【課題】半導体リレー装置において、特殊なプロセスを用いることなく、充放電回路全体の耐圧を向上させることを可能にして、低コストで出力用ＭＯＳＦＥＴの低オン抵抗化を図る。
【解決手段】出力用ＭＯＳＦＥＴ５のゲート・ソース間に配された複数の充放電回路７ａ、７ｂを直列に接続し、これらの充放電回路７ａ、７ｂの各々に、２つのフォトダイオードアレイ３ａ、３ｂの各々を並列に接続した。この構成においては、各フォトダイオードアレイ３ａ、３ｂの光起電力に相当する電圧が、そのフォトダイオードアレイに並列に接続された充放電回路（７ａ又は７ｂ）内のＭＯＳＦＥＴ（８ａ又は８ｂ）のみにかかり、それ以外の充放電回路内のＭＯＳＦＥＴにはかからない。従って、２つの充放電回路７ａ、７ｂの全体の耐圧を、これらの充放電回路７ａ、７ｂに含まれる、複数のＭＯＳＦＥＴ８ａ、８ｂの耐圧の合計にすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチにおいて、エネルギー効率を高くする。
【解決手段】半導体スイッチ１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

【課題】半導体リレーにおいて、ＬＥＤの駆動電力の低減を図る。
【解決手段】半導体リレー１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

【課題】半導体リレー装置において、リレーとしてのオン／オフ動作の時間を安定させ、しかも、このオン／オフ動作の速度を、従来よりも速くする。
【解決手段】出力用ＭＯＳＦＥＴ５、６のソースと誘電体分離チップの１０の支持基板１４とを電気的に接続したことにより、誘電体分離チップ１０の支持基板１４の電位を、出力用ＭＯＳＦＥＴ５、６のソースの電位に固定することができる。これにより、活性領域・支持基板間容量Ｃ_ＰＣに貯めることが可能な電荷の量の安定化を図れ、しかも、この容量Ｃ_ＰＣの電気的な接続先が固定される。従って、リレーとしてのオン／オフ動作の時間を安定させることができる。また、従来と異なり、上記容量Ｃ_ＰＣの全てが、出力用ＭＯＳＦＥＴ５、６のゲート・ソース間に並列に配置されて寄生容量として働くことがなくなるので、リレーとしてのオン／オフ動作の時間を、従来よりも速くすることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体リレー装置において、装置全体のチップサイズを小さくして、チップコストの低減と実装面積の縮小化を図る。
【解決手段】従来はｐ型単結晶シリコン島２１３に形成していた（充放電回路における）ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴ２０８（図（ａ）参照）を、ｎ型単結晶シリコン島１３に形成したｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ８（図（ｂ）参照）に変更した。これにより、ｎ型単結晶シリコン島１３のキャリアの通路の断面積を、ｐ型単結晶シリコン島２１３のキャリアの通路の断面積の２分の１以下にしても、これらのキャリアの通路における抵抗値を同じにすることができる。従って、ＭＯＳＦＥＴ８をｎ型単結晶シリコン島１３にｎチャネル型で形成することにより、オン抵抗を従来のＭＯＳＦＥＴ２０８に比べて大きくすることなく、ＭＯＳＦＥＴ８のゲート幅Ｗ３を従来のＭＯＳＦＥＴ２０８のゲート幅Ｗ１より小さくできる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及び半導体リレー装置において、製造コストを抑えつつ、ＣＲ積の値を小さくする。
【解決手段】双方向スイッチ１を構成する２つのＭＯＳＦＥＴのうち、一方のＭＯＳＦＥＴ２に、化合物半導体で構成されたユニポーラ型化合物半導体装置を用い、他方のＭＯＳＦＥＴ３に、シリコンで構成されたＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを用いる。ここで、ユニポーラ型化合物半導体装置の中には、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴよりもＣＲ積の値が小さいものが多く存在する。従って、一方のＭＯＳＦＥＴ２にユニポーラ型化合物半導体装置を用いたことにより、両方のＭＯＳＦＥＴ２、３にＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを用いた場合に比べて、装置全体のＣＲ積の値を小さくできる蓋然性が高まる。また、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴよりも製造コストの高いユニポーラ型化合物半導体装置を２つ用いた場合に比べて、製造コストを抑えられる。 （もっと読む）

【課題】センシング装置及びセンシング方法における検出精度を改善する。
【解決手段】センシングセルは、ディスプレイパネルの内側に設けられ、第1タイプのセンシングデバイス及び第2タイプのセンシングデバイスを含む。第1タイプのセンシングデバイスは、センシングセルが入力イベントを検出した場合に第1タイプのセンシング信号を生成する。第2タイプのセンシングデバイスは、前記第1タイプのセンシングデバイスに隣接し、センシングセルが入力イベントを検出した場合に第2タイプのセンシング信号を生成し、入力イベントを検出する第1タイプのセンシングデバイスの検出能力は、入力イベントを検出する第2タイプのセンシングデバイスの検出能力と異なっている。処理回路は第1タイプのセンシング信号及び第2タイプのセンシング信号間の差分に従ってセンシングセルに対応するセンシング出力信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】 既存のハードウェア構成を極力変更せず、ＯＮ抵抗の切替後の変動を迅速に収束させることが可能な信号処理回路を提供する。
【解決手段】 本発明の代表的な構成は、波形発生器または波形測定器に適用される信号処理回路１００であって、信号経路の切替を行う半導体リレー１２０ａ〜１２０ｌと、信号経路上の半導体リレー１２０ａ〜１２０ｌに、波形発生時または波形測定時に流れる電流よりも大きな電流をその直前に一時的に流す制御部１４２と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 安定した基準電位を供給し得る基準電位生成装置を提案する。
【解決手段】 基準電位生成装置１は、基準とすべき位置の周りに回転対称に配されるｍ個（ｍは４以上の偶数）の電極２１Ａ〜２１Ｄと、基準とすべき位置を含む近傍範囲での強度が所定値未満となる電荷を、ｍ個の電極２１Ａ〜２１Ｄに印加する印加手段と、当該範囲に配される複数の導体３１Ａ、３１Ｂと、複数の導体３１Ａ、３１Ｂから得られる信号の差分を増幅する増幅手段３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】専有面積が小さくかつ多数の半導体リレーを搭載可能な半導体リレーを提供する。
【解決手段】半導体リレー１の発振回路１０と、昇圧回路２０と、充放電回路３０とが１チップで構成されている。この半導体リレー１は、第１及び第２の入力端子Ｔ_ｉ１、Ｔ_ｉ２に接続され、入力信号に応答して発振し、信号を生成する発振回路１０と、この発振回路１０の信号を受信して電圧を発生する昇圧回路２０と、この昇圧回路２０によって発生した電圧を充放電する充放電回路３０と、充放電回路３０にゲート及びソースが接続された出力用ＭＯＳＦＥＴ４１ａ、４１ｂからなる出力部４０とを具備している。そして、この出力用ＭＯＳＦＥＴ４１ａ、４１ｂのドレイン端子を第１及び第２の出力端子Ｔ_ｏ１、Ｔ_ｏ２とする構成である。 （もっと読む）

【課題】低電流下で使用可能であり、高温側での使用が可能で安全でかつ駆動電力効率の高い半導体リレーを提供する。
【解決手段】半導体リレー１は、第１及び第２の入力端子Ｔ_ｉ１、Ｔ_ｉ２に接続され、入力信号に応答して発振し、信号を生成する発振回路１０と、この発振回路１０の信号を受信して電圧を発生する昇圧回路２０と、この昇圧回路２０によって発生した電圧を充放電する充放電回路３０と、充放電回路３０にゲート及びソースが接続された出力用ＭＯＳＦＥＴ４１ａ、４１ｂからなる出力部４０とを具備している。そして、この出力用ＭＯＳＦＥＴ４１ａ、４１ｂのドレイン端子を第１及び第２の出力端子Ｔ_ｏ１、Ｔ_ｏ２とする構成である。 （もっと読む）

【課題】自動車における発光ダイオードの汎用動作を可能にし、製造が安価である回路装置を提供する。
【解決手段】自動車用の少なくとも１つの発光ダイオードＬＥＤ１又はＬＥＤ２を動作させる回路装置１０であって、データバスと接続可能でデータバスからの制御信号を少なくとも受信する通信装置と、通信装置と接続された制御装置と、発光ダイオードＬＥＤ１又はＬＥＤ２を動作させるための動作電流を供給するスイッチングレギュレータのクロック制御のために制御装置に接続された制御回路と、を備え、制御装置は通信装置によって受信された制御信号に基づいて制御回路を制御する。 （もっと読む）

【課題】容易にスイッチング特性を制御可能な半導体リレーを提供する。
【解決手段】入力信号によって点灯・消灯する発光素子１００と、発光素子１００と光路を介して光結合せしめられ、起電力を発生する光電変換素子２００からなる受光素子と、この受光素子で生起された電力によってスイッチングするスイッチング用半導体素子からなる出力素子３００とを具備した半導体リレーであって、前記光路の少なくとも一部に蛍光体粒子Ｌｍを含む。 （もっと読む）

【課題】高感度で、低背化および小型化の可能な半導体リレーを提供する。
【解決手段】入力信号によって点灯・消灯する発光素子１００と、発光素子１００と光結合せしめられ、起電力を発生する受光素子としての光電変換素子２００と、受光素子で生起された電力によってスイッチングするスイッチング用半導体素子からなる出力素子３００とを具備した半導体リレーであって、発光素子１００と光電変換素子２００は、集光部を構成する絶縁性部材の対向する面に、配置される。 （もっと読む）

【課題】 集積回路化が容易なタッチセンサを提供する。
【解決手段】タッチセンサ１００Ａは、センサパッド２２が接続されるタッチ線２８と、基準容量２０が接続された基準線２９と、クロック信号に応じてタッチ線２８を充電又は放電するインバータ１３と、クロック信号に応じて、基準線２９を充電及び放電するインバータ１４と、タッチ線２８の電圧と基準線２９の電圧を比較する比較器２３と、基準線２９の充電又は放電の開始から基準線２９の電圧が所定の電圧に到達するまでの期間にラッチパルスＬＰを生成するラッチパルス生成回路と、ラッチパルスＬＰに応じて比較器２３の比較出力をラッチするラッチ回路２４を備える。 （もっと読む）

【課題】少なくとも２５ＧＨｚ帯の高周波帯で高性能な特性が得られる高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】第３整合回路１１２及び第４整合回路１２２は、マイクロストリップライン等の分布定数回路で構成されており、特性インピーダンスがＺ０で線路長が１／４波長となるように形成されている。第３整合回路１１２と第１スイッチ１１３、及び第４整合回路１２２と第２スイッチ１２３をそれぞれ組み合わせることで、送信側高周波スイッチ１１０及び受信側高周波スイッチ１２０を、ショートまたはオープンの状態に切り替えることができる。送信側高周波スイッチ１１０または受信側高周波スイッチ１２０がショート状態になるとそのスイッチが閉となり、オープン状態になると開となる。 （もっと読む）

【課題】使い勝手が良く、低消費電力な光センサを用いた近接センサを提供すること。
【解決手段】第１の光センサを用いて、指が近づくことで光センサに入射される周囲光量が変化したことを検出し、この検出結果をもとに検出信号を出力する構成とした。光センサは、例えば一つ又は並列に接続された複数のＰＮ接合素子で構成されている （もっと読む）

【課題】ＯＦＤＭ方式モデムにおいて、受信信号の最大値以上の電圧を発生する高電圧生成回路を設けることなく受信スイッチの動作の信頼性を確保できるようにする。
【解決手段】制御部２が変調および復調を行い回線接続部４を介して通信の回線１０に接続されるＯＦＤＭ方式モデムにおいて、受信通信路１１に設けられ子機の受信インピーダンスを親機に対して子機を複数台接続したときの通信性能の低下を抑える高インピーダンスとする高インピーダンス受信部２０、および受信通信路の開閉を行うフォトモスリレー２１，２１１，２１２を備え、前記高インピーダンス受信部が前記フォトモスリレーの出力回路のMOS FETにながれる電流を許容電流以下とし、前記制御部が前記フォトモスリレーを開閉制御する。 （もっと読む）

【課題】極めて短いパルス幅のパルス電圧を発生するパルス発生回路を提供する。
【解決手段】パルス発生回路は、誘導エネルギーを蓄積するトランスと、トランスへの直流の供給経路と、供給経路を開閉するスイッチと、トランスの第１端と第２端とを自律的に短絡に近い状態にする補助回路と、トランスからのパルス電圧の出力経路と、直流を供給する直流電源と、直流電源からの直流の供給を安定させるキャパシタと、を備える。補助回路は、トランスに誘導起電力が発生してから短い時間が経過した後に第１端と第２端とを自律的に短絡に近い状態にする。補助回路は、短絡経路を流れる電流を直流電源へ回生する回生回路を備える。 （もっと読む）

【課題】フォトカプラを用いた信号伝播回路において、フォトカプラの発光ダイオードの発光効率が経年劣化により低下して信号伝播ができなくなる。また、フォトカプラの発光ダイオード電流制限用の抵抗器の半田接合部も発熱し、経年劣化により半田クラックが発生し、信号伝播ができなくなる。
【解決手段】フォトカプラ、抵抗器、ＦＥＴ、パルス発生回路、フィルタ回路を備えた信号伝播回路において、パルス発生回路によりＦＥＴをＯＮ、ＯＦＦ動作させて、フォトカプラと抵抗器に流れる電流を低減することにより、フォトカプラの発光ダイオードおよび抵抗器の半田接合部の経年劣化を低減する。 （もっと読む）