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Fターム[5J050EE21]の内容

電子的スイッチ (6,662) | 回路形式 (1,805) | 主スイッチング素子の駆動回路 (235)

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【課題】簡単な回路構成によってPINダイオードの電荷を急速に除去することにより、高周波信号の伝送系統を高速で切り替えることができる高周波切替回路を提供する。
【解決手段】第1のマイナス電源(マイナス電源)4はNPN型のトランジスタ(第1の半導体スイッチ)2を介してPINダイオード(ダイオード)6に逆バイアス電圧を印加し、第1のプラス電源(プラス電源)5はPNP型のトランジスタ(第2の半導体スイッチ)3を介してPINダイオード6に順方向電流を供給する。第2のマイナス電源(マイナス電源)13はNPN型のトランジスタ(第1の半導体スイッチ)11を介してPINダイオード(ダイオード)15に逆バイアス電圧を印加し、第2のプラス電源(プラス電源)14はPNP型のトランジスタ(第2の半導体スイッチ)12を介してPINダイオード15に順方向電流を供給する。これにより、高周波信号の系統を高速切替できる。 (もっと読む)


【課題】高周波特性を向上させるとともに、発光素子と制御素子を封止する透光性樹脂の形状を所望の形状に保持しやすい半導体リレーモジュールを提供する。
【解決手段】半導体リレーモジュールAは、ソース電極同士が接続されたMOSFET11,12からなり、高周波信号用の信号伝送線路110の途中に設けられた半導体スイッチ1と、入力信号に応じて光信号を発光する発光ダイオード31と、発光ダイオード31からの光信号を受光する受光素子を有し当該受光素子の出力に応じてMOSFET11,12のオン/オフを制御する制御IC32と、制御IC32が備える受光素子および発光ダイオード31を光学的に結合させた状態で樹脂封止する透光性樹脂8を備える。制御IC32は、信号伝送線路110を構成する導体パターン113から分岐させたランド132上に配置され、導体パターン113とランド132との間にはLPF4が挿入される。 (もっと読む)


【課題】
1チップ内に構成されている素子を変更することなく、多品種に適用可能な光半導体リレーを提供することを目的とする。
【解決手段】
電気信号を光信号に変換する発光ダイオード15と、発光ダイオード15の光信号を受光して電気信号に変換する複数のフォトダイオードを直列に接続して形成された第1のフォトダイオードアレイ18a並びに第1のフォトダイオードアレイ18aに隣接した位置に形成された第2のフォトダイオードアレイ18bと、前記第1及び第2のフォトダイオードアレイに接続された制御回路と、前記第1のフォトダイオードアレイと前記第2のフォトダイオードアレイの接続を切り替え可能に行う切り替え配線19、20とから構成される光半導体リレー。 (もっと読む)


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