【課題】検出に適したしきい値を判別するのに適した情報を表示する。
【解決手段】投光部１０３および受光部１０４と、受光処理により得られた受光量をあらかじめ設定されたしきい値と比較することにより入光状態および非入光状態のいずれであるかを判別して、その判別結果を出力する検出部として機能する制御部１０５と、受光量を表示することが可能な表示部１００とを具備する光電センサにおいて、現在設定されているしきい値により判別される複数の入光期間および複数の受光期間を対象に、各入光期間の中で受光量が相対的に最も低くなった期間における受光量と、各受光期間の中で受光量が相対的に最も高くなった期間における受光量とをそれぞれ特定し、特定された２つの代表受光量を、表示部１００に表示する。 （もっと読む）

【課題】太陽光による誤動作を少なくすることができる赤外線センサ装置および赤外線センサの制御方法を提供する。
【解決手段】ナビゲーション部６から取得した日時・時刻情報と車両の走行方向に基づいて、早朝で西向き走行の場合か夕方で東向き走行の場合は、マイコン８が、ＰＤ４ｂ１の受光回数を増加させるか発光ＬＥＤ２の発光量を増加させる。 （もっと読む）

【課題】半導体リレー装置において、特殊なプロセスを用いることなく、充放電回路全体の耐圧を向上させることを可能にして、低コストで出力用ＭＯＳＦＥＴの低オン抵抗化を図る。
【解決手段】出力用ＭＯＳＦＥＴ５のゲート・ソース間に配された複数の充放電回路７ａ、７ｂを直列に接続し、これらの充放電回路７ａ、７ｂの各々に、２つのフォトダイオードアレイ３ａ、３ｂの各々を並列に接続した。この構成においては、各フォトダイオードアレイ３ａ、３ｂの光起電力に相当する電圧が、そのフォトダイオードアレイに並列に接続された充放電回路（７ａ又は７ｂ）内のＭＯＳＦＥＴ（８ａ又は８ｂ）のみにかかり、それ以外の充放電回路内のＭＯＳＦＥＴにはかからない。従って、２つの充放電回路７ａ、７ｂの全体の耐圧を、これらの充放電回路７ａ、７ｂに含まれる、複数のＭＯＳＦＥＴ８ａ、８ｂの耐圧の合計にすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチにおいて、エネルギー効率を高くする。
【解決手段】半導体スイッチ１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

【課題】半導体リレーにおいて、ＬＥＤの駆動電力の低減を図る。
【解決手段】半導体リレー１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

【課題】ユーザが特に意識をしなくとも、感度が自動的に調整されて、調整された感度による受光量により適切なしきい値を容易に設定できるようにする。
【解決手段】光電センサの使用目的別に、しきい値の設定に用いる受光量の取り込みを指示する操作の内容が異なる設定処理を準備して、各設定処理につき、感度を調整するタイミングを判断する上での判断規準と、感度の調整に用いる受光量の目標値と、調整された感度による受光量の中からしきい値の設定に用いられる基準受光量を定めるための処理の手順とが定義されたプログラムをメモリ１０６に登録する。ＣＰＵ１０５は、操作部１１０における操作の内容に基づき当該操作に対応する設定処理を特定して、操作に応じて受光量のサンプリングを実行しながら、特定された設定処理用のプログラムに従って感度調整のタイミングを判別して感度調整処理を実行した後に、基準受光量を決定する。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ安価な構成であるにも拘わらず、スナバ回路及び制御回路のいずれの損傷に対しても、他の電子部品の焼損を適切に防止する。
【解決手段】入力端子の間に接続される発光素子８からの光を光電変換する受光素子９と、交流電源３と負荷４とが接続される出力端子６と、受光素子９の一端と出力端子６の一方とを結ぶ第１接続ライン１１と、受光素子９の他端と出力端子６の他方とを結ぶ第２接続ライン１２と、第１接続ライン１１と第２接続ライン１２の間に接続される、受光素子９からの出力に基づいて導通するスイッチング素子１２と、コンデンサと抵抗とを直列接続してなるスナバ回路１４とを備える。スナバ回路１４の抵抗は、第１接続ライン１１の、受光素子９の一端と、スイッチング素子１２の一端との間に接続し、抵抗とスイッチング素子１２の一端との間に過電流防護素子２１を接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体リレー装置において、装置全体のチップサイズを小さくして、チップコストの低減と実装面積の縮小化を図る。
【解決手段】従来はｐ型単結晶シリコン島２１３に形成していた（充放電回路における）ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴ２０８（図（ａ）参照）を、ｎ型単結晶シリコン島１３に形成したｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ８（図（ｂ）参照）に変更した。これにより、ｎ型単結晶シリコン島１３のキャリアの通路の断面積を、ｐ型単結晶シリコン島２１３のキャリアの通路の断面積の２分の１以下にしても、これらのキャリアの通路における抵抗値を同じにすることができる。従って、ＭＯＳＦＥＴ８をｎ型単結晶シリコン島１３にｎチャネル型で形成することにより、オン抵抗を従来のＭＯＳＦＥＴ２０８に比べて大きくすることなく、ＭＯＳＦＥＴ８のゲート幅Ｗ３を従来のＭＯＳＦＥＴ２０８のゲート幅Ｗ１より小さくできる。 （もっと読む）

【課題】半導体リレー装置において、リレーとしてのオン／オフ動作の時間を安定させ、しかも、このオン／オフ動作の速度を、従来よりも速くする。
【解決手段】出力用ＭＯＳＦＥＴ５、６のソースと誘電体分離チップの１０の支持基板１４とを電気的に接続したことにより、誘電体分離チップ１０の支持基板１４の電位を、出力用ＭＯＳＦＥＴ５、６のソースの電位に固定することができる。これにより、活性領域・支持基板間容量Ｃ_ＰＣに貯めることが可能な電荷の量の安定化を図れ、しかも、この容量Ｃ_ＰＣの電気的な接続先が固定される。従って、リレーとしてのオン／オフ動作の時間を安定させることができる。また、従来と異なり、上記容量Ｃ_ＰＣの全てが、出力用ＭＯＳＦＥＴ５、６のゲート・ソース間に並列に配置されて寄生容量として働くことがなくなるので、リレーとしてのオン／オフ動作の時間を、従来よりも速くすることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードの電流を増加させず、耐ノイズ性を確保したままでフォトカプラの長寿命化を図る。
【解決手段】入力端子１２４と直流電源高電位側との間に接続されて電流を吐き出すための第１の定電流回路（スイッチング素子ＭＰ１，ＭＰ２、電流源Ｉ１，Ｉ２）と、入力端子１２４と直流電源低電位側との間に接続されて電流を吸い込む第２の定電流回路（電流源Ｉ３）と、第１，第２の定電流回路を相補的に動作させるスイッチング素子ＮＭ１〜ＮＭ３と、を備え、スイッチング素子ＮＭ１〜ＮＭ３を、フォトカプラ２１のオン後に第２の定電流回路により電流を吸い込むように動作させると共に、フォトカプラ２１のオフ後に第１の定電流回路により電流を吐き出すように動作させ、電流吐き出し期間における吐き出し電流値を、吐き出し開始時から一定期間経過後に減少させる。 （もっと読む）

【課題】トランスインピーダンスアンプのような逆バイアス電圧を受光素子に印加せずに受光素子からの電流を電圧に出力する回路を用いて、パルス光を検出することができる光電センサ、光電センサの受光ユニットおよび光電センサの投光ユニットを提供する。
【解決手段】ＬＥＤ（Ａ）１１は、検出領域に向けてパルス光を投光する。ＬＥＤ（Ｂ）１３は、直流光を直接フォトダイオード５２に向けて投光する。フォトダイオード５２は、検出領域から入射される、パルス光を直流光でバイアスした光を受光する。トランスインピーダンスアンプ５３は、フォトダイオード５２に逆バイアスを印加せずに、フォトダイオード５２から出力される電流を電圧に変換する。ハイパスフィルタ５４は、トランスインピーダンスアンプ５２から出力される電圧から直流光の成分を除去する。 （もっと読む）

【課題】理想的な高耐圧、低オン抵抗且つ低オフ容量の半導体リレーを提供する。
【解決手段】入力素子に発光ダイオード１１を備えるとともに出力素子に二つのトランジスタ１２，１３を備える半導体リレー１０であって、前記二つのトランジスタが、相違する耐電圧及び／又は相違する電気容量を有する。また、一方の前記トランジスタ１２が、他方の前記トランジスタ１３より、高耐電圧及び／高電気容量である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及び半導体リレー装置において、製造コストを抑えつつ、ＣＲ積の値を小さくする。
【解決手段】双方向スイッチ１を構成する２つのＭＯＳＦＥＴのうち、一方のＭＯＳＦＥＴ２に、化合物半導体で構成されたユニポーラ型化合物半導体装置を用い、他方のＭＯＳＦＥＴ３に、シリコンで構成されたＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを用いる。ここで、ユニポーラ型化合物半導体装置の中には、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴよりもＣＲ積の値が小さいものが多く存在する。従って、一方のＭＯＳＦＥＴ２にユニポーラ型化合物半導体装置を用いたことにより、両方のＭＯＳＦＥＴ２、３にＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを用いた場合に比べて、装置全体のＣＲ積の値を小さくできる蓋然性が高まる。また、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴよりも製造コストの高いユニポーラ型化合物半導体装置を２つ用いた場合に比べて、製造コストを抑えられる。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつフォトカプラの耐用寿命を延ばすことができるデータ処理装置を提供すること。
【解決手段】フォトカプラの入出力データを処理するデータ処理装置は、フォトカプラの入力側と出力側の間で伝送されるデータを構成する所定ビットのパケットデータ群の過半数が「１」のビットか「０」のビットかを判断する過半数ビット判断部と、「１」のビットが過半数を占めると判断されたパケットデータ群を構成する各ビットの値を反転する入力信号処理部と、過半数ビット判断部が判断した結果に応じた制御情報を、過半数を「０」のビットが占めるパケットデータ群又は各ビットの値が反転されたパケットデータ群に付加して、フォトカプラに出力する制御情報付加部と、フォトカプラの受光部で得られた制御情報に応じて、受光部が受信したパケットデータ群を構成する各ビットの値を反転し、制御情報を除くデータを出力する出力信号処理部とを備える。 （もっと読む）

【課題】各センサが独立して自装置における処理のタイミングを管理することにより各種処理を円滑に進行させて、処理を高速化する。
【解決手段】複数の多光軸光電センサＳ_Ａ，Ｓ_Ｂ，Ｓ_Ｃを構成する投光器および受光器のうちの１台をマスタ機器とし、その他の機器をスレーブ機器として、マスタ機器において、各センサＳ_Ａ，Ｓ_Ｂ，Ｓ_Ｃの検出処理の期間および検出処理以外の処理を実施する期間を表すスケジュール情報を作成し、これを各機器のメモリに保存する。各機器はマスタ機器からのコマンドに応じてタイマを一斉に始動し、タイマの計時時間に基づきスケジュール情報を参照して自装置が検出処理を実施すべき期間および検出処理以外の処理を実施すべき期間を判別し、判別した各期間にそれぞれ該当する処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】検出処理毎にセンサ間通信やセンサ内通信を行う必要をなくすことによって、各センサの検出処理の循環サイクルを短縮する。
【解決手段】複数の多光軸光電センサＳ_Ａ，Ｓ_Ｂ，Ｓ_Ｃを構成する投光器および受光器のうちの１台（受光器２_Ａ）をマスタ機器とし、その他の機器をスレーブ機器として、マスタ機器２_Ａにおいて、センサＳ_Ａ，Ｓ_Ｂ，Ｓ_Ｃの順に検出処理が進行するように各機器における検出処理のタイミングを定めた定義情報を作成し、これを各スレーブ機器に送信する。またマスタ機器２_Ａは各スレーブ機器に内部タイマの動作を合わせることを求めるコマンドを送信する。このコマンドに応答してタイマを補正した各スレーブ機器およびマスタ機器２_Ａは、それぞれタイマが補正された時点を基準に、定義情報に基づき検出処理を実施すべきタイミングを判別して検出処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】半導体リレーを小型化すること。
【解決手段】半導体リレー１は、発光ダイオードＬＤ、フォトダイオードＰＤ、スイッチ素子Ｑ、および抵抗Ｒを備える。フォトダイオードＰＤのアノードには、スイッチ素子Ｑのソースと、端子Ｐ４と、が接続される。フォトダイオードＰＤのカソードには、スイッチ素子Ｑのゲートと、抵抗Ｒの一端と、が接続される。抵抗Ｒの他端には、スイッチ素子Ｑのドレインと、端子Ｐ３と、が接続される。 （もっと読む）

【課題】 既存のハードウェア構成を極力変更せず、ＯＮ抵抗の切替後の変動を迅速に収束させることが可能な信号処理回路を提供する。
【解決手段】 本発明の代表的な構成は、波形発生器または波形測定器に適用される信号処理回路１００であって、信号経路の切替を行う半導体リレー１２０ａ〜１２０ｌと、信号経路上の半導体リレー１２０ａ〜１２０ｌに、波形発生時または波形測定時に流れる電流よりも大きな電流をその直前に一時的に流す制御部１４２と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ミューティング処理に関して発生した異常について、原因を容易につきとめられるようにする。
【解決手段】検出エリアが遮光されていない間はハイレベルの信号を出力し、検出エリアが遮光されたことに応じて出力を停止させる多光軸光電センサＳにおいて、各光軸による検出エリアの入光／遮光状態およびミューティング用センサＡ１，Ｂ１，Ａ２，Ｂ２からの入力の変化のシーケンスを複数のステージに分けて監視し、ステージが正常に進行していることを条件にミューティング処理を実行する。監視中のステージでシーケンスの異常が検出された場合には、異常が検出されたステージに対応する回数分、表示灯１０，２０を点滅させるなどの処理により、異常が検出されたステージの種別を報知する。 （もっと読む）