源（４）と、少なくとも一つの電子スイッチ（１）と、少なくとも一つの負荷（５）と、少なくとも一つの制御回路（３）とを備え、交流電圧源（４）は、第１の電力端子（２０）を介して電子スイッチ（１）の第１の導通端子（２５）と電気的に接続され、電子スイッチ（１）の第２の導通端子（３５）は、第１の負荷端子（４０）を介して負荷（５）と接続され、負荷（５）は、第２の負荷端子（８０）を介して第２の電力端子（３０）と接続され、制御回路（３）は、第１の電位端子（１０１）、第２の電位端子（１０２）及び第３の電位端子（１０３）を備え、制御回路（３）は、トリガー端子（１００）を介して電子スイッチ（１）に命令を出すように配置され、制御回路（３）は、電圧レギュレータブロック（２００）と電気的に接続され、電圧レギュレータブロック（２００）は、第１の電気接続端子（１０４）及び第３の電気接続端子（１０６）と、第１の導通端子（２５）及び第２の導通端子（３５）とをそれぞれ介して電子スイッチ（１）と電気的に接続され、電圧レギュレータブロック（２００）は、電子スイッチ（１）の少なくとも導通の時点で制御回路（３）を稼動するように、最小電圧（V_min）を供給するように配置される、電子スイッチ制御システム（１０）が記載される。 （もっと読む）

【課題】外的要因による誤動作を防止して確実な信号伝達を行うレベルシフト回路。
【解決手段】第１電圧レベルを第１電圧レベルとは異なる第２電圧レベルに変換するレベルシフト回路であって、第２電圧レベルの論理電圧状態をセットするセット信号を送信するセットレベル回路21と、第２電圧レベルの論理電圧状態をリセットするリセット信号を送信するリセットレベル回路22と、第２電圧レベルでセット信号及びリセット信号を検出するための基準値を設定する基準レベル回路C3とを有し、セットレベル回路とリセットレベル回路と基準レベル回路との各々は、それぞれコンデンサC1〜C3を介して第１電圧レベルから第２電圧レベルに信号を伝達する。 （もっと読む）

【課題】入力電圧を昇圧して出力する半導体集積回路における、トランジスタの耐圧が、入力電圧以下に抑えられる昇圧回路を提供する。
【解決手段】コンデンサＣｐは、一方の端子がクロック信号を出力するクロック端子に接続され、他方の端子が整流回路４に接続されている。コンデンサＣｐの他方の端子の最低電圧を第１の電圧にクランプするクランプ回路３を備えている。このクランプ回路３は、第１のＮ型トランジスタＮ１、および第２のＮ型トランジスタＮ２を有している。この第１のＮ型トランジスタＮ１は、ドレインをコンデンサの他方の端子に接続し、ソースを前記第２のＮ型トランジスタＮ２のドレインに接続し、さらに、ゲートを第１の電圧よりも高い第２の電圧Ｖａに接続している。また、第２のＮ型トランジスタＮ２は、ソースを第１の電圧Ｖｐに接続し、ゲートを前記クロック信号の反転信号を出力する反転信号端子に接続している。 （もっと読む）

【課題】追加的な製造プロセスを不要としながら一定且つ任意のクランプ電圧を設定できる。
【解決手段】信号入力線６の電圧が参照電圧ＶＨよりも低い場合、信号ＳｃがＬレベル、スイッチ回路１６がオフ、スイッチ回路１７がオンとなり、ＦＥＴ１４、１５がオフする。信号入力線６の電圧が参照電圧ＶＨ以上になると、信号ＳｃがＨレベル、スイッチ回路１６がオン、スイッチ回路１７がオフとなり、クランプ回路４が動作可能となる。入力電圧がさらに上昇してクランプ電圧ＶCL以上になると、ＦＥＴ１３がオンとなり、抵抗１１、端子１ａ、抵抗１２を介してＦＥＴ１３、１４に電流が流れ、それに応じてＦＥＴ１５に電流が流れてクランプ動作する。 （もっと読む）

【課題】ＲＳＳＩを使用したＡＳＫ信号の復調時においても、２値化の閾値と比較される入力信号の振幅を一定に保つ。
【解決手段】ＲＳＳＩ検波器１７にて復調されたＡＳＫ信号はピークホールド回路２３に入力され、ピークホールド回路２３は、充放電部２４に入力される入力信号のピーク値を検出し、クリップ回路２２は、充放電部２４に入力される入力信号のピーク値から一定値以下のレベルをクリップし、充放電部２４は、クリップ回路２２にてクリップされた信号を用いてコンデンサＣ２を急速充放電することで、コンパレータ２７の閾値として用いられる基準電圧Ｖｒｅｆを発生させる。 （もっと読む）

【課題】差動出力信号間のオフセット電圧を充分に抑圧し、出力信号のデューティ比の悪化を防ぐこと。
【解決手段】差動振幅制限増幅器３０と、該差動振幅制限増幅器の出力差動信号をオフセット電圧抑制のために前記差動振幅制限幅器の入力側にフィードバックする差動アクティブ・ローパスフィルタ回路４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】電子回路の出力電圧をクランプするクランプ回路において、クランプ回路の出力電圧が電子回路の負荷電流に応じて変化するのを抑制する。
【解決手段】電子回路の出力電圧をクランプするクランプ回路であって、前記出力電圧がベースに入力される第１のトランジスタと、前記出力電圧がベース及びコレクタに入力され、前記第１のトランジスタの出力電圧を制御する第２のトランジスタと、前記第１のトランジスタの出力電流を制御する第１のカレントミラー回路と、前記第１のカレントミラー回路と共に前記第１のトランジスタの出力電流を制御する第２のカレントミラー回路と、前記第２のトランジスタと共に前記第１のトランジスタの出力電圧を制御する第３のカレントミラー回路とを備えることを特徴とするクランプ回路。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が低下した場合でも、制御対象とする半導体素子を適切に制御することができる半導体素子制御装置を提供する。
【解決手段】電圧付与回路１８は、電源電圧Ｖccを所定の閾値電圧Ｖthと比較して、Ｖcc≦Ｖthであれば、プリドライブ回路２のグランド側端子にグランドレベル近傍の電圧である仮想グランド電圧Ｖcpを付与し、Ｖcc＞Ｖthであれば、前記グランド側端子に電源電圧Ｖccとクランプ制御用電圧Ｖgsとの差電圧を付与する。 （もっと読む）

【課題】出力信号の信号レベルを、設定されるクランプ電圧に応じて精度よく制御するバッファ回路を実現する。
【解決手段】入力信号に応じた信号を出力するバッファ回路であって、入力信号をベース端子に受け取る第１受信トランジスタと、エミッタ端子およびコレクタ端子が第１受信トランジスタの対応する端子に接続され、バッファ回路が出力する信号レベルを制限する第１クランプ電圧をベース端子に受け取る、第１受信トランジスタと同一極性の第１クランプトランジスタと、第１受信トランジスタおよび第１クランプトランジスタに対して共通に設けられ、第１受信トランジスタおよび第１クランプトランジスタに流れるエミッタ電流の総量を規定する第１電流規定部とを備え、第１受信トランジスタのエミッタ電圧に応じた出力信号を出力するバッファ回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】応答速度が速い電圧クランプ回路を提供する。
【解決手段】この電圧クランプ回路１は、負のしきい値電圧（−２Ｖ）を有するノーマリーオン型の電界効果トランジスタ８のドレインを入力ノードＮ８に接続し、そのソースを出力ノードＮ９に接続するとともに抵抗素子９を介して接地し、そのゲートに可変直流電源１０の出力電圧（２Ｖ）を与えたものである。抵抗素子９の電圧降下によって出力ノードＮ９の電圧Ｖｏｕｔがクランプ電圧Ｖｃ（＝４Ｖ）よりも高くなると電界効果トランジスタ８がオフするので、出力電圧ＶｏｕｔはＶｃ以下に制限される。したがって、ダイオードなどを用いていた従来の電圧クランプ回路よりも応答速度が速くなる。 （もっと読む）

ある電子機器が説明される。その電子機器は、第１の集積回路（ＩＣ）と第２の集積回路（ＩＣ）とを含む。また、その電子機器は、パラレルデータ信号をシリアルデータ信号に多重化するように構成されたマルチプレクサと、該シリアルデータ信号を該第１のＩＣから該第２のＩＣへ送信するように構成された送信機とを含む。さらに、その電子機器は、該シリアルデータ信号を受信するように構成された受信機を含む。該受信機は、アナログノードの電圧振幅を決められた範囲内にクランプするように構成されたクランプ回路を含む。該クランプはまた、該受信機のバンド幅を拡張するのに役立つ。
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標準的な絶縁セルが、電源アイランド境界において、過渡電圧をクランプする保護装置をも備える集積回路を提供する。
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