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Fターム[5J042AA08]の内容

論理回路 (4,317) | 論理回路の構成 (51) | ジョセフソン素子を用いるもの (43) | マトリックス状に配置されたもの (1)

Fターム[5J042AA08]に分類される特許

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【課題】 超電導単一磁束量子集積回路装置に関し、バイアス電流の戻り電流及びバイアス電流自身がチップ内のSFQ論理回路に与える影響をなくす。
【解決手段】 超電導単一磁束集積回路チップのメインの超電導グランド面と、前記メインの超電導グランド面から分離したローカルな超電導グランド面と、前記ローカルなグランド面上に形成された超電導単一磁束集積回路と、前記メインの超電導グランド面と前記ローカルな超電導グランド面との間に接続されたトータルの抵抗値が1μΩ乃至0.1Ωの薄膜抵抗体と、前記超電導単一磁束集積回路に直流バイアスを供給するバイアス電源線とを設ける。 (もっと読む)


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