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Fターム[5J055CX03]の内容

Fターム[5J055CX03]に分類される特許

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【課題】スイッチ回路の誤動作の発生を防止する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、シリアル・パラレル変換回路は、第一の高電位側電源が供給され、シリアルデータ信号が入力され、パラレルデータ信号を生成する。電源回路は、第二の高電位側電源が供給され、第二の高電位側電源に基づいて第一の正電圧、第二の正電圧、及び負電圧を生成する。ドライブ回路は、第一の正電圧が電源として供給され、パラレルデータ信号が入力されるインバータと、第二の正電圧及び負電圧が電源として供給され、パラレルデータ信号及びインバータの出力信号が入力される差動型レベルシフタを含むレベルシフト回路が設けられ、第二の正電圧をハイレベルの信号としてスイッチ回路に出力し、負電圧をローレベルの信号としてスイッチ回路に出力する。 (もっと読む)


【課題】高速スイッチング性能を低下させることなく、パワー半導体素子のサージ耐量向上と過電圧保護を図る。
【解決手段】ドレイン端子1bから所定距離離間した位置にゲート制御端子5を備え、サージ発生時にドレイン端子1bとゲート制御端子5との間に放電が起こるようにする。この放電現象に伴ってゲート制御端子5にサージ電圧が印加されることで、パワー半導体素子1のゲートを充電し、パワー半導体素子1をオンさせることでサージエネルギーを吸収する。これにより、ドレイン端子1bに印加されるサージ電圧を抑制することが可能となり、パワー半導体素子1が破壊に至ることを抑制することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 印加されるRF電圧Vswに制御可能に耐えるRFスイッチ、又はこのようなスイッチの製造方法を提供する。
【解決手段】 スイッチは直列接続された構成FETのストリングを有し、このストリングのノードは隣接するFETの各対の間にある。方法は、各構成FETにわたって分布するRFスイッチ電圧の不一致を減らすよう、容量的にストリングを有効に調整すべくストリングの異なるノードの間のキャパシタンスを制御し、それによって、スイッチ・ブレイクダウン電圧を高める。キャパシタンスは、例えば、ストリングのノードの間に容量特性配置することによって、及び/又は異なる構成FETの設計パラメータを変化させることによって、制御される。各ノードについて、ノードに現れるVswの比率による各有意なキャパシタの積の和は、おおよそ零になるよう制御され得る。 (もっと読む)


【課題】高周波信号の振幅に対する歪みを低減しつつ、スイッチングを実現することが可能なスイッチを提供する。
【解決手段】高周波信号が入力される入力端子と、高周波信号が出力される第1出力端子との間に接続され、入力される高周波信号を第1出力端子から選択的に出力させる第1スイッチング部と、入力端子と、入力された高周波信号が出力される第2出力端子との間に接続され、入力端子に入力される高周波信号を第2出力端子から選択的に出力させる第2スイッチング部とを備え、第1スイッチング部、第2スイッチング部それぞれは、信号線上に設けられるインピーダンス変成器と、エミッタが接地され、コレクタが信号線に接続され、制御電圧に応じた電流がベースに印加されるバイポーラトランジスタと、コレクタが接地され、エミッタが信号線に接続され、制御電圧に応じた電流がベースに印加されるバイポーラトランジスタとを備えるスイッチが提供される。 (もっと読む)


【課題】電界吸収型光変調器に供給する駆動信号の直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止する。
【解決手段】電圧連動可変手段30は、ドライバ回路25の終段トランジスタTRの出力用の特定端子の直流電圧と他の端子の直流電圧とを、同一方向に連動可変させて、終段トランジスタTRの動作点の変動を抑制しつつ、電界吸収型光変調器1に与える駆動信号Dの直流電圧を変化させて、駆動信号Dの直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止し、波形劣化の無い変調光を出力させる。 (もっと読む)


【課題】安定動作させながら、RFパルス信号の波形を高速に立ち下げることができるRFパルス信号生成用スイッチング回路を提供することにある。
【解決手段】ドレインスイッチング回路21は、n型からなる第1、第2、第3のFET211,212,213を備える。第1、第3のFET211,213のゲートには、制御パルスが印加され、ソースは接地されている。第1のFET211のドレインは、第2のFET212のゲートに接続し、第2のFET212のドレインには、駆動電圧Vdsが印加される。第2のFET212のソースと第3のFET213のドレインは接続され、接続点がパワーFET31のドレインに接続されている。第2のFET212のゲートソース間には、第2のFET212がオフ状態からオン状態へ遷移する際のゲート電圧を補償するための電荷を供給するコンデンサ215が接続されている。 (もっと読む)


【課題】高周波特性を改善した半導体スイッチ及び無線機器を提供する。
【解決手段】電源回路と、駆動回路と、スイッチ部と、第1の電位制御回路と、を備えた半導体スイッチが供給される。前記電源回路は、負の第1の電位を生成する第1の電位生成回路と、電源電位を降圧した正の第2の電位を生成する第2の電位生成回路と、を有する。前記駆動回路は、前記第1の電位と第3の電位とが供給され、端子切替信号に基づいて前記第1の電位及び前記第3の電位の少なくとも一方を出力する。前記スイッチ部は、前記駆動回路の出力に応じて複数の高周波端子のいずれか1つに共通端子を接続する。前記第1の電位制御回路は、第1のトランジスタを有する分割回路と、第2のトランジスタを有する増幅回路と、を有する。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成によりスイッチ切替時間のさらなる高速化を図る。
【解決手段】外部から供給される外部制御信号に応じて、高周波スイッチ回路101のFET1,2のオン、オフ状態を制御する駆動制御信号を出力する論理制御回路104と、FET1,2が論理制御回路104によりオフ状態からオン状態とされる際にパルス電圧を出力する切替加速回路102,103とは、それぞれの出力信号が共にFET1,2の駆動制御信号として、それぞれへ印加可能に設けられ、論理制御回路104は、定常状態においてFET1,2をオン状態とする電源電圧とほぼ等しい駆動制御信号を出力するよう構成され、切替加速回路102,103は、ピークが電源電圧を超えるパルス電圧を出力する一方、そのパルス電圧が論理制御回路104の出力信号の電圧レベルを下回った際には、その出力が遮断されるよう構成されたものとなっている。 (もっと読む)


【課題】負電圧の変化に対して正常な論理回路動作を確保できる範囲である動作ウィンドウの幅の拡張を可能とし、回路動作の確実性、安定性の向上を図った正負電圧論理出力回路を提供する。
【解決手段】論理入力と負電圧との間に、ゲートに論理入力するエンハンスメント型P型電界効果トランジスタEPFET1とブレークダウン保護用素子13,14とが直列に接続され、ブレークダウン保護用素子14に並列に短絡する切替スイッチ8aが接続される。切替スイッチ8aをオン、オフ制御することで、VSSの変動に対して正常な回路動作を確保できる動作ウィンドウの拡張を可能とする。 (もっと読む)


【課題】高いESD保護耐圧を確保しつつ、ESD保護素子の静電容量を極力小さくし、しかも、集積化の際における占有サイズを小さくする。
【解決手段】ESD保護回路103は、共通端子41とグランドとの間に設けられており、共通端子41側から順に、ESD保護スイッチ素子としての複数の直列接続された電界効果トランジスタ31−1〜31−4と、逆接続された一組のESD保護素子としてのダイオード32−1,32−2が直列接続されると共に、電界効果トランジスタ31−1〜31−4は、ゲートが相互に接続されてグランドに接続されており、ESD保護素子のダイオード32−1,32−2による静電容量を低減し、高いESD保護耐圧の確保が可能となっている。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子の個数を減らし、スイッチング素子を送受信時共有して、RFアンテナスイッチのサイズを減らすと共に、小型化及びワンチップ化にさらに応じるRFアンテナスイッチ回路、高周波アンテナ部品及び移動通信機器を提供する。
【解決手段】アンテナ1と、少なくとも一つの送信段2及び少なくとも一つの受信段3を備える複数の入出力段と、少なくとも一つの送信段2とアンテナ1側の共通ノード4、5との間の送信経路上に配置され、制御信号によって信号を伝達する少なくとも一つの送信スイッチブロック10と、受信段3と共通ノード4、5との間の受信経路上に配置され、制御信号によって伝達する少なくとも一つの受信スイッチブロック30、30a、30bと、スイッチング素子を共有して各々の送信及び受信動作と同期してオン動作する共用送受信スイッチブロック50とを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体スイッチの低周波数領域での歪み特性を改善する。
【解決手段】制御ポートP3には、制御電圧Vが入力される。伝送路10は、入力ポートP1と出力ポートP2の間を接続する。シャントスイッチ20は、伝送路10と接地端子の間に設けられる。シャントスイッチ20は、そのドレイン、ソースの一方が伝送路10と接続され、そのドレイン、ソースの他方が接地端子に接続されるFET22を備える。第1抵抗R1は、FET22のゲートと制御ポートP3の間に設けられる。第2抵抗R2は、FET22のゲートと伝送路10の間に設けられる。 (もっと読む)


【課題】高周波特性を改善した半導体スイッチ及び無線機器を提供する。
【解決手段】スイッチ部と、駆動回路と、電源回路と、を備えた半導体スイッチが供給される。前記スイッチ部は、共通端子と複数の高周波端子との接続を切り替える。前記駆動回路は、端子切替信号に基づいて前記スイッチ部に制御信号を出力する。前記電源回路は、温度に応じて変化する基準電位基づいて、前記制御信号の電位であって温度制御された第1の電位を生成して前記駆動回路に出力する。 (もっと読む)


【課題】 ゲート−ボディ間の電圧がMOSFETの耐圧以下とすることが可能な高い信頼性を有する高周波スイッチ回路を実現する。
【解決手段】 MOSFETと、前記MOSFETのゲート及びボディの電位を制御可能な制御回路を備えた高周波スイッチ回路であって、
前記制御回路はタイミング制御回路を備え、
前記タイミング制御回路は、前記高周波信号経路が接続状態から非接続状態に切り替わる時は、前記MOSFETのゲートの電位を切り替えた後にボディの電位を切り替えることが可能であり、かつ、非接続状態から接続状態に切り替わる時は、前記MOSFETのボディの電位を切り替えた後にゲートの電位を切り替えることが可能であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ゲート電流を抑制し且つ高速動作が可能なスイッチング回路を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層の主面上に、第1の主電極Dswと第2の主電極Sswの間に配置された制御電極Gswを有するスイッチング素子Tswと、スイッチング素子Tswの第1の主電極Dswにアノード端子が接続された第1の整流素子D1、第1の整流素子D1のカソード端子に第1の主電極DD1が接続され、スイッチング素子Tswの制御電極Gswに第2の主電極SD1が接続された第1の駆動素子TD1、スイッチング素子Tswの制御電極Gswに第1の主電極DD2が接続され、スイッチング素子の第2の主電極Sswに第2の主電極SD2が接続された第2の駆動素子TD2、及び、第1の駆動素子TD1の制御電極GD1と第2の駆動素子TD2の制御電極GD2にそれぞれ入力される制御信号を受信する入力端子IN_H,IN_Lを有する駆動回路10とを備える。 (もっと読む)


【課題】スイッチポート切替時間が短く、かつ低消費電力、低面積を同時に満たす高周波スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】デコーダ3は、前記スイッチポートを切替える制御信号CNTに応答し、スイッチ7を制御するためのスイッチ制御信号SWCNTを生成して、スイッチ切替タイミング検出器は、スイッチ制御信号SWCNTに応答し、スイッチ切替え検出信号t_swを生成し、周波数制御信号生成器は、スイッチ切替え検出信号t_swに応答し、周波数制御信号ICONT、CCONTを生成し、負電圧発生回路は、周波数制御信号ICONT、CCONTに応答し、前記負電圧発生回路内で生成したクロック信号の周波数を2つ以上のそれぞれ異なる周波数に切替つつ、負電圧出力信号NVG_OUTを生成し、スイッチ7は、スイッチ制御信号SWCNTと前記負電圧出力信号NVG_OUTに応答し、複数の高周波信号ポート間の経路を切替える。 (もっと読む)


【課題】入出力端子におけるアイソレーション劣化を抑制可能とする。
【解決手段】
第1の入出力端子51と第2の入出力端子52間に第1の単位スイッチ101が、第1の入出力端子51と第3の入出力端子間53に第2の単位スイッチ102が、それぞれ設けられ、第2の入出力端子52とグランドとの間に第1のシャントスイッチ103及び第1のDCカットコンデンサ49が、第3の入出力端子53とグランドとの間に第2のシャントスイッチ104及び第2のDCカットコンデンサ50が、それぞれ直列接続され、第1及び第2の単位スイッチ101,102を構成する第1乃至第4のFET1〜4のゲート・ドレイン間には、それぞれ付加容量41〜44が接続されると共に、第1の単位スイッチ101に対して第1の端子間連絡用抵抗器31が、第2の単位スイッチ102に対して第2の端子間連絡用抵抗器32が、それぞれ並列接続されたものとなっている。 (もっと読む)


【課題】端子切替時の歪みの増加を抑制した半導体スイッチ及び無線機器を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、電源回路と、駆動回路と、スイッチ部と、補正回路と、を備えた半導体スイッチが供給される。前記電源回路は、電源電位と異なる第1の電位を生成する。前記駆動回路は、前記第1の電位と異なる第2の電位と前記第1の電位とが供給され、端子切替信号に基づいて前記第1の電位及び前記第2の電位の少なくとも一方を出力する。前記スイッチ部は、前記駆動回路の出力に応じて共通端子と高周波端子との接続を切り替える。前記補正回路は、前記端子切替信号の変化を検出し、前記第1の電位の極性と等しい極性の電荷を前記駆動回路に供給して前記第1の電位を補正する。 (もっと読む)


【課題】高周波信号の伝送経路におけるインピーダンス変動の変動を抑え、高周波信号の挿入損失を向上させることができるスイッチ回路を提供すること
【解決手段】本発明にかかるスイッチ回路10は、入力端子11と出力端子12との間において信号を伝達する第1の伝送路上に設けられたFET14と、入力端子13と出力端子12との間において信号を伝達する第2の伝送路上に設けられたFET15と、入力端子13とFET15との間に一端が第2の伝送路と接続され、他端がオープンスタブ17である第3の伝送路と、第3の伝送路上に設けられたFET16と、を備え、第1の伝送路上を信号が伝達される場合、FET14及びFET16がオン状態となり、FET15がオフ状態となるように制御されるものである。 (もっと読む)


【課題】マルチバンドパワーアンプへ接続される小型の高周波スイッチモジュールを構成する。
【解決手段】高周波スイッチモジュール10は、アンテナANTに共通端子PIC0が接続する第1スイッチ素子11と、マルチバンドパワーアンプ40に共通入力端子PICt0が接続する第2スイッチ素子30を備える。第2スイッチ素子30の個別出力端子PICt2は、第1のローパスフィルタ12を介して第1スイッチ素子11の個別端子PIC11に接続し、第2のローパスフィルタ13とハイパスフィルタ102の直列回路を介して第1スイッチ素子11の個別端子PIC12に接続する。第2スイッチ素子30の個別出力端子PICt1は位相回路101とSAWデュプレクサ14を介して第1スイッチ素子11の個別端子PIC13に接続し、位相回路101とSAWデュプレクサ15を介して第1スイッチ素子11の個別端子PIC14に接続する。 (もっと読む)


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