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Fターム[5J055BX17]の内容

電子的スイッチ (55,123) | スイッチの種類、機能 (3,337) | ゲート回路(サンプルホールド等) (439)

Fターム[5J055BX17]に分類される特許

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【課題】回路面積を低減させることのできる電圧生成回路を提供する。
【解決手段】一の実施の形態に係る電圧生成回路は、第1の電圧値の第1電圧を発生させる第1の昇圧回路と、第2の電圧値の第2電圧を発生させる複数の第2の昇圧回路を含む第2昇圧回路群とを有する。複数の第2の昇圧回路は、第1の状態から第2の状態に移行する際に互いに直列に接続され第1昇圧回路とともに第1電圧を発生可能に構成されている。 (もっと読む)


【課題】通過損失を低減するためにオン状態時の抵抗を小さくしても、十分なアイソレーション量を確保する高周波スイッチを得る。
【解決手段】トランジスタ5a,5bのオフ容量Coffと同一の容量Ccを有するクロスカップルキャパシタ8a,8bを設ける。
クロスカップルキャパシタ8a,8bにより、トランジスタ5a,5bのオフ容量Coffをキャンセルすることができるので、アイソレーションを大きく改善することができる。したがって、通過損失を低減するためにトランジスタ5a,5bのオン抵抗Ronを小さくしても、十分なアイソレーション量を確保することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の回路ブロックへの電力供給復帰時に、無駄な充放電を削減すること。
【解決手段】半導体装置は、第1電源電圧を供給する第1電源線と、第1電源電圧よりも高い第2電源電圧を供給する第2電源線と、前段回路ブロックと、前段回路ブロックの出力信号に基づいて動作する後段回路ブロックと、前段回路ブロック及び後段回路ブロックに対する第1電源電圧及び第2電源電圧の供給を制御する電力供給制御回路と、を備える。電力供給制御回路は、後段回路ブロックへの第1電源電圧の供給開始タイミングを前段回路ブロックへの第1電源電圧の供給開始タイミングよりも遅延させる。更に、電力供給制御回路は、前段回路ブロック及び後段回路ブロックに第1電源電圧が供給された後に、第2電源電圧を前段回路ブロックと後段回路ブロックの両方に供給する。 (もっと読む)


【課題】電圧変動の少ない電源切り換えを確実に行うことができる電源切換装置を提供する。
【解決手段】第2電源が接続される第2電源接続部、第2電源の電圧よりも高い電圧の第1電源が接続される第1電源接続部、負荷回路が接続される電源出力部、定電圧回路の出力端子と電源出力部とを接続するダイオード、第1電源接続部とダイオードとの間に挿入され第1電源の電圧を第2電源の電圧よりもダイオードの順方向電圧降下分高い電圧まで降圧する定電圧回路、第2電源接続部と電源出力部との接続をオン/オフするMOSスイッチと、第1電源接続部から電源が供給され、第2電源接続部または電源出力部の電圧と定電圧回路の出力電圧とを比較し、定電圧回路の出力電圧が第2電源接続部または電源出力部の電圧よりも高いとき、第1電源の電圧をMOSスイッチに導通することによってMOSスイッチをオフする比較回路と、を備える。 (もっと読む)


【課題】電源ユニットの出力ラインにおける地絡などの故障に対し、電源の保護及び故障の検知を行う。
【解決手段】サブ電源供給ラインLSに、サブ電源101側をソースとして第1MOSFET102を直列に接続し、第1MOSFET102のドレインにドレインを接続させて第2MOSFET103を直列に接続する。制御ユニット200内のサブ電源供給ラインLSにも、サブ電源101側をソースとして第3MOSFET202を直列に接続し、第3MOSFET202のドレインにドレインを接続させて第4MOSFET203を直列に接続し、第1〜第4MOSFETを制御することで、サブ電源101の電力を負荷201に対して供給する。各MOSFETのドレイン電圧、及び、第2MOSFET103と第3MOSFET202との間の電圧をモニタし、MOSFETの故障及びサブ電源供給ラインLSの故障を診断する。 (もっと読む)


【課題】高周波信号の振幅に対する歪みを低減しつつ、スイッチングを実現することが可能なスイッチを提供する。
【解決手段】高周波信号が入力される入力端子と、高周波信号が出力される第1出力端子との間に接続され、入力される高周波信号を第1出力端子から選択的に出力させる第1スイッチング部と、入力端子と、入力された高周波信号が出力される第2出力端子との間に接続され、入力端子に入力される高周波信号を第2出力端子から選択的に出力させる第2スイッチング部とを備え、第1スイッチング部、第2スイッチング部それぞれは、信号線上に設けられるインピーダンス変成器と、エミッタが接地され、コレクタが信号線に接続され、制御電圧に応じた電流がベースに印加されるバイポーラトランジスタと、コレクタが接地され、エミッタが信号線に接続され、制御電圧に応じた電流がベースに印加されるバイポーラトランジスタとを備えるスイッチが提供される。 (もっと読む)


【課題】ハイパスフィルタ回路を急速充電できるようにして、その起動時間を短くする。
【解決手段】所定のタイミング毎に入力信号を保持する信号保持回路11と、信号保持回路11の出力側に接続された第1のトランジスタQ1の出力側の第1のノードN1に現れる信号から低域成分を除去するハイパスフィルタ回路12と、起動時にのみ動作してハイパスフィルタ回路12のコンデンサC2に対して急速充電を行う急速充電回路14と、ハイパスフィルタ回路12の出力側に接続された増幅回路13と、急速充電回路14による急速充電動作の終了から通常動作に移行する前後で前記第1のノードN1のバイアス電位をほぼ一定に保持するバイアス制御回路15とを備える。 (もっと読む)


【課題】不具合の発生が抑制された半導体集積回路を提供する。
【解決手段】電圧レベルの高いHi信号、及び、該Hi信号よりも電圧レベルの低いLo信号が異なるタイミングで入力される第1入力端子と、Hi信号が常時入力される第2入力端子と、第1入力端子のHi信号によって第1動作状態、第1入力端子のLo信号によって第2動作状態に制御される素子と、を有する半導体集積回路であって、第2入力端子とグランドとの間にスイッチング素子が設けられており、該スイッチング素子は、第1入力端子にHi信号が入力されている時にOFF状態、第1入力端子にLo信号が入力されている時にON状態となる。 (もっと読む)


【課題】所定の動作の期間においてクロックを停止させ、消費電力を低減する半導体装置を提供すること。
【解決手段】発振器11からの第1クロックCLK_oriをN分周した第2クロックCLK_divを出力する分周回路120−1と、前記第1クロックと前記分周回路からの前記第2クロックとを選択し、選択したクロックを出力する選択回路120−2と、前記第1クロックまたは前記第2クロックをカウントするタイマ回路120−3と、前記タイマ回路のカウント結果をデコードし、第1結果を出力するデコーダ120−4と、前記デコーダからの前記第1結果に基づき、前記選択回路が前記第2クロックを選択するよう第1選択信号を出力するステートマシン120−9と、前記第1選択信号に基づき、前記ステートマシンの動作を停止する停止信号を出力する論理回路120−6とを具備する。 (もっと読む)


【課題】高い電圧を有する入力信号に対して適切に動作するアナログスイッチを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】入力端子と出力端子との間にPチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタとを並列に接続したアナログスイッチと,入力端子に印加される入力電圧に応じて,Pチャネルトランジスタの第1ゲート電圧及び第1バックゲート電圧と,Nチャネルトランジスタの第2ゲート電圧及び第2バックゲート電圧とのそれぞれの電位を可変生成する可変電圧回路と,アナログスイッチを導通または非導通に制御する制御信号を可変電圧回路に供給する制御回路とを有する。可変電圧回路は,導通に制御する制御信号に応答して,可変生成される第1ゲート電圧と第2ゲート電圧とをPチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタのゲートにそれぞれ出力する。 (もっと読む)


【課題】過電圧保護回路を提供することを課題とする。
【解決手段】過電圧保護回路であって、電圧源とポータブル電子デバイスの間に提供された入力電圧が該ポータブル電子デバイスの許容定格耐電圧を超えないように設計する過電圧保護(overvoltage protection)を提供する。該回路は入力ユニットを通じて該電圧源から発生した入力電圧を受け、該入力電圧が分圧モジュールを通じて分圧電圧を生成することで、電圧安定モジュールが第1のスイッチングユニットを短絡状態、或いは、開路状態に入ることができる第1の制御信号を生成させ、また間接的に第2のスイッチングユニットを該第1のスイッチングユニットと逆の短絡状態、或いは、開路状態に入るよう制御し、該入力電圧が該定格電圧を上回った時、該第2のスイッチングユニットを通じて該入力電圧を該ポータブル電子デバイスに供給停止することで、温度の影響を受けることなく過電圧保護を実現できる。 (もっと読む)


【課題】受信動作への切換時に発生するノイズを抑制する。
【解決手段】受信回路10は、圧電センサ2の受信信号SP及びSNを増幅するアンプ15と、圧電センサ2の一端とアンプ15の一端との間に並列接続されて受信動作への切換時に位相をずらしてオンされる複数のトランジスタ11a及び11b(ないしは12a及び12b)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】電力制御回路、それを含む半導体装置及び該電力制御回路の動作方法を提供する。
【解決手段】本発明の電力制御回路は、電源電圧とロジック回路との間に連結されてロジック回路への電源供給をスイッチングする回路であって、外部から並列的にモード転換信号を受信する複数の第1パワーゲーティングセルと、第1パワーゲーティングセルのうちの何れか1つと連結される少なくとも1つの第2パワーゲーティングセルと、第2パワーゲーティングセルと直列連結される複数の第3パワーゲーティングセルと、直列連結された複数の第3パワーゲーティングセルのうち、先端の第3パワーゲーティングセルと並列連結される複数の第4パワーゲーティングセルとを含み、モード転換信号は、第1パワーゲーティングセルのうちの何れか1つ、第2及び第3パワーゲーティングセルを経て第4パワーゲーティングセルに伝達され、第1ないし第4パワーゲーティングセルのそれぞれは、各自のセルに入力されるモード転換信号に応答して電源供給をスイッチングする。 (もっと読む)


【課題】発光装置に含まれる発光素子の発光輝度を周囲の情報に応じて調節する表示シス
テムを提供する。
【解決手段】本発明において、センサー2011が周囲の情報を電気信号として検出し、
これをCPU2013は、あらかじめ設定しておいた比較データに基づきEL素子の発光
輝度を補正するための補正信号に変換する。この補正信号が電圧可変器2010に入力さ
れることにより、電圧可変器2010が所定の補正電位をEL素子に印加する。以上の表
示システムによりEL素子2003の発光輝度を制御することができる。 (もっと読む)


【課題】トランジスタのゲートへの電流を防ぐ。
【解決手段】ノーマリーオン型の第1トランジスタと、ドレインが、第1トランジスタのソースと接続され、第1トランジスタとカスコード接続されたノーマリーオフ型の第2トランジスタと、第2トランジスタのソースと第1トランジスタのゲートとの間に設けられた、第2トランジスタのソースから第1トランジスタのゲートへと流れる電流を抑制する第1電流抑制部とを備えるトランジスタ回路を提供する。 (もっと読む)


【課題】内部ダイオード又は外部ダイオードを使用せずに、逆方向へ導通可能なMOS−FET回路を提供すること。
【解決手段】MOS−FET(10)と、このMOS−FET(10)のドレインをマイナス入力に接続し、ソースをプラス入力に接続したオペアンプ(15)と、このオペアンプ(15)の出力を一方の入力とし、ゲート端子(14)を他方の入力とした第一OR回路(17)とからなり、前記第一OR回路(17)の出力を前記MOS−FET(10)のゲートに接続した。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子の個数を減らし、スイッチング素子を送受信時共有して、RFアンテナスイッチのサイズを減らすと共に、小型化及びワンチップ化にさらに応じるRFアンテナスイッチ回路、高周波アンテナ部品及び移動通信機器を提供する。
【解決手段】アンテナ1と、少なくとも一つの送信段2及び少なくとも一つの受信段3を備える複数の入出力段と、少なくとも一つの送信段2とアンテナ1側の共通ノード4、5との間の送信経路上に配置され、制御信号によって信号を伝達する少なくとも一つの送信スイッチブロック10と、受信段3と共通ノード4、5との間の受信経路上に配置され、制御信号によって伝達する少なくとも一つの受信スイッチブロック30、30a、30bと、スイッチング素子を共有して各々の送信及び受信動作と同期してオン動作する共用送受信スイッチブロック50とを含む。 (もっと読む)


【課題】ノイズを低減することができるインターフェース回路を提供することを課題とする。
【解決手段】インターフェース回路は、電源電圧端子が第1の電源電圧ノードに接続され、入力信号を増幅する第1のバッファ(111)と、第2の電源電圧ノード及び前記第1のバッファの電源電圧端子間に接続されるスイッチ(124)と、前記第1のバッファの入力信号がローレベルからハイレベルに立ち上がると、遅延時間経過後に前記スイッチをオフからオンに切り換える第1の制御回路(127)とを有する。 (もっと読む)


【課題】 外部端子の雑音の影響を抑制しつつ、リーク電流を低減する。
【解決手段】 アナログスイッチ回路は、第1ノードと第2ノードとの間に配置された第1スイッチと、第2ノードと第3ノードとの間に配置された第2スイッチと、所定の電圧が供給される第4ノードと第2ノードとの間に配置された第3スイッチと、少なくとも2種類の制御信号を受け、第1スイッチおよび第2スイッチをオンし、かつ、第3スイッチをオフする第1制御と、第1スイッチ、第2スイッチおよび第3スイッチをオフする第2制御と、第1スイッチおよび第2スイッチをオフし、かつ、第3スイッチをオンする第3制御とのいずれかを、制御信号の組み合わせに基づいて実施する制御部とを有している。 (もっと読む)


【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる信号処理回路の提供する。
【解決手段】入力された信号の位相を反転させて出力する論理素子を2つ(第1の位相反転素子及び第2の位相反転素子)と、第1の選択トランジスタと、第2の選択トランジスタと、を有する記憶素子であって、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタと容量素子との組を2つ(第1のトランジスタと第1の容量素子との組、及び第2のトランジスタと第2の容量素子との組)有する。そして、信号処理回路が有する記憶装置に上記記憶素子を用いる。例えば、信号処理回路が有するレジスタ、キャッシュメモリ等の記憶装置に上記記憶素子を用いる。 (もっと読む)


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