【課題】送信端子および受信端子に求められる特性を考慮して設計されたＦＥＴを有する高周波半導体スイッチを提供する。
【解決手段】高周波半導体スイッチ１０は、複数の電界効果型トランジスタ５０を有する。複数の電界効果型トランジスタ５０は、それぞれ、基板１００に間隔を置いて形成されたソース領域１３０およびドレイン領域１４０と、当該間隔上であって基板１００上に形成されたゲート１６０と、基板１００上に形成されソース領域に接続されるソースコンタクト１７２と、基板１００上に形成されドレイン領域１４０に接続されるドレインコンタクト１８２とを含む。受信端子側に接続される受信端子側トランジスタ５０ａのソースコンタクト１７２およびドレインコンタクト１８２間の距離Ｌｒは、送信端子側に接続される送信端子側トランジスタ５０ｃのソースコンタクト１７２およびドレインコンタクト１８２間の距離Ｌｔよりも長い。 （もっと読む）

高い周囲温度環境において作動することが可能なワイドバンドギャップ（例えば、＞２ｅＶ）半導体接合形電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）のためのゲートドライバについて記載される。ワイドバンドギャップ（ＷＢＧ）半導体デバイスは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）を含む。ドライバは、入力、出力、第１供給電圧を受け取るための第１基準線、第２供給電圧を受け取るための第２基準線、グランド端子、６つの接合形電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）を有する非反転ゲートドライバであり得、第１ＪＦＥＴおよび第２ＪＦＥＴは、第１反転バッファを形成し、第３ＪＦＥＴおよび第４ＪＦＥＴは、第２反転バッファを形成し、及び第５ＪＦＥＴ及び第６ＪＦＥＴは、高温パワーＳｉＣ ＪＦＥＴを駆動させるために使用され得るトーテムポールを形成する。反転ゲートドライバも記載される。 （もっと読む）