【課題】操作部の動きを検出できるだけでなく、操作部を強制的に動かすことができる、操作検出回路を提供すること。
【解決手段】操作部の動きに応じてインダクタンスが変化するインダクタＬ１に接続される操作検出回路であって、第１の電圧部９１とインダクタＬ１の一方の端部である第１の端部ａとの間に配置されたトランジスタＱ１と、第２の電圧部９２とインダクタＬ１のもう一方の端部である第２の端部ｂとの間に配置された抵抗Ｒ１と、抵抗Ｒ１に並列に接続されたトランジスタＱ２とを備え、トランジスタＱ１がオン且つトランジスタＱ２がオフのとき、インダクタＬ１と抵抗Ｒ１に検出電流ｉ１を流すことによって、操作部の動きに応じた検出信号を端部ｂから出力し、トランジスタＱ１がオン且つトランジスタＱ２がオンのとき、操作部を可動させる駆動電流ｉ２をインダクタＬ１に流す、ことを特徴とする、操作検出回路。 （もっと読む）

【課題】半導体リレーにおいて、ＬＥＤの駆動電力の低減を図る。
【解決手段】半導体リレー１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

デマルチプレクサ回路用のスイッチングセルは超伝導入力信号経路、少なくとも２個の超伝導出力信号経路、および交差ノードと出力信号経路との各端部の間に配置されたトランスを含む。トランスを介して印加された磁束は信号が伝播する方向に影響を及ぼすことができる。スイッチングセルはまた、電源入力ノードを含んでいてもよい。スイッチングセルは、各種の構成、例えば２分木またはＨ木に配置されてもよい。超伝導インダクタラダー回路はデジタル／アナログ変換を実行することができる。個別スイッチングセルと共に磁束記憶構造を用いてもよい。ラッチング量子ビットを用いてもよい。カスケードエラーを減少または除去すべくスイッチングセルのバッファ段を用いてもよい。
（もっと読む）

【課題】 ＰＩＮダイオードをスイッチ素子として用いた従来のスイッチ回路においては、バイアス供給回路とのアイソレーションが不充分であった。
【解決手段】 スイッチ回路１は、電力増幅回路７０の負荷整合回路８０を切り換えるスイッチ回路である。このスイッチ回路１は、負荷整合回路８０に一端が接続された容量素子１２と、一端が容量素子１２の他端に接続されるとともに、他端が接地されたＰＩＮダイオード１４と、容量素子１２とＰＩＮダイオード１４との間の経路に一端が接続された抵抗素子１６と、抵抗素子１６の他端に接続されるとともに、他端が接地された容量素子１８と、抵抗素子１６と容量素子１８との間の経路に一端が接続された抵抗素子２２と、抵抗素子２２と並列に接続されたＦＥＴ２４と、出力端が抵抗素子２２の他端に接続され、バイアス供給回路を構成するインバータ２６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 小さな電流能力しか持たない信号源によるスイッチ制御と保護機能を備えたパワーＭＯＳＦＥＴを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 第１端子にドレインを接続し、第２端子に上記パワーＭＯＳＦＥＴのソースを接続し、上記第３端子と上記パワーＭＯＳＦＥＴのゲートの間に高抵抗手段を接続する。上記パワーＭＯＳＦＥＴに流れる電流を検出する電流検出手段の出力信号を受けて上記パワーＭＯＳＦＥＴに流れる電流を制限する電流制限回路を上記パワーＭＯＳＦＥＴのゲートと上記第２端子との間に設ける。 （もっと読む）